JPS6338428B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6338428B2 JPS6338428B2 JP59049268A JP4926884A JPS6338428B2 JP S6338428 B2 JPS6338428 B2 JP S6338428B2 JP 59049268 A JP59049268 A JP 59049268A JP 4926884 A JP4926884 A JP 4926884A JP S6338428 B2 JPS6338428 B2 JP S6338428B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rotating body
- hard film
- forming
- substrate
- bodies
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000004227 thermal cracking Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001315 Tool steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- -1 nitrogen gas ions Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は基板上に耐摩耗性、耐熱性、耐食性な
どが優れた硬質膜を形成する方法に関し、更に詳
しくは、複数の物質からなる蒸発源に大出力レー
ザ光を照射することにより、合金、単一化合物、
複合化合物、固溶体又はこれらが積層してなる硬
質膜を形成する方法に関する。
どが優れた硬質膜を形成する方法に関し、更に詳
しくは、複数の物質からなる蒸発源に大出力レー
ザ光を照射することにより、合金、単一化合物、
複合化合物、固溶体又はこれらが積層してなる硬
質膜を形成する方法に関する。
[発明の技術的背景とその問題点]
従来から、基板上に硬質膜を形成する方法とし
ては、プラズマスプレー法、化学蒸着法、物理蒸
着法が知られている。
ては、プラズマスプレー法、化学蒸着法、物理蒸
着法が知られている。
これらのうち、プラズマスプレー法は成膜速度
が大きいという利点を有する反面、一方では緻密
で強固な膜を形成することが困難であるという欠
点がある。
が大きいという利点を有する反面、一方では緻密
で強固な膜を形成することが困難であるという欠
点がある。
また、化学蒸着法において、例えば積層した硬
質膜を基板に形成する際には積層すべきそれぞれ
の膜の析出温度が異なる場合があり、このため、
積層膜を1つの容器内で同時に形成することは製
造工程上での温度抑制が煩雑になり、また複合硬
質膜を形成する場合に、該膜を構成するそれぞれ
の物質が合成される化学反応は相互に異なるの
で、相互の化学反応が共存し得るときにのみ成膜
可能となるため、形成できる複合硬質膜の種類が
限定されてしまう。しかもこの化学蒸着法にあつ
ては、膜構成物質の基板への堆積速度が小さいと
いう欠点がある。
質膜を基板に形成する際には積層すべきそれぞれ
の膜の析出温度が異なる場合があり、このため、
積層膜を1つの容器内で同時に形成することは製
造工程上での温度抑制が煩雑になり、また複合硬
質膜を形成する場合に、該膜を構成するそれぞれ
の物質が合成される化学反応は相互に異なるの
で、相互の化学反応が共存し得るときにのみ成膜
可能となるため、形成できる複合硬質膜の種類が
限定されてしまう。しかもこの化学蒸着法にあつ
ては、膜構成物質の基板への堆積速度が小さいと
いう欠点がある。
一方、物理蒸着法において、その代表的方法で
あるイオンプレーテイング法、スパツタリング法
を適用すれば緻密で強固な硬質膜を形成すること
は可能であるが、しかし一般に膜構成物質の基板
への堆積速度は小さいという欠点がある。
あるイオンプレーテイング法、スパツタリング法
を適用すれば緻密で強固な硬質膜を形成すること
は可能であるが、しかし一般に膜構成物質の基板
への堆積速度は小さいという欠点がある。
そのため最近では、真空容器内に配置された膜
構成物質の被照射試料に大出力のレーザ光を照射
して該試料を蒸発させ、この蒸発粒子を基板上に
堆積させるという方法が提案されている。
構成物質の被照射試料に大出力のレーザ光を照射
して該試料を蒸発させ、この蒸発粒子を基板上に
堆積させるという方法が提案されている。
この方法で用いる従来のレーザ蒸着装置は、し
かしながら、いずれも支持板に載置されている被
照射試料の表面に垂直方向からレーザ光を照射し
て該レーザ光をスキヤンニングさせるか、又は被
照射試料を支持板の法線軸のまわりに回転させる
かして照射点位置を移動させる構造のものであ
り、また適用される照射エネルギーもCO2レーザ
で100W以下であつた。
かしながら、いずれも支持板に載置されている被
照射試料の表面に垂直方向からレーザ光を照射し
て該レーザ光をスキヤンニングさせるか、又は被
照射試料を支持板の法線軸のまわりに回転させる
かして照射点位置を移動させる構造のものであ
り、また適用される照射エネルギーもCO2レーザ
で100W以下であつた。
このような従来のレーザ蒸着装置を用いた方法
では、蒸発粒子の基板への堆積速度は必ずしも大
きくなく、また形成された膜強度はあまり高くな
い。そのため、この方法は光学部品、電子部品用
の膜形成にその適用が限られている。
では、蒸発粒子の基板への堆積速度は必ずしも大
きくなく、また形成された膜強度はあまり高くな
い。そのため、この方法は光学部品、電子部品用
の膜形成にその適用が限られている。
そこで、本発明者らは、上記レーザ蒸着装置に
おいて被照射試料を真空容器内で軸回転する例え
ば円筒形状の回転体として構成し、該回転体の外
周面に接線方向から収束レーザ光を照射すること
を主要な特徴点とする装置を開発し、すでに特願
昭57―225587号として出願した。この装置を用い
ると、蒸発粒子は高密度でかつ安定して基板に供
給されるので試料の基板への堆積速度は上昇し、
形成された膜も緻密、強固であり、しかも基板と
膜との密着性も向上して各種の有用な機能材料の
製造が可能となつた。
おいて被照射試料を真空容器内で軸回転する例え
ば円筒形状の回転体として構成し、該回転体の外
周面に接線方向から収束レーザ光を照射すること
を主要な特徴点とする装置を開発し、すでに特願
昭57―225587号として出願した。この装置を用い
ると、蒸発粒子は高密度でかつ安定して基板に供
給されるので試料の基板への堆積速度は上昇し、
形成された膜も緻密、強固であり、しかも基板と
膜との密着性も向上して各種の有用な機能材料の
製造が可能となつた。
そして、その後も、更に有用性に富む硬質膜を
上記レーザ蒸着装置と方法を適用することによつ
て製造する努力が重ねられてきている。
上記レーザ蒸着装置と方法を適用することによつ
て製造する努力が重ねられてきている。
[発明の目的]
本発明は、レーザ蒸着装置を用いて各種の硬質
膜を簡単に基板状に形成する方法の提供を目的と
する。
膜を簡単に基板状に形成する方法の提供を目的と
する。
[発明の概要]
本発明の硬質膜の形成方法は、容器内で軸回転
する回転体の回転面に接線方向から収束レーザ光
を照射し、該回転体から蒸発した粒子を基板に堆
積させて成る膜の形成方法において、該回転体が
黒鉛、炭素、金属、合金、金属化合物又はセラミ
ツクスの群から選ばれる少なくとも2種の物質か
ら成ることを特徴とする。
する回転体の回転面に接線方向から収束レーザ光
を照射し、該回転体から蒸発した粒子を基板に堆
積させて成る膜の形成方法において、該回転体が
黒鉛、炭素、金属、合金、金属化合物又はセラミ
ツクスの群から選ばれる少なくとも2種の物質か
ら成ることを特徴とする。
以下に本発明方法を図面に例示した装置を参考
にして詳細に説明する。
にして詳細に説明する。
第1図は、本発明方法で用いるレーザ蒸着装置
の1例を示す概略図で、1はレーザ発振器(図示
しない)から放射された平行なレーザ光である。
レーザ光1は平面鏡2で水平方向に光路変換さ
れ、集光レンズ3を通過して収束されたのち、透
過窓4から容器5に導入される。
の1例を示す概略図で、1はレーザ発振器(図示
しない)から放射された平行なレーザ光である。
レーザ光1は平面鏡2で水平方向に光路変換さ
れ、集光レンズ3を通過して収束されたのち、透
過窓4から容器5に導入される。
容器5の中には、中心軸6の回転に対応して例
えば矢印P方向に軸回転するように、回転体7が
配置されている。回転体7は、形成すべき硬質膜
の構成物質から成つていて被照射試料である。
えば矢印P方向に軸回転するように、回転体7が
配置されている。回転体7は、形成すべき硬質膜
の構成物質から成つていて被照射試料である。
容器5内に導入された収束レーザ光は、平面鏡
8によつて再び光路変換され、回転体7の外周面
に図の如く該回転体の接線方向から照射される。
集光レンズ3については、収束レーザ光が回転体
7の照射点付近Qで焦点を結ぶように、その焦点
距離及び配置位置を適宜に選定する。
8によつて再び光路変換され、回転体7の外周面
に図の如く該回転体の接線方向から照射される。
集光レンズ3については、収束レーザ光が回転体
7の照射点付近Qで焦点を結ぶように、その焦点
距離及び配置位置を適宜に選定する。
収束レーザ光が照射される間、回転体7は適宜
な速度で軸6を中心にして軸回転させる。更にこ
の回転体が円柱体、円筒体、円錐体又は湾曲凸面
体の構造の場合その回転体の中心軸方向の長さに
相当する距離だけ揺動運動が可能である構造にし
ておけば、回転体7の外周面全体は均一加熱され
てその熱割れ現象が防止されるとともに回転体7
の外周面の被照射試料全体を一様に蒸発させるこ
とができる。又、回転体がリング体又は円板体の
ような板体の場合は、板面に照射する収束レーザ
光が板面の半径に相当する距離だけスキヤンニン
グできるようにしておけば同様の効果が得られ
る。
な速度で軸6を中心にして軸回転させる。更にこ
の回転体が円柱体、円筒体、円錐体又は湾曲凸面
体の構造の場合その回転体の中心軸方向の長さに
相当する距離だけ揺動運動が可能である構造にし
ておけば、回転体7の外周面全体は均一加熱され
てその熱割れ現象が防止されるとともに回転体7
の外周面の被照射試料全体を一様に蒸発させるこ
とができる。又、回転体がリング体又は円板体の
ような板体の場合は、板面に照射する収束レーザ
光が板面の半径に相当する距離だけスキヤンニン
グできるようにしておけば同様の効果が得られ
る。
収束レーザ光が照射されることにより照射点付
近Qの外周面試料は蒸発し、その蒸発粒子は矢印
R方向に放出されて基板9の上に蒸着して堆積す
る。10は、基板9の前面に配設される可動シヤ
ツタで蒸発粒子の基板9への蒸着時間を任意に調
整するためのものである。
近Qの外周面試料は蒸発し、その蒸発粒子は矢印
R方向に放出されて基板9の上に蒸着して堆積す
る。10は、基板9の前面に配設される可動シヤ
ツタで蒸発粒子の基板9への蒸着時間を任意に調
整するためのものである。
なお、回転体7を構成する被照射試料が極めて
熱割れを生じやすい材質である場合には、回転体
7の外周面近傍に図のような予熱ヒータ11を配
置し、回転体7を予熱しておけば収束レーザ光の
照射時に回転体7の損壊を防止することができ
る。
熱割れを生じやすい材質である場合には、回転体
7の外周面近傍に図のような予熱ヒータ11を配
置し、回転体7を予熱しておけば収束レーザ光の
照射時に回転体7の損壊を防止することができ
る。
さて、本発明は、以上例示した装置において、
回転体7が、黒鉛、炭素、金属、合金、金属化合
物、セラミツクスからなる物質の少なくとも2種
以上からなることを特徴とする。すなわち、本発
明にかかる回転体は2種類以上の異種物質がそれ
ぞれその特性を独立させた状態で混在する構造体
である。
回転体7が、黒鉛、炭素、金属、合金、金属化合
物、セラミツクスからなる物質の少なくとも2種
以上からなることを特徴とする。すなわち、本発
明にかかる回転体は2種類以上の異種物質がそれ
ぞれその特性を独立させた状態で混在する構造体
である。
具体的には次のような態様のものを好適例とし
てあげることができる。
てあげることができる。
第1は、2種類以上の異種物質が混合してなる
回転体である。回転体の構造としては、第2図に
示すような円柱体、第3図に示すような円筒体、
第4図に示すような円錐体、第5図に示すような
湾曲凸面体、第6図に示すような円板体、第7図
に示すようなリング体等種々の形態をあげること
ができる。このような構造の回転体は、例えば金
属チタンと炭素との混合粉末からなる回転体から
炭化チタンの硬質膜を形成する場合、炭化チタン
と窒化チタンとの混合粉末からなる回転体から炭
窒化チタンの硬質膜を形成する場合、窒化ケイ素
と酸化アルミニウムと酸化イツトリウムの混合粉
末からなる回転体から窒化ケイ素を主体とした物
質又はサイアロンと称する固溶体の硬質膜を形成
する場合に適用して有効である。
回転体である。回転体の構造としては、第2図に
示すような円柱体、第3図に示すような円筒体、
第4図に示すような円錐体、第5図に示すような
湾曲凸面体、第6図に示すような円板体、第7図
に示すようなリング体等種々の形態をあげること
ができる。このような構造の回転体は、例えば金
属チタンと炭素との混合粉末からなる回転体から
炭化チタンの硬質膜を形成する場合、炭化チタン
と窒化チタンとの混合粉末からなる回転体から炭
窒化チタンの硬質膜を形成する場合、窒化ケイ素
と酸化アルミニウムと酸化イツトリウムの混合粉
末からなる回転体から窒化ケイ素を主体とした物
質又はサイアロンと称する固溶体の硬質膜を形成
する場合に適用して有効である。
なお、ここで第3図に示すような円筒体を回転
体として使用する場合、円筒体の外周面に対して
接線方向から収束レーザ光を外周面に照射すれば
円柱体(第2図)、円錐体(第4図)、湾曲凸面体
(第5図)を用いた場合と同様の効果を得ること
ができるが、特に、円筒体の内側壁面に対して接
線方向(回転軸方向)から収束レーザ光を該壁面
に照射すれば、粒子の蒸発方向が一定にそろうた
め蒸発粒子を基板に堆積させることが容易とな
り、又、蒸発粒子が容器内に飛散して容器内壁全
体を汚染することを抑制できるなどの更なる効果
を得ることも可能となる。
体として使用する場合、円筒体の外周面に対して
接線方向から収束レーザ光を外周面に照射すれば
円柱体(第2図)、円錐体(第4図)、湾曲凸面体
(第5図)を用いた場合と同様の効果を得ること
ができるが、特に、円筒体の内側壁面に対して接
線方向(回転軸方向)から収束レーザ光を該壁面
に照射すれば、粒子の蒸発方向が一定にそろうた
め蒸発粒子を基板に堆積させることが容易とな
り、又、蒸発粒子が容器内に飛散して容器内壁全
体を汚染することを抑制できるなどの更なる効果
を得ることも可能となる。
第2は、2種類以上の異種物質をそれぞれ別々
に1つの構造体として形成し、これらを組合わせ
てなる回転体である。例えば、異種物質で形成し
た断面扇状の柱体を、2個以上、求心的に合体さ
せて円柱体、円筒体、円錐体又は湾曲凸面体にし
たり(第8図:円柱体の場合)、異種物質で形成
した断面扇状の板体を、2個以上、求心的に合体
させてリング体又は円板体にしたり(第9図:円
板体の場合)、異種物質で形成した円柱体、円筒
体、円錐体又は湾曲凸面体を、2個以上、回転体
の軸方向に一体的に連設したり(第10図:連設
円柱体の場合)、異種物質で形成し直径の異なる
リング体又は円板体を、2個以上、同心円状に合
体させてリング体又は円板体にしたり(第11
図:同心円状リング体の場合)、その他、1つの
物質で形成した回転体の中に少なくとも1種の他
の異種物質を適当な形状にして合体させたり(第
12図、第13図)した種々の回転体である。
に1つの構造体として形成し、これらを組合わせ
てなる回転体である。例えば、異種物質で形成し
た断面扇状の柱体を、2個以上、求心的に合体さ
せて円柱体、円筒体、円錐体又は湾曲凸面体にし
たり(第8図:円柱体の場合)、異種物質で形成
した断面扇状の板体を、2個以上、求心的に合体
させてリング体又は円板体にしたり(第9図:円
板体の場合)、異種物質で形成した円柱体、円筒
体、円錐体又は湾曲凸面体を、2個以上、回転体
の軸方向に一体的に連設したり(第10図:連設
円柱体の場合)、異種物質で形成し直径の異なる
リング体又は円板体を、2個以上、同心円状に合
体させてリング体又は円板体にしたり(第11
図:同心円状リング体の場合)、その他、1つの
物質で形成した回転体の中に少なくとも1種の他
の異種物質を適当な形状にして合体させたり(第
12図、第13図)した種々の回転体である。
これらの回転体は、硬質膜を形成する目的やそ
の用途によつて種々使い分けることができる。例
えば第1で示した2種以上の異種物質が混合して
なる回転体では粉末の状態で混合成形して回転体
にしたり又はその回転体を予備焼結によつて適当
な硬さ及び強度を持たせたりして使用することが
できる。このような混合状の回転体は、例えば2
種以上の金属からなる回転体によつて合金からな
る硬質膜を形成したり、2種以上の単一化合物か
らなる回転体によつて複合化合物、固溶体又は混
合物からなる硬質膜を形成することもできる。第
2で示した2種以上の異種物質をそれぞれ別々に
1つの構造体として形成し、これらの構造体を組
合わせてなる回転体では、第1で示した混合状の
回転体と同様の硬質膜の形成が可能であるのみな
らず、更に組合わせによつて、例えば第10図や
第11図の様な構造体からなる回転体を使用する
ことによつて積層状の硬質膜の形成ができる。
の用途によつて種々使い分けることができる。例
えば第1で示した2種以上の異種物質が混合して
なる回転体では粉末の状態で混合成形して回転体
にしたり又はその回転体を予備焼結によつて適当
な硬さ及び強度を持たせたりして使用することが
できる。このような混合状の回転体は、例えば2
種以上の金属からなる回転体によつて合金からな
る硬質膜を形成したり、2種以上の単一化合物か
らなる回転体によつて複合化合物、固溶体又は混
合物からなる硬質膜を形成することもできる。第
2で示した2種以上の異種物質をそれぞれ別々に
1つの構造体として形成し、これらの構造体を組
合わせてなる回転体では、第1で示した混合状の
回転体と同様の硬質膜の形成が可能であるのみな
らず、更に組合わせによつて、例えば第10図や
第11図の様な構造体からなる回転体を使用する
ことによつて積層状の硬質膜の形成ができる。
本発明方法において、被照射試料の基板への堆
積方向はほぼ一方向となるので、基板を回転又は
揺動させることにより、複雑形状の基板であつて
もその全面に目的の硬質膜を形成することができ
る。また、複数本の収束レーザ光を導入すれば、
各種の被照射試料の同時蒸着又は積層蒸着が可能
となり新しい機能材料開発の可能性を孕む。
積方向はほぼ一方向となるので、基板を回転又は
揺動させることにより、複雑形状の基板であつて
もその全面に目的の硬質膜を形成することができ
る。また、複数本の収束レーザ光を導入すれば、
各種の被照射試料の同時蒸着又は積層蒸着が可能
となり新しい機能材料開発の可能性を孕む。
また、基板を水、液体窒素などで冷却したり、
ヒータ加熱、レーザ加熱などによつて加熱したり
することもでき、基板上の硬質膜を目的用途に応
じて非晶質又は結晶性のよいものにすることがで
きる。とくに、基板を加熱したとき、形成された
硬質膜と基板との間の密着性を向上せしめること
ができる。基板の冷却又は加熱方法は真空中又は
雰囲気中で冷却又は加熱する方法であれば従来か
ら行なわれているいかなる方法であつてもよい。
ヒータ加熱、レーザ加熱などによつて加熱したり
することもでき、基板上の硬質膜を目的用途に応
じて非晶質又は結晶性のよいものにすることがで
きる。とくに、基板を加熱したとき、形成された
硬質膜と基板との間の密着性を向上せしめること
ができる。基板の冷却又は加熱方法は真空中又は
雰囲気中で冷却又は加熱する方法であれば従来か
ら行なわれているいかなる方法であつてもよい。
更に、本発明方法にあつては、被照射試料の蒸
発粒子を基板に堆積させると同時に、そこにイオ
ン照射したり、高周波若しくはマイクロ波を照射
して該堆積物質をイオン化したり、又は蒸発粒子
をバイアス電圧で加速させたりすることができ
る。このような処置を施すと、蒸発粒子が活性化
して基板との密着性に優れた硬質膜を形成するこ
とができる。
発粒子を基板に堆積させると同時に、そこにイオ
ン照射したり、高周波若しくはマイクロ波を照射
して該堆積物質をイオン化したり、又は蒸発粒子
をバイアス電圧で加速させたりすることができ
る。このような処置を施すと、蒸発粒子が活性化
して基板との密着性に優れた硬質膜を形成するこ
とができる。
また、本発明方法は、真空中のみならず各種の
不活性ガス、反応性ガス又はこれらの混合ガス中
で行なうこともできる。例えば、被照射試料とし
て各種の金属を用い、これを窒素雰囲気中で収束
レーザ光を用いて蒸発させ、同時に例えば窒素ガ
スイオンを照射すれば、基板上にこれら金属の窒
化物の硬質膜を形成することができる。
不活性ガス、反応性ガス又はこれらの混合ガス中
で行なうこともできる。例えば、被照射試料とし
て各種の金属を用い、これを窒素雰囲気中で収束
レーザ光を用いて蒸発させ、同時に例えば窒素ガ
スイオンを照射すれば、基板上にこれら金属の窒
化物の硬質膜を形成することができる。
ここで使用する基板としては、金属、合金、工
具鋼、超硬合金、サーメツト又はセラミツクス等
の種々のものを用途によつて使い分けることがで
きる。
具鋼、超硬合金、サーメツト又はセラミツクス等
の種々のものを用途によつて使い分けることがで
きる。
[発明の実施例]
実施例 1
金属チタン粉末80wt%と炭素粉末20wt%との
混合粉末を円柱体に成形した後、真空中で1200℃
に予備焼結して回転体とした。この回転体とWC
―10%Co合金からなる基板を容器にセツトした。
器内を1×10-5Torrに排気した後、回転体を
30rpmで回転させながら1000℃に予熱し、基体を
700℃に予熱した。次にレーザ発振器から700Wの
CWCO2収束レーザ光を回転体の外周面に接線方
向から照射して蒸発させ、この蒸発粒子を基板表
面に堆積させた。得られた硬質膜の硬さはマイク
ロビツカースで2800〜3000Kg/mm2であつた。硬質
膜の厚さは、10μmであり、このときの堆積速度
は約1μm/minであつた。この硬質膜をX線回折
によつて解析した結果TiCであることが認められ
た。
混合粉末を円柱体に成形した後、真空中で1200℃
に予備焼結して回転体とした。この回転体とWC
―10%Co合金からなる基板を容器にセツトした。
器内を1×10-5Torrに排気した後、回転体を
30rpmで回転させながら1000℃に予熱し、基体を
700℃に予熱した。次にレーザ発振器から700Wの
CWCO2収束レーザ光を回転体の外周面に接線方
向から照射して蒸発させ、この蒸発粒子を基板表
面に堆積させた。得られた硬質膜の硬さはマイク
ロビツカースで2800〜3000Kg/mm2であつた。硬質
膜の厚さは、10μmであり、このときの堆積速度
は約1μm/minであつた。この硬質膜をX線回折
によつて解析した結果TiCであることが認められ
た。
実施例 2
SiO2を微量含有したSi3N4粉末から成り、中心
角60度の断面扇状の柱体を4本、Al2O3―10vol
%Y2O3の混合粉末から成り、中心角30度の断面
扇状の柱体を2本及びAlN―20vol%Y2O3の混合
物から成り、中心角30度の断面扇状の柱体2本を
作成した。これら8本の柱体を異種物質が相互に
隣接するように求心的に合体させて回転体とし
た。基板はAl2O3―SiO2系セラミツクスを用い
た。これらの回転体と基板を容器にセツトして実
施例1と同様にして基板の表面に蒸発粒子を堆積
させた。得られた硬質膜の硬さはマイクロビツカ
ースで1800Kg/mm2でその膜厚は5μmであつた。こ
のときの堆積速度は約0.5μm/minであつた。こ
の硬質膜をX線回折したところサイアロンと考え
られる固溶体を含むSi3N4主体の物質であること
が認められた。
角60度の断面扇状の柱体を4本、Al2O3―10vol
%Y2O3の混合粉末から成り、中心角30度の断面
扇状の柱体を2本及びAlN―20vol%Y2O3の混合
物から成り、中心角30度の断面扇状の柱体2本を
作成した。これら8本の柱体を異種物質が相互に
隣接するように求心的に合体させて回転体とし
た。基板はAl2O3―SiO2系セラミツクスを用い
た。これらの回転体と基板を容器にセツトして実
施例1と同様にして基板の表面に蒸発粒子を堆積
させた。得られた硬質膜の硬さはマイクロビツカ
ースで1800Kg/mm2でその膜厚は5μmであつた。こ
のときの堆積速度は約0.5μm/minであつた。こ
の硬質膜をX線回折したところサイアロンと考え
られる固溶体を含むSi3N4主体の物質であること
が認められた。
実施例 3
六方晶型窒化ホウ素からなる円筒体(外形50
mm、内径10mm、長さ30mm)と窒化チタンからなる
円筒体(外形50mm、内径10mm、長さ30mm)とを軸
方向に合体させて連設円筒体(外形50mm、内径10
mm、長さ60mm)を形成して回転体とした。基板は
Si3N4系セラミツクスを用いた。回転体と基板を
容器にセツトして、容器内を1×10-6Torrに排
気した後、回転体を15rpmに回転させながら500
℃に予熱し、基体を1000℃に予熱した。次にレー
ザ光発振器から1000WのCWCO2収束レーザ光を
回転体の外周面に接線方向から照射してまず窒化
チタンの回転体を蒸発させた後に六方晶型窒化ホ
ウ素の回転体を蒸発させて基板表面に蒸発粒子を
堆積させた。得られた硬質膜の硬さは4000ヌープ
であつた。硬質膜は、第1層が5μm、第2層も
5μmの積層膜であつた。この硬質膜をX線回折し
たところ内層である第1層は窒化チタンであつた
けれども外層である第2層は非晶質状のものであ
つた。
mm、内径10mm、長さ30mm)と窒化チタンからなる
円筒体(外形50mm、内径10mm、長さ30mm)とを軸
方向に合体させて連設円筒体(外形50mm、内径10
mm、長さ60mm)を形成して回転体とした。基板は
Si3N4系セラミツクスを用いた。回転体と基板を
容器にセツトして、容器内を1×10-6Torrに排
気した後、回転体を15rpmに回転させながら500
℃に予熱し、基体を1000℃に予熱した。次にレー
ザ光発振器から1000WのCWCO2収束レーザ光を
回転体の外周面に接線方向から照射してまず窒化
チタンの回転体を蒸発させた後に六方晶型窒化ホ
ウ素の回転体を蒸発させて基板表面に蒸発粒子を
堆積させた。得られた硬質膜の硬さは4000ヌープ
であつた。硬質膜は、第1層が5μm、第2層も
5μmの積層膜であつた。この硬質膜をX線回折し
たところ内層である第1層は窒化チタンであつた
けれども外層である第2層は非晶質状のものであ
つた。
[発明の効果]
以上の説明で明らかなように、本発明方法は基
板上に緻密で強固な硬質膜を基板との密着性よく
大きな堆積速度で形成することができる。したが
つて、被照射試料を適宜に選択し、また基板との
組合わせを選択することにより、新しい機能材料
を製造することができるのでその工業的価値は大
である。
板上に緻密で強固な硬質膜を基板との密着性よく
大きな堆積速度で形成することができる。したが
つて、被照射試料を適宜に選択し、また基板との
組合わせを選択することにより、新しい機能材料
を製造することができるのでその工業的価値は大
である。
第1図は本発明方法を行なうときに用いるレー
ザ蒸着装置の1例を示す概略図であり、第2図〜
第13図はいずれも本発明にかかる回転体の具体
例を示す概念的斜視図である。 1…レーザ光、2,8…平面鏡、3…集光レン
ズ、4…透過窓、5…真空容器、6…中心軸、7
…回転体(被照射試料)、9…基板、10…シヤ
ツタ、11…予熱ヒータ。
ザ蒸着装置の1例を示す概略図であり、第2図〜
第13図はいずれも本発明にかかる回転体の具体
例を示す概念的斜視図である。 1…レーザ光、2,8…平面鏡、3…集光レン
ズ、4…透過窓、5…真空容器、6…中心軸、7
…回転体(被照射試料)、9…基板、10…シヤ
ツタ、11…予熱ヒータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 容器内で軸回転する回転体の回転面に接線方
向から収束レーザ光を照射し、該回転体から蒸発
した粒子を基板に堆積させてなる膜の形成方法に
おいて、 該回転体が黒鉛、炭素、金属、合金、金属化合
物又はセラミツクスの群から選ばれる少なくとも
2種の物質から成ることを特徴とする硬質膜の形
成方法。 2 該回転体が円柱体、円筒体、円錐体又は湾曲
凸面体の構造からなる特許請求の範囲第1項記載
の硬質膜の形成方法。 3 該回転体がリング体又は円板体の構造からな
る特許請求の範囲第1項記載の硬質膜の形成方
法。 4 該回転体が断面扇状の柱体又は板体の2個以
上を求心的に合体させてなる特許請求の範囲第1
項、第2項又は第3項記載の硬質膜の形成方法。 5 該回転体が円柱体、円筒体又は円錐体の2個
以上を該回転体の軸方向に一体的に連設してなる
特許請求の範囲第1項又は第2項記載の硬質膜の
形成方法。 6 該回転体が直径の異なるリング体又は円板体
の2個以上を同心円状に合体させてなる特許請求
の範囲第1項又は第3項記載の硬質膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4926884A JPS60194067A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 硬質膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4926884A JPS60194067A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 硬質膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60194067A JPS60194067A (ja) | 1985-10-02 |
JPS6338428B2 true JPS6338428B2 (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=12826085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4926884A Granted JPS60194067A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 硬質膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60194067A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6320454A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 蒸着装置 |
NL9401560A (nl) * | 1994-09-26 | 1996-05-01 | Rijnhuizen Plasmafysica | Werkwijze en inrichting voor het generen van straling en atomaire deeltjes. |
US5786129A (en) * | 1997-01-13 | 1998-07-28 | Presstek, Inc. | Laser-imageable recording constructions utilizing controlled, self-propagating exothermic chemical reaction mechanisms |
JP4486308B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2010-06-23 | 大日本印刷株式会社 | イオンプレーティング装置およびこれを用いた成膜方法 |
JP5115249B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2013-01-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 蒸着材及び該蒸着材を用いて蒸着膜を形成する方法 |
JP4900130B2 (ja) * | 2007-08-07 | 2012-03-21 | 豊田合成株式会社 | 車両用小物入れのロック装置 |
FI20155578A (fi) * | 2015-08-10 | 2017-02-11 | Picodeon Ltd Oy | Menetelmä ohutkalvojen valmistamiseksi laserablaatiolla käyttämällä moniosaisia laserpulsseja rengasmaisen pyörivän kohtion kanssa |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57158377A (en) * | 1981-03-27 | 1982-09-30 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Plating device for inside surface of pipe utilizing laser beam |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP4926884A patent/JPS60194067A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57158377A (en) * | 1981-03-27 | 1982-09-30 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Plating device for inside surface of pipe utilizing laser beam |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60194067A (ja) | 1985-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7964247B2 (en) | Process and apparatus for the manufacture of a sputtering target | |
JPS6338428B2 (ja) | ||
McKernan | Magnetron sputter deposition of boron and boron carbide | |
JPS62230B2 (ja) | ||
US5635254A (en) | Plasma spraying method for forming diamond and diamond-like coatings | |
JPH0356675A (ja) | 超硬合金基体の被覆法および該被覆法によって作製される超硬工具 | |
JPH07109561A (ja) | 窒化クロム膜被覆基体 | |
FR2558400A1 (fr) | Procede pour la fabrication de poudres, ainsi que dispositifs correspondants et produits obtenus | |
Huang et al. | Laser ablated coatings on ceramic fibers for ceramic matrix composites | |
JPS588640B2 (ja) | スピ−カ−シンドウバンノセイゾウホウ | |
JPH0480113B2 (ja) | ||
JPS60194066A (ja) | 硬質膜被覆材料の製造方法 | |
JPS60224778A (ja) | セラミツクス被覆硬質部品 | |
JPH03174307A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
JPH0215161A (ja) | イオンビームスパッタ法による炭化チタン膜形成方法 | |
JPH0244901B2 (ja) | Reezaomochiitajochakusochi | |
JPS5916973A (ja) | 多層光学膜の形成方法 | |
JPH0625834A (ja) | 気相膜の形成方法 | |
JPS62164869A (ja) | 高硬度被覆材料とその製造方法 | |
JPS6315988B2 (ja) | ||
JPH0751747B2 (ja) | 密着性の優れた薄膜形成方法 | |
JP2952683B2 (ja) | 窒化膜被覆基体および酸化膜被覆基体の製造方法 | |
JPS6263669A (ja) | 電子ビ−ム蒸着装置 | |
JPH01247570A (ja) | ビームスパッタ法による多成分物質膜の形成方法 | |
JPS60149778A (ja) | Cvd膜の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |