JPS63307726A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63307726A JPS63307726A JP14371687A JP14371687A JPS63307726A JP S63307726 A JPS63307726 A JP S63307726A JP 14371687 A JP14371687 A JP 14371687A JP 14371687 A JP14371687 A JP 14371687A JP S63307726 A JPS63307726 A JP S63307726A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
従来の半導体装置、特にソース・ドレイン拡散層上に金
属ケイ化物を有する半導体装置の製造方法は、１）拡散
層形成後、金属を蒸着し熱アニールにより金属ケイ化物
を形成する方法か、あるいは、２）金属ケイ化物を形成
後、不純物を注入し熱アニールにより拡散層を形成する
方法が用いられてきた。
属ケイ化物を有する半導体装置の製造方法は、１）拡散
層形成後、金属を蒸着し熱アニールにより金属ケイ化物
を形成する方法か、あるいは、２）金属ケイ化物を形成
後、不純物を注入し熱アニールにより拡散層を形成する
方法が用いられてきた。
しかし、前述の従来の技術では、１）の方法は金属ケイ
化物形成の際に不純物が金属の方に拡散するため、また
２）の方法は不純物が金属ケイ化物から基板中に十分に
拡散されないため、拡散層の不純物濃度が低下し、その
ため、拡散層一基板間の接合リークを引き起こしていた
。
化物形成の際に不純物が金属の方に拡散するため、また
２）の方法は不純物が金属ケイ化物から基板中に十分に
拡散されないため、拡散層の不純物濃度が低下し、その
ため、拡散層一基板間の接合リークを引き起こしていた
。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、ソース・ドレイン拡散層上に金
属ケイ化物を有する半導体装置において、拡散層一基板
間の接合リーク特性が良好な半導体装置の製造方法を提
供することにある。
の目的とするところは、ソース・ドレイン拡散層上に金
属ケイ化物を有する半導体装置において、拡散層一基板
間の接合リーク特性が良好な半導体装置の製造方法を提
供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、−導電型半導体基板
の表面の一部に不純物拡散層を形成する工程、前゛記金
属膜中に前記拡散層と回し型の不純物を注入する工程、
熱アニールする工程、ｒｉｕ記金属１漠の一部を除去す
る工程をＡ備したことを特徴とする特 〔実施例〕 以下第１図により詳細に実施例を説明する。
の表面の一部に不純物拡散層を形成する工程、前゛記金
属膜中に前記拡散層と回し型の不純物を注入する工程、
熱アニールする工程、ｒｉｕ記金属１漠の一部を除去す
る工程をＡ備したことを特徴とする特 〔実施例〕 以下第１図により詳細に実施例を説明する。
工程ｌ・・・第１図（ａ）
Ｐ型半導体基板１０１上に素子分離用酸化１１０２を形
成した後、ゲート酸化膜１０３を熱酸化法で１５０〜２
００Ａ形成し、その上に多結晶シリコンを２０００〜４
０００Ａ化学的気相成長法で形成し、８００〜１０００
’Ｃでリンを熱拡散する０次にレジストパターンをマス
クに前記多結晶シリコンをエツチングし、ゲート電極１
０４を形成した後に、低濃度リンのイオン注入を行いＮ
型低濃度拡散層１０５を形成する。さらに化学的気相成
長法で３０００〜４０００Ａの酸化膜を形成し、リアク
ティブイオンで全面エツチングすることで、前記ゲート
電極１０４の側壁に酸化膜スペーサー１０６を形成した
後、高濃度ヒ素のイオン注入を行いＮ型高濃度拡散層１
０７を形成し、９００〜１０００’Ｃで熱アニールを行
い前記Ｎ型高濃度拡散層１０７の活性化を行う。
成した後、ゲート酸化膜１０３を熱酸化法で１５０〜２
００Ａ形成し、その上に多結晶シリコンを２０００〜４
０００Ａ化学的気相成長法で形成し、８００〜１０００
’Ｃでリンを熱拡散する０次にレジストパターンをマス
クに前記多結晶シリコンをエツチングし、ゲート電極１
０４を形成した後に、低濃度リンのイオン注入を行いＮ
型低濃度拡散層１０５を形成する。さらに化学的気相成
長法で３０００〜４０００Ａの酸化膜を形成し、リアク
ティブイオンで全面エツチングすることで、前記ゲート
電極１０４の側壁に酸化膜スペーサー１０６を形成した
後、高濃度ヒ素のイオン注入を行いＮ型高濃度拡散層１
０７を形成し、９００〜１０００’Ｃで熱アニールを行
い前記Ｎ型高濃度拡散層１０７の活性化を行う。
工程２・・・第１図（ｂ）
ＨＦ水溶液により、前記ゲート酸化膜１０３の一部を除
去した後、スパッタ法によりＴｉ ｌ ０８を４００〜
８００Ａ形成し、高濃度のヒ素１０９をイオン注入する
。
去した後、スパッタ法によりＴｉ ｌ ０８を４００〜
８００Ａ形成し、高濃度のヒ素１０９をイオン注入する
。
工程３・・・第１図（Ｃ）
ハロゲンランプアニールで７００°Ｃｌ０ｓｅＣ処理す
ることにより、前記Ｎ型高濃度拡散層１０７の上部及び
前記ゲート電極１０４の上部のみＴｉケイ化物１１０が
形成される。その後、アンモニア、過酷化水素、水の混
合液で処理することにより未反応Ｔｉは除去される。
ることにより、前記Ｎ型高濃度拡散層１０７の上部及び
前記ゲート電極１０４の上部のみＴｉケイ化物１１０が
形成される。その後、アンモニア、過酷化水素、水の混
合液で処理することにより未反応Ｔｉは除去される。
工程４・・・第１図（ｄ）
ハロゲンランプアニール８００’ Ｃｌ０ｓｅｃ処理し
た後、層ｔｔｉ絶縁１１１ＡＩｌ＋を化学的気相成長法
で４０００〜６０００Ａ形成し、レジストパターンをマ
スクに前記層間絶縁用酸化膜１１２をエツチングし、コ
ンタクトホールを形成した後、配線材料用Ａ Ｑ ＩＩ
Ｉを形成する。
た後、層ｔｔｉ絶縁１１１ＡＩｌ＋を化学的気相成長法
で４０００〜６０００Ａ形成し、レジストパターンをマ
スクに前記層間絶縁用酸化膜１１２をエツチングし、コ
ンタクトホールを形成した後、配線材料用Ａ Ｑ ＩＩ
Ｉを形成する。
以上述べたように発明によれば、金属ケ・イ化物生成の
ための熱アニールの際に、既に金属中には高濃度の不純
物が存在するために、ソース・ドレイン拡ｆｌ＆層から
金属中への不純物の拡散が抑制される。そのための拡散
層の低濃度化は起こらず。
ための熱アニールの際に、既に金属中には高濃度の不純
物が存在するために、ソース・ドレイン拡ｆｌ＆層から
金属中への不純物の拡散が抑制される。そのための拡散
層の低濃度化は起こらず。
拡ｒＩｋ層のリークは低減するという効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体装置の製造方法
を表わす主要断面図。 １０１・・・Ｐ型半導体基板 １０２・・・素子分離用酸化膜 １０３・・・ゲート酸化膜 １０４・・・ゲート屯極 １０５・・・Ｎ 、ｑｇ、低濃度拡散層１０６・・・酸
化膜スペーサー １０７・・・Ｎ型高濃度拡Ｍ層 １０８・・・Ｔｉ １０９・・・ヒ素 １１０・・・Ｔｉケ・ｆ化物 １１１・・・層間絶縁用酸ＩｔＺ膜 １１２・・・配線材料用ＡＱ 峯ＩＢ
を表わす主要断面図。 １０１・・・Ｐ型半導体基板 １０２・・・素子分離用酸化膜 １０３・・・ゲート酸化膜 １０４・・・ゲート屯極 １０５・・・Ｎ 、ｑｇ、低濃度拡散層１０６・・・酸
化膜スペーサー １０７・・・Ｎ型高濃度拡Ｍ層 １０８・・・Ｔｉ １０９・・・ヒ素 １１０・・・Ｔｉケ・ｆ化物 １１１・・・層間絶縁用酸ＩｔＺ膜 １１２・・・配線材料用ＡＱ 峯ＩＢ
Claims (1)
- 一導電型半導体基板の表面の一部に不純物拡散層を形
成する工程、前記半導体基板上に金属膜を形成する工程
、前記金属膜中に前記拡散層と同じ型の不純物を注入す
る工程、熱アニールする工程、前記金属膜の一部を除去
する工程を具備したことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62143716A JP2525186B2 (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62143716A JP2525186B2 (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307726A true JPS63307726A (ja) | 1988-12-15 |
| JP2525186B2 JP2525186B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=15345324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62143716A Expired - Lifetime JP2525186B2 (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2525186B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5858846A (en) * | 1997-08-04 | 1999-01-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Salicide integration method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61230373A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61274325A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS627165A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-06-09 JP JP62143716A patent/JP2525186B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61230373A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61274325A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS627165A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5858846A (en) * | 1997-08-04 | 1999-01-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Salicide integration method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2525186B2 (ja) | 1996-08-14 |
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