JPS63311343A - フオートレジスト及びその製造法 - Google Patents
フオートレジスト及びその製造法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title description 2
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 claims description 22
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 7
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 claims description 6
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 claims description 6
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 claims description 6
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 3
- 230000001153 anti-wrinkle effect Effects 0.000 claims description 3
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N vinylsulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=C NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzaldehyde Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1C=O ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 1,2-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 claims 1
- 229940118056 cresol / formaldehyde Drugs 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- -1 naphthoquinone diazide compound Chemical class 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 239000003791 organic solvent mixture Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVLNDCLPPGIRCP-UHFFFAOYSA-N 2-nitro-3-phenylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C([N+]([O-])=O)=CC1=CC=CC=C1 YVLNDCLPPGIRCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYJFAQCWRMHWFT-UHFFFAOYSA-N 2-sulfonylnaphthalene-1,4-dione Chemical class S(=O)(=O)=C1C(C2=CC=CC=C2C(C1)=O)=O XYJFAQCWRMHWFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241001649081 Dina Species 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWKGVZASJYXZKN-UHFFFAOYSA-N Methyl violet 2B Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(N)=CC=1)=C1C=CC(=[N+](C)C)C=C1 WWKGVZASJYXZKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000007844 bleaching agent Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 150000008049 diazo compounds Chemical class 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical compound [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910000403 monosodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019799 monosodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical class [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- PGSADBUBUOPOJS-UHFFFAOYSA-N neutral red Chemical compound Cl.C1=C(C)C(N)=CC2=NC3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 PGSADBUBUOPOJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 description 1
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N picric acid Chemical compound OC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 238000005185 salting out Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M sodium dihydrogen phosphate Chemical compound [Na+].OP(O)([O-])=O AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQUQLFOMPYWACS-UHFFFAOYSA-N tris(2-chloroethyl) phosphate Chemical compound ClCCOP(=O)(OCCCl)OCCCl HQUQLFOMPYWACS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000406 trisodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019801 trisodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- LLWJPGAKXJBKKA-UHFFFAOYSA-N victoria blue B Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)=C(C=C1)C2=CC=CC=C2C1=[NH+]C1=CC=CC=C1 LLWJPGAKXJBKKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/52—Compositions containing diazo compounds as photosensitive substances
- G03C1/60—Compositions containing diazo compounds as photosensitive substances with macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フォートレゾスト及びその製造法に関する。
従来の技術
常用のフォートレジスト、例えば米国特許第36664
73号明細書、第4115128号明細書及び第417
3470号明細書に記載のフォーi・レジストを製造す
ることは公知である。これらは、アルカリに可溶のフェ
ノール/ホルムアルデヒドノボラク樹脂を、感光性物質
、通常は置換されているナフトキノンジアジド化合物と
一緒に含有している。樹脂及びセンシタイず−は有機溶
剤又は溶剤混合物に溶解し、個々の所望の使用に適当な
基体に薄いフィルム又は塗膜として使用する。
73号明細書、第4115128号明細書及び第417
3470号明細書に記載のフォーi・レジストを製造す
ることは公知である。これらは、アルカリに可溶のフェ
ノール/ホルムアルデヒドノボラク樹脂を、感光性物質
、通常は置換されているナフトキノンジアジド化合物と
一緒に含有している。樹脂及びセンシタイず−は有機溶
剤又は溶剤混合物に溶解し、個々の所望の使用に適当な
基体に薄いフィルム又は塗膜として使用する。
このフォートレジストのノボラク樹脂成分はアルカリ性
水溶液に可溶であるが、ナフトキノンセンシタイザ−は
不溶である。しかしながら、塗布基体の選択帯域を化学
線放射に露光すると、センシタイブ−は化学変化をうけ
、塗膜の露光帯域は非露光帯域よりも溶解する。溶解度
のこの差異は、基体をアルカリ性現像液に浸漬すると、
フォートレジスト塗膜の露光帯域を溶解するが、非露光
帯域は全く影響を受けず、このようにして基体にいわゆ
るポジのレリーフが生じる。
水溶液に可溶であるが、ナフトキノンセンシタイザ−は
不溶である。しかしながら、塗布基体の選択帯域を化学
線放射に露光すると、センシタイブ−は化学変化をうけ
、塗膜の露光帯域は非露光帯域よりも溶解する。溶解度
のこの差異は、基体をアルカリ性現像液に浸漬すると、
フォートレジスト塗膜の露光帯域を溶解するが、非露光
帯域は全く影響を受けず、このようにして基体にいわゆ
るポジのレリーフが生じる。
多くの工業的使用、特に電子小部品の製造では、フォー
トレジストは極めて小さい線及び間隔の巾(1ミクロン
又はこれ以下の大きさ)の高度の解像度を得るために必
要である。
トレジストは極めて小さい線及び間隔の巾(1ミクロン
又はこれ以下の大きさ)の高度の解像度を得るために必
要である。
著しく小さい大きさを再現するレジストの能力は、シリ
コンチップス及び類似成分で大規模の集積回路の製造で
極めて重要である。かSるチップスの回路の密度は、同
じフォート平版技術を使用すると、レジストの解像度の
能力を増大して大きくすることができるのに過ぎない。
コンチップス及び類似成分で大規模の集積回路の製造で
極めて重要である。かSるチップスの回路の密度は、同
じフォート平版技術を使用すると、レジストの解像度の
能力を増大して大きくすることができるのに過ぎない。
現像のコントラストは、種々の露光量の後に存在するフ
ィルムの厚さ対露光量の対数の線状プロットの勾配に関
する。
ィルムの厚さ対露光量の対数の線状プロットの勾配に関
する。
レジストの解像度は、定型的には最も細かい同間隔の1
対の線及び露光の間に利用するマスクの介在間隔に関し
、露光及び現像したフォートレジストで高度の画像端の
鋭敏性で再生することができる。
対の線及び露光の間に利用するマスクの介在間隔に関し
、露光及び現像したフォートレジストで高度の画像端の
鋭敏性で再生することができる。
VLSI基体で集積回路を得るためには、細かい幾何学
形及び改良された材料が必要である。
形及び改良された材料が必要である。
本発明の方法は、常用のフォートレジストの上部への特
別のコントラスト増強層の使用である。
別のコントラスト増強層の使用である。
レジストの露光に使用され、マスク及びレジストに通る
光の回折は、該レジストで得ることのできる解像度及び
コントラストが減少する場合に重要な役目をする。これ
は、印刷すべき回路成分の大きさが減少するのでますま
す重要になる。ヨーロッパ特許第0110165号明細
書には、コントラストはベーキングフシストの上部にコ
ントラスト増強液(CEL )の層を回転塗布して著し
く改良することができることが記載されている。CEL
は光漂白染料を含有し、この染料は同じ波長又は下部に
存在するレジストを露光するのに使用した光の波長で光
を分解する。
光の回折は、該レジストで得ることのできる解像度及び
コントラストが減少する場合に重要な役目をする。これ
は、印刷すべき回路成分の大きさが減少するのでますま
す重要になる。ヨーロッパ特許第0110165号明細
書には、コントラストはベーキングフシストの上部にコ
ントラスト増強液(CEL )の層を回転塗布して著し
く改良することができることが記載されている。CEL
は光漂白染料を含有し、この染料は同じ波長又は下部に
存在するレジストを露光するのに使用した光の波長で光
を分解する。
実際上コントラスト増強層によって空中画像の解像度が
改良され、これによって下部レジストのコントラストが
改良される。それ故CELは光漂白染料紮含有し、この
染料はレジストを露光するのに使用した光を吸収し、C
ELの漂白後に、CELの露光帯域はできるだけ透明で
なければならないので、光は実際に下に存在するフォー
トレジストのセンシタイず−を分解することができる。
改良され、これによって下部レジストのコントラストが
改良される。それ故CELは光漂白染料紮含有し、この
染料はレジストを露光するのに使用した光を吸収し、C
ELの漂白後に、CELの露光帯域はできるだけ透明で
なければならないので、光は実際に下に存在するフォー
トレジストのセンシタイず−を分解することができる。
CEL中の染料の洋白割合は、フォートレジストのセン
シタイブ−の割合と同じであるか又はこれよりも遅くな
ければならない。つまり、フィルムの光学密度はできる
だけ大きくなけれはならない。
シタイブ−の割合と同じであるか又はこれよりも遅くな
ければならない。つまり、フィルムの光学密度はできる
だけ大きくなけれはならない。
コントラスト増強層は、CELを有しないで得られた同
じ画像と比較される得られた画像のコントラストを増強
するのが所望される。更に焦点の深さを維持するため円
は、できるだけ薄い層を使用するのが所望される。好ま
しくはCEL組成物は、十分に長い保存安定性並びにレ
ジスト上に回転塗布する場合に数時間の安定性を有する
。組成物の溶剤系及び層の除去溶剤は、環境上汚染され
てはならない。更に下部にあるフォートレジストの組成
と混合する中間層が存在してはならない。
じ画像と比較される得られた画像のコントラストを増強
するのが所望される。更に焦点の深さを維持するため円
は、できるだけ薄い層を使用するのが所望される。好ま
しくはCEL組成物は、十分に長い保存安定性並びにレ
ジスト上に回転塗布する場合に数時間の安定性を有する
。組成物の溶剤系及び層の除去溶剤は、環境上汚染され
てはならない。更に下部にあるフォートレジストの組成
と混合する中間層が存在してはならない。
ヨーロッパ特許第011016号明細書には、環境上汚
染する有機溶剤にだけ可溶のポリマー結合剤を有する光
漂白染料としてのアリールニトロンが記載されている。
染する有機溶剤にだけ可溶のポリマー結合剤を有する光
漂白染料としてのアリールニトロンが記載されている。
その後環境上の問題に対する解決は、L、F、 Hal
le著、 A WaterSoluble Contr
ast Enhancement Layer 。
le著、 A WaterSoluble Contr
ast Enhancement Layer 。
Journal Of Vacuum 5cience
Technology、第B3(1)巻、1月72月
、1985年によって提案された。提案は億酸ジフェニ
ルアミンーp−ジアゾニウム、ポリビニルアルコール、
水及びマレイン酸のコントラスト増強層を使用すること
であった。同じようにして、ヨーロッパ特許第0161
660号明細書では、ジアゾニウム塩、結合樹脂、水及
びCEL中のジアゾニウム塩の溶解度を高め、フィルム
でジアゾニウム塩とフェノール成分とのカップリングを
妨げる酸成分が使用される。
Technology、第B3(1)巻、1月72月
、1985年によって提案された。提案は億酸ジフェニ
ルアミンーp−ジアゾニウム、ポリビニルアルコール、
水及びマレイン酸のコントラスト増強層を使用すること
であった。同じようにして、ヨーロッパ特許第0161
660号明細書では、ジアゾニウム塩、結合樹脂、水及
びCEL中のジアゾニウム塩の溶解度を高め、フィルム
でジアゾニウム塩とフェノール成分とのカップリングを
妨げる酸成分が使用される。
水を基質とするCELは環境上認容され、レジストと混
合する中間層を避ける。
合する中間層を避ける。
しかしながら、これらの水を基質とするジアゾニウム塩
系は、そのような状態ではない不十分な溶解性のジアゾ
ニウム塩の溶解度を高め、ジアゾニウム塩のカップリン
グを妨げるためには、酸性化合物の添加を必要とする。
系は、そのような状態ではない不十分な溶解性のジアゾ
ニウム塩の溶解度を高め、ジアゾニウム塩のカップリン
グを妨げるためには、酸性化合物の添加を必要とする。
ヨーロッパ特許第0161660号明細書のジアゾニウ
ム塩の溶解度を高めるためには、殆んど等モル量の、例
えばp−1ルエンスルホン酸が存在することが必要であ
る。
ム塩の溶解度を高めるためには、殆んど等モル量の、例
えばp−1ルエンスルホン酸が存在することが必要であ
る。
発明が解決しようとする課題
本発明によって、か\る大量のかSる酸性添加剤を使用
しないで高められた溶解度及びコントラストが得られる
。かぎる添加剤を有しないで、著しく薄いCELフィル
ムを使用して、同じ光学密度のフィルムを得ることがで
き、コントラストの改良を有する。薄いCELフィルム
が有利である。それというのも十分々解像度を得るため
に、大きい口径のレンズを光学露光装置に使用する場合
には、画像で複写に利用する焦点の深さはだんだん小さ
くなるからである。薄いCELフィルムによって、薄い
レジストフィルムを作ることができる。更に、酸性添加
剤を配合しないでジアゾニウム塩の長い保存性が有利で
ある。
しないで高められた溶解度及びコントラストが得られる
。かぎる添加剤を有しないで、著しく薄いCELフィル
ムを使用して、同じ光学密度のフィルムを得ることがで
き、コントラストの改良を有する。薄いCELフィルム
が有利である。それというのも十分々解像度を得るため
に、大きい口径のレンズを光学露光装置に使用する場合
には、画像で複写に利用する焦点の深さはだんだん小さ
くなるからである。薄いCELフィルムによって、薄い
レジストフィルムを作ることができる。更に、酸性添加
剤を配合しないでジアゾニウム塩の長い保存性が有利で
ある。
課題を解決するための手段
本発明によって、基体、基体上に第1の感光&(この第
1の感光層は感光性o−キノンダアジドを、層を感光性
にし、画像に応じた層の露光及び現像で画像の差異をも
たらすのに十分な量で含有する)、ノボラク及びポリビ
ニルフェノールからなる群から選ばれ、前記層を結合し
て均一なフィルムにするのに十分な量の樹脂中くとも1
種、第1の感光層に第2の感光層(この第2の感光層は
光を漂白する水溶性ジアゾニウム塩を、化学線放射に露
光すると漂白された画像の差異をもたらすのに十分な量
で含有する)及び第2の感光層を結合して均一なフィル
ムに丁Aのに十分な量の強酸性水溶性フィルム形成ポリ
マー樹脂を有するフォートレジストが得られる。
1の感光層は感光性o−キノンダアジドを、層を感光性
にし、画像に応じた層の露光及び現像で画像の差異をも
たらすのに十分な量で含有する)、ノボラク及びポリビ
ニルフェノールからなる群から選ばれ、前記層を結合し
て均一なフィルムにするのに十分な量の樹脂中くとも1
種、第1の感光層に第2の感光層(この第2の感光層は
光を漂白する水溶性ジアゾニウム塩を、化学線放射に露
光すると漂白された画像の差異をもたらすのに十分な量
で含有する)及び第2の感光層を結合して均一なフィル
ムに丁Aのに十分な量の強酸性水溶性フィルム形成ポリ
マー樹脂を有するフォートレジストが得られる。
更に本発明によって、画像を有するフォートレジストの
製造法が得られ、この方法は、基体に第1の感光層(こ
の第1の感光層は、感光性o−キノンダアジドを、層を
感光性、にし、画像に応じた層の露光及び現像で画像の
差異をもたらすのに十分な量で含有する)及びノボラク
及びポリビニルフェノールからなる群から選ばれ、前記
層を結合して均一なフィルムにするのに十分な量の樹脂
中くとも1種を塗布し、第1の感光層に第2の感光層(
この第2の感光層は光を漂白する水溶性シアrニウム塩
を、化学線放射に露光すると漂白された画像の差異をも
たらすのに十分な量で含有する)及び第2の感光層を結
合して均一なフィルムにするのに十分な量の惜敗性水溶
性フィルム形成ポリマーを塗布し、フォートレジストを
十分な化学線放射に露光して第2の感光層を漂白し、か
\る漂白部分を化学線放射に透過させ、その際非露光部
分は化学線放射に透過しないで残留し、漂白部分下に存
在する第1の感光層を化学線放射で露光し、次いで第2
の全感光層を除去し、第1の感光層を現像することを特
徴とする。
製造法が得られ、この方法は、基体に第1の感光層(こ
の第1の感光層は、感光性o−キノンダアジドを、層を
感光性、にし、画像に応じた層の露光及び現像で画像の
差異をもたらすのに十分な量で含有する)及びノボラク
及びポリビニルフェノールからなる群から選ばれ、前記
層を結合して均一なフィルムにするのに十分な量の樹脂
中くとも1種を塗布し、第1の感光層に第2の感光層(
この第2の感光層は光を漂白する水溶性シアrニウム塩
を、化学線放射に露光すると漂白された画像の差異をも
たらすのに十分な量で含有する)及び第2の感光層を結
合して均一なフィルムにするのに十分な量の惜敗性水溶
性フィルム形成ポリマーを塗布し、フォートレジストを
十分な化学線放射に露光して第2の感光層を漂白し、か
\る漂白部分を化学線放射に透過させ、その際非露光部
分は化学線放射に透過しないで残留し、漂白部分下に存
在する第1の感光層を化学線放射で露光し、次いで第2
の全感光層を除去し、第1の感光層を現像することを特
徴とする。
前述のように、フォートレジストは基体及びこの上に第
1及び第2の感光層を有する。基体は、第1及び第2の
感光層を有するのに適当な任意の面であってもよい。し
かしながら好ましい実施形式では基体は珪素、アルミニ
ウム、ポリマー樹脂、二酸化珪素、ドープ塗布二酸化珪
素、窒化珪素、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミッ
クス及びアルミニウム/銅混合物、砒素ガリウム及び他
の璽/■族の化合物からなる群から選んだ成分1種又は
数徨からなる。
1及び第2の感光層を有する。基体は、第1及び第2の
感光層を有するのに適当な任意の面であってもよい。し
かしながら好ましい実施形式では基体は珪素、アルミニ
ウム、ポリマー樹脂、二酸化珪素、ドープ塗布二酸化珪
素、窒化珪素、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミッ
クス及びアルミニウム/銅混合物、砒素ガリウム及び他
の璽/■族の化合物からなる群から選んだ成分1種又は
数徨からなる。
基体は適当な組成物、例えばヘキサーアルキルジシラデ
ンを含有する接着捉進層を有していてもよい。基体上に
は、第1の感光膚が存在し、これはフォートレジスト組
成物である。好ましい実施形式では、この組成物は、ノ
ボラク又はポリビニルフェノール樹脂、殊にクレゾール
−ホルムアルデヒド−ノボラク樹脂と混合した公知o−
キノンダアジドセンシタイブ−からなる。
ンを含有する接着捉進層を有していてもよい。基体上に
は、第1の感光膚が存在し、これはフォートレジスト組
成物である。好ましい実施形式では、この組成物は、ノ
ボラク又はポリビニルフェノール樹脂、殊にクレゾール
−ホルムアルデヒド−ノボラク樹脂と混合した公知o−
キノンダアジドセンシタイブ−からなる。
この組成物は適当な溶剤を配合し、基体に塗布し、べと
つかなくなるまで乾燥する。
つかなくなるまで乾燥する。
感光組成物を製造するのに使用することのできるノボラ
ク樹脂の製造は公知である。その製造法は、Chemj
stry and Applicatjon of P
he−nOliCRe5ins 、 Knop A、
7)び5che1b * W−;Springer版、
二ニー・ヨーク、(1979年)、第4章。同じように
して、o−キノンダアジドの使用は公知であF)、Li
gkht SensitiveSySt8m13+ K
osar、 J−I JOhn V9’lNe” k
5ons版。
ク樹脂の製造は公知である。その製造法は、Chemj
stry and Applicatjon of P
he−nOliCRe5ins 、 Knop A、
7)び5che1b * W−;Springer版、
二ニー・ヨーク、(1979年)、第4章。同じように
して、o−キノンダアジドの使用は公知であF)、Li
gkht SensitiveSySt8m13+ K
osar、 J−I JOhn V9’lNe” k
5ons版。
二ニー・ヨーク、(1965年)第7.4章に記載され
ている。本発明の紫外線レジスト組成物の成分を含有す
るこのセンシタイブ−は、通常ポジのフォートレジスト
で使用される置換されているナフトキノンジアジド群か
ら選ばれる。
ている。本発明の紫外線レジスト組成物の成分を含有す
るこのセンシタイブ−は、通常ポジのフォートレジスト
で使用される置換されているナフトキノンジアジド群か
ら選ばれる。
か5るセンシタイジング化合物は、例えば米国特許27
97213号、第3106465号、第6148983
号、第3130047号、第3201329号、第37
85825号及び第3802885号明細書に記載され
ている。
97213号、第3106465号、第6148983
号、第3130047号、第3201329号、第37
85825号及び第3802885号明細書に記載され
ている。
有用なセンシタイブ−は、フェノール化合物、例えばヒ
ドロキシベンゾフェノン、殊にトリヒドロキシベンゾフ
ェノン又はヒドロキシアルキルフェノンと縮合したナフ
トキノン−(1,2)−ジアジド−5−スルホニルクロ
リド及びナフトキノン−(1,2)−ジアジド−4−ス
ルホニルクロリドである。特に好ましいのは、ナフトキ
ノン−(1,2)−ジアジド−5−スルホニルクロリド
とトリヒドロキシベンゾフェノン、殊に2.3.4−ト
リヒドロキシ−ベンゾフェノンとの縮合物である。
ドロキシベンゾフェノン、殊にトリヒドロキシベンゾフ
ェノン又はヒドロキシアルキルフェノンと縮合したナフ
トキノン−(1,2)−ジアジド−5−スルホニルクロ
リド及びナフトキノン−(1,2)−ジアジド−4−ス
ルホニルクロリドである。特に好ましいのは、ナフトキ
ノン−(1,2)−ジアジド−5−スルホニルクロリド
とトリヒドロキシベンゾフェノン、殊に2.3.4−ト
リヒドロキシ−ベンゾフェノンとの縮合物である。
好ましい実施形式では、フォートレジスト組成物の固体
部、即ちノボラク及びジアジドは好ましくはノポラク樹
脂約15〜99重嚢多及びキノンジアジド約1〜85X
i1%である。更に好ましいノボラク樹脂の範囲は、固
体レジスト部の約50〜90重嚢多、最も好ま1・くは
約65〜90重嚢多である。ジアジドの更に好ましい範
囲は、固体レジスト部の約10〜50重嚢多、最も好ま
しくは約10〜35重嚢多である。
部、即ちノボラク及びジアジドは好ましくはノポラク樹
脂約15〜99重嚢多及びキノンジアジド約1〜85X
i1%である。更に好ましいノボラク樹脂の範囲は、固
体レジスト部の約50〜90重嚢多、最も好ま1・くは
約65〜90重嚢多である。ジアジドの更に好ましい範
囲は、固体レジスト部の約10〜50重嚢多、最も好ま
しくは約10〜35重嚢多である。
溶剤の選択は塗布法、所望の塗膜の厚さ及び乾燥条件に
よる。本発明の組成物の適当な溶剤はエーテル(例えは
テトラヒドロフラン)アルコール(例、ti!’ n
−fロバノール)、アルコール−エーテル(例、tばエ
チレングリコールモノエチルエーテル)、エステル(例
えば酢酸ジチル)、芳香族又は脂肪族炭化水素であるか
又は溶剤混合物を使用してもよい。原則として、塗膜数
分と逆に反応しないすべての溶剤を使用することができ
る。グリコールの部分エーテル、殊ニエチレン又バクロ
tレンゲリコールモノエチルエーテル又はそのエステル
が特に好ましい。
よる。本発明の組成物の適当な溶剤はエーテル(例えは
テトラヒドロフラン)アルコール(例、ti!’ n
−fロバノール)、アルコール−エーテル(例、tばエ
チレングリコールモノエチルエーテル)、エステル(例
えば酢酸ジチル)、芳香族又は脂肪族炭化水素であるか
又は溶剤混合物を使用してもよい。原則として、塗膜数
分と逆に反応しないすべての溶剤を使用することができ
る。グリコールの部分エーテル、殊ニエチレン又バクロ
tレンゲリコールモノエチルエーテル又はそのエステル
が特に好ましい。
好ましい溶剤組成物は、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテートからなる。溶剤はキシレン、酢酸
ブチル及び酢酸セルロースを含有していてもよい。
ルエーテルアセテートからなる。溶剤はキシレン、酢酸
ブチル及び酢酸セルロースを含有していてもよい。
添加剤、例えば層色剤、染料、抗しわ剤、可塑剤、接着
促進剤、速度増大剤、溶剤及び界面活性剤、例えば非イ
オン性界面活性剤を樹脂センシタイブ−溶液に添加して
もよく、溶液の前に酢酸塩を基体に塗布する。
促進剤、速度増大剤、溶剤及び界面活性剤、例えば非イ
オン性界面活性剤を樹脂センシタイブ−溶液に添加して
もよく、溶液の前に酢酸塩を基体に塗布する。
本発明のフォートレジスト組成物と一緒に使用すること
のできる染料添加剤の例は、ノボラクとセンシタイず−
との合したillに対して1〜10Xi−係のメチルバ
イオレット2 B (C’、工。
のできる染料添加剤の例は、ノボラクとセンシタイず−
との合したillに対して1〜10Xi−係のメチルバ
イオレット2 B (C’、工。
42535)、クリスタルバイオレット(C,I。
42555L マラシトグリーン(c、1.42000
)、ビクトリアブルーB(C,1,44045)及びニ
ュートラルレッド(C,1,50040)である。染料
添加剤によって、基体の光の分散が抑制されて増大した
解像度が得られる。
)、ビクトリアブルーB(C,1,44045)及びニ
ュートラルレッド(C,1,50040)である。染料
添加剤によって、基体の光の分散が抑制されて増大した
解像度が得られる。
抗しわ剤は、ノボラクとセンシタイブ−との合した重量
に対して5重量%まで使用してもよい。
に対して5重量%まで使用してもよい。
可塑剤は、例えば燐酸トリー(β−クロルエチル)−エ
ステル、ステアリン酸、ジカムホル(djcampho
r ) 、ポリプロぎレン、アセタール樹脂、フェノキ
シ樹脂及びアルキル樹脂(ノボラクとセンシタイダーと
の合した重量に対して1〜10重量%)である。可塑剤
によって材料の塗布性が改良され、基体に対してスムー
スで均一な厚さのフィルムの使用か可能になる。
ステル、ステアリン酸、ジカムホル(djcampho
r ) 、ポリプロぎレン、アセタール樹脂、フェノキ
シ樹脂及びアルキル樹脂(ノボラクとセンシタイダーと
の合した重量に対して1〜10重量%)である。可塑剤
によって材料の塗布性が改良され、基体に対してスムー
スで均一な厚さのフィルムの使用か可能になる。
接着促進剤は、例えばβ−(3,4−エポキシ−シクロ
ヘキシル)−二チルトリメトキシシラン、p−メチルジ
シラン−メチルメタクリレート、ビニルトリクロルシラ
ン、及びγ−アミノープロピルトリエトキシシラン(ノ
ボラクとセンシタイブ−との合した重量に対して4重量
%まで)である。
ヘキシル)−二チルトリメトキシシラン、p−メチルジ
シラン−メチルメタクリレート、ビニルトリクロルシラ
ン、及びγ−アミノープロピルトリエトキシシラン(ノ
ボラクとセンシタイブ−との合した重量に対して4重量
%まで)である。
速度増大剤は、例えばピクリン酸、ニコチン酸及びニト
ロけい皮酸(ノボラクとセンシタイブ−との合した重量
に対して2ON量%まで)である。この増大剤は、雨露
光及び非露光帯域のフォートレジスト塗膜の溶解度を高
める。このようにしてこの増大剤は、現像速度が圧倒す
る場合には成る程度のコントラストをぎせいにしてさえ
も使用される。即ちフォートレゾスト塗膜の露光帯域が
現像剤によって迅速に溶解すると共に、速度増大剤は非
露光帯域からフォートレジスト塗膜の大きいロスを生せ
しめる。
ロけい皮酸(ノボラクとセンシタイブ−との合した重量
に対して2ON量%まで)である。この増大剤は、雨露
光及び非露光帯域のフォートレジスト塗膜の溶解度を高
める。このようにしてこの増大剤は、現像速度が圧倒す
る場合には成る程度のコントラストをぎせいにしてさえ
も使用される。即ちフォートレゾスト塗膜の露光帯域が
現像剤によって迅速に溶解すると共に、速度増大剤は非
露光帯域からフォートレジスト塗膜の大きいロスを生せ
しめる。
非イオン性界面活性剤は、例えばノニルフェノキシポリ
(エチレンオキシ)エタノール、オクチルフェノキシ(
エチレンオキシ)エタノール及びジノニルフェノキシポ
リ(エチレンオキシ)エタノール(ノボラクとセンシタ
イヂーとの合したN量に対して101量係まで)である
。
(エチレンオキシ)エタノール、オクチルフェノキシ(
エチレンオキシ)エタノール及びジノニルフェノキシポ
リ(エチレンオキシ)エタノール(ノボラクとセンシタ
イヂーとの合したN量に対して101量係まで)である
。
製造したレジスト溶液は、基体に浸漬、スプル−及び回
転塗布を含む常用の方法で使用することができる。回転
塗布の場合には、例えばレジスト溶液を固体含量の係に
関して調整して、回転塗布法に使用した回転塗布装置の
型及び時間によって所望の厚さの塗膜を得ることができ
る。
転塗布を含む常用の方法で使用することができる。回転
塗布の場合には、例えばレジスト溶液を固体含量の係に
関して調整して、回転塗布法に使用した回転塗布装置の
型及び時間によって所望の厚さの塗膜を得ることができ
る。
レジスト組成物の溶液を基体に塗布した後に、基体は、
約80〜105℃で溶剤全部が蒸発し、フォートレジス
トのミクロンの淳さの薄い塗膜が参体上に残留するのに
過ぎないまでベーキングする。
約80〜105℃で溶剤全部が蒸発し、フォートレジス
トのミクロンの淳さの薄い塗膜が参体上に残留するのに
過ぎないまでベーキングする。
次いでこのフォートレジスト層に、水溶性光漂白ジアゾ
ニウム塩及び強酸性ポリマー結合剤を含有するコントラ
スト増強剤の第2の感光層全使用し、これによって溶液
中及びフィルムとしてのジアゾニウム塩の増大した溶解
性及び安定性が得られる。系は水中で一緒にブレンドす
る。
ニウム塩及び強酸性ポリマー結合剤を含有するコントラ
スト増強剤の第2の感光層全使用し、これによって溶液
中及びフィルムとしてのジアゾニウム塩の増大した溶解
性及び安定性が得られる。系は水中で一緒にブレンドす
る。
適当な水溶性ジアゾニウム塩は公知である。
か\るジアゾニウム塩の例は、J、 Kosar :”
Light 5ensj、tjve Systems
”(1965年)、Jowiley 5ons社版、二
ニー・ヨーク)、第194員、及びM、S、 Dina
burg :’ Ph0tosen−8j tjve
Diazo Compounds and Thejr
Uses”(1964年、 The Focal P
ress社版)に記載されている。通常ジアゾニウム塩
の量は、層の固体成分の重量に対して約50〜90!量
係、好ましくは約50〜90!量係である。層中の強酸
のポリマーの量は、通常層の固体成分の重量に対して約
50〜90!量係、好ましくは約60〜5oxi係であ
る。
Light 5ensj、tjve Systems
”(1965年)、Jowiley 5ons社版、二
ニー・ヨーク)、第194員、及びM、S、 Dina
burg :’ Ph0tosen−8j tjve
Diazo Compounds and Thejr
Uses”(1964年、 The Focal P
ress社版)に記載されている。通常ジアゾニウム塩
の量は、層の固体成分の重量に対して約50〜90!量
係、好ましくは約50〜90!量係である。層中の強酸
のポリマーの量は、通常層の固体成分の重量に対して約
50〜90!量係、好ましくは約60〜5oxi係であ
る。
多くの系では、ジアゾニウム塩と中性−のポリマー結合
剤との水溶液は、極めて不安定である。中性−の多くの
ポリマーに対しては、ジアゾニウム塩の溶解性及び安定
性は極めて不十分である。更に、通常塩基性媒体はジア
ゾニウム塩を不安定にする。それ故、塩基性ポリマーは
有用ではない。付加的に、弱酸性ポリマーでさえも本発
明に対しては有用ではないが、強酸性ポリマーは有用で
あることが判明した。一般にかぎるポリマーは、水中で
一約1又はこれ以下を有するポリマーである。
剤との水溶液は、極めて不安定である。中性−の多くの
ポリマーに対しては、ジアゾニウム塩の溶解性及び安定
性は極めて不十分である。更に、通常塩基性媒体はジア
ゾニウム塩を不安定にする。それ故、塩基性ポリマーは
有用ではない。付加的に、弱酸性ポリマーでさえも本発
明に対しては有用ではないが、強酸性ポリマーは有用で
あることが判明した。一般にかぎるポリマーは、水中で
一約1又はこれ以下を有するポリマーである。
強酸性ポリマーの官能基の例は、−8o3H及び−03
O3Hである。ポリマーはポリスチレンスルホン酸、ポ
リエチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸及ヒポリ
ビニルフェニルスルホン酸である。ポリスチレンスルホ
ン酸が好ましいポ。
O3Hである。ポリマーはポリスチレンスルホン酸、ポ
リエチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸及ヒポリ
ビニルフェニルスルホン酸である。ポリスチレンスルホ
ン酸が好ましいポ。
リマーである。ビニルスルホン酸又はスチレンスルホン
酸のコーポリマーを製造し、使用することもできる。
酸のコーポリマーを製造し、使用することもできる。
界面活性剤、脱泡剤及び他の物質のような添加剤を添加
して、CELフィルムの塗膜特性を改良してもよい。
して、CELフィルムの塗膜特性を改良してもよい。
ポリマースルホン酸が、薄フィルムを形成する結合剤と
して及びジアゾニウム塩の安定剤として役立つことは、
等モルのモノマーアリールスルホン酸に対する使用よシ
も有利である。それというのも第1に該ポリマースルホ
ン酸はCELフィルムの厚さの吸収を弱め、第2に一定
のジアゾニウム塩の塩析が阻止されるからである。
して及びジアゾニウム塩の安定剤として役立つことは、
等モルのモノマーアリールスルホン酸に対する使用よシ
も有利である。それというのも第1に該ポリマースルホ
ン酸はCELフィルムの厚さの吸収を弱め、第2に一定
のジアゾニウム塩の塩析が阻止されるからである。
約0.5μmの薄フィルムはフォートレジストの上部に
回転被覆して、増強コントラストが得られ、常用のCE
Lとして有効に作用することができる。ジアゾニウム塩
の濃度が大きいと、それだけCEL層は薄く使用するこ
とができる。組成物(水にとかした2種の官能成分に過
ぎない)の簡易性によって、製造及び品質を調整するの
が容易になり、CELの利点が得られる。このCEL鳥
は空気乾燥するか又は高温度でベーキングして、CEL
の固体成分を減成しないで水を除去する。次いでこの2
レベル系を、画像に応じてCRT、を通してフォートレ
ジストに露光する。更にCEL層は、水洗するか又は続
く現隊工程で除去する。下部のフォートレジストは適当
な塊像剤、例えば公知アルカリ性現像液で机像する。
回転被覆して、増強コントラストが得られ、常用のCE
Lとして有効に作用することができる。ジアゾニウム塩
の濃度が大きいと、それだけCEL層は薄く使用するこ
とができる。組成物(水にとかした2種の官能成分に過
ぎない)の簡易性によって、製造及び品質を調整するの
が容易になり、CELの利点が得られる。このCEL鳥
は空気乾燥するか又は高温度でベーキングして、CEL
の固体成分を減成しないで水を除去する。次いでこの2
レベル系を、画像に応じてCRT、を通してフォートレ
ジストに露光する。更にCEL層は、水洗するか又は続
く現隊工程で除去する。下部のフォートレジストは適当
な塊像剤、例えば公知アルカリ性現像液で机像する。
2M桶な1つの現捷剤i、AZ Developer(
Hoechst Ce1anese Corporat
ion社製、二ニー・ジャージ在〕である。
Hoechst Ce1anese Corporat
ion社製、二ニー・ジャージ在〕である。
フォートレジストは常用の化学線放射、殊に紫外線帯域
の放射に露光する。1つの波長だけの放射で露光するこ
とも可能である。
の放射に露光する。1つの波長だけの放射で露光するこ
とも可能である。
実際にCELは露光工程で漂白し、露光部分で透明にな
る。化学線放射はこの透明部分を通気下のフォートレジ
ストを露光する。非露光部分は光の放射の透過をしゃ断
し、このように画像に応じた差異が得られる。好ましく
はCELは、露光に使用した光の波長の非露光帯域で1
0%以下の透過率を有する。一般に、o−キノンダアジ
ドフォートセンシタイブ−の使用によってポジの作用系
が得ら扛るが、本発明はこのように限定する意図はない
。更に本発明はいわゆる画像の反転法を包含し、フォー
トレジスト組成物への適当な添加及び/又は付加的処理
法によって、o−キノンダアジド層によってネガの画像
を得ることもできる。か\る方法は、架橋化合物、例え
ばジメチロールパラクレゾールをフォートレジスト層に
添加して得られる。
る。化学線放射はこの透明部分を通気下のフォートレジ
ストを露光する。非露光部分は光の放射の透過をしゃ断
し、このように画像に応じた差異が得られる。好ましく
はCELは、露光に使用した光の波長の非露光帯域で1
0%以下の透過率を有する。一般に、o−キノンダアジ
ドフォートセンシタイブ−の使用によってポジの作用系
が得ら扛るが、本発明はこのように限定する意図はない
。更に本発明はいわゆる画像の反転法を包含し、フォー
トレジスト組成物への適当な添加及び/又は付加的処理
法によって、o−キノンダアジド層によってネガの画像
を得ることもできる。か\る方法は、架橋化合物、例え
ばジメチロールパラクレゾールをフォートレジスト層に
添加して得られる。
実施例
例 1
次のポジのフォートレジストを製造する:融点105〜
120°Cを有す 24.4W肩るクレゾールノボラ
ク樹脂 2.3.4−1 リヒドローキシ7,5W/W%−ベン
ゾフェノンと1.2−ナ フトキノンー2−アジド−5− スルホニルクロリドとの縮合物 からなるフォートセンシタイブ プロピレングリコールメチル 68.1 W/W%エ
ーテルアセテート 前記レゾストを回転塗布し、対流炉中で90′Cで60
分間ベーキングすると、1.8μmのフィルム塗膜が得
られる。このレジストのコントラストを、フィルムを、
段階のある公知光学密腿のガラスマスクを通して露光し
て測定する。露光機はPerkin Elmer Mi
croalign 22 lであり、これは広いバンド
の照明を有する。レジストフィルムを、次の組成からな
る0、28 Nの現像液で60秒間机偉才る: メタ珪酸ナトリウムx 9 H2O5,3,9燐酸三ナ
トリウA X 12 H2O3,4g燐酸二水素ナトリ
ウム 0.3g水
91 &現像後に残留
し公知量の露光量を有するフィルムの厚さを測定する。
120°Cを有す 24.4W肩るクレゾールノボラ
ク樹脂 2.3.4−1 リヒドローキシ7,5W/W%−ベン
ゾフェノンと1.2−ナ フトキノンー2−アジド−5− スルホニルクロリドとの縮合物 からなるフォートセンシタイブ プロピレングリコールメチル 68.1 W/W%エ
ーテルアセテート 前記レゾストを回転塗布し、対流炉中で90′Cで60
分間ベーキングすると、1.8μmのフィルム塗膜が得
られる。このレジストのコントラストを、フィルムを、
段階のある公知光学密腿のガラスマスクを通して露光し
て測定する。露光機はPerkin Elmer Mi
croalign 22 lであり、これは広いバンド
の照明を有する。レジストフィルムを、次の組成からな
る0、28 Nの現像液で60秒間机偉才る: メタ珪酸ナトリウムx 9 H2O5,3,9燐酸三ナ
トリウA X 12 H2O3,4g燐酸二水素ナトリ
ウム 0.3g水
91 &現像後に残留
し公知量の露光量を有するフィルムの厚さを測定する。
露光量の対数に対するフィルムの厚さのプロットの勾配
が、レジストのコントラストである。この条件下に、コ
ントラスト3.1が得られる。
が、レジストのコントラストである。この条件下に、コ
ントラスト3.1が得られる。
例 2
次のCELを処方する:
ポリスチレンスルホン[(151209%の水溶液)
水 30
.9イソグロパノール 61ジフェニル
アミンp−ジアゾ 157FWモルニウムクロリド 例1のレジストを回転塗布し、対流炉中で90°Cで3
0分間ベーキングすると、1.8μmのフィルム塗膜が
得られる。前記CEL処方物をポジのレジストに回転塗
布すると、0.6junのCELフィルムが得られる。
.9イソグロパノール 61ジフェニル
アミンp−ジアゾ 157FWモルニウムクロリド 例1のレジストを回転塗布し、対流炉中で90°Cで3
0分間ベーキングすると、1.8μmのフィルム塗膜が
得られる。前記CEL処方物をポジのレジストに回転塗
布すると、0.6junのCELフィルムが得られる。
ビレベル系を、段階を有する公知光学密度のガラスマス
クを通して露光する。露光機は、広いバンドの照明を有
するPerkin Elmer Mjcroa’lig
n 22 lである。
クを通して露光する。露光機は、広いバンドの照明を有
するPerkin Elmer Mjcroa’lig
n 22 lである。
CEL 7 イルムラ水洗し、レジストフィルムを、0
.28 NのAZ 351現像剤で60秒間現像する
。現像後に残留し公知量の露光量を有するフィルムの淳
さを測定する。露光量の対数に対するフィルムの厚さの
プロットの勾配か、レジストのコントラストである。こ
の条件下にコントラスト7.5が得られる。
.28 NのAZ 351現像剤で60秒間現像する
。現像後に残留し公知量の露光量を有するフィルムの淳
さを測定する。露光量の対数に対するフィルムの厚さの
プロットの勾配か、レジストのコントラストである。こ
の条件下にコントラスト7.5が得られる。
例 6
次のCELを処方する:
ポリスチレンスルホン酸(15120、!7係の水溶液
) 水 30
gインプロパツール 393−メチ
ル−4−ピロリジノ 157mモルベンゼンp−ジア
ゾニウムクロ リド亜鉛クロリド−水和物 例2と同じ方法を行なう。コントラスト5.8が得られ
る。
) 水 30
gインプロパツール 393−メチ
ル−4−ピロリジノ 157mモルベンゼンp−ジア
ゾニウムクロ リド亜鉛クロリド−水和物 例2と同じ方法を行なう。コントラスト5.8が得られ
る。
例 4
次のCELを処方する:
ポリスチレンスルホン酸(1512011係の水溶液)
水 30
gインプロパツール 392.5−ジ
ェトキシ−4−モ 138mモルルホリノベンゼンジ
ア・lニウム フルオルボレート 例2と同じ方法を行なう。コントラスト5.8が得られ
る。
gインプロパツール 392.5−ジ
ェトキシ−4−モ 138mモルルホリノベンゼンジ
ア・lニウム フルオルボレート 例2と同じ方法を行なう。コントラスト5.8が得られ
る。
コントラストの増大は、本発明の処方物を使用して得ら
れるのを認めることができる。コントラストの正確な値
及び光に対するその感光度は、特別のジアゾニウムの吸
収と露光の光との相応する組合せによる。光の単波長を
使用してCEL tl−露光することもできる。
れるのを認めることができる。コントラストの正確な値
及び光に対するその感光度は、特別のジアゾニウムの吸
収と露光の光との相応する組合せによる。光の単波長を
使用してCEL tl−露光することもできる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基体、基体上に第1の感光層(この第1の感光層は
感光性o−キノンジアジドを、層を感光性にし、画像に
応じた層の露光及び現像で画像の差異をもたらすのに十
分な量で含有する)、ノボラク及びポリビニルフェノー
ルからなる群から選ばれ、前記層を結合して均一なフィ
ルムにするのに十分な量の樹脂少くとも1種、第1の感
光層に第2の感光層(この第2の感光層は光を漂白する
水溶性ジアゾニウム塩を、化学線放射に露光すると漂白
された画像の差異をもたらすのに十分な量で含有する)
及び第2の感光層を結合して均一なフィルムにするのに
十分な量の強酸性水溶性フィルム形成ポリマー樹脂を有
するフォートレジスト。 2、基体は珪素、アルミニウム、ポリマー樹脂、二酸化
珪素、ドープ塗布二酸化珪素、窒化珪素、タンタル、銅
、ポリシリコン、セラミックス及びアルミニウム/銅混
合物、砒化ガリウム及びIII/V族の化合物からなる群
から選んだ成分1種又は数種からなる請求項1記載のフ
ォートレジスト。 3、ノボラクは、クレゾール/ホルムアルデヒドノボラ
ク樹脂である請求項1記載のフォートレジスト。 4、ジアジドは、ヒドロキシベンゾフェノン又はヒドロ
キシアルキルフェノンと結合したナフトキノン−(1,
2)−ジアジド−4又は5−スルホニルクロリドである
請求項1記載のフォートレジスト。 5、ジアジドは、ナフトキノン−(1,2)−ジアジド
−5−スルホニルクロリドとトリヒドロキシベンゾフェ
ノンとの縮合生成物である請求項1記載のフォートレジ
スト。 6、第1の感光層は、更に着色剤、抗しわ剤、可塑剤、
接着促進剤、速度増大剤、溶剤及び界面活性剤からなる
群から選んだ添加剤1種又は数種を含有する請求項1記
載のフォートレジスト。 7、酸性樹脂は、ポリマーのスルホン酸である請求項1
記載のフォートレジスト。 8、スルホン酸は、ポリスチレンスルホン酸である請求
項7記載のフォートレジスト。 9、酸性樹脂は、ビニルスルホン酸又はスチレンスルホ
ン酸を含有するコーポリマーである請求項7記載のフォ
ートレジスト。 10、ノボラクはクレゾールホルムアルデヒドノボラク
樹脂であり、ジアジドは2,3,4−トリヒドロキシベ
ンゾフェノンと縮合したナフトキノン−(1,2)−ジ
アジド−4又は5−スルホニルクロリドである請求項1
記載のフォートレジスト。 11、第1の感光層は更に架橋化合物を含有し、第1の
感光層の露光部は、露光すると架橋する請求項1記載の
フォートレジスト。 12、架橋化合物は、ジメチロールパラクレゾールであ
る請求項11記載のフォートレジスト。 13、画像を有するフォートレジストを製造する方法に
おいて、基体に第1の感光層(この第1の感光層は、感
光性o−キノンダアジドを、層を感光性にし、画像に応
じた層の露光及び現像で画像の差異をもたらすのに十分
な量で含有する)及びノボラク及びポリビニルフェノー
ルからなる群から選ばれ、前記層を結合して均一なフィ
ルムにするのに十分な量の樹脂少くとも1種を塗布し、
第1の感光層に第2の感光層(この第2の感光層は光を
漂白する水溶性ジアゾニウム塩を、化学線放射に露光す
ると漂白された画像の差異をもたらすのに十分な量で含
有する)及び第2の感光層を結合して均一なフィルムに
するのに十分な量の強酸性水溶性フィルム形成ポリマー
を塗布し、フォートレジストを十分な化学線放射に露光
して第2の感光層を漂白し、かゝる漂白部分を化学線放
射に透過させ、その際非露光部分は化学線放射に透過し
ないで残留し、漂白部分下に存在する第1の感光層を化
学線放射で露光し、次いで第2の全感光層を除去し、第
1の感光層を現像することを特徴とする画像を有するフ
ォートレジストの製造法。 14、第2の感光層を、水又はアルカリ性水溶液で除去
する請求項13記載の方法。 15、第1の感光層を、アルカリ性水溶液で現像する請
求項13記載の方法。 16、化学線放射は、紫外線放射である請求項13記載
の方法。 17、ノボラクは、クレゾールホルムアルデヒドノボラ
ク樹脂である請求項13記載の方法。 18、ジアジドは、ヒドロキシベンゾフェノンと縮合し
たナフトキノン−(1,2)−ジアジド−4又は5−ス
ルホニルクロリドである請求項13記載の方法。 19、酸性樹脂は、ポリスチレンスルホン酸である請求
項16記載の方法。 20、第1の感光層は架橋化合物を含有し、露光すると
第1の感光層の露光部が架橋し、現像するとネガの画像
が得られる請求項16記載の方法。 21、架橋化合物は、ジメチロールパラクレゾールであ
る請求項20記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US5603287A | 1987-06-01 | 1987-06-01 | |
US056032 | 1987-06-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63311343A true JPS63311343A (ja) | 1988-12-20 |
Family
ID=22001718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63131784A Pending JPS63311343A (ja) | 1987-06-01 | 1988-05-31 | フオートレジスト及びその製造法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0293704A3 (ja) |
JP (1) | JPS63311343A (ja) |
KR (1) | KR900005312B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02872A (ja) * | 1987-11-27 | 1990-01-05 | Tosoh Corp | 感光性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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