JPS633281A - 半導体素子検査ソケツト - Google Patents
半導体素子検査ソケツトInfo
- Publication number
- JPS633281A JPS633281A JP61147524A JP14752486A JPS633281A JP S633281 A JPS633281 A JP S633281A JP 61147524 A JP61147524 A JP 61147524A JP 14752486 A JP14752486 A JP 14752486A JP S633281 A JPS633281 A JP S633281A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pogo pins
- socket
- lead
- shoulder
- terminals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Connecting Device With Holders (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上のオニ」用分野〕
本発明は半導体素子（以下ＩＣという）検査ソケットに
係り、特にＩＣを最短距離にて接触することによシ、Ｉ
Ｃに対する電気的特性の劣化を防止する様にしたソケッ
トに関する。
係り、特にＩＣを最短距離にて接触することによシ、Ｉ
Ｃに対する電気的特性の劣化を防止する様にしたソケッ
トに関する。
従来のこの種のソケットの一例を、第２図に示す利図に
おいて、ソケット４内の接触端子２ａ。
おいて、ソケット４内の接触端子２ａ。
２ｂｒｉ、ＩＣ１の人シやすきを目的としバネ性をもた
せる様な構造となっている。通常、Ｉ ＣＩＪ −ド５
の中心を接触する為、また端子２ａ 、ｚｂにバネ性を
もたしている為、全体にしめる接触リード長が非常に長
くなっていた。
せる様な構造となっている。通常、Ｉ ＣＩＪ −ド５
の中心を接触する為、また端子２ａ 、ｚｂにバネ性を
もたしている為、全体にしめる接触リード長が非常に長
くなっていた。
ところで最近では、多品樵のＩＣが製造されておシ、そ
の電気的特性試験においても、接触面積及び端子の長さ
が電気的信号の波形の劣化を生じる様になってきている
。その為、試験者側ではできる限り、ＩＣＩ内部のチッ
プによシ近い部分及び接触端子２ａ、２ｂもより短かい
ものを選んで検査する様にしなければならなくなってき
ている。
の電気的特性試験においても、接触面積及び端子の長さ
が電気的信号の波形の劣化を生じる様になってきている
。その為、試験者側ではできる限り、ＩＣＩ内部のチッ
プによシ近い部分及び接触端子２ａ、２ｂもより短かい
ものを選んで検査する様にしなければならなくなってき
ている。
本発明の目的は、前記欠点を改善し、接触間の全長を最
短にするようにした半導体素子検査ソケットを提供する
ことにある。
短にするようにした半導体素子検査ソケットを提供する
ことにある。
本発明の構成は、半導体素子のリードをガイドする端子
と、前記リードの肩の部分に接触する端子とを備えてい
ることを特徴とする。
と、前記リードの肩の部分に接触する端子とを備えてい
ることを特徴とする。
次に本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例の栄導体素子検査ソケットの断
面図である。同図において、本ソケット６ｒｊ、端子２
ａ 、２ｂがＩＣ１ｏ挿入時のガイドの役割を果たす。
面図である。同図において、本ソケット６ｒｊ、端子２
ａ 、２ｂがＩＣ１ｏ挿入時のガイドの役割を果たす。
上部から挿入されたＩＣＩＩｆｉ、衆終段にてポゴピン
３ａ 、３ｂに接触スル。ポゴピン３ ａ 、 ３ ｂ
ｒｉｓバネ性（上下方向）をもち、ＩＣＩの押入具合
いに合わせ、適当な位ｔまで下がる。この時 （ｊｔ号
系は、ポゴピン３ａ 、３ｂからＩＣＩのリード５の肩
を通シ伝達させることになシ、現状のソケット６として
ｒｉ最短の伝達系路をとる。また本実施例では、端子２
ａ、２ｂｒｉ単にＩＣＩの挿入ガイドであるが、工Ｃ１
の電気的性質上特にアースを強化しなければならない場
合は、ガイドをアース端子として、あるいに２点接触の
信号端子として使用することが望ましい。
３ａ 、３ｂに接触スル。ポゴピン３ ａ 、 ３ ｂ
ｒｉｓバネ性（上下方向）をもち、ＩＣＩの押入具合
いに合わせ、適当な位ｔまで下がる。この時 （ｊｔ号
系は、ポゴピン３ａ 、３ｂからＩＣＩのリード５の肩
を通シ伝達させることになシ、現状のソケット６として
ｒｉ最短の伝達系路をとる。また本実施例では、端子２
ａ、２ｂｒｉ単にＩＣＩの挿入ガイドであるが、工Ｃ１
の電気的性質上特にアースを強化しなければならない場
合は、ガイドをアース端子として、あるいに２点接触の
信号端子として使用することが望ましい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、以上説明したように、ＩＣリードの肩
の部分を接触し、かつポゴピンを使用している事で、電
気的信号の特性劣化を最少限に保つことができ、またガ
イドの端子をＩＣに合わせアースを強化することで、ノ
イズに対しても強い電気的特性試験が実施でき、あるい
は両端子を２点接触の信号端子として使用することで、
電流。
の部分を接触し、かつポゴピンを使用している事で、電
気的信号の特性劣化を最少限に保つことができ、またガ
イドの端子をＩＣに合わせアースを強化することで、ノ
イズに対しても強い電気的特性試験が実施でき、あるい
は両端子を２点接触の信号端子として使用することで、
電流。
電圧変動をセンスできるという効果も得られる。
第１図は本発明の一実施例の半導体素子検査ソケットを
示す断面図、第２図は従来の半導体素子検査ソケットを
示す断面図である。尚図において、ｌ・・・・・・半導
体素子（ＩＣ）、２ａ 、２ｂ・・・・・・端子（ガイ
ド）、３ａ＊３ｂ・・・・−・ポゴピン（接触端子）、
５・・・・・・リード、４，６・・・・・・ソケット。 ′さゝ＼
示す断面図、第２図は従来の半導体素子検査ソケットを
示す断面図である。尚図において、ｌ・・・・・・半導
体素子（ＩＣ）、２ａ 、２ｂ・・・・・・端子（ガイ
ド）、３ａ＊３ｂ・・・・−・ポゴピン（接触端子）、
５・・・・・・リード、４，６・・・・・・ソケット。 ′さゝ＼
Claims (1)
- 半導体素子のリードをガイドする端子と、前記リードの
肩の部分に接触する端子とを備えていることを特徴とす
る半導体素子検査ソケット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61147524A JPS633281A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 半導体素子検査ソケツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61147524A JPS633281A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 半導体素子検査ソケツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633281A true JPS633281A (ja) | 1988-01-08 |
Family
ID=15432263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61147524A Pending JPS633281A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 半導体素子検査ソケツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS633281A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5015946A (en) * | 1990-02-26 | 1991-05-14 | Tektronix, Inc. | High density probe |
| JP2008264370A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 郵便受け箱 |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP61147524A patent/JPS633281A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5015946A (en) * | 1990-02-26 | 1991-05-14 | Tektronix, Inc. | High density probe |
| JP2008264370A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 郵便受け箱 |
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