JPS63300970A

JPS63300970A - 電圧検出装置

Info

Publication number: JPS63300970A
Application number: JP62137056A
Authority: JP
Inventors: Shinichiro Aoshima; 紳一郎青島; Yutaka Tsuchiya; 裕土屋
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1987-05-31
Filing date: 1987-05-31
Publication date: 1988-12-08
Anticipated expiration: 2011-08-28
Also published as: JP2527965B2; DE3850918T2; US4841234A; EP0293840B1; EP0293840A2; DE3850918D1; EP0293840A3

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、被測定物、例えば電気回路等の所定部分の電
圧を検出するための電圧検出装置に関し、特に被測定物
の所定部分の電圧によって光の偏光状態が変化すること
を利用して電圧を検出する型式の電圧検出装置に関する
。

〔従来の技術〕

従来、電気回路などの被測定物の所定部分の電圧を検出
するのに、種々の電圧検出装置が用いられる。この種の
電圧検出装置としては被測定物の所定部分にプローブを
接触させて、その部分の電圧を検出する型式のもの、あ
るいはプローブを接触させずに所定部分に電子ビームを
入射させることにより所定部分の電圧を検出する型式の
ものなどが知られている。

ところで、当業者間には、構造が複雑でかつ小型の集積
回路のような被測定物の微細な部分の高速に変化する電
圧を、微細な部分の状態に影響を与えず精度良く検出し
たいという強い要望がある。

しかしながら、プローブを被測定物の所定部分に接触さ
せる型式の電圧検出装置では、集積回路等の微細部分に
プローブを直接接触させることが容易でなく、またプロ
ーブを接触させることができたとしても、その電圧情報
だけに基づき集積回路の動作を適確に解析するのは困難
であった。さらにプローブを接触させることにより集積
回路内の動作状態が変化するという問題があった。

また電子ビームを用いる型式の電圧検出装置では、プロ
ーブを被測定物に接触させずに電圧を検出することがで
きるものの、測定されるべき部分が真空中に置かれかつ
露出されているものに限られ、また電子ビームにより測
定されるべき部分を損傷するという問題があった。

さらに従来の電圧検出装置では、検出器の動作速度が高
速の電圧変化に追従できず、集積回路等の高速に変化す
る電圧を精度良く検出することができないという問題が
あった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このような問題点を解決するなめに、発明者等による昭
和６２年５月３０日付の特許出願に記載されているよう
な被測定物の所定部分の電圧によって光ビームの偏光状
態が変化することを利用して電圧を検出する型式の電圧
検出装置が開発された。

第８図は、光ビームの偏光状態が被測定物の所定部分の
電圧によって変化することを利用して被測定物の電圧を
検出する型式の電圧検出装置の構成図である。

第８図において電圧検出装置５０は、光プローブ５２と
、例えばレーザダイオードによる直流光源５３と、直流
光源５３から出力される光ビームを集光レンズ６０を介
して光プローブ５２に案内する光ファイバ５１と、光プ
ローブ５２からの参照光をコリメータ９０を介して光電
変換素子５５に案内する光ファイバ９２と、光プローブ
５２からの出射光をコリメータ９１を介して光電変換素
子５８に案内する光ファイバ９３と、光電変換素子５５
．５８からの光電変換された電気信号を比較する比較回
路６１とから構成されている。

光１０−ブ５２には、電気光学材ｆ１６２、例えば光学
的−軸性結晶のタンタル酸リチウム（Ｌ　Ｉ　Ｔ　ａ　
Ｏ３）が収容されており、電気光学材料６２の先端部６
３は、截頭円錐形状に加工されている。光プローブ５２
の外周部には、導電性電極６４が設けられ、また先端部
６３には金属薄膜あるいは誘電体多Ｒ膜の反射鏡６５が
被着されている。

光プローブ５２内にはさらに、コリメータ９４と、集光
レンズ９５．９６と、コリメータ９４からの光ビームか
ら所定の偏光成分をもつ光ビームだけを抽出する偏光子
５４と、偏光子５４からの所定の偏光成分をもつ光ビー
ムを参照光と入射光とに分割する一方、電気光学材料６
２からの出射光を検光子５７に入射させるビームスプリ
ッタ５６とが設けられている。なお参照光、出射光は、
それぞれ集光レンズ９５．９６を介して光ファイバ９２
．９３に出力されるようになっている。

このような構成の電圧検出装置５０では、検出に際して
、光プローブ５２の外周部に設けられた導電性電極６４
を例えば接地電位に保持しておく。

次いで、光プローブ５２の先端部６３を被測定物、例え
ば！ａ積回路（図示せず）に接近させる。これにより、
光プローブ５２の電気光学材料６２の先端部６３の屈折
率が変化する。より詳しくは、光学的−軸性結晶などに
おいて、光軸と垂直な平面内における常光の屈折率と異
常光の屈折率との差が変化する。

光源５３から出力された光ビームは、集光レンズ６０．
光ファイバ５１を介して光プローブ５２のコリメータ９
４に入射し、さらに偏光子５４により所定の偏光成分の
強度Ｉの光ビームとなって、ビームスプリッタ５６を介
して光プローブ５２の電気光学材料６２に入射する。な
おビームスプリッタ５６により分割された参照光、入射
光の強度はそれぞれπ／２となる。電気光学材料６２の
先端部６３の屈折率は上述のように被測定物の電圧によ
り変化するので、電気光学材料６２に入射した入射光は
先端部６３のところでその偏光状態が屈折率変化に依存
して変化し反射！６５に達し、反射鏡６５で反射され、
電気光学材ｆｆ６２がら出射光として再びビームスプリ
ッタ５６に向がう。

電気光学材料６２の先端部６３の長さをｇとすると、入
射光の偏光状態は電圧による常光と異常光との屈折率差
および長さ２ｇに比例して変化する。

ビームスプリッタ５６に戻された出射光は、検光子５７
に入射する。なお検光子５７に入射する出射光の強度は
、ビームスプリッタ５６によりπ／４となっている。検
光子５７が例えば偏光子５４の偏光成分と直交する偏光
成分の光ビームだけを通過させるように構成されている
とすると、偏光状態が変化して検光子５７に入射する強
度Ｉ／４の出射光は、検光子５７により、強度が（π／
４）・　　２Ｓｌｎ〔（π／２）・Ｖ／■ｏ〕となって光電変換素子
５８に加わることになる。ここでＶは被測定物の電圧、
Ｖｏは半波長電圧である。

比較回路６１では、光電変換素子５５において光電変換
された参照光の強度Ｉ／２と、光電変換素子５８におい
て光電変換された出射光の強度・　２（π／４）−ｓ＋ロ　　〔（π／２）Ｖ／Ｖｏ）とが比
較される。

出射光の強度（π／４）　−５ｉｎ　２Ｃ（π／２＞ｖ
／Ｖｏ〕は、電圧変化に伴なう電気光学材料６２の先端
部６３の屈折率の変化によって変わるので、これに基づ
いて被測定物、例えば集積回路の所定部分の電圧を検出
することができる。

このように第８図に示す電圧検出装置５０では、光プロ
ーブ５２の先端部６３を被測定物に接近させることで変
化する電気光学材料６２の先端部６３の屈折率の変化に
基づき、被測定物の所定部分の電圧を検出するようにし
ているので、特に接触させることが困難で、また接触さ
せることにより被測定電圧に影響を与えるような集積回
路の微細部分などの電圧を、光プローブ５２を接触させ
ることなく検出することができる。

ところで、第８図に示す電圧検出装置５０では、電気光
学材料６２内での入射光の光路と出射光の光路とを同じ
にしているために、出射光の一部はビームスプリッタ５
６を透過してコリメータ９４に向かいこの一部の出射光
を有効に利用することができず、この結果、検光子５７
に入射する出射光の強度は、集光レンズ９５あるいは光
電変換素子５５に入射する参照光の強度の約１７２とな
り、被測定物の所定部分の電圧を精度良く検出するには
適していないという問題があった。またビームスプリッ
タ５６を透過してコリメータ９４に向かう一部の出射光
は、光源５３に戻ることにより光源５３を不安定動作さ
せることがある。さらに第８図に示す電圧検出装置５０
では、周囲からの雑音電圧による影響を防止するため、
電気光学材料６２の先端部６３の長さρを差程長くする
ことはできない、このなめに、被測定物の所定部分の電
圧が微弱なものである場合には、光ビームの偏光状態は
掻く僅かしか変化せず、電圧を感度良く検出することが
できないという問題があった。

本発明は、被測定物の所定部分の電圧を精度良くかつ感
度良く検出することの可能な電圧検出装置を提供するこ
とを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、被測定物の所定部分の電圧によって屈折率が
変化する電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置を改
良するものである。

第１の発明においては、電気光学材料に入射する入射光
と電気光学材料からの出射光との光路を互いに相違させ
るための光学手段が設けられている。

また第２の発明においては、入射光および出射光を電気
光学材料内において複数回反射させるための反射手段が
設けられている。

〔作用〕

第１の発明では、入射光は光学手段により所定の角度で
電気光学材料内に入射する。また電気光学材料からの出
射光は再び光学手段に入射するが、出射光の光路と入射
光の光路とは光学手段により異なっているなめに、出射
光を入射光と分離するためのビームスプリッタを必要と
せず、出射光を入射光の強度とほぼ同じ強度で取出すこ
とができる。

さらに第２の発明では、出射光を入射光の強度とほぼ同
じ強度で取出すと同時に、入射光および出射光を電気光
学材料内において複数回反射させているので、電気光学
材料内での光路長が長くなって、屈折率変化に基づく出
射光の偏光状態の変化の度合は大きくなり、被測定物の
所定部分の電圧が微弱なものであってもこれを感度良く
検出することができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明に係る電圧検出装置の第１の実施例の構
成図である。

第１図の電圧検出装置１では、光プローブ２に電気光学
材料３が収容され、電気光学材料３には光学手段として
の凸レンズ４が一部埋設されている。さらに光プローブ
２内には、コリメータ５゜集光レンズ６．７と、コリメ
ータ５からの光ビームから所定の偏光成分をもつ光ビー
ムだけを抽出する偏光子８と、偏光子８からの偏光され
た光ビームを分割し入射光として凸レンズ４に向かわせ
る一方、参照光としてミラー１１．！光レンズ６に向か
わせるビームスプリッタ９と、凸レンズ４から電気光学
材料３に入射し金属薄膜あるいは誘電体多層膜の反射鏡
６５で反射された出射光から所定の偏光成分だけを抽出
しこれを集光レンズ７に入射させる検光子１０とが実装
されている。電気光学材料３に一部が埋設された凸レン
ズ４は、反射鏡６５上に焦点が合うような構造となって
いる。

なお、光プローブ２内のコリメータ５には、光源５３か
らの光ビームが集光レンズ３０により集光され光ファイ
バ１２を介して入射するようになっている。光プローブ
２内の集光レンズ６．７はそれぞれ光ファイバ１３．１
４によってコリメータ３１．３２に接続されている。ま
たコリメータ３１．３２により平行光とされた参照光、
出射光はそれぞれ、光電変換素子３３．３４に入射し、
光電変換素子３３．３４からの電気信号出力は、比較回
路３７において比較され、これにより被測定物の所定部
分の電圧が検出されるようになっている。

このような構成の電圧検出装置１では、レーザダイオー
ドなどの直流光源５３からの光ビームは、集光レンズ３
０．光ファイバ１２．コリメータ５゜偏光子８を介して
所定の偏光成分をもつ強度Ｉの光ビームとしてビームス
プリッタ９に入射する。

ビームスプリッタ９では、前述のビームスプリッタ５６
と同様にして光ビームを分割して、一方を参照光として
ミラー１１．集光レンズ６に向かわせ、他方を入射光と
して凸レンズ４に向かわせる。

なおこのとき参照光の強度、入射光の強度はそれぞれＩ
／２となる。

ビームスプリッタ９からの参照光はさらに光フアイバエ
３．コリメータ３１を介して光電変換素子３３に入射す
る一方、ビームスプリッタ９を透過した入射光は反射鏡
６５に焦点合わせされた凸レンズ４から電気光学材料３
に入射し、反射鏡６５に達する０反射鏡６５に達した入
射光はそこで反射され出射光として再び凸レンズ４に向
かう。

ところで、第１図かられかるように、凸レンズ４の集光
作用により、入射光の光路と出射光の光路とは異なった
ものとなっているので、凸レンズ４からの出射光をビー
ムスプリッタを介せずに直接検光子１０に入射させるこ
とができる。すなわちビームスプリッタ９から検光子１
０に至る経路には、ビームスプリッタが設けられていな
いので、検光子１０に入射する出射光の強度はπ／２と
なり、参照光と同じ強度のものとなる。

検光子１０に入射する出射光は、電気光学材料３内で偏
光状態が電気光学材料３に加わる電圧に依存して変化す
る亡で、例えば検光子１０の抽出する偏光成分と偏光子
８の抽出する偏光成分とが直交しているならば、検光子
１０から出力される出射光の強度は（π／２）ｓｉｎ”
　　［（ｒ／２）Ｖ／Ｖｏ）となる、参照光の強度Ｉ／
２と、出射光・　　２の強度（π／２）ｓ＋ｎ　　　［：（π／２）■／■ｏ
〕はそれぞれ、光電変換素子３３．３４で電気信号に変
換されて、比較回路３７により比較され、被測定物の所
定部分の電圧が検出される。

このように第１の実施例では、出射光はビームスプリッ
タにより分割されないので、出射光の全てを有効に利用
することができて検光子１０に入射する出射光の強度を
参照光の強度とほぼ同じにすることができる。また出射
光が光源５３に戻るようなことはないので、光源５３を
安定して動作させることができる。これにより比較回路
３７において、被測定物の電圧を精度良く検出すること
ができる。

第２図は第１図に示す電圧検出装置の変形例である。

第２図の電圧検出装置１５の光プローブ１６には、第１
図に示す検光子１０のかわりに偏光ビームスプリッタ１
７が設けられている。偏光ビームスプリッタ１７は、凸
レンズ４からの出射光を分割して、一方を所定の偏光成
分を有する光ビームとして集光レンズ７、光ファイバ１
４．コリメータ３２を介して光電変換素子３４に入射さ
せ、他方をそれと直交する偏光成分を有する光ビームと
してミラー１８．集光レンズ１９．光ファイバ４８、コ
リメータ３５を介して光電変換素子３６に入射させるよ
うになっている。

このように検光子１０のかわりに偏光ビームスプリッタ
１７を設けることにより、検光子１０によって遮光され
ていた偏光成分をも有効な出射光情報として利用するこ
とができるので、比較回路３８において被測定物の所定
部分の電圧を一層精度良く検出することができる。

さらに第２図の電圧検出装置１５において、第３図（ａ
）のようにビームスプリッタ９と凸レンズ４との間にλ
／４板２０を配置しても良いし、あるいは第３図（ｂ）
のようにビームスプリッタ９゜イロ光ビームスプリッタ
１７と凸レンズ４との間にλ／８板２１を配置しても良
い、なおビームスプリッタ９と凸レンズ４との間にλ／
４板２０を配置するかわりに偏光ビームスプリッタ１７
と凸レンズ４との間にλ／４板を配置しても良い。

第３図（ａ）のようにλ／４板２０を配置する場合には
、ビームスプリッタ９からの直線偏光の入射光は、λ／
４板２０により円偏光に変換され、凸レンズ４．電気光
学材料３に入射する。電気光学材料３に電圧が印加され
ていないときには、入射光は、円偏光の状態を維持して
出射光として偏光ビームスプリッタ１７に入射する。ま
た、第３図（ｂ）のようにλ／８板２１を配置する場合
には、ビームスプリッタ９からの直線偏光の入射光は、
λ／８板２１を通って凸レンズ４．電気光学材料３に入
射し、出射光として再び凸レンズ４からλ／８板２１を
通過して偏光ビームスプリッタ１７に達する。この際、
電気光学材料３に電圧が印加されていないときには、偏
光ビームスプリッタ１７に達する出射光は円偏光の状態
になっている。

すなわち、入射光の光路と出射光の光路とにλ／８板２
１を介在させることで、第３図（Ｃ）のλ／４板２０と
同様の機能をもたせている。

このように、電気光学材料３に電圧が印加されていない
ときに偏光ビームスプリッタ１７に円偏光の出射光を入
射させるように構成すると、電気光学材料３１に電圧が
印加されていない状態では偏光ビームスプリッタ１７で
分割される２つの光ビームの強度が互いに等しく、光電
変換素子３４゜３６のそれぞれから得られる電気信号出
力が等しくなるので、比較回路３８において、光電変換
素子３４．３６からの電気信号出力の差をとると“０″
になり、これにより電気光学材料３１に電圧が印加され
ていない状態を検出することができる。すなわち、比較
回路３８内で零調整を施さすとも良いようにすることが
できる。さらに差をとることによって感度を２倍にする
ことができ、比較回路３８の演算精度を向上させること
ができる。

第４図は、本発明に係る電圧検出装置の第２の実施例の
部分構成図である。

第４図の電圧検出装置２２の光プローブ２３内には、電
気光学材料２４に凸レンズ２５の一部が埋設されている
。凸レンズ２５の中心と反射鏡６５との距離を“Ｌ”と
する。また電気光学材料２４内には、反射鏡６５から距
［を隔ててミラー２６が設けられている。

凸レンズ２５は、第２図の凸レンズ４と異なり、距離Ｌ
＋ｊの位置すなちわミラー２６上に焦点が合うような構
造となっている。

このような構造の電圧検出装置２２では、凸レンズ２５
に入射する入射光は、電気光学材料２４内を進んで、反
射鏡６５に達する０反射鏡６５に達した入射光は、これ
により反射されてミラー２６に入射し、ミラー２６で反
射されて再び反射鏡６５に達し反射鏡６５で反射されて
出射光として凸レンズ２５に向かう、このように光ビー
ムは、実質的に電圧の印加される電気光学材料２４の先
端部２７を第１図の構造のものに対して２倍の光路長で
進むので、偏光状態の変化の度合いも２倍となる。

これにより被測定物の所定部分の電圧を第２図のものに
比べて約２倍の感度で検出することができるので、被測
定物の所定物の電圧が微弱なものであってもこれを精度
良くすなわち２倍の精度で検出することができる。

なお、上述の例では入射光をミラー２６で１回反射させ
ただけであったが、入射光をミラー２６で９回反射させ
ることにより、第２図のものに比べて約（ｎ＋１）倍の
感度を得ることができる。

第５図は第４図の電圧検出装置の変形例であり、第４図
のミラー２６のかわりにビームスプリッタ２８を設は反
射鏡６５で反射された光ビームを一部透過させてこの透
過光をビームスプリッタ２９により分割し、それぞれミ
ラー３９．集光レンズ４２、および集光レンズ４１から
所定の光電変換素子（図示せず）を介してさらに比較回
路３８に加えるようにしたものである。このような構成
では比較回路３８には、ビームスプリッタ２９への透過
光の偏光状態の変化に基づく光電変換素子からの電気信
号出力と、ビームスプリッタ２９への透過光に対し２倍
の偏光状態の変化をもつビームスプリッタ１７への出射
光の偏光成分に基づく光電変換素子３４．３６からの電
気信号出力とが与えられ、比較回路３８において、被測
定物の所定部分の電圧を検出するのに必要な情報量が増
加するので、電圧の検出精度、より詳しくは比較回路３
８の比較精度を向上させることができる。

第１図乃至第５図に示す実施例の光プローブ２゜１６．
２３では凸レンズ４．２５の一部を電気光学材料３．２
４内に埋設させているが、第６図に示すように光プロー
ブ７９内で凸レンズ８０を電気光学材料８１の上方に位
置決めし、凸レンズ８０からの入射光が電気光学材料８
１に垂直に入射し、また出射光が電気光学材料８１から
垂直に出射するよう電気光学材料８１の上端部を加工し
ても良い。

また入射光と出射光の光路を相違させる光学手段として
凸レンズ４，２５．８０を用いたが、凸レンズ４，２５
．８０のかわりに第７図に示すように例えば電気光字材
ｆ１８２上に位置決めされた三角プリズム状の光学手段
８３を用いても良い。

また上述の実施例では、例えば第１図の例では、検光子
１０により抽出される偏光成分と偏光子８により抽出さ
れる偏光成分とが直交しているものとして説明したが、
これらを互いに平行にさせても良い、この場合には、検
光子１０から取出される出射光の強には、ｃｏｓ２　（
（ｇ／２）Ｖ／Ｖ　　）に比例したものとなる。さらに
これらの偏光成分間の角度を希望の角度にしても良い。

さらに上述の実施例では、検出器として、光電変換素子
を用い光源５３としてパルス幅の非常に短かい光パルス
を出力するレーザダイオードなどのパルス光源を用いて
、被測定物の高速な時間変化を非常に短かい時間幅でサ
ンプリングする場合について述べたが、高速な電圧変化
をより精度良く検出するのに光源５３に直流光源を用い
検出器にストリークカメラなどの高速応答検出器を用い
て被測定物の高速な時間変化を高い時間分解能で測定す
るのが良い。

〔発明の効果〕

以上に説明したように、本発明によれば、光学手段を設
けて電気光学材料に入射する入射光と電気光学材料から
の出射光との光路を互いに相違させているので、出射光
を入射光とほぼ同じ強度で取出し出射光の全てを利用す
ることができて被測定物の所定部分の電圧を精度良く検
出することができる。また出射光の一部が光源に戻るよ
うなことはないので、光源を安定して動作させることが
できる。さらに入射光および出射光を電気光学材料内に
おいて複数回反射させることにより、出射光の偏光状態
の変化の度合いを大きくすることができるので、被測定
物の所定部分の電圧が微弱なものであっても、これを感
度良く高精度に検出することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る電圧検出装置の第１の実施例の構
成図、第２図は第１図の電圧検出装置の変形例を示す図
、第３図（ａ）はλ／４板を設けた電圧検出装置の部分
概略構成図、第３図（ｂ）はλ／８板を設けた電圧検出
装置の部分概略構成図、第４図は本発明に係る電圧検出
装置の第２の実施例の部分構成図、第５図は第４図の電
圧検出装置の変形例を示す図、第６図は凸レンズが電気
光学材料の上方に位置決めされている光プローブの変形
例を示す図、第７図は三角プリズム状の光学手段が電気
光学材料の上方に位置決めされている光プローブの変形
例を示す図、第８図は一般的な電圧検出装置の構成図で
ある。１．１５．２２・・・電圧検出装置、２．１．６．２３・・・光プローブ、３．２４，８１．８２・・・電気光学材料、４．２５．
８０・・・凸レンズ、８３・・・光学手段、９．２８・
・・ビームスプリッタ、１７・・・偏光ビームスプリッタ、２０・・・λ／４板
、２１・・・λ／８板、２６・・・ミラー特許出願人　
　　浜松ホトニクス株式会社代理人　　弁理士　　植　
本　　雅　治第３図（ａ）（ｂ）第４図第５図第６図第７図

Claims

【特許請求の範囲】１）被測定物の所定部分の電圧によって屈折率が変化す
る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置において、
前記電気光学材料に入射する入射光と前記電気光学材料
からの出射光との光路を互いに相違させるための光学手
段が設けられていることを特徴とする電圧検出装置。２）前記入射光はビームスプリッタで分割されて前記光
学手段に入射し、前記光学手段からの前記出射光は偏光
ビームスプリッタで２つに分割されて出力されることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電圧検出装置
。３）前記ビームスプリッタと前記光学手段との間には、
直線偏光の入射光を円偏光にするためのλ／４板が設け
られていることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記
載の電圧検出装置。４）前記偏光ビームスプリッタと前記光学手段との間に
は、直線偏光の入射光を円偏光にするためのλ／４板が
設けらていることを特徴とする特許請求の範囲第２項に
記載の電圧検出装置。５）前記ビームスプリッタと前記光学手段との間および
前記偏光ビームスプリッタと前記光学手段との間にはそ
れぞれ、λ／８板が設けられていることを特徴とする特
許請求の範囲第２項に記載の電圧検出装置。６）被測定物の所定部分の電圧によって屈折率が変化す
る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置において、
前記電気光学材料に入射する入射光と前記電気光学材料
からの出射光との光路を互いに相違させるための光学手
段が設けられ、さらに入射光および出射光を前記電気光
学材料内において複数回反射させるための反射手段が設
けられていることを特徴とする電圧検出装置。７）前記反射手段は、ミラーであることを特徴とする特
許請求の範囲第６項に記載の電圧検出装置。８）前記反射手段は、電気光学材料内において光路長の
異なる出射光を作るためのビームスプリッタであること
を特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の電圧検出装
置。