JPS6333572A - プラズマ気相反応装置 - Google Patents
プラズマ気相反応装置Info
- Publication number
- JPS6333572A JPS6333572A JP17383486A JP17383486A JPS6333572A JP S6333572 A JPS6333572 A JP S6333572A JP 17383486 A JP17383486 A JP 17383486A JP 17383486 A JP17383486 A JP 17383486A JP S6333572 A JPS6333572 A JP S6333572A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- raw material
- blow
- out port
- insulated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 22
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 45
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017389 Fe3N Inorganic materials 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015845 BBr3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000727 Fe4N Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229940087654 iron carbonyl Drugs 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
圧側電極またはその近傍に原料ガス吹き出し口をそのま
ま設けられている。そのため、原料ガス吹き出し口はプ
ラズマ中の電界により加速された電子ならびに一部のイ
オンの衝撃により温度が上昇する。
ま設けられている。そのため、原料ガス吹き出し口はプ
ラズマ中の電界により加速された電子ならびに一部のイ
オンの衝撃により温度が上昇する。
従って、従来のプラズマ気相反応装置では、熱的に安定
なガスしかプラズマ気相反応の原料ガスとして用いるこ
とができなかった。熱的に不安定な原料ガスを使用する
と原料ガスがプラズマ中に吹き出される以前に、ノズル
の内部で原料ガスの一部が熱作用により化学反応を受け
、その後プラズマ中に吹き出される。その結果、得られ
る反応生成物は、熱化学反応生成物とプする。
なガスしかプラズマ気相反応の原料ガスとして用いるこ
とができなかった。熱的に不安定な原料ガスを使用する
と原料ガスがプラズマ中に吹き出される以前に、ノズル
の内部で原料ガスの一部が熱作用により化学反応を受け
、その後プラズマ中に吹き出される。その結果、得られ
る反応生成物は、熱化学反応生成物とプする。
この使用できる原料ガス種類の制約がプラズマ気相反応
の応用対象を著しく制限していた。
の応用対象を著しく制限していた。
発明の目的
本発明は従来法における前記問題点を解決する。ために
なされたものであり、その目的は原料ガスが熱的に不安
定なものでも、プラズマ気相反応を行うことが可能なプ
ラズマ気相反応装置を提供するにある。
なされたものであり、その目的は原料ガスが熱的に不安
定なものでも、プラズマ気相反応を行うことが可能なプ
ラズマ気相反応装置を提供するにある。
発明の構成
本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意研究の結果、原
料ガス吹き出し口に、大地と絶縁された冷却機構を設け
、原料ガス吹き出し口のプラズマの衝撃による温度上昇
を防ぐようにすると、従来法における問題点を解決し得
られることを知見し得た。この知見に基づいて本発明を
完成した。
料ガス吹き出し口に、大地と絶縁された冷却機構を設け
、原料ガス吹き出し口のプラズマの衝撃による温度上昇
を防ぐようにすると、従来法における問題点を解決し得
られることを知見し得た。この知見に基づいて本発明を
完成した。
撃による温度上昇を防ぐように構成したことを特徴とす
るプラズマ気相反応装置にある。
るプラズマ気相反応装置にある。
これを図面に基づいて説明する。第1図は縦型、第2図
は横型のプラズマ気相反応装置の断面図である。
は横型のプラズマ気相反応装置の断面図である。
プラズマ反応容器1内に狭い面積を有する電極2及び広
い面積を有する3を設け、これらの電極間に高周波発信
器4により高周波電界を印加する。このとき、極性はい
づれでもよいが、望ましくは、2を高圧側とし3を接地
する。原料ガス導入管5を通じて、原料ガス吹き出し口
6から原料がスフを反応容器1内に導入する。
い面積を有する3を設け、これらの電極間に高周波発信
器4により高周波電界を印加する。このとき、極性はい
づれでもよいが、望ましくは、2を高圧側とし3を接地
する。原料ガス導入管5を通じて、原料ガス吹き出し口
6から原料がスフを反応容器1内に導入する。
なお原料ガス吹き出し口は狭い面積を有する電極2の側
に設ける方が、プラズマ気相反応を有効に行うために望
ましい。一方真空ポンプにより排気口8よりプラズマ反
応容器1内を排気し界にさらされ、電子、並びにイオン
の衝撃により温度が上昇する。この温度上昇により、原
料ガスはプラズマに接触する前に熱化学反応を受ける。
に設ける方が、プラズマ気相反応を有効に行うために望
ましい。一方真空ポンプにより排気口8よりプラズマ反
応容器1内を排気し界にさらされ、電子、並びにイオン
の衝撃により温度が上昇する。この温度上昇により、原
料ガスはプラズマに接触する前に熱化学反応を受ける。
そこで、本発明では、原料ガス吹き出し口6に、大地と
絶縁された冷却機構10.11を設けた。冷却機構は例
えば、原料ガス吹き出し口6に熱接触の良好な金属性じ
ゃ管10を設け、絶縁性配管11を通じて圧搾空気ある
いは冷却窒素ガスを流して行う。、しかし、この冷却手
段に限らず、大地と絶縁された他の冷却手段であっても
よい。
絶縁された冷却機構10.11を設けた。冷却機構は例
えば、原料ガス吹き出し口6に熱接触の良好な金属性じ
ゃ管10を設け、絶縁性配管11を通じて圧搾空気ある
いは冷却窒素ガスを流して行う。、しかし、この冷却手
段に限らず、大地と絶縁された他の冷却手段であっても
よい。
この冷却機構は大地と絶縁されていることが必要であり
、大地と絶縁されていないと、プラズマは発生しないか
、プラズマが発生しにくくなりプラズマ気相反応が有効
に果されなくなる。
、大地と絶縁されていないと、プラズマは発生しないか
、プラズマが発生しにくくなりプラズマ気相反応が有効
に果されなくなる。
以上は容量結合型反応容器の場合について説第2図に示
すプラズマ気相反応装置を用い、電極を兼ねた原料ガス
吹き出し管の吹き出し口6の周りに外径3龍の銅管10
を接触させてらせん状に巻きつけ、ナイロン製の絶縁性
配管11を通して空気圧縮機で5気圧の空気を流し、原
料ガス吹き出し口を冷却した。
すプラズマ気相反応装置を用い、電極を兼ねた原料ガス
吹き出し管の吹き出し口6の周りに外径3龍の銅管10
を接触させてらせん状に巻きつけ、ナイロン製の絶縁性
配管11を通して空気圧縮機で5気圧の空気を流し、原
料ガス吹き出し口を冷却した。
下記の条件下で運転したとき、冷却をしない場合は25
0℃に達するが、冷却した場合は30℃以下であった。
0℃に達するが、冷却した場合は30℃以下であった。
原料ガスとしてFe (Co)、蒸気と共にN2ガス8
0cc/分、Arガス120ee/分を反応容器1に導
入しつつ真空ポンプで排気し、反応容器内の圧力を約1
mmHgに保ち、13.56MHzの高周波を電極間
に印加してプラズマを発生させた。なお、高周波電力は
約80Wであった。
0cc/分、Arガス120ee/分を反応容器1に導
入しつつ真空ポンプで排気し、反応容器内の圧力を約1
mmHgに保ち、13.56MHzの高周波を電極間
に印加してプラズマを発生させた。なお、高周波電力は
約80Wであった。
これによりFe4N微粒子が21/時の割合で生N2ガ
スの供給を止め、Arガスのみを200cc/分の割合
で供給したところαFe微粒子が得られた。
スの供給を止め、Arガスのみを200cc/分の割合
で供給したところαFe微粒子が得られた。
これに対し、反応ガス吹き出し口を冷却しない場合は、
N2ガスとArガスの混合割合を調節しても、冷却を行
った場合のように混合割合に対応してFe3N、 Fe
4N及びαFeをそれぞれ別々に合成することは不可能
で常にFe3NとαFeの混合物のみしか得られなかっ
た。また生成量は02y/時と著しく少くなかった。ま
た、αFe微粒子は原料ガス吹き出し口に沈着して読口
をふさぎ連続操業ができなくなった。
N2ガスとArガスの混合割合を調節しても、冷却を行
った場合のように混合割合に対応してFe3N、 Fe
4N及びαFeをそれぞれ別々に合成することは不可能
で常にFe3NとαFeの混合物のみしか得られなかっ
た。また生成量は02y/時と著しく少くなかった。ま
た、αFe微粒子は原料ガス吹き出し口に沈着して読口
をふさぎ連続操業ができなくなった。
発明の効果
本発明の装置によると、原料ガス吹き出し口を低温に、
かつプラズマの電位を乱すことなく安定になし得るため
、 (1) 従来のプラズマ気相反応装置では原料ガスと
して使用できなかった熱的に不安定な有機金属化合物原
料ガス、または無機金属化合物原料ガス、例えば鉄カー
ボニル(Fe(Co)、)、ニッケルカーボニル(Ni
(Co)4)、(C2H5)3、B2H6、PH3、
As H3、B♀13、BBr3、GeH,、Ge’8
14等も用いることができる。
かつプラズマの電位を乱すことなく安定になし得るため
、 (1) 従来のプラズマ気相反応装置では原料ガスと
して使用できなかった熱的に不安定な有機金属化合物原
料ガス、または無機金属化合物原料ガス、例えば鉄カー
ボニル(Fe(Co)、)、ニッケルカーボニル(Ni
(Co)4)、(C2H5)3、B2H6、PH3、
As H3、B♀13、BBr3、GeH,、Ge’8
14等も用いることができる。
(2)前記原料を用い、混合ガス例えばArガス、H2
ガス、N2ガス、NF2等を変えることにより、それら
金属の窒化物、その金属元素のものを高収率が容易に得
られる。
ガス、N2ガス、NF2等を変えることにより、それら
金属の窒化物、その金属元素のものを高収率が容易に得
られる。
(3)原料ガス吹き出し口を低温に保持し得るため、原
料ガス吹き出し口及び原料ガス導入管に熱的析出物によ
りつまることがなく、長時間の連続運転が可能である。
料ガス吹き出し口及び原料ガス導入管に熱的析出物によ
りつまることがなく、長時間の連続運転が可能である。
(4)冷却機構が大地と絶縁されたものであるため、プ
ラズマの電位が乱れることがなく、得られる反応生成物
の組成も一定となり、その施態様図で、第1図は縦型、
第2図は横型の容量結合型のプラズマ気相反応装置の断
面図を示す。
ラズマの電位が乱れることがなく、得られる反応生成物
の組成も一定となり、その施態様図で、第1図は縦型、
第2図は横型の容量結合型のプラズマ気相反応装置の断
面図を示す。
1:プラズマ反応容器
2.3:電 極
4:高周波発信器
5:原料ガス導入管
6:原料ガス吹き出しロ
ア:原料ガス
8:排気口
9:プラズマ
10:金属性じゃ管
11:絶縁性配管
12:冷却用気体
特許出願人 科学技術庁金属材料技術研究所長中 川
龍 −
龍 −
Claims (1)
- プラズマ気相反応容器内の原料ガス吹き出し口に、大地
と絶縁された冷却機構を設け、原料ガス吹き出し口のプ
ラズマの衝撃による温度上昇を防ぐように構成したこと
を特徴とするプラズマ気相反応装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17383486A JPS6333572A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | プラズマ気相反応装置 |
US07/451,766 US5012158A (en) | 1986-07-25 | 1989-12-18 | Plasma CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17383486A JPS6333572A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | プラズマ気相反応装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6333572A true JPS6333572A (ja) | 1988-02-13 |
JPH0118151B2 JPH0118151B2 (ja) | 1989-04-04 |
Family
ID=15968019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17383486A Granted JPS6333572A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | プラズマ気相反応装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6333572A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02164443A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-25 | Natl Res Inst For Metals | プラズマ気相反応装置 |
WO2011037190A1 (ja) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 京セラ株式会社 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17383486A patent/JPS6333572A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02164443A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-25 | Natl Res Inst For Metals | プラズマ気相反応装置 |
WO2011037190A1 (ja) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 京セラ株式会社 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
US8703586B2 (en) | 2009-09-25 | 2014-04-22 | Kyocera Corporation | Apparatus for forming deposited film and method for forming deposited film |
JP5566389B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2014-08-06 | 京セラ株式会社 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0118151B2 (ja) | 1989-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5645645A (en) | Method and apparatus for plasma treatment of a surface | |
JPH02296796A (ja) | ダイヤモンド被膜の作製法 | |
WO2005079124A1 (ja) | プラズマ発生装置 | |
JPH0424284B2 (ja) | ||
JPH0478592B2 (ja) | ||
JPS63107898A (ja) | プラズマを用いるダイヤモンドの合成法 | |
RU2200058C1 (ru) | Способ проведения гомогенных и гетерогенных химических реакций с использованием плазмы | |
JP2527150B2 (ja) | マイクロ波熱プラズマ・ト―チ | |
JPS6333572A (ja) | プラズマ気相反応装置 | |
US5012158A (en) | Plasma CVD apparatus | |
US3658572A (en) | Pyrolytic coatings of molybdenum sulfide by plasma jet technique | |
JPS5860614A (ja) | アンモニアの低圧合成法 | |
JPH06144993A (ja) | 硼素ドープダイヤモンド | |
JPS5918197A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
JPS5935092A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
JPS60826A (ja) | 超微粒子の製造方法と製造装置 | |
JP3047486B2 (ja) | ダイヤモンド膜の製造装置 | |
JP3180842B2 (ja) | ダイヤモンド膜の製造方法 | |
JP2841715B2 (ja) | ダイヤモンド膜の製造装置および製造方法 | |
JPS6019034A (ja) | 複合プラズマを使用する化学反応方法及びその装置 | |
JPS6331536A (ja) | プラズマ気相反応による微粒子製造装置 | |
JPH0449518B2 (ja) | ||
JPH0532489A (ja) | プラズマを用いるダイヤモンドの合成法 | |
JPS6265997A (ja) | ダイヤモンド合成方法およびその装置 | |
JP3047488B2 (ja) | ダイヤモンド膜の製造装置および製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |