JPH0340931A - 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ用ガラス母材の製造方法Info
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- JPH0340931A JPH0340931A JP17421089A JP17421089A JPH0340931A JP H0340931 A JPH0340931 A JP H0340931A JP 17421089 A JP17421089 A JP 17421089A JP 17421089 A JP17421089 A JP 17421089A JP H0340931 A JPH0340931 A JP H0340931A
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-
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
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- C03B37/0146—Furnaces therefor, e.g. muffle tubes, furnace linings
-
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ファイバ用ガラス母材の製造方法に関するも
のであり、特に例えばコアが純石英（５７０ｍ ）でク
ラッドがフッ素添加石英（Ｆ−Ｓｉ Ｏｘ ）のような
、Ｆを含有する光ファイバ用ガラス母材製造に好適な方
法に関する。
のであり、特に例えばコアが純石英（５７０ｍ ）でク
ラッドがフッ素添加石英（Ｆ−Ｓｉ Ｏｘ ）のような
、Ｆを含有する光ファイバ用ガラス母材製造に好適な方
法に関する。
ＶＡＤ法や外付は法などの気相反応により合成されたＳ
ｉ Ｏｘガラス粒子体は、加熱炉内で脱水、フッ素（Ｆ
）添加などの熱処理を行った後、透明ガラス化されて光
ファイバ用ガラス母材とされ、さらに該ガラス母材は線
引されて光ファイバに形成される。従来、この熱処理お
よび透明ガラス化は、ゾーン炉を使用する方式と均−炉
を使用する方式が知られている。
ｉ Ｏｘガラス粒子体は、加熱炉内で脱水、フッ素（Ｆ
）添加などの熱処理を行った後、透明ガラス化されて光
ファイバ用ガラス母材とされ、さらに該ガラス母材は線
引されて光ファイバに形成される。従来、この熱処理お
よび透明ガラス化は、ゾーン炉を使用する方式と均−炉
を使用する方式が知られている。
ゾーン炉を使用する場合は、第８図に示すように、母材
（ガラス粒子体）■の母材長Ｌｐに対して、十分短いヒ
ータ長Ｌｈのヒータ８５を有する加熱炉内にＳｉＯ！ガ
ラス粒子体を通過させることにより、熱処理および透明
ガラス化を行なう。第８図中、２はシード棒、４は炉芯
管を表す。
（ガラス粒子体）■の母材長Ｌｐに対して、十分短いヒ
ータ長Ｌｈのヒータ８５を有する加熱炉内にＳｉＯ！ガ
ラス粒子体を通過させることにより、熱処理および透明
ガラス化を行なう。第８図中、２はシード棒、４は炉芯
管を表す。
一方、均−炉の場合は、第９図に示すように、ヒータ長
Ｌｈが母材長１．ｐに対して十分長いヒータ９５を有す
る加−炉を使用することにより、比較的均熱な状態を炉
内につくり、この中にＳｉ Ｏｓガラス粒子体１を保持
することにより熱処理および透明ガラス化を行なう。
Ｌｈが母材長１．ｐに対して十分長いヒータ９５を有す
る加−炉を使用することにより、比較的均熱な状態を炉
内につくり、この中にＳｉ Ｏｓガラス粒子体１を保持
することにより熱処理および透明ガラス化を行なう。
また、特開昭６２−１８７１２８号公報に示されるよう
に、比較的長いヒータ長を持つ加熱炉内においてＳｉ
Ｏｘガラス粒子体を往復トラバースする方法も提案され
ている。
に、比較的長いヒータ長を持つ加熱炉内においてＳｉ
Ｏｘガラス粒子体を往復トラバースする方法も提案され
ている。
そして、以上に説明したいずれの従来法も、熱処理中の
炉内温度は一定に保って行なう方法である。
炉内温度は一定に保って行なう方法である。
従来のゾーン方式の場合、長尺のＳｉ Ｏ！ガラス粒子
体を熱処理するためには、全長の炉内通過に時間がかか
り、生産性が悪いとい、う欠点があった。
体を熱処理するためには、全長の炉内通過に時間がかか
り、生産性が悪いとい、う欠点があった。
一方、均−炉ガスの場合にはヒータ長Ｌｈを長くし、均
熱化しているとは言え、やはり炉内には温度分布が生じ
る。第１Ｏ図に均一炉内の温度の分布の一例を示す。こ
のため、例えば９００ ｍ＋ｓ ＩＩのヒータを使用し
ても、最高温度に対して５℃以内の温度に保たれる長さ
は３００圓程度と短＜、５Ｉ０１ガラス粒子体全長を均
一温度に保つことは難しい。或いは、均一温度に保つた
めには、ＳＩ Ｏｘガラス粒子体の長さの２〜３倍のヒ
ータ長が必要であり、これは実用に適さない。
熱化しているとは言え、やはり炉内には温度分布が生じ
る。第１Ｏ図に均一炉内の温度の分布の一例を示す。こ
のため、例えば９００ ｍ＋ｓ ＩＩのヒータを使用し
ても、最高温度に対して５℃以内の温度に保たれる長さ
は３００圓程度と短＜、５Ｉ０１ガラス粒子体全長を均
一温度に保つことは難しい。或いは、均一温度に保つた
めには、ＳＩ Ｏｘガラス粒子体の長さの２〜３倍のヒ
ータ長が必要であり、これは実用に適さない。
炉内の温度が均一に保たれない場合、あるいは高温に保
たれる時間に差がある場合には、熱処理により添付され
るガラス体内の特性に差が生じ、長平方向に均一なガラ
ス母材を得ることができない。
たれる時間に差がある場合には、熱処理により添付され
るガラス体内の特性に差が生じ、長平方向に均一なガラ
ス母材を得ることができない。
そこで、均一炉内でＳｉ Ｏｓガラス粒子体を往復トラ
バースさせることにより、温度のかかり方を均一にする
前記公報に記載の方法がある。この場合の５ｉｆｔガラ
ス粒子体内の塩度履歴を第１１図に処理時間−温度図と
して示すが、やはり常に炉体中心部に位置するＳｉ Ｏ
＊ガラス粒体の中央部と端の部分では温度履歴に差が生
じてしまい、均一な特性を得ることは、困難である。
バースさせることにより、温度のかかり方を均一にする
前記公報に記載の方法がある。この場合の５ｉｆｔガラ
ス粒子体内の塩度履歴を第１１図に処理時間−温度図と
して示すが、やはり常に炉体中心部に位置するＳｉ Ｏ
＊ガラス粒体の中央部と端の部分では温度履歴に差が生
じてしまい、均一な特性を得ることは、困難である。
第１２図に、均一炉中の定位置にＳｉＯ□ガラス粒子体
を保持してＦ添加処理した場合の、母材の長平方向にお
ける屈折率分布を示し、第１３図に均一炉中でトラバー
スさせてＦｍ加処理した場合の母材のそれを示すが、い
ずれも屈折率が変動している。
を保持してＦ添加処理した場合の、母材の長平方向にお
ける屈折率分布を示し、第１３図に均一炉中でトラバー
スさせてＦｍ加処理した場合の母材のそれを示すが、い
ずれも屈折率が変動している。
本発明は、均一加熱方式とは言え、実際にはこのような
温度分布を持つ加熱炉において、上記したような従来法
の問題点を解決して８１０ｍガラス粒子体の温度履歴を
均一にでき、長平方向に特性の均一な光ファイバ用ガラ
ス母材を製造する方法を提供することを目的としてなさ
れたものである。
温度分布を持つ加熱炉において、上記したような従来法
の問題点を解決して８１０ｍガラス粒子体の温度履歴を
均一にでき、長平方向に特性の均一な光ファイバ用ガラ
ス母材を製造する方法を提供することを目的としてなさ
れたものである。
上記問題点を解決するための手段として、均一炉内をト
ラバースしながらｓ＋ ｏｆガラス粒子体を加熱する際
に、５ＩＯｔガラス粒子体内の温度履歴を補償して均一
にできるように、炉内温度を変化させることを考えつい
た。
ラバースしながらｓ＋ ｏｆガラス粒子体を加熱する際
に、５ＩＯｔガラス粒子体内の温度履歴を補償して均一
にできるように、炉内温度を変化させることを考えつい
た。
すなわち、本発明は気相反応により合成したＳｉ Ｏｓ
ガラス粒子体を加熱炉内で脱水及び／又はフッ素添加の
ための加熱処理を行い、その後透明ガラス化して光ファ
イバ用ガラス母材を製造する方法において、上記脱水及
び／又はフッ素添加並びに透明ガラス化の少なくとも１
つの工程において、上記Ｓｉ Ｏ！ガラス粒子体を加熱
炉内でトラバースさせ且つその際に加熱炉内の温度を変
化させることを特徴とする光ファイバ用ガラス母材の製
造方法である。
ガラス粒子体を加熱炉内で脱水及び／又はフッ素添加の
ための加熱処理を行い、その後透明ガラス化して光ファ
イバ用ガラス母材を製造する方法において、上記脱水及
び／又はフッ素添加並びに透明ガラス化の少なくとも１
つの工程において、上記Ｓｉ Ｏ！ガラス粒子体を加熱
炉内でトラバースさせ且つその際に加熱炉内の温度を変
化させることを特徴とする光ファイバ用ガラス母材の製
造方法である。
上記加熱炉はそのヒーターの長さＬｈが、５ｉＯｔガラ
ス粒子体の長さＬｐに対して、Ｌｈ ≧Ｌｐの関係を有
するものであることが好ましい。
ス粒子体の長さＬｐに対して、Ｌｈ ≧Ｌｐの関係を有
するものであることが好ましい。
また、Ｓｉ Ｏｓガラス粒子体を加熱炉内にトラバース
させる際に行なう、加熱炉内の温度変化のパターンは、
昇温と一定温度保持の２つのパターンの組合せからなる
ことが好ましい。
させる際に行なう、加熱炉内の温度変化のパターンは、
昇温と一定温度保持の２つのパターンの組合せからなる
ことが好ましい。
本発明の構成を第１図に示す。Ｓｔ Ｏｓガラス粒子体
（母材）ｌは、ンード棒２を母材昇降装置のチャック３
にて保持し、長さＬｈのヒータ５を持つ加熱炉内に挿入
される。ヒータ長Ｌｈは、Ｓｉ Ｏｔガラス粒子体ｌ長
さＬｐに対して、Ｌｈ ≧ｔ、ｐの関係となるように設
計されている。熱処理は、Ｓｉ Ｏｘガラス粒子体ｌが
一定のガス雰囲気中でコントロールされるよう、炉芯管
４の中で行われる。
（母材）ｌは、ンード棒２を母材昇降装置のチャック３
にて保持し、長さＬｈのヒータ５を持つ加熱炉内に挿入
される。ヒータ長Ｌｈは、Ｓｉ Ｏｔガラス粒子体ｌ長
さＬｐに対して、Ｌｈ ≧ｔ、ｐの関係となるように設
計されている。熱処理は、Ｓｉ Ｏｘガラス粒子体ｌが
一定のガス雰囲気中でコントロールされるよう、炉芯管
４の中で行われる。
第１図に示す均一炉内には、Ｌｈ＝９００ｍｍの場合、
第１Ｏ図に示したような温度分布が生ずる。この炉内に
おいて、Ｌｐ ＝６００ｍｍ１！のＳｉＯ，ガラス粒子
体の熱処理を均−炉方式にて行なう場合スート全長にわ
たって、５０℃程度の温度差が生ずることになり、低温
部は十分加熱されなくなる。
第１Ｏ図に示したような温度分布が生ずる。この炉内に
おいて、Ｌｐ ＝６００ｍｍ１！のＳｉＯ，ガラス粒子
体の熱処理を均−炉方式にて行なう場合スート全長にわ
たって、５０℃程度の温度差が生ずることになり、低温
部は十分加熱されなくなる。
これに対して、この低温部の温度を上げるためにＳｔ
Ｏｓガラス粒子体１をトラバースした場合、第１１図に
示したように、Ｓｉ Ｏ童ガラス粒子体の温度履歴に大
きな差が生じることになる。すなわち、Ｆ量加に必要と
考えられる１１００°Ｃ以上に保たれる時間は、Ｓｔ
Ｏｓガラス粒子体の前端と後端で２８分もの差が生じて
いる。
Ｏｓガラス粒子体１をトラバースした場合、第１１図に
示したように、Ｓｉ Ｏ童ガラス粒子体の温度履歴に大
きな差が生じることになる。すなわち、Ｆ量加に必要と
考えられる１１００°Ｃ以上に保たれる時間は、Ｓｔ
Ｏｓガラス粒子体の前端と後端で２８分もの差が生じて
いる。
炉芯管内を５ｉＦ４１ｂの雰囲気に保ち、Ｓｉ Ｏｓガ
ラス粒子体を熱処理した場合に、ガラス母材内に添加さ
れるＦ量を長手方向に評価したものを第１２図及び第１
３図に示す。第１２図は均−炉方式で熱処理した場合、
第１３図は均−炉でＳｔ Ｏ！ガラス粒子体をトラバー
スした場合の母材長手方向の屈折率を評価したものであ
る。評価に用いた炉のヒータ長は９０ （ＪｍＭｌ、
５ｉｆｔガラス粒子体の長さは５００ｍｍｊ！であった
。堤流量１５１／分、Ｓｉ Ｆ＋液流量００ｃｃ／分の
ガス雰囲気とした。
ラス粒子体を熱処理した場合に、ガラス母材内に添加さ
れるＦ量を長手方向に評価したものを第１２図及び第１
３図に示す。第１２図は均−炉方式で熱処理した場合、
第１３図は均−炉でＳｔ Ｏ！ガラス粒子体をトラバー
スした場合の母材長手方向の屈折率を評価したものであ
る。評価に用いた炉のヒータ長は９０ （ＪｍＭｌ、
５ｉｆｔガラス粒子体の長さは５００ｍｍｊ！であった
。堤流量１５１／分、Ｓｉ Ｆ＋液流量００ｃｃ／分の
ガス雰囲気とした。
いずれにしても、母材長手方向のＦ添加量に大きな変動
のあることがわかる。
のあることがわかる。
これに対し、ＳｉＯ□ガラス粒子体のトラバース中に、
炉内温度を本発明に従い第２図に示すように変化させた
場合、Ｓｉ Ｏ＝ニガラス粒子長長手方向温度履歴は第
３図に示すようになり、１１ｏｏ’ｃ以上に保たれる時
間は、先端と後端で７分という僅かの差となる。このよ
うにトラバス中に炉内温度を変化させるという本発明の
手段により、Ｓｔ Ｏｘガラス粒子体の長手方向の温度
履歴はより均一化できるため、長平方向に均一な特性を
持つガラス母材の製造が容易になる。
炉内温度を本発明に従い第２図に示すように変化させた
場合、Ｓｉ Ｏ＝ニガラス粒子長長手方向温度履歴は第
３図に示すようになり、１１ｏｏ’ｃ以上に保たれる時
間は、先端と後端で７分という僅かの差となる。このよ
うにトラバス中に炉内温度を変化させるという本発明の
手段により、Ｓｔ Ｏｘガラス粒子体の長手方向の温度
履歴はより均一化できるため、長平方向に均一な特性を
持つガラス母材の製造が容易になる。
実施例Ｉ
ＶＡＤ法により合成した６００ＩＩｌｌ１１のＳｉ Ｏ
Ｈガラス粒子体を、ヒルり長９００ｍｍ！！の均−炉を
使用して、熱処理、透明化をした。熱処理は表１に示す
ような３ステツプに分けて行った。第２ステツプは第２
図に示すパターンの通りである。
Ｈガラス粒子体を、ヒルり長９００ｍｍ！！の均−炉を
使用して、熱処理、透明化をした。熱処理は表１に示す
ような３ステツプに分けて行った。第２ステツプは第２
図に示すパターンの通りである。
表１
透明化後、長手方向にガラス母材の屈折率を測定した結
果、第４図に示す如くで、長手方向に屈折率の変化のな
い均一な母材を得ることができた。
果、第４図に示す如くで、長手方向に屈折率の変化のな
い均一な母材を得ることができた。
実施例２
実施例１と同様の均−炉を用い、ＶＡＤ法により合成し
た６ ００ ｍｍ＋ １２のガラス粒子対の熱処理、透
明化を行った。熱処理は表２に示すような３ステツプに
分けて行った。第２ステツプは第５図に示す通りである
。
た６ ００ ｍｍ＋ １２のガラス粒子対の熱処理、透
明化を行った。熱処理は表２に示すような３ステツプに
分けて行った。第２ステツプは第５図に示す通りである
。
表２
透明化後、長手方向にガラス母材の屈折率を測定した結
果、第６図に示す如くであり、長手方向に屈折率変化の
ない均一な母材を得た。
果、第６図に示す如くであり、長手方向に屈折率変化の
ない均一な母材を得た。
実施例３
実施例２と同様の構成において、第２ステツプの温度パ
ターンを第７図に示すように変化させた。透明化後、屈
折率の長手方向の変化を評価したところ、実施例２とほ
ぼ同等の長手方向に均一な屈折率を持つ母材を得ること
ができた。
ターンを第７図に示すように変化させた。透明化後、屈
折率の長手方向の変化を評価したところ、実施例２とほ
ぼ同等の長手方向に均一な屈折率を持つ母材を得ること
ができた。
以上説明したように、Ｓｉ Ｏ！ガラス粒子体の熱処理
において、３１０ｓガラス粒子体のトラバース中に、炉
内温度をコントロールすることにより、ガラス微粒子体
の熱履歴を長手方向に均一にすることが可能となり、こ
のため、長手方向に品質の安定したガラス母材を得るこ
とができる。
において、３１０ｓガラス粒子体のトラバース中に、炉
内温度をコントロールすることにより、ガラス微粒子体
の熱履歴を長手方向に均一にすることが可能となり、こ
のため、長手方向に品質の安定したガラス母材を得るこ
とができる。
本発明においては、熱処理第２ステツプ（Ｆ添加処理）
についてのみ、温度をフントロールしたが、他の工程に
おいても同様の温度履歴均一化を図ることは、品質の安
定化に有効である。
についてのみ、温度をフントロールしたが、他の工程に
おいても同様の温度履歴均一化を図ることは、品質の安
定化に有効である。
また、熱処理時の温度パターンは、Ｓｉ Ｏｔガラス粒
粒子長長手方向温度履歴を解消できるようにパターンを
変更することは容易である。
粒子長長手方向温度履歴を解消できるようにパターンを
変更することは容易である。
第１図は本発明の熱処理用加熱炉の構成を示す概略断面
図、第２図は本発明の実施例Ｉにおける熱処理時の温度
変化させるパターンを示す図、第３図は本発明の構成で
熱処理た場合の熱履歴を示す図、第４図は本発明の実施
例１で得られる母材の長手方向の屈折率変動を示す図、
第５図は本発明の実施例２における熱処理時の温度変化
させるパターンを示す図、第６図は本発明の実施例２で
得られる母材の長平方向の屈折率変動を示す図、第７図
は本発明の実施例３における熱処理時の温度変化させる
パターンを示す図、第８図は従来のゾーン炉方式を説明
する図、第９図は従来の均−炉ガスを説明する図、第１
Ｏ図は均一炉内の温度分布を表す図、第１１図は均一炉
内をトラバースしたときのＳｉ Ｏｘガラス粒子体内の
温度履歴を示す図、第１２図は均−炉にてＳｉ Ｏｓガ
ラス粒子体を保持してＦ添加処理した場合の分村長手方
向の屈折率変動を表す図、第１３図は上記第１１図に示
す温度履歴にてＦ添加処理した場合の長手方向の屈折率
変動を示す図である。 図中、ＪはＳｉ Ｏｓガラス粒子体、２はシード棒、３
はＳｉ Ｏｓガラス粒子体トラバース装置のチャック、
４は炉芯管、５ 、８５．９５はヒータ第８図 第９図 第１０図 ＋２ｃ１０１０刀 温ｆｔ （”Ｃン
図、第２図は本発明の実施例Ｉにおける熱処理時の温度
変化させるパターンを示す図、第３図は本発明の構成で
熱処理た場合の熱履歴を示す図、第４図は本発明の実施
例１で得られる母材の長手方向の屈折率変動を示す図、
第５図は本発明の実施例２における熱処理時の温度変化
させるパターンを示す図、第６図は本発明の実施例２で
得られる母材の長平方向の屈折率変動を示す図、第７図
は本発明の実施例３における熱処理時の温度変化させる
パターンを示す図、第８図は従来のゾーン炉方式を説明
する図、第９図は従来の均−炉ガスを説明する図、第１
Ｏ図は均一炉内の温度分布を表す図、第１１図は均一炉
内をトラバースしたときのＳｉ Ｏｘガラス粒子体内の
温度履歴を示す図、第１２図は均−炉にてＳｉ Ｏｓガ
ラス粒子体を保持してＦ添加処理した場合の分村長手方
向の屈折率変動を表す図、第１３図は上記第１１図に示
す温度履歴にてＦ添加処理した場合の長手方向の屈折率
変動を示す図である。 図中、ＪはＳｉ Ｏｓガラス粒子体、２はシード棒、３
はＳｉ Ｏｓガラス粒子体トラバース装置のチャック、
４は炉芯管、５ 、８５．９５はヒータ第８図 第９図 第１０図 ＋２ｃ１０１０刀 温ｆｔ （”Ｃン
Claims (3)
- （１）気相反応により合成したＳｉＯ＿２ガラス粒子体
を加熱炉内で脱水及び／又はフッ素添加のための加熱処
理を行い、その後透明ガラス化して光ファイバ用ガラス
母材を製造する方法において、上記脱水及び／又はフッ
素添加並びに透明ガラス化の少なくとも１つの工程にお
いて、上記ＳｉＯ＿２ガラス粒子体を加熱炉内でトラバ
ースさせ且つその際に加熱炉内の温度を変化させること
を特徴とする光ファイバ用ガラス母材の製造方法。 - （２）上記加熱炉はそのヒーターの長さＬｈが、ＳｉＯ
＿２ガラス粒子体の長さＬｐに対して、Ｌｈ≧Ｌｐの関
係を有するものであることを特徴とする請求項（１）に
記載の光ファイバ用ガラス母材の製造方法。 - （３）ＳｉＯ＿２ガラス粒子体を加熱炉内にトラバース
させる際に行なう加熱炉内の温度変化のパターンは、昇
温と一定温度保持の２つのパターンの組合せからなるこ
とを特徴とする請求項（１）又は（２）に記載の光ファ
イバ用ガラス母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17421089A JPH0340931A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17421089A JPH0340931A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340931A true JPH0340931A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=15974649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17421089A Pending JPH0340931A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0340931A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1035082A1 (en) * | 1999-03-10 | 2000-09-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Process and apparatus for sintering a porous glass preform |
| EP1221430A2 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-10 | Lucent Technologies Inc. | Process of manufacturing fluorine-doped preforms for optical fibres |
| EP1466874A3 (en) * | 2003-04-08 | 2005-09-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fluorine-doped quartz glass article and manufacturing method thereof |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP17421089A patent/JPH0340931A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1035082A1 (en) * | 1999-03-10 | 2000-09-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Process and apparatus for sintering a porous glass preform |
| EP1561731A3 (en) * | 1999-03-10 | 2006-04-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for sintering a porous glass preform |
| EP1221430A2 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-10 | Lucent Technologies Inc. | Process of manufacturing fluorine-doped preforms for optical fibres |
| EP1221430A3 (en) * | 2001-01-05 | 2003-01-08 | Lucent Technologies Inc. | Process of manufacturing fluorine-doped preforms for optical fibres |
| EP1466874A3 (en) * | 2003-04-08 | 2005-09-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fluorine-doped quartz glass article and manufacturing method thereof |
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