JPH0478592B2 - - Google Patents
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- JPH0478592B2 JPH0478592B2 JP63162726A JP16272688A JPH0478592B2 JP H0478592 B2 JPH0478592 B2 JP H0478592B2 JP 63162726 A JP63162726 A JP 63162726A JP 16272688 A JP16272688 A JP 16272688A JP H0478592 B2 JPH0478592 B2 JP H0478592B2
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- reactant gas
- heating
- substrate
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
-
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、化学蒸着法を用いて基体上にダイヤ
モンドを合成する技術に関するものである。
モンドを合成する技術に関するものである。
発明の背景
ダイヤモンドは、数多くの望ましい物理的性質
（たとえば、硬さ、科学的不活性、赤外線透明性
など）を有すると共に、非常に高い電気抵抗率と
優れた熱伝導率との組合せを有している。その結
果としてダイヤモンドは、化学装置、半導体、放
熱器、研摩材、工具被膜などのような数多くの重
要な技術的用途を持つた材料となつている。ダイ
ヤモンドはまた、放射線抵抗性を有する高品質の
高温半導体としても使用可能であつて、かかる半
導体は数多くの軍用技術分野および航空宇宙技術
分野において潜在的な有用性を有している。この
ように多種多様の用途に役立つダイヤモンドを合
成するための実用的な方法を開発しようとして多
大の努力が払われている。
（たとえば、硬さ、科学的不活性、赤外線透明性
など）を有すると共に、非常に高い電気抵抗率と
優れた熱伝導率との組合せを有している。その結
果としてダイヤモンドは、化学装置、半導体、放
熱器、研摩材、工具被膜などのような数多くの重
要な技術的用途を持つた材料となつている。ダイ
ヤモンドはまた、放射線抵抗性を有する高品質の
高温半導体としても使用可能であつて、かかる半
導体は数多くの軍用技術分野および航空宇宙技術
分野において潜在的な有用性を有している。この
ように多種多様の用途に役立つダイヤモンドを合
成するための実用的な方法を開発しようとして多
大の努力が払われている。
添付図面の第１図には、従来の熱解離式低圧化
学蒸着（LPCVD）装置の一例が示されている。
この装置は数インチの直径および８インチの高さ
を通例有する石英管１０を含んでいて、それの両
端は適当な末端部材１２によつて閉鎖されてい
る。ダイヤモンドは、炭化水素ガス（通例はメタ
ンガス）と水素ガスとの希薄な混合ガスから合成
される。炭化水素含量は、全容積流量の0.1〜2.5
％の範囲内にあるのが通例である。かかる混合ガ
スは、1750〜2150℃の温度にまで電気的に加熱さ
れた高温のタングステンフイラメント１６の直上
に位置する石英導管１４を通して導入される。混
合ガスがフイラメント表面において解離する結
果、加熱された基体１８上にはダイヤモンドが析
出する。基体１８は抵抗加熱されたモリブデンボ
ート２０内に保持され、そして700〜1100℃の範
囲内の温度にまで加熱されている。
学蒸着（LPCVD）装置の一例が示されている。
この装置は数インチの直径および８インチの高さ
を通例有する石英管１０を含んでいて、それの両
端は適当な末端部材１２によつて閉鎖されてい
る。ダイヤモンドは、炭化水素ガス（通例はメタ
ンガス）と水素ガスとの希薄な混合ガスから合成
される。炭化水素含量は、全容積流量の0.1〜2.5
％の範囲内にあるのが通例である。かかる混合ガ
スは、1750〜2150℃の温度にまで電気的に加熱さ
れた高温のタングステンフイラメント１６の直上
に位置する石英導管１４を通して導入される。混
合ガスがフイラメント表面において解離する結
果、加熱された基体１８上にはダイヤモンドが析
出する。基体１８は抵抗加熱されたモリブデンボ
ート２０内に保持され、そして700〜1100℃の範
囲内の温度にまで加熱されている。
更にまた、上記のごとき基本装置に関連してプ
ラズマ放電が使用されてきた。かかるプラズマ放
電は核生成密度および成長速度を向上させるため
に役立ち、そして離散状態の粒子ではなくダイヤ
モンド被膜の形成を助長するものと信じられてい
る。半導体材料としての使用をはじめとする数多
くの用途にとつてダイヤモンド被膜の形成は重要
である。この分野において使用されてきたプラズ
マ発生装置としては、基本的に３種のものがあ
る。第１のものはマイクロ波プラズマ装置であ
り、第２のものは（誘導結合または容量結合され
た）高周波プラズマ装置であり、そして第３のも
のは直流プラズマ装置である。高周波およびマイ
クロ波プラズマ装置は比較的複雑で高価な設備を
使用するものであつて、電気エネルギーと発生さ
れるプラズマとを電気的に結合するために複雑な
同調用または整合用の回路網を必要とするのが通
例である。その上、これら２種の装置が与えるダ
イヤモンド成長速度は極めて遅いものであつて、
毎時約１ミクロンに過ぎない。
ラズマ放電が使用されてきた。かかるプラズマ放
電は核生成密度および成長速度を向上させるため
に役立ち、そして離散状態の粒子ではなくダイヤ
モンド被膜の形成を助長するものと信じられてい
る。半導体材料としての使用をはじめとする数多
くの用途にとつてダイヤモンド被膜の形成は重要
である。この分野において使用されてきたプラズ
マ発生装置としては、基本的に３種のものがあ
る。第１のものはマイクロ波プラズマ装置であ
り、第２のものは（誘導結合または容量結合され
た）高周波プラズマ装置であり、そして第３のも
のは直流プラズマ装置である。高周波およびマイ
クロ波プラズマ装置は比較的複雑で高価な設備を
使用するものであつて、電気エネルギーと発生さ
れるプラズマとを電気的に結合するために複雑な
同調用または整合用の回路網を必要とするのが通
例である。その上、これら２種の装置が与えるダ
イヤモンド成長速度は極めて遅いものであつて、
毎時約１ミクロンに過ぎない。
それ故、広い面積にわたつて非常に早い成長速
度を与え、構造および動作が比較的簡単であり、
かつ熱的LPCVD装置およびプラズマ利用
LPCVD装置の有利な特徴を併せ持つダイヤモン
ド合成装置が要望されているのである。
度を与え、構造および動作が比較的簡単であり、
かつ熱的LPCVD装置およびプラズマ利用
LPCVD装置の有利な特徴を併せ持つダイヤモン
ド合成装置が要望されているのである。
発明の要約
本発明に従えば、基体の表面上にダイヤモンド
を析出させるための方法および装置が提供され
る。本発明の装置は、反応室、反応室内に位置す
る熱陰極、および反応室内において熱陰極から離
隔して位置する陽極を含んでいる。本発明の装置
にはまた、熱陰極を加熱するための手段、および
熱陰極の表面に沿つて反応体ガスを流して反応体
ガスの解離を引起こすための手段も含まれてい
る。更にまた、反応室内において放電を生起させ
てプラズマを発生させることにより、反応体ガス
の電離を引起こして基体の表面上にダイヤモンド
を析出させるための手段も含まれている。
を析出させるための方法および装置が提供され
る。本発明の装置は、反応室、反応室内に位置す
る熱陰極、および反応室内において熱陰極から離
隔して位置する陽極を含んでいる。本発明の装置
にはまた、熱陰極を加熱するための手段、および
熱陰極の表面に沿つて反応体ガスを流して反応体
ガスの解離を引起こすための手段も含まれてい
る。更にまた、反応室内において放電を生起させ
てプラズマを発生させることにより、反応体ガス
の電離を引起こして基体の表面上にダイヤモンド
を析出させるための手段も含まれている。
好適な実施の態様の説明
添付図面の第２図には、本発明に基づく低圧化
学蒸着装置３０が示されている。外部ケーシング
３２は底蓋３４および上蓋３６と封止状態で係合
しており、それによつて内部に反応室３８が規定
されている。ケーシング３２および底蓋３４は石
英またはその他適宜の材料から成り得る。上蓋３
６は、反応室３８内への出入りが可能なように着
脱自在となつている。反応室３８内には、下記に
述べる目的のため、上蓋３６の内面に隣接して高
温断熱材の層４０が配置されている。
学蒸着装置３０が示されている。外部ケーシング
３２は底蓋３４および上蓋３６と封止状態で係合
しており、それによつて内部に反応室３８が規定
されている。ケーシング３２および底蓋３４は石
英またはその他適宜の材料から成り得る。上蓋３
６は、反応室３８内への出入りが可能なように着
脱自在となつている。反応室３８内には、下記に
述べる目的のため、上蓋３６の内面に隣接して高
温断熱材の層４０が配置されている。
反応室３８の下部においては、第２図からわか
る通り、基体５０を保持するための基体ホルダ４
６が１対の支柱４８によつて支持されている。支
柱４８は、後述のごとくに基体５０を予熱するた
めの抵抗加熱素子（図示せず）に対して電気的に
接続される場合がある。なお、かかる抵抗加熱素
子は基体ホルダ４６の内部に埋込まれる場合もあ
る。このような埋込み形の抵抗加熱素子およびそ
れへの電気的接続手段は当業界において公知であ
る。基体ホルダ４６は高融点金属のごとき導電性
材料から成つているため、陽極として役立つこと
になる。
る通り、基体５０を保持するための基体ホルダ４
６が１対の支柱４８によつて支持されている。支
柱４８は、後述のごとくに基体５０を予熱するた
めの抵抗加熱素子（図示せず）に対して電気的に
接続される場合がある。なお、かかる抵抗加熱素
子は基体ホルダ４６の内部に埋込まれる場合もあ
る。このような埋込み形の抵抗加熱素子およびそ
れへの電気的接続手段は当業界において公知であ
る。基体ホルダ４６は高融点金属のごとき導電性
材料から成つているため、陽極として役立つこと
になる。
中空の熱陰極５４が上蓋３６から基体ホルダ４
６に向かつて突き出ている。図示の例において
は、熱陰極５４は約５mmの外径、約３mmの内径、
および約３〜５cmの長さを有している。熱陰極５
４の中空部分と連絡するように反応体ガスの供給
源５６が連結されている結果、反応体ガス５８は
中空部分の内面６０に沿つて流れ、そして基体ホ
ルダ４６に近接した位置において反応室３８内に
導入される。熱陰極５４は任意適宜の高融点金属
から成り得るが、図示の例ではタングステン管か
ら成つていて、内面６０は該管の内壁である。熱
陰極５４を支持する上蓋３６は、当業界において
公知である任意適宜の手段によつて水冷される。
支柱４８の一方および上蓋３６には、直流電流７
０が電気的に接続されており、また上蓋３６は熱
陰極５０と電気的に接続されている。反応体ガス
５８は炭化水素ガスを含む混合ガスであつて、た
とえば約１部のメタンガスと99部の水素ガスとか
ら成る混合ガスである。かかる混合ガスは、中空
熱陰極の内部を通つて反応室３８内に導入され
る。
６に向かつて突き出ている。図示の例において
は、熱陰極５４は約５mmの外径、約３mmの内径、
および約３〜５cmの長さを有している。熱陰極５
４の中空部分と連絡するように反応体ガスの供給
源５６が連結されている結果、反応体ガス５８は
中空部分の内面６０に沿つて流れ、そして基体ホ
ルダ４６に近接した位置において反応室３８内に
導入される。熱陰極５４は任意適宜の高融点金属
から成り得るが、図示の例ではタングステン管か
ら成つていて、内面６０は該管の内壁である。熱
陰極５４を支持する上蓋３６は、当業界において
公知である任意適宜の手段によつて水冷される。
支柱４８の一方および上蓋３６には、直流電流７
０が電気的に接続されており、また上蓋３６は熱
陰極５０と電気的に接続されている。反応体ガス
５８は炭化水素ガスを含む混合ガスであつて、た
とえば約１部のメタンガスと99部の水素ガスとか
ら成る混合ガスである。かかる混合ガスは、中空
熱陰極の内部を通つて反応室３８内に導入され
る。
上記のごとき装置の動作について述べれば、反
応室３８内の圧力が真空ポンプ８０によつて低下
させられる。直流放電を生起させると、熱陰極の
先端から発するプラズマ柱７２が形成される。適
当な流量およびガス圧条件の下では、かかるプラ
ズマが反応室３８の容積の大部分を満たす。混合
ガスは熱とプラズマとの併合作用を受けて解離す
る。十分な放電電流の下では、中空の熱陰極は自
己加熱によつて非常に高い温度（2000℃以上）に
まで達する結果、先端付近において高温域が形成
される。かかる高温域は、陰極表面から熱電子を
放出させるのに十分な温度を有する。中空熱陰極
の内部には強いプラズマが存在する結果、熱陰極
の内部に供給されて陰極ノズルを通過する混合ガ
スはプラズマの電界および陰極壁との熱的接触に
よつて極めて高度に電離され、かつまた加熱され
ることになる。
応室３８内の圧力が真空ポンプ８０によつて低下
させられる。直流放電を生起させると、熱陰極の
先端から発するプラズマ柱７２が形成される。適
当な流量およびガス圧条件の下では、かかるプラ
ズマが反応室３８の容積の大部分を満たす。混合
ガスは熱とプラズマとの併合作用を受けて解離す
る。十分な放電電流の下では、中空の熱陰極は自
己加熱によつて非常に高い温度（2000℃以上）に
まで達する結果、先端付近において高温域が形成
される。かかる高温域は、陰極表面から熱電子を
放出させるのに十分な温度を有する。中空熱陰極
の内部には強いプラズマが存在する結果、熱陰極
の内部に供給されて陰極ノズルを通過する混合ガ
スはプラズマの電界および陰極壁との熱的接触に
よつて極めて高度に電離され、かつまた加熱され
ることになる。
その上、約１〜２cmの陰極先端部は約2000〜
2300℃の温度を有するから、混合ガスの熱解離も
起こり得る。熱陰極から出ると、解離生成物はほ
とんど無電界のプラズマ（通例は陽光柱と呼ばれ
る）中に入る。解離生成物はこのプラズマを通過
し、そして陰極先端の前方に一定の距離を置いて
存在する基体５０に衝突する。基体５０は陽極
（すなわち基体ホルダ４６）上に位置するから、
成長中の被膜は電子ボンバードを受けることにな
る。成長中の電子ボンバードは、当業界において
公知のごとく、核生成密度および成長速度を増大
させるものである。
2300℃の温度を有するから、混合ガスの熱解離も
起こり得る。熱陰極から出ると、解離生成物はほ
とんど無電界のプラズマ（通例は陽光柱と呼ばれ
る）中に入る。解離生成物はこのプラズマを通過
し、そして陰極先端の前方に一定の距離を置いて
存在する基体５０に衝突する。基体５０は陽極
（すなわち基体ホルダ４６）上に位置するから、
成長中の被膜は電子ボンバードを受けることにな
る。成長中の電子ボンバードは、当業界において
公知のごとく、核生成密度および成長速度を増大
させるものである。
電子ボンバードを受ける結果として、陽極は約
800℃の温度にまで加熱される。それ故、適当な
放電条件の下では、基体の外部加熱は不要であ
る。とは言え、プラズマによつて十分な加熱を受
ける前に基体の表面上に炭素が析出する可能性を
できるだけ小さくするため、基体をそれの動作温
度にまで予熱することが望ましい場合もある。こ
のようなわけで本発明の装置は、混合ガスを解離
させ、基体を加熱し、かつ基体の電子ボンバード
を達成するために単一の電源を使用した比較的簡
単なものとなつている。従来の熱的CVD法にお
いてメタン／水素混合ガスを解離させるために必
要とされた熱フイラメントは省かれている。反応
室３８内の温度は2000℃を越えるから、上蓋３６
を保護するために断熱材の層４０が設置されてい
る。更にまた、上記のごとく、追加の保護を達成
するために上蓋３６は水冷されている。
800℃の温度にまで加熱される。それ故、適当な
放電条件の下では、基体の外部加熱は不要であ
る。とは言え、プラズマによつて十分な加熱を受
ける前に基体の表面上に炭素が析出する可能性を
できるだけ小さくするため、基体をそれの動作温
度にまで予熱することが望ましい場合もある。こ
のようなわけで本発明の装置は、混合ガスを解離
させ、基体を加熱し、かつ基体の電子ボンバード
を達成するために単一の電源を使用した比較的簡
単なものとなつている。従来の熱的CVD法にお
いてメタン／水素混合ガスを解離させるために必
要とされた熱フイラメントは省かれている。反応
室３８内の温度は2000℃を越えるから、上蓋３６
を保護するために断熱材の層４０が設置されてい
る。更にまた、上記のごとく、追加の保護を達成
するために上蓋３６は水冷されている。
上記のごとき本発明の実施の態様に従えば、ダ
イヤモンド種晶を付着させた基体上において、種
晶の体積の約８倍に相当するダイヤモンドの成長
が約１時間で達成された。
イヤモンド種晶を付着させた基体上において、種
晶の体積の約８倍に相当するダイヤモンドの成長
が約１時間で達成された。
別の実施の態様に従えば、第２図に示されるご
とく、反応室３８内において熱陰極５４の先端７
６と基体ホルダ４６との間に補助陽極７４が配置
される。かかる補助陽極７４は基体ホルダ４６に
対して電気的に接続され、そして成長中の被膜に
対する電子ボンバードを増強させるために役立
つ。なお、補助陽極７４は水冷してもよいし、あ
るいは水冷しなくてもよい。
とく、反応室３８内において熱陰極５４の先端７
６と基体ホルダ４６との間に補助陽極７４が配置
される。かかる補助陽極７４は基体ホルダ４６に
対して電気的に接続され、そして成長中の被膜に
対する電子ボンバードを増強させるために役立
つ。なお、補助陽極７４は水冷してもよいし、あ
るいは水冷しなくてもよい。
本明細書中の記載に基づけば、当業者には数多
くの変更態様が思い浮かぶはずであるが、それら
の変更態様も前記特許請求の範囲中に包括される
ものと見なされる。たとえば、内面以外の表面に
沿つて反応体ガスが流れるような熱陰極を使用す
ることもできるし、あるいは直流電源の代りに低
周波電源を使用することもできる。
くの変更態様が思い浮かぶはずであるが、それら
の変更態様も前記特許請求の範囲中に包括される
ものと見なされる。たとえば、内面以外の表面に
沿つて反応体ガスが流れるような熱陰極を使用す
ることもできるし、あるいは直流電源の代りに低
周波電源を使用することもできる。
先行技術と比べた場合における本発明の極めて
重要な利点としては、(1)高温表面と強い直流プラ
ズマとの組合せによつて反応体ガスの解離が促進
されること、(2)電子によるボンバードのためにダ
イヤモンド被膜の成長速度が増大すること、(3)反
応体ガスの解離および基体の加熱のために比較的
低圧の単一電源を使用した簡単な装置で済むこ
と、(4)陰極のスパツタがほとんど起こらないこ
と、並びに(5)イオンの逆ポンバードおよび熱電子
放出のために陰極の自己加熱が起こつて広い高温
域が得られることが挙げられる。
重要な利点としては、(1)高温表面と強い直流プラ
ズマとの組合せによつて反応体ガスの解離が促進
されること、(2)電子によるボンバードのためにダ
イヤモンド被膜の成長速度が増大すること、(3)反
応体ガスの解離および基体の加熱のために比較的
低圧の単一電源を使用した簡単な装置で済むこ
と、(4)陰極のスパツタがほとんど起こらないこ
と、並びに(5)イオンの逆ポンバードおよび熱電子
放出のために陰極の自己加熱が起こつて広い高温
域が得られることが挙げられる。
第１図はダイヤモンドを析出させるための従来
の熱解離式低圧化学蒸着装置の略図、そして第２
図は本発明の原理に基づく中空陰極形プラズマ併
用低圧化学蒸着装置の略図である。 図中、３０は低圧化学蒸着装置、３２は外部ケ
ーシング、３４は底蓋、３６は上蓋、３８は反応
室、４０は断熱材の層、４６は基体ホルダまたは
陽極、４８は支柱、５０は基体、５６は反応体ガ
ス供給源、７０は直流電源、７２はプラズマ柱、
７４は補助陽極、そして８０は真空ポンプを表わ
す。
の熱解離式低圧化学蒸着装置の略図、そして第２
図は本発明の原理に基づく中空陰極形プラズマ併
用低圧化学蒸着装置の略図である。 図中、３０は低圧化学蒸着装置、３２は外部ケ
ーシング、３４は底蓋、３６は上蓋、３８は反応
室、４０は断熱材の層、４６は基体ホルダまたは
陽極、４８は支柱、５０は基体、５６は反応体ガ
ス供給源、７０は直流電源、７２はプラズマ柱、
７４は補助陽極、そして８０は真空ポンプを表わ
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a)反応室、(b)前記反応室内に位置する熱陰
極、(c)前記熱陰極を加熱するための手段、(d)前記
反応室内において前記熱陰極から離隔して位置す
る陽極、(e)前記熱陰極の表面に沿つて反応体ガス
を流して前記反応体ガスの加熱および解離を引起
こすための手段、並びに(f)前記反応室内において
放電を生起させてプラズマを発生させることによ
り、前記反応体ガスの電離および加熱を引起こし
て基体の表面上にダイヤモンドを析出させるため
の手段から成ることを特徴とする、基体の表面上
にダイヤモンドを析出させるための装置。 ２ 前記放電が直流放電である請求項１記載の装
置。 ３ 前記熱陰極が前記陽極に近接して末端開口を
持つた中空部分を有しており、かつ前記熱陰極の
表面に沿つて反応体ガスを流すための前記手段が
前記反応体ガスを前記中空部分に通過させるよう
に作用する請求項２記載の装置。 ４ 前記熱陰極を加熱するための前記手段が前記
直流放電であり、それによつて前記熱陰極は熱電
子を放出するのに十分な程度にまで加熱される請
求項３記載の装置。 ５ 前記熱陰極が中空の内部を持つた管状のもの
であつて、前記中空の内部が前記中空部分を成す
請求項４記載の装置。 ６ 前記反応体ガスが炭化水素ガスと水素ガスと
の混合ガスである請求項５記載の装置。 ７ 前記反応体ガスがメタンガスと水素ガスとの
混合ガスである請求項６記載の装置。 ８ (a)反応室内に位置する熱陰極を加熱し、(b)前
記熱陰極の表面に沿つて反応体ガスを流して前記
反応体ガスの加熱および解離を引起こし、(c)放電
を生起させて前記反応室内にプラズマを発生させ
ることにより、前記反応体ガスの加熱および電離
を引起こし、かつ(d)前記反応室内に位置する基体
を加熱して前記基体の表面上にダイヤモンドを析
出させる諸行程から成ることを特徴とする、反応
室内において基体上にダイヤモンドを析出させる
ための方法。 ９ (a)反応室内に位置する熱陰極を加熱し、(b)前
記熱陰極の表面に沿つて反応体ガスを流して前記
反応体ガスの加熱および解離を引起こし、(c)放電
を生起させて前記反応室内にプラズマを発生させ
ることにより、前記反応体ガスの加熱および電離
を引起こし、かつ(d)前記反応室内に位置するダイ
ヤモンド種晶の付着した基体を加熱して前記基体
の表面上にダイヤモンドを析出させる諸行程から
成ることを特徴とする、反応室内においてダイヤ
モンド種晶の付着した基体上にダイヤモンドを析
出させるための方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/068,863 US4830702A (en) | 1987-07-02 | 1987-07-02 | Hollow cathode plasma assisted apparatus and method of diamond synthesis |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6465093A JPS6465093A (en) | 1989-03-10 |
| JPH0478592B2 true JPH0478592B2 (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=22085192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63162726A Granted JPS6465093A (en) | 1987-07-02 | 1988-07-01 | Diamond synthetic apparatus and process with hollow cathode type plazma |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0297845A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6465093A (ja) |
| KR (1) | KR960006263B1 (ja) |
| AU (1) | AU598141B2 (ja) |
| BR (1) | BR8803237A (ja) |
| IL (1) | IL86834A (ja) |
| IN (1) | IN169039B (ja) |
| ZA (1) | ZA884657B (ja) |
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- 1988-06-29 EP EP88305899A patent/EP0297845A3/en not_active Withdrawn
- 1988-06-29 ZA ZA884657A patent/ZA884657B/xx unknown
- 1988-06-30 BR BR8803237A patent/BR8803237A/pt unknown
- 1988-07-01 JP JP63162726A patent/JPS6465093A/ja active Granted
- 1988-07-02 KR KR1019880008214A patent/KR960006263B1/ko active IP Right Grant
- 1988-07-04 AU AU18665/88A patent/AU598141B2/en not_active Ceased
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