JPS63307134A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- JPS63307134A JPS63307134A JP14001887A JP14001887A JPS63307134A JP S63307134 A JPS63307134 A JP S63307134A JP 14001887 A JP14001887 A JP 14001887A JP 14001887 A JP14001887 A JP 14001887A JP S63307134 A JPS63307134 A JP S63307134A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光ファイバ母材の製造方法に係り、特に低損失
化を達成することができる製造方法に関する。
化を達成することができる製造方法に関する。
［従来の技術］
一般に、コアを純粋ＳｉＯ２から形成すると共にクラッ
ドをＦ添加５ｉ０２から形成した光ファイバはレーレ散
乱係数が小さく、低損失化が可能である。
ドをＦ添加５ｉ０２から形成した光ファイバはレーレ散
乱係数が小さく、低損失化が可能である。
従来、このような光ファイバは次の■あるいは■の方法
により製造されていた。
により製造されていた。
■ 第７図のように純粋ＳｉＯ２ガラス棒７１の外周部
にバーナ７２を用いてＶＡＤ法により ＳｉＯ２微粒子
７３を堆積し、焼結時にフッ素処理を行なった後透明ガ
ラス化する。
にバーナ７２を用いてＶＡＤ法により ＳｉＯ２微粒子
７３を堆積し、焼結時にフッ素処理を行なった後透明ガ
ラス化する。
■ 第８図のようにコア用バーナ８１及びクラッド用バ
ーナ８２を用いてＶＡＤ法によりかさ密度Ｉ Ｑ ／
ｃｉ以上のコア部８３とかさ密度０．２〜０．３ｇ／ｃ
Ｉｉのクラッド部８４からなるスート母材を形成し、焼
結時にフッ素処理を行なった後透明ガラス化する。
ーナ８２を用いてＶＡＤ法によりかさ密度Ｉ Ｑ ／
ｃｉ以上のコア部８３とかさ密度０．２〜０．３ｇ／ｃ
Ｉｉのクラッド部８４からなるスート母材を形成し、焼
結時にフッ素処理を行なった後透明ガラス化する。
この■の方法はコア部８３のかさ密度を高く設定してこ
こにフッ素が添加されないようにしたものである。
こにフッ素が添加されないようにしたものである。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、■の方法ではガラス棒７１に無水・高純
度の５ｉ０２ガラス棒を用いてもＳｉＯ２微粒子の外付
時にＨ２−０２火炎からの囲碁がガラス棒７１内に混入
するためファイバ化後の囲碁吸収損失が増加してしまう
という問題があった。
度の５ｉ０２ガラス棒を用いてもＳｉＯ２微粒子の外付
時にＨ２−０２火炎からの囲碁がガラス棒７１内に混入
するためファイバ化後の囲碁吸収損失が増加してしまう
という問題があった。
これに対しで、■の方法ではコア部８１がスート状態で
あるのでＣ１２等を用いた脱水処理により囲碁を除去す
ることが可能であるが、かさ密度が高いために通常２０
０時間以上もの長時間にわたって脱水処理を行なわなけ
ればならなかった。
あるのでＣ１２等を用いた脱水処理により囲碁を除去す
ることが可能であるが、かさ密度が高いために通常２０
０時間以上もの長時間にわたって脱水処理を行なわなけ
ればならなかった。
また、純粋５ｉ０２からなる中空円筒状のスート母材を
形成してこれを炉内で焼結する際にスート母材の中空部
はフッ素ガスを含まない雰囲気とし、炉内全体はフッ素
ガスを含む雰囲気として加熱することにより５ｉ（ｈコ
ア及びＦ添加５ｉ０２クラッドの母材を製造する方法が
特開昭６０−２３９３３５号公報に開示されているが、
この場合には焼結時の２つの雰囲気ガスが炉内で混合す
るためこれらの雰囲気ガスを高精麿で流量制御しても所
望の組成の母材を再現性よく得ることは困難である。
形成してこれを炉内で焼結する際にスート母材の中空部
はフッ素ガスを含まない雰囲気とし、炉内全体はフッ素
ガスを含む雰囲気として加熱することにより５ｉ（ｈコ
ア及びＦ添加５ｉ０２クラッドの母材を製造する方法が
特開昭６０−２３９３３５号公報に開示されているが、
この場合には焼結時の２つの雰囲気ガスが炉内で混合す
るためこれらの雰囲気ガスを高精麿で流量制御しても所
望の組成の母材を再現性よく得ることは困難である。
かくして、本発明の目的は上記従来技術の問題点を解消
し、長時間の脱水処理を施さなくても伝送損失の低減化
を図ることができる光ファイバ母材の製造方法を提供す
ることにある。
し、長時間の脱水処理を施さなくても伝送損失の低減化
を図ることができる光ファイバ母材の製造方法を提供す
ることにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明の光ファイバ母材の製造方法は上記目的を達成す
るために、ガラス微粒子を堆積させて円筒状のスート母
材を形成すると共に該スート母材に脱水処理を施した後
、上記スート母材の内周面を加熱して該内周面近傍のス
ートのかさ密度を高め、さらに上記スート母材をフッ素
含有雰囲気中で加熱処理した後これを透明ガラス化する
と共に中実化する方法である。
るために、ガラス微粒子を堆積させて円筒状のスート母
材を形成すると共に該スート母材に脱水処理を施した後
、上記スート母材の内周面を加熱して該内周面近傍のス
ートのかさ密度を高め、さらに上記スート母材をフッ素
含有雰囲気中で加熱処理した後これを透明ガラス化する
と共に中実化する方法である。
［作 用］
すなわち、本発明は円筒状スート母材のかさ密度が低い
状態でこれに脱水処理を施した後、スート母材の内周面
近傍のかさ密度を高めてからフッ素処理を行なうもので
ある。
状態でこれに脱水処理を施した後、スート母材の内周面
近傍のかさ密度を高めてからフッ素処理を行なうもので
ある。
従って、脱水処理に長時間を要することなく残留囲碁の
少ない純粋ＳｉＯ２コア及びＦ添加５１０２クラッドの
光ファイバ母材が得られる。
少ない純粋ＳｉＯ２コア及びＦ添加５１０２クラッドの
光ファイバ母材が得られる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を添付図面に従って説明する。
実施例１
第１図及び第２図は実施例１に係る光ファイバ母材の製
造方法を示す工程図である。
造方法を示す工程図である。
まず、第１図のように直径５＃１ＩＩＩのカーボン製出
発材１を回転上昇させると共にその外周部にバーナ２を
用いてＶＡＤ法によりＳｉＯ２微粒子を堆積しスート母
材３を形成する。このスート母材３を出発材１と共に電
気炉（図示せず）内にセットし、温度１２００℃、流量
５．９／ｍｉｎのＨｅ及び流量１．Ｒ／ｍｉｎのＩＪ２
の雰囲気中で３時間の脱水処理を施した。
発材１を回転上昇させると共にその外周部にバーナ２を
用いてＶＡＤ法によりＳｉＯ２微粒子を堆積しスート母
材３を形成する。このスート母材３を出発材１と共に電
気炉（図示せず）内にセットし、温度１２００℃、流量
５．９／ｍｉｎのＨｅ及び流量１．Ｒ／ｍｉｎのＩＪ２
の雰囲気中で３時間の脱水処理を施した。
次に、この脱水処理時と同一の雰囲気下で第２図の如く
出発棒１の両端に取り付けた電極４及び５間に通電し、
出発棒１を１５００℃に昇温させて５分間放置した。こ
れにより、スート母材３の内周面（出発材１との界面）
が加熱され、その近傍に位置するスートのかさ密度が高
められる。
出発棒１の両端に取り付けた電極４及び５間に通電し、
出発棒１を１５００℃に昇温させて５分間放置した。こ
れにより、スート母材３の内周面（出発材１との界面）
が加熱され、その近傍に位置するスートのかさ密度が高
められる。
その後、スート母材３から出発材１を抜き去り、スート
母材３を温度１３００℃で且つＳｉＦ４をＳｉＦ４／
ｔｌｅ＋ ＳｉＦ＋ ＝ ０．１の濃度で供給しつ９１
時間のフッ素添加処理を行なった。さらに、炉内温度を
１５００℃にまで上昇させた状態で流１１０．Ｆ／ｗｉ
ｎのＨｅを供給し、透明ガラス化すると共に中実化した
。
母材３を温度１３００℃で且つＳｉＦ４をＳｉＦ４／
ｔｌｅ＋ ＳｉＦ＋ ＝ ０．１の濃度で供給しつ９１
時間のフッ素添加処理を行なった。さらに、炉内温度を
１５００℃にまで上昇させた状態で流１１０．Ｆ／ｗｉ
ｎのＨｅを供給し、透明ガラス化すると共に中実化した
。
このようにして得られたファイバ母材の屈折率分布を測
定したところ第３図のような分布となり、中心部はＦを
含まない純粋５ｉ０２であり、周辺部は比屈折率差０．
３５％低下したＦ添加５ｉ０２であった。
定したところ第３図のような分布となり、中心部はＦを
含まない純粋５ｉ０２であり、周辺部は比屈折率差０．
３５％低下したＦ添加５ｉ０２であった。
さらに、このファイバ母材を直径２０．に延伸した後、
その外周部にＶＡＤ法によりＳｉＯ２スートを外付けし
てフッ素処理及び透明ガラス化し、これにより所定のコ
ア／クラツド比の母材を作成した。
その外周部にＶＡＤ法によりＳｉＯ２スートを外付けし
てフッ素処理及び透明ガラス化し、これにより所定のコ
ア／クラツド比の母材を作成した。
そして、これを線引ファイバ化してその伝送特性を測定
したところ、波長１．３９μｓでの叶吸収損失が１ｄＢ
／ｂ以下であり、残留０１１基の極めて少ない光ファイ
バが得られた。
したところ、波長１．３９μｓでの叶吸収損失が１ｄＢ
／ｂ以下であり、残留０１１基の極めて少ない光ファイ
バが得られた。
実施例２
第４図及び第５図に実施例２に係る光ファイバ母材の製
造方法の工程図を示す。
造方法の工程図を示す。
まず、第４図のように引抜き可能な直径２０＃Ｉの８棒
４１を有する出発母材４２の外周部にバーナ４３を用い
てＶＡＤ法によりかさ密度０．３ｇｈｉのＳｉＯ２微粒
子４４を堆積させた後、８棒４１を引抜いて内径２０＃
ＩＩＩ、外径１４０＃ＩＩｌ＋の円筒状スート母材４５
を形成した。
４１を有する出発母材４２の外周部にバーナ４３を用い
てＶＡＤ法によりかさ密度０．３ｇｈｉのＳｉＯ２微粒
子４４を堆積させた後、８棒４１を引抜いて内径２０＃
ＩＩＩ、外径１４０＃ＩＩｌ＋の円筒状スート母材４５
を形成した。
次に、この円筒状スート母材４５を電気炉（図示せず）
内にセットし、温度１２００℃、Ｗｔｍ ５．１１／１
ｎのＨｅ及び流ｆ１１１１ ／ｍｉｎのＣｌｈの雰囲気
中で３時間の脱水処理を施した。
内にセットし、温度１２００℃、Ｗｔｍ ５．１１／１
ｎのＨｅ及び流ｆ１１１１ ／ｍｉｎのＣｌｈの雰囲気
中で３時間の脱水処理を施した。
次に、第５図の如くスート母材４５の中空部に直径１０
＃Ｉのカーボン棒からなる発熱体４６を挿入し、Ｈｅ雰
囲気中でこの発熱体４６を温度１６００℃に通電加熱さ
せて１０分間放置した。これにより、スート母材４５の
内周面が透明ガラス化された。
＃Ｉのカーボン棒からなる発熱体４６を挿入し、Ｈｅ雰
囲気中でこの発熱体４６を温度１６００℃に通電加熱さ
せて１０分間放置した。これにより、スート母材４５の
内周面が透明ガラス化された。
その後、発熱体４６を取り去りスート母材４５を温度１
２００℃で流１１０４！／ｍｉｎのｌｌｅ及び０．５ｆ
！／ｎ＋ｉｎの８１［４を供給しつつフッ素添加処理を
行なった。
２００℃で流１１０４！／ｍｉｎのｌｌｅ及び０．５ｆ
！／ｎ＋ｉｎの８１［４を供給しつつフッ素添加処理を
行なった。
さらに、ＳｉＦ４の供給を止めると共に炉内を１６５０
℃に昇温させて透明ガラス化及び中実化を行なった。
℃に昇温させて透明ガラス化及び中実化を行なった。
このようにして得られたファイバ母材の屈折率分布を測
定したところ、中心部はＦを含まない純粋ＳｉＯ２であ
り、周辺部は比屈折率差０．３低下したＦ添加５１０２
であった。
定したところ、中心部はＦを含まない純粋ＳｉＯ２であ
り、周辺部は比屈折率差０．３低下したＦ添加５１０２
であった。
さらに、このファイバ母材を線引ファイバ化してその伝
送特性を測定したところ、波長１．３９ｊＪ！ＲでのＯ
Ｈ吸収損失が１ｄＢ／１ＣＩｎ以下であり、残留０■基
の極めて少ない光ファイバを得ることができた。
送特性を測定したところ、波長１．３９ｊＪ！ＲでのＯ
Ｈ吸収損失が１ｄＢ／１ＣＩｎ以下であり、残留０■基
の極めて少ない光ファイバを得ることができた。
実施例３
実施例２において、発熱体４６を用いてスート母材４５
の内周面の透明ガラス化を行なう代わりに、第６図のよ
うにスート母材４５の中空部内に上方から流量１０．ｐ
／ｎ＋ｉｎの０２及び１０．１Ｉｌｌｉｎの＾ｒを供給
すると共にスート母材４５の外周部に母材を非接触で巻
き付けた高周波誘導コイル６１に通電し中空部内にプラ
ズマ６２を発生させた。このプラズマ６２の熱によりス
ート母材４５の内周面が透明ガラス化された。
の内周面の透明ガラス化を行なう代わりに、第６図のよ
うにスート母材４５の中空部内に上方から流量１０．ｐ
／ｎ＋ｉｎの０２及び１０．１Ｉｌｌｉｎの＾ｒを供給
すると共にスート母材４５の外周部に母材を非接触で巻
き付けた高周波誘導コイル６１に通電し中空部内にプラ
ズマ６２を発生させた。このプラズマ６２の熱によりス
ート母材４５の内周面が透明ガラス化された。
このようにして製造されたファイバ母材及びその母材か
ら得られた光ファイバはそれぞれ実施例２により得られ
たファイバ母材及び光ファイバと同様の屈折率分布及び
伝送特性を有することが確認された。
ら得られた光ファイバはそれぞれ実施例２により得られ
たファイバ母材及び光ファイバと同様の屈折率分布及び
伝送特性を有することが確認された。
なお、実施例１及び２においてそれぞれ用いられた出発
材１及び発熱体４６はカーボン製に限るものではなく、
通電して発熱する材質であればよい。また、出発材１や
発熱体４６に通電させる代わりに実施例３で用いたよう
な高周波誘導コイルを設けてこれにより出発材１あるい
は発熱体４６を発熱させることもできる。
材１及び発熱体４６はカーボン製に限るものではなく、
通電して発熱する材質であればよい。また、出発材１や
発熱体４６に通電させる代わりに実施例３で用いたよう
な高周波誘導コイルを設けてこれにより出発材１あるい
は発熱体４６を発熱させることもできる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、次の如き優れた効
果が発揮される。
果が発揮される。
（１） 円筒状スート母材のかさ密度が低い状態でこ
れに脱水処理を施すので、短時間での脱水処理が可能と
なり、囲碁混入のない純粋ＳｉＯ２クラッドの光ファイ
バ母材を製造することができる。
れに脱水処理を施すので、短時間での脱水処理が可能と
なり、囲碁混入のない純粋ＳｉＯ２クラッドの光ファイ
バ母材を製造することができる。
（２） 従って、低損失の光ファイバを得ることが可
能となる。
能となる。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の一実施例に係る光
ファイバ母材の製造方法を示す工程図、第３図は実施例
で製造された母材の屈折率分布図、第４図ないし第６図
は他の実施例を示す工程図、第７図及び第８図はそれぞ
れ従来例を示す説明図である。 図中、１は出発材、２はバーナ、３はスート母材である
。
ファイバ母材の製造方法を示す工程図、第３図は実施例
で製造された母材の屈折率分布図、第４図ないし第６図
は他の実施例を示す工程図、第７図及び第８図はそれぞ
れ従来例を示す説明図である。 図中、１は出発材、２はバーナ、３はスート母材である
。
Claims (5)
- （１）ガラス微粒子を堆積させて円筒状のスート母材を
形成すると共に該スート母材に脱水処理を施した後、上
記スート母材の内周面を加熱して該内周面近傍のスート
のかさ密度を高め、さらに上記スート母材をフッ素含有
雰囲気中で加熱処理した後これを透明ガラス化すると共
に中実化することを特徴とする光ファイバ母材の製造方
法。 - （２）上記円筒状のスート母材が出発材の外周部にガラ
ス微粒子を堆積させることにより形成されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - （３）上記出発材が棒状発熱体からなると共に上記スー
ト母材内周面の加熱が上記棒状発熱体を通電あるいは高
周波誘導することによりなされることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の製造方法。 - （４）上記スート母材内周面の加熱が、上記スート母材
から上記出発材を抜き去り、その中空部に棒状発熱体を
挿入し且つ該棒状発熱体を通電あるいは高周波誘導する
ことによりなされることを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の製造方法。 - （５）上記スート母材内周面の加熱が、上記スート母材
から上記出発材を抜き去り、その中空部内にＨ＿２を含
まないガスのプラズマを発生させることによりなされる
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14001887A JPS63307134A (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14001887A JPS63307134A (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307134A true JPS63307134A (ja) | 1988-12-14 |
Family
ID=15259023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14001887A Pending JPS63307134A (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63307134A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04321530A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-11-11 | Alcatel Nv | 光導波路プレフォームの製造方法 |
-
1987
- 1987-06-05 JP JP14001887A patent/JPS63307134A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04321530A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-11-11 | Alcatel Nv | 光導波路プレフォームの製造方法 |
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