JPS6338561A - 電子機器リ−ド用銅合金の製造法 - Google Patents
電子機器リ−ド用銅合金の製造法Info
- Publication number
- JPS6338561A JPS6338561A JP18359386A JP18359386A JPS6338561A JP S6338561 A JPS6338561 A JP S6338561A JP 18359386 A JP18359386 A JP 18359386A JP 18359386 A JP18359386 A JP 18359386A JP S6338561 A JPS6338561 A JP S6338561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- less
- seconds
- copper alloy
- alloy
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910001122 Mischmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 31
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000012733 comparative method Methods 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004881 precipitation hardening Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は強度、導電性、成型加工性が優れ、メツキのヒ
ゲによるショート不良を起すことがない電子機器リード
用銅合金の製造法に関するものである。
ゲによるショート不良を起すことがない電子機器リード
用銅合金の製造法に関するものである。
一般に抵抗器、コンデンサー、半導体等の端子、リード
線、リードフレーム等電子機器リード用銅合金には、C
LJ−5n系合金、Cu−1”e系合金等が使用されて
いる。最近半導体の小型化、高集積化にともない、これ
等に用いられるリード線やリードフレーム等の材料には
、より優れた特性が要求されるようになった。このよう
な要求に対してCrやZrの析出効果を利用したQu−
Or系合金、 CLI−Qr−3n系合金、Qu−Or
−Zr系合金等の高性能銅合金が用いられるようになっ
た。
線、リードフレーム等電子機器リード用銅合金には、C
LJ−5n系合金、Cu−1”e系合金等が使用されて
いる。最近半導体の小型化、高集積化にともない、これ
等に用いられるリード線やリードフレーム等の材料には
、より優れた特性が要求されるようになった。このよう
な要求に対してCrやZrの析出効果を利用したQu−
Or系合金、 CLI−Qr−3n系合金、Qu−Or
−Zr系合金等の高性能銅合金が用いられるようになっ
た。
上記高性能鋼合金は何れもCrやzrの析出を利用した
ものであるが、通常の溶解鋳造、熱間及び冷間加工によ
る製造において、析出物のサイズや形状の制御が困難で
あり、大きな析出が圧延等の加工方向に長く伸びるのを
防ぐことができない。また最近のリードフレーム等の電
子機器部品は所謂ファインパターン化し、リード同志の
間隔が極めて狭くなってきてあり、些少な原因によりシ
ョートを引き起す危険をはらんでいる。
ものであるが、通常の溶解鋳造、熱間及び冷間加工によ
る製造において、析出物のサイズや形状の制御が困難で
あり、大きな析出が圧延等の加工方向に長く伸びるのを
防ぐことができない。また最近のリードフレーム等の電
子機器部品は所謂ファインパターン化し、リード同志の
間隔が極めて狭くなってきてあり、些少な原因によりシ
ョートを引き起す危険をはらんでいる。
本発明者等はこれに罵み種々検討の結果、上記高性能銅
合金をリードに成型する際、プレス又はエツチングを採
用しているが、この際加工方向に伸びた析出がリードの
端面に飛び出した状態となり、これが直接リードのショ
ートの原因となるばかりでなく、A3メツキを施した場
合、長く伸びた析出物上でAgメツキが針状に長く伸び
、ヒゲ状となってリード間のショートを引き起すことを
知見した。
合金をリードに成型する際、プレス又はエツチングを採
用しているが、この際加工方向に伸びた析出がリードの
端面に飛び出した状態となり、これが直接リードのショ
ートの原因となるばかりでなく、A3メツキを施した場
合、長く伸びた析出物上でAgメツキが針状に長く伸び
、ヒゲ状となってリード間のショートを引き起すことを
知見した。
(問題点を解決するための手段)
本発明は上記知見に基づき、更に検討の結果、強度、導
電性、耐熱性及び成型加工性が優れ、メツキのヒゲによ
るショート不良を起すことがない電子は器リード線用銅
合金の製造法を開発したものである。
電性、耐熱性及び成型加工性が優れ、メツキのヒゲによ
るショート不良を起すことがない電子は器リード線用銅
合金の製造法を開発したものである。
即ち本発明製造法の一つは、Or0.1〜0.5wt%
(以下wt%を%と略記) 、P0.02%以下、Q2
50ppm以下を含み、残部Cuと不可避的不純物から
なる銅合金を850〜1050℃で10〜1000秒間
加熱した後、300〜700℃で30秒〜24時間加熱
処理することにより、析出物の大きさを実質5μ以下と
することを特徴とするものである。
(以下wt%を%と略記) 、P0.02%以下、Q2
50ppm以下を含み、残部Cuと不可避的不純物から
なる銅合金を850〜1050℃で10〜1000秒間
加熱した後、300〜700℃で30秒〜24時間加熱
処理することにより、析出物の大きさを実質5μ以下と
することを特徴とするものである。
また本発明製造法の他の一つは、Cr0.1〜0.5%
、P0.02%以下、Q250ppm以下を含み、更に
Sn、Zn、S i 、Zr、Mn、T i 。
、P0.02%以下、Q250ppm以下を含み、更に
Sn、Zn、S i 、Zr、Mn、T i 。
Mg、G0.Fe、N i、Ag、A1.B。
Te、ミツシュメタル(以下MMと略記)の何れか1
fffi又は2種以上を合計0.003〜0.5%を含
み、残部Cuと不可避的不純物からなる銅合金を850
〜1050℃で10〜1000秒間加熱した後、300
℃以下まで200秒以内に冷却し、しかる俊300〜7
00℃で30秒〜24111間加熱処理することにより
、析出物の大きさを実質5μ以下とすることを特徴とす
るものである。
fffi又は2種以上を合計0.003〜0.5%を含
み、残部Cuと不可避的不純物からなる銅合金を850
〜1050℃で10〜1000秒間加熱した後、300
℃以下まで200秒以内に冷却し、しかる俊300〜7
00℃で30秒〜24111間加熱処理することにより
、析出物の大きさを実質5μ以下とすることを特徴とす
るものである。
(作 用)
本発明において合金組成を上記の如く限定したのは次の
理由によるものである。
理由によるものである。
Or含有ωを0.1〜0.5%と限定したのは、Crは
析出硬化によりCuの導電性を低下することなく、強度
を上げる添加元素であり、含有量が0.1%未満ではそ
の効果が少なく、0.5%を越えると強度は向上するも
、上記製造法によってもショートの原因となるCr+7
)長い析出を防げないためである。P含有量を0,02
%以下と限定したのは、Pは脱酸及びCr−P化合物に
よる強化の効果を有するも、含有量が0.02%を越え
るとCr−Pの析出が凝固時に長く伸びてショートの原
因となるためである。α含有量を50ppm以下と限定
したのは、Q含有量がこれを越えるとCrが酸化して有
効な強化作用が得られないためである。
析出硬化によりCuの導電性を低下することなく、強度
を上げる添加元素であり、含有量が0.1%未満ではそ
の効果が少なく、0.5%を越えると強度は向上するも
、上記製造法によってもショートの原因となるCr+7
)長い析出を防げないためである。P含有量を0,02
%以下と限定したのは、Pは脱酸及びCr−P化合物に
よる強化の効果を有するも、含有量が0.02%を越え
るとCr−Pの析出が凝固時に長く伸びてショートの原
因となるためである。α含有量を50ppm以下と限定
したのは、Q含有量がこれを越えるとCrが酸化して有
効な強化作用が得られないためである。
また3n、Zn、5i、Zr、Mn、 Ti。
M!?、Q0. Fe、N i 、A!?、A1.B。
Te、MMの何れか1種又は2種以上の合削含有口を0
.003〜0.5%と限定したのは、下記熱処理におい
て析出物の消失を促進するも、含有量が0. 003%
未満ではその効果がなく、0.5%を越えると析出物消
失の効果が飽和するばかりか、Sn、Zn、si、Mn
、Ti、Co。
.003〜0.5%と限定したのは、下記熱処理におい
て析出物の消失を促進するも、含有量が0. 003%
未満ではその効果がなく、0.5%を越えると析出物消
失の効果が飽和するばかりか、Sn、Zn、si、Mn
、Ti、Co。
Fe、N i、A1.8では導電率を低下し、Agでは
地金コストを上昇して工業的でなくなり、Zr、T i
、Te、MMt’は鋳造等の加工が困難となるためであ
る。
地金コストを上昇して工業的でなくなり、Zr、T i
、Te、MMt’は鋳造等の加工が困難となるためであ
る。
また本発明において、上記組成範囲の合金を350〜1
050℃で10〜i ooo秒間加熱するのは、通常の
製造時に生成した長い析出物を消失させるためである。
050℃で10〜i ooo秒間加熱するのは、通常の
製造時に生成した長い析出物を消失させるためである。
しかして加熱温度を850〜1050℃と限定したのは
、850℃未満では充分に消失せず、1050℃を越え
ると一部が溶解し、また加熱時間を10〜1000秒と
限定したのは、10秒未満では析出物が消失せず、10
00秒を越えると結晶粒が粗大化し、リードフレーム等
に必要な曲げ成型性が劣化するためである。
、850℃未満では充分に消失せず、1050℃を越え
ると一部が溶解し、また加熱時間を10〜1000秒と
限定したのは、10秒未満では析出物が消失せず、10
00秒を越えると結晶粒が粗大化し、リードフレーム等
に必要な曲げ成型性が劣化するためである。
次に上記加熱処理後300℃以下まで200秒以内に冷
却し、しかる後300〜700℃で30秒〜24時間加
熱処理するのは、冷却過程におけるcr等の析出を抑制
し、その後の加熱処理によってCuマトリックス中に固
溶したCrを微細に析出さじ、導電率を回復させると共
に強度を向上させるためである。しかして200秒を越
える冷却では粗大析出物を晶出し、その後に加熱処理を
施しても、特性の改善が1qられないためである。また
加熱温度が300℃未満でも、700℃を越えても、更
に加熱時間が30秒未満ででも導電率が充分に回復せず
、24時間を越える加熱は工業的に不経済となり、コス
ト上昇をまねくためである。
却し、しかる後300〜700℃で30秒〜24時間加
熱処理するのは、冷却過程におけるcr等の析出を抑制
し、その後の加熱処理によってCuマトリックス中に固
溶したCrを微細に析出さじ、導電率を回復させると共
に強度を向上させるためである。しかして200秒を越
える冷却では粗大析出物を晶出し、その後に加熱処理を
施しても、特性の改善が1qられないためである。また
加熱温度が300℃未満でも、700℃を越えても、更
に加熱時間が30秒未満ででも導電率が充分に回復せず
、24時間を越える加熱は工業的に不経済となり、コス
ト上昇をまねくためである。
以上の熱処理により析出物の大きさは実質的に5μ以下
となり、ショートの原因となるメツキのヒゲが大きくな
るのを防止する。またこれ等2回の加熱処理の間に減面
率にして10〜90%の冷間加工を行なうことは強度向
上に有効であるばかりか、2回目の加熱処理における析
出を容易にする。更に2回目の加熱処理後、減面率にし
て60%以下の冷間加工を行なうことも強度向上に有効
である。また1回目の加熱処理の後に、冷間加工と2回
目の加熱処理を2回以上繰返すことも特性向上に有効で
あるが、4回以上の繰返しはいたずらに製造コストを上
昇させるため、工業的でない。
となり、ショートの原因となるメツキのヒゲが大きくな
るのを防止する。またこれ等2回の加熱処理の間に減面
率にして10〜90%の冷間加工を行なうことは強度向
上に有効であるばかりか、2回目の加熱処理における析
出を容易にする。更に2回目の加熱処理後、減面率にし
て60%以下の冷間加工を行なうことも強度向上に有効
である。また1回目の加熱処理の後に、冷間加工と2回
目の加熱処理を2回以上繰返すことも特性向上に有効で
あるが、4回以上の繰返しはいたずらに製造コストを上
昇させるため、工業的でない。
高周波溶解炉において、所定のQ含有けの銅地金を溶解
し、Cr及び他の添加元素を所定量投入して均一な溶湯
とし、これを金をに鋳込んで、第1表に示す化学組成の
厚さ30順、巾100履、長さ150Mの鋳塊を得た。
し、Cr及び他の添加元素を所定量投入して均一な溶湯
とし、これを金をに鋳込んで、第1表に示す化学組成の
厚さ30順、巾100履、長さ150Mの鋳塊を得た。
これを第2表に示す製造工程により熱間圧延後、冷間圧
延と加熱処理を行ない、厚さ0.25#I#Iの板材と
し、これについて次の試験を行なった。
延と加熱処理を行ない、厚さ0.25#I#Iの板材と
し、これについて次の試験を行なった。
引張試験と導電率の測定を行ない、強度と電気及び熱伝
導性を測定した。またJIS−Z−2248のVブロッ
ク法により曲げ成型性の試験を行ない、試験片の表面割
れを生じさせる最少曲げ半径(R)を試験片の厚さく1
)で割った値(R/Pを求めた。また圧延方向に垂直な
間隔(0,2m)のリードを塩化第2鉄によるエツチン
グにてIl1作し、厚さ5μのA9メツキを施した後、
リード間のショートの確率を測定した。
導性を測定した。またJIS−Z−2248のVブロッ
ク法により曲げ成型性の試験を行ない、試験片の表面割
れを生じさせる最少曲げ半径(R)を試験片の厚さく1
)で割った値(R/Pを求めた。また圧延方向に垂直な
間隔(0,2m)のリードを塩化第2鉄によるエツチン
グにてIl1作し、厚さ5μのA9メツキを施した後、
リード間のショートの確率を測定した。
更に塩化第2鉄によりエツチングして走査電子顕微鏡に
より2000倍に拡大して析出物の大きさを測定した。
より2000倍に拡大して析出物の大きさを測定した。
これ等の結果を第3表に示す。
第1表〜第3表から明らかなように本発明法Nα1〜1
6によるものは、従来法Nα28によるものと比較し、
引張強ざが優れ、かつショートの確率が著しく低くなっ
ていることが判る。
6によるものは、従来法Nα28によるものと比較し、
引張強ざが優れ、かつショートの確率が著しく低くなっ
ていることが判る。
これに対しCr含有最の少ない比較法Nα17、■含有
量の多い比較法N0. 20.2回目の加熱処理温度の
高い比較法Nα27では何れも強度が低い。
量の多い比較法N0. 20.2回目の加熱処理温度の
高い比較法Nα27では何れも強度が低い。
Qr含有量の多い比較法Nα18、P含有量の多い比較
法Nα19、第1回目の加熱処理温度の低い比較法Nα
22、第1回目の加熱処理時間の短い比較法N0. 2
3では何れもメツキのヒゲによるショートの確率が高く
信頼性が低く、析出物の大きさも5μを越える。またS
n、Z、Si、Zr。
法Nα19、第1回目の加熱処理温度の低い比較法Nα
22、第1回目の加熱処理時間の短い比較法N0. 2
3では何れもメツキのヒゲによるショートの確率が高く
信頼性が低く、析出物の大きさも5μを越える。またS
n、Z、Si、Zr。
Mn、Ti、Mg、G0.N i、Ag、AI。
B1丁e、MMのうち何れか1種又は2種以上の含有量
が多い比較法Nα21は強度及びショートの確率は良好
なるも導電性が劣る。また第2回目の加熱処理温度の低
い比較法NO,25、第2回目の加熱処理時間の短い比
較法Nα26は何れも導電率が劣る。更に第1回目の加
熱処理時間が長い比較法N024では曲げ成型性が劣る
。
が多い比較法Nα21は強度及びショートの確率は良好
なるも導電性が劣る。また第2回目の加熱処理温度の低
い比較法NO,25、第2回目の加熱処理時間の短い比
較法Nα26は何れも導電率が劣る。更に第1回目の加
熱処理時間が長い比較法N024では曲げ成型性が劣る
。
(発明の効果)
このように本発明製造法によれば、強度、導電性、成型
加工性が優れ、Orによるショートの危険のない高い信
頼性を確保でき、リードフレーム等の電子機器用材料に
使用し、その薄肉化、小型化を可能にするなど、工業上
顕著な効果を奏するものである。
加工性が優れ、Orによるショートの危険のない高い信
頼性を確保でき、リードフレーム等の電子機器用材料に
使用し、その薄肉化、小型化を可能にするなど、工業上
顕著な効果を奏するものである。
Claims (2)
- (1)Cr0.1〜0.5wt%、P0.02wt%以
下、O_250ppm以下を含み、残部Cuと不可避的
不純物からなる銅合金を、850〜1050℃で10〜
1000秒間加熱した後、300℃以下まで200秒以
内に冷却し、しかる後300〜100℃で30秒〜24
時間加熱処理することにより、析出物の大きさを実質5
μ以下とすることを特徴とする電子機器リード用銅合金
の製造法。 - (2)Cr0.1〜0.5wt%、P0.02wt%以
下、O_250ppm以下を含み、更にSn、Zn、S
i、Zr、Mn、Ti、Mg、Co、Fe、Ni、Ag
、Al、B、Te、ミッシュメタル(MM)の何れか1
種又は2種以上を合計0.003〜0.5wt%を含み
、残部Cuと不可避的不純物からなる銅合金を850〜
1050℃で10〜1000秒間加熱した後、300℃
以下まで200秒以内に冷却し、しかる後300〜70
0℃で30秒〜24時間加熱処理することにより、析出
物の大きさを実質5μ以下とすることを特徴とする電子
機器リード用銅合金の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18359386A JPS6338561A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 電子機器リ−ド用銅合金の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18359386A JPS6338561A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 電子機器リ−ド用銅合金の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6338561A true JPS6338561A (ja) | 1988-02-19 |
JPS64457B2 JPS64457B2 (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=16138533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18359386A Granted JPS6338561A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 電子機器リ−ド用銅合金の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6338561A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0285330A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プレス折り曲げ性の良い銅合金およびその製造方法 |
JPH0348002A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-03-01 | Smc Corp | 流体圧シリンダの精密位置決め装置 |
EP1179606A2 (en) * | 2000-08-09 | 2002-02-13 | Olin Corporation | Silver containing copper alloy |
CN104004939A (zh) * | 2014-06-13 | 2014-08-27 | 甘肃大鑫铜业有限责任公司 | 高强高导铜合金及其制备方法 |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP18359386A patent/JPS6338561A/ja active Granted
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0285330A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プレス折り曲げ性の良い銅合金およびその製造方法 |
JPH0469217B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1992-11-05 | Mitsui Mining & Smelting Co | |
JPH0348002A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-03-01 | Smc Corp | 流体圧シリンダの精密位置決め装置 |
EP1179606A2 (en) * | 2000-08-09 | 2002-02-13 | Olin Corporation | Silver containing copper alloy |
EP1179606A3 (en) * | 2000-08-09 | 2002-08-14 | Olin Corporation | Silver containing copper alloy |
US6749699B2 (en) | 2000-08-09 | 2004-06-15 | Olin Corporation | Silver containing copper alloy |
CN104004939A (zh) * | 2014-06-13 | 2014-08-27 | 甘肃大鑫铜业有限责任公司 | 高强高导铜合金及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS64457B2 (ja) | 1989-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3273613B2 (ja) | 高い強さおよび導電率を有する銅合金の製造方法 | |
JP3550233B2 (ja) | 高強度高導電性銅基合金の製造法 | |
TWI695075B (zh) | 銅合金材料及其製造方法 | |
JP3383615B2 (ja) | 電子材料用銅合金及びその製造方法 | |
JP4393663B2 (ja) | 端子用銅基合金条およびその製造方法 | |
JP3275377B2 (ja) | 微細組織を有する電気電子部品用Cu合金板材 | |
JP2844120B2 (ja) | コネクタ用銅基合金の製造法 | |
JP2009007625A (ja) | 電気・電子部品用高強度銅合金の製造方法 | |
JPS61143566A (ja) | 高力高導電性銅基合金の製造方法 | |
JP3344700B2 (ja) | プレス打ち抜き加工時の熱処理性に優れる高強度、高導電性リードフレーム用銅合金板 | |
JPS6338561A (ja) | 電子機器リ−ド用銅合金の製造法 | |
JP2007100136A (ja) | 均一めっき性に優れたリードフレーム用銅合金 | |
JPH10265873A (ja) | 電気電子部品用銅合金及びその製造方法 | |
JPH10287939A (ja) | 打抜加工性に優れた電気電子機器用銅合金 | |
JPH05311364A (ja) | 高強度高導電性銅合金の製造方法 | |
JP3306585B2 (ja) | 晶出物および析出物が微細で、その分布割合が低いCu合金圧延薄板 | |
US5248351A (en) | Copper Ni-Si-P alloy for an electronic device | |
JPH0356294B2 (ja) | ||
JPS61143564A (ja) | 高力高導電性銅基合金の製造方法 | |
JP2945208B2 (ja) | 電気電子機器用銅合金の製造方法 | |
JPS6299430A (ja) | 端子・コネクタ−用銅基合金およびその製造法 | |
JP3519888B2 (ja) | 電子機器用銅合金及びその製造方法 | |
JPS62180025A (ja) | はんだ接合強度に優れた電子機器用銅合金とその製造法 | |
JP3755272B2 (ja) | 高強度・高導電性銅合金の製造方法 | |
JPH1136056A (ja) | 電子機器用銅合金材の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |