JPS63311808A - 振動素子の製造方法 - Google Patents
振動素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS63311808A JPS63311808A JP14821587A JP14821587A JPS63311808A JP S63311808 A JPS63311808 A JP S63311808A JP 14821587 A JP14821587 A JP 14821587A JP 14821587 A JP14821587 A JP 14821587A JP S63311808 A JPS63311808 A JP S63311808A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thickness
- wafer
- piezoelectric
- piezoelectric substance
- polarization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 14
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010415 tidying Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ニオブ酸リチウムの単結晶からなる振動素子の製造方法
であり、 圧電体に分極反転領域を形成することで該圧電体を厚く
したことにより、 特に共振周波数の高い振動素子の製造を容易とし、高性
能にしたものである。
であり、 圧電体に分極反転領域を形成することで該圧電体を厚く
したことにより、 特に共振周波数の高い振動素子の製造を容易とし、高性
能にしたものである。
本発明は、ニオブ酸リチウム(LiNbOz)の単結晶
を用い、高性能かつ生産性に優れた振動素子の製造方法
に関する。
を用い、高性能かつ生産性に優れた振動素子の製造方法
に関する。
水晶やタンタル酸すチューム(LiTa03)等の圧電
体に適当な駆動電極を形成し、この電極に交流電界を印
加すると、圧電体は印加電界と等しい周波数の応力が生
じ、かつ、印加電界の周波数が圧電体の固有周波数に一
致すると共振し、強勢な振動が得られる。
体に適当な駆動電極を形成し、この電極に交流電界を印
加すると、圧電体は印加電界と等しい周波数の応力が生
じ、かつ、印加電界の周波数が圧電体の固有周波数に一
致すると共振し、強勢な振動が得られる。
かかる現象を利用した振動子は、高性能であるため通信
装置の発振回路、フィルタ、遅延線等として広く利用さ
れている。
装置の発振回路、フィルタ、遅延線等として広く利用さ
れている。
電子機器の小型化、薄形化および軽量化が進む中で、チ
ップ化の要求が強まっている部品の一つに数M llz
〜数十MHzの振動子があり、電気−機械結合係数の大
きいLiTaO3やLiN1]03の単結晶を用いるこ
とにより、水晶を用いたものでは不可能とされていた領
域の振動子が実現される。
ップ化の要求が強まっている部品の一つに数M llz
〜数十MHzの振動子があり、電気−機械結合係数の大
きいLiTaO3やLiN1]03の単結晶を用いるこ
とにより、水晶を用いたものでは不可能とされていた領
域の振動子が実現される。
〔従来の技術]
第3図はLiNb0+の単結晶を用いた従来の圧電振動
素子を示す側面図である。
素子を示す側面図である。
第3図において、圧電振動素子1はLiNbO3単結晶
から切り出した圧電体2の対向主面(上面と下面) 2
aおよび2bにそれぞれ動作電極3,4を形成してなる
。LiNbO3単結晶のインゴットにポーリング(分極
処理)を施したのち、ポーリングにより生成された分極
の方位に対し適宜の傾斜角度でスライスしたウェーハか
ら切り出した圧電体2は、分極Psの方位が該傾斜角度
で傾斜する厚さ方向(図は主面2bから主面2aに向か
う方向)である。
から切り出した圧電体2の対向主面(上面と下面) 2
aおよび2bにそれぞれ動作電極3,4を形成してなる
。LiNbO3単結晶のインゴットにポーリング(分極
処理)を施したのち、ポーリングにより生成された分極
の方位に対し適宜の傾斜角度でスライスしたウェーハか
ら切り出した圧電体2は、分極Psの方位が該傾斜角度
で傾斜する厚さ方向(図は主面2bから主面2aに向か
う方向)である。
かかる圧電振動素子1において発振周波数は、圧電体2
の厚さTに反比例する関係であり、例えば厚さTが約7
5μm1発振周波数が約26 M I(zである圧電振
動素子1において、厚さTの変更によって発振周波数を
13 M fizにしようとすると、圧電体2の厚さT
は約150 μmになる。
の厚さTに反比例する関係であり、例えば厚さTが約7
5μm1発振周波数が約26 M I(zである圧電振
動素子1において、厚さTの変更によって発振周波数を
13 M fizにしようとすると、圧電体2の厚さT
は約150 μmになる。
以上説明したように、圧電振動素子の発振周波数は、圧
電体の厚さに反比例する。そのため、高周波発振の圧電
体は薄くなって所要厚さにする加工が難しくなり、厚さ
のばらつきが大きくなって周波数調整が煩雑化すると共
に、工程途中の取り扱いに一層の注意が必要となって生
産性が低下するという問題点があった。
電体の厚さに反比例する。そのため、高周波発振の圧電
体は薄くなって所要厚さにする加工が難しくなり、厚さ
のばらつきが大きくなって周波数調整が煩雑化すると共
に、工程途中の取り扱いに一層の注意が必要となって生
産性が低下するという問題点があった。
上記問題点の除去を目的とした本発明は、本発明の一実
施例を示す第1図によれば、ニオブ酸リチウムの単結晶
からなり厚さ方向に対向する一方の主面から他方の主面
に向けて傾斜する分極処理が施された圧電体12に、該
他方の主面からの分極反転領域19を形成したのち、該
一方および他方の主面に動作電極13.14を形成する
ことを特徴とする振動素子の製造方法である。
施例を示す第1図によれば、ニオブ酸リチウムの単結晶
からなり厚さ方向に対向する一方の主面から他方の主面
に向けて傾斜する分極処理が施された圧電体12に、該
他方の主面からの分極反転領域19を形成したのち、該
一方および他方の主面に動作電極13.14を形成する
ことを特徴とする振動素子の製造方法である。
上記手段によれば、圧電体の厚さを従来の2倍にするこ
とが可能となり、そのことで発振周波数の高い振動素子
の製造が従来のものより容易となり、性能のばらつきを
小さくすることができた。
とが可能となり、そのことで発振周波数の高い振動素子
の製造が従来のものより容易となり、性能のばらつきを
小さくすることができた。
以下に、図面を用いて本発明の実施例による振動素子を
説明する。
説明する。
第1図は本発明の一実施例による振動素子の製造方法を
、主要工程順に示す側面図であり、圧電振動素子11は
L+NbO,、単結晶から切り出した圧電体12の対向
主面(上面と下面、2面)12aおよび12bにそれぞ
れ動作電極13.14を形成してなる。
、主要工程順に示す側面図であり、圧電振動素子11は
L+NbO,、単結晶から切り出した圧電体12の対向
主面(上面と下面、2面)12aおよび12bにそれぞ
れ動作電極13.14を形成してなる。
第1図(イ)において、ポーリング処理したLiNbO
3単結晶のインゴットをスライスしたウェーハ15、即
ち、該ポーリング処理によって生成された分極方位と適
宜角度だけ傾斜する方向にスライスしたウェーハ15は
、分極Psの方位が図中の矢印方向(上向き方向)であ
るとき、+C軸側の面(上面。
3単結晶のインゴットをスライスしたウェーハ15、即
ち、該ポーリング処理によって生成された分極方位と適
宜角度だけ傾斜する方向にスライスしたウェーハ15は
、分極Psの方位が図中の矢印方向(上向き方向)であ
るとき、+C軸側の面(上面。
+ z 下面)にチタン(Ti)の薄膜16を蒸着する
。
。
次いで、LiNb0+のキューり温度(約1250’C
)〜1100℃の温度で加熱し、ウェーハ15にTi薄
膜16を拡散させると、第1図(n)に拡大して示すよ
うに、分極反転領域19が生成される。
)〜1100℃の温度で加熱し、ウェーハ15にTi薄
膜16を拡散させると、第1図(n)に拡大して示すよ
うに、分極反転領域19が生成される。
そこで、分極反転領域19の深さをLとしたとき、拡散
処理中のウェーハ15に発生する表面電荷は、ン采さt
が厚さT3の2でバランス状態となるため、上面から拡
張する分極反転領域19の深さtは、ウェーハ17の厚
さT3の約2で拡張を停止し、分極反転領域19の分極
Ps’は分極Psと方位が逆向きになる。
処理中のウェーハ15に発生する表面電荷は、ン采さt
が厚さT3の2でバランス状態となるため、上面から拡
張する分極反転領域19の深さtは、ウェーハ17の厚
さT3の約2で拡張を停止し、分極反転領域19の分極
Ps’は分極Psと方位が逆向きになる。
次いで、第1図(ハ)に示すように、ウェーハ17の上
面と下面とに複数個の動作電極13.14をパターン形
成したのち、上下に対向する動作電極13.14をそれ
ぞれが含むように、図中の一点鎖線でウェーハ17を割
断すると、第1図(ニ)に示す圧電振動素子11が完成
する。
面と下面とに複数個の動作電極13.14をパターン形
成したのち、上下に対向する動作電極13.14をそれ
ぞれが含むように、図中の一点鎖線でウェーハ17を割
断すると、第1図(ニ)に示す圧電振動素子11が完成
する。
そして、分極PsとPs“を有する圧電体12の厚さは
、発振周波数が同じ場合は従来の圧電体2の厚さTの約
2倍であり、例えば発振周波数が26MHzである従来
の圧電振動素子1において、圧電体厚さTが約75μm
であるとき、本発明になる圧電振動子11の圧電体厚さ
T3は約150μmである。
、発振周波数が同じ場合は従来の圧電体2の厚さTの約
2倍であり、例えば発振周波数が26MHzである従来
の圧電振動素子1において、圧電体厚さTが約75μm
であるとき、本発明になる圧電振動子11の圧電体厚さ
T3は約150μmである。
第2図はTi拡散温度と分極反転領域の深さとの関係の
実測例を示す図である。
実測例を示す図である。
第2図において、横軸がTi拡散温度°C1縦軸が分極
反転領域の深さく1)μmである。使用した試料は、ポ
ーリング処理によって分極の生成されたLiNbO3単
結晶の163度回転Y板、厚さ450 p mのウェー
ハを使用し、+C軸側の面(+Z′面)に厚さ3000
人のTi蒸着膜を被着したのち、N22.41 /mi
n、 020.22 jl! /minの雰囲気中で9
時間加熱しLiNbO3にTiを拡散させたとき、拡散
温度に対する分極反転層の深さを測定してその測定値を
プロットし、該プロット間を実線で結んだものである。
反転領域の深さく1)μmである。使用した試料は、ポ
ーリング処理によって分極の生成されたLiNbO3単
結晶の163度回転Y板、厚さ450 p mのウェー
ハを使用し、+C軸側の面(+Z′面)に厚さ3000
人のTi蒸着膜を被着したのち、N22.41 /mi
n、 020.22 jl! /minの雰囲気中で9
時間加熱しLiNbO3にTiを拡散させたとき、拡散
温度に対する分極反転層の深さを測定してその測定値を
プロットし、該プロット間を実線で結んだものである。
第2図より、拡散温度の上昇に従って分極反転領域の深
さt2を増すようになり、例えば厚さ180μmの圧電
体では1140℃で9時間加熱し、分極反転領域の深さ
t2は、該圧電体の厚さの約2に達するようになる。そ
して、Ti拡散温度がLiNb0zのキューり温度(約
1150℃)を越えると、ポーリング処理により生成さ
れた分極が消滅するため、本発明は該キューり温度〜1
110℃で実用上の拡散処理が可能である。。
さt2を増すようになり、例えば厚さ180μmの圧電
体では1140℃で9時間加熱し、分極反転領域の深さ
t2は、該圧電体の厚さの約2に達するようになる。そ
して、Ti拡散温度がLiNb0zのキューり温度(約
1150℃)を越えると、ポーリング処理により生成さ
れた分極が消滅するため、本発明は該キューり温度〜1
110℃で実用上の拡散処理が可能である。。
以上説明したように本発明による振動素子の圧電体厚さ
は、従来の圧電体厚さの2倍となる。従って、圧電体を
切り出すウェーハの厚さも従来の2倍となるため、ウェ
ーハはインゴットのスライスおよび表面を鏡面にする等
の加工および、取り扱いが容易となり、厚さのばらつき
を少なくできることで発振周波数の調整が容易となり、
振動素子を高性能化すると共に生産性を向上し得た効果
がある。
は、従来の圧電体厚さの2倍となる。従って、圧電体を
切り出すウェーハの厚さも従来の2倍となるため、ウェ
ーハはインゴットのスライスおよび表面を鏡面にする等
の加工および、取り扱いが容易となり、厚さのばらつき
を少なくできることで発振周波数の調整が容易となり、
振動素子を高性能化すると共に生産性を向上し得た効果
がある。
第1図は本発明の一実施例による振動素子の製造方法を
説明するための側面図、 第2図はTi拡散温度と分極反転領域深さとの関係を示
す図、 第3図は従来の圧電振動素子を示す側面図、である。 図中において、 11は振動素子、 12は圧電体、 13、14は動作電極、 15、17はウェーハ、 16はチタン薄膜、 19は分極反転領域、 tは分極反転領域の深さ、 T3は圧電体の厚さ、 を示す。 f”−R’X(7r F己樋≧Y〒F1吋’f ”i’
T” t イa!Jie2)秀 3 に (h友ηtノ ア、値販駄 0゛の Ti茹敢遍友霧潴反整頓域配壊ヅ眉怪Σ社105−2
■
説明するための側面図、 第2図はTi拡散温度と分極反転領域深さとの関係を示
す図、 第3図は従来の圧電振動素子を示す側面図、である。 図中において、 11は振動素子、 12は圧電体、 13、14は動作電極、 15、17はウェーハ、 16はチタン薄膜、 19は分極反転領域、 tは分極反転領域の深さ、 T3は圧電体の厚さ、 を示す。 f”−R’X(7r F己樋≧Y〒F1吋’f ”i’
T” t イa!Jie2)秀 3 に (h友ηtノ ア、値販駄 0゛の Ti茹敢遍友霧潴反整頓域配壊ヅ眉怪Σ社105−2
■
Claims (3)
- (1)ニオブ酸リチウムの単結晶からなり厚さ方向に対
向する一方の主面から他方の主面に向けて傾斜する分極
処理が施された圧電体(12)に、該他方の主面からの
分極反転領域(19)を形成したのち、該一方および他
方の主面に動作電極(13、14)を形成することを特
徴とする振動素子の製造方法。 - (2)前記分極反転領域の形成が、前記他方の主面にチ
タンの薄膜(16)を蒸着し、ニオブ酸リチウムのキュ
ーリ温度〜約1100℃以上の温度に加熱して該蒸着チ
タンを前記圧電体に拡散せしめることを特徴とする前記
特許請求の範囲第1項記載の振動素子の製造方法。 - (3)ニオブ酸リチウムの単結晶からなるウェーハに前
記分極反転領域(19)、動作電極(13、14)を形
成したのち、該ウェーハを前記圧電体(12)に分割す
ることを特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載の振
動素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14821587A JPS63311808A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 振動素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14821587A JPS63311808A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 振動素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63311808A true JPS63311808A (ja) | 1988-12-20 |
JPH0472405B2 JPH0472405B2 (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=15447845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14821587A Granted JPS63311808A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 振動素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63311808A (ja) |
-
1987
- 1987-06-15 JP JP14821587A patent/JPS63311808A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0472405B2 (ja) | 1992-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6025850B2 (ja) | 微細加工された垂直構造上に形成された周期的強誘電分極を有する電気−音響トランスデューサ | |
US3384768A (en) | Piezoelectric resonator | |
JP2001211052A (ja) | 圧電共振子 | |
JPH0365046B2 (ja) | ||
JPS63311808A (ja) | 振動素子の製造方法 | |
CN107534431A (zh) | 水晶振子及其制造方法 | |
JPH04127709A (ja) | Atカット水晶振動子 | |
JP2001111132A (ja) | 圧電体の分極方法 | |
JPH01232812A (ja) | タンタル酸リチウムウェハ分極反転層形成方法 | |
JPWO2003073160A1 (ja) | 強誘電体基板の周期分極構造作製方法 | |
JPH0738363A (ja) | 電子部品の加工方法 | |
JP2615019B2 (ja) | 分極反転領域を有するLiNbO▲下3▼単結晶圧電基板の製造方法 | |
JPH01232811A (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
JPH0223706A (ja) | 振動素子の製造方法 | |
JPH01198819A (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
JPH0131728B2 (ja) | ||
JP2958004B2 (ja) | 分極反転領域を有するLiNbO▲下3▼基板を利用したデバイス | |
JPH0260219A (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
JPH1051262A (ja) | 圧電振動子とその製造方法 | |
JPH01158811A (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
JPS62239707A (ja) | 水晶振動子 | |
JPS6068712A (ja) | 高結合圧電振動子 | |
JPH07105684B2 (ja) | 圧電体の分極方法 | |
JPH05160464A (ja) | 圧電体の分極方法 | |
JPS60134618A (ja) | 厚みすべり振動子 |