JPS63305259A - 電圧検出装置 - Google Patents
電圧検出装置Info
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- JPS63305259A JPS63305259A JP62142063A JP14206387A JPS63305259A JP S63305259 A JPS63305259 A JP S63305259A JP 62142063 A JP62142063 A JP 62142063A JP 14206387 A JP14206387 A JP 14206387A JP S63305259 A JPS63305259 A JP S63305259A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
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- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/07—Non contact-making probes
- G01R1/071—Non contact-making probes containing electro-optic elements
-
- G—PHYSICS
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/24—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
- G01R15/241—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption
- G01R15/242—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption based on the Pockels effect, i.e. linear electro-optic effect
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被測宝物、例えば電気回路等の所定部分の電
圧を検出するための電圧検出装置に関し、特に被測定物
の所定部分の電圧によって光の偏光状態が変化すること
を利用して電圧を検出ずろ型式の電圧検出装置に関する
。
圧を検出するための電圧検出装置に関し、特に被測定物
の所定部分の電圧によって光の偏光状態が変化すること
を利用して電圧を検出ずろ型式の電圧検出装置に関する
。
従来、電気回路などの被測定物の所定部分の電圧を検出
するのに、種々の電圧検出装置が用いられる。この種の
電圧検出装置としては被ａｆ１定にＪの所定部分にプロ
ーブを接触させて、その部分の電圧を検出する型式のも
の、あるいはプローブを接触させずに所定部分に電子ビ
ームを入射させることにより所定部分の電圧を検出する
型式のものなどが知られている。
するのに、種々の電圧検出装置が用いられる。この種の
電圧検出装置としては被ａｆ１定にＪの所定部分にプロ
ーブを接触させて、その部分の電圧を検出する型式のも
の、あるいはプローブを接触させずに所定部分に電子ビ
ームを入射させることにより所定部分の電圧を検出する
型式のものなどが知られている。
ところで、当業名間には、構造が複雄でかつ小型の集積
回路のような被測定物の微細な部分の高速に変化する電
圧を、微細な部分の状態に影響を与えず精度良く検出し
たいという強い要望がある。
回路のような被測定物の微細な部分の高速に変化する電
圧を、微細な部分の状態に影響を与えず精度良く検出し
たいという強い要望がある。
しかしながら、プローブを被測定物の所定部分に接触さ
せる型式の電圧検出装置では、策Ｈ４回路等の微細部分
にプローブを直接接触させることが容易でなく、またプ
ローブを接触させることができたとしても、その電圧情
報だけに基づき集積回路の動作をＭ確に解析するのは困
難であった。さらにプ■７−ブを接触さぜることにより
集積回路内の動負状態が変化するという問題があった。
せる型式の電圧検出装置では、策Ｈ４回路等の微細部分
にプローブを直接接触させることが容易でなく、またプ
ローブを接触させることができたとしても、その電圧情
報だけに基づき集積回路の動作をＭ確に解析するのは困
難であった。さらにプ■７−ブを接触さぜることにより
集積回路内の動負状態が変化するという問題があった。
また電子ビームを用いる型式の電圧検出装置では、プロ
ーブを被ｎＰ１定物に接触させずに電圧を検出すること
ができるものの、測定されるべき部分が真空中に置かれ
かつ露出されているものに限られ、また電子ビームによ
り測定されるべき部分を損傷するという間萌があった。
ーブを被ｎＰ１定物に接触させずに電圧を検出すること
ができるものの、測定されるべき部分が真空中に置かれ
かつ露出されているものに限られ、また電子ビームによ
り測定されるべき部分を損傷するという間萌があった。
さらに従来の電圧検出装置では、検出器の動性速度が高
速の電圧変化に追従できず、集積回路笠の高速に変化す
る電圧を精度良く検出することができないという問題が
あった。
速の電圧変化に追従できず、集積回路笠の高速に変化す
る電圧を精度良く検出することができないという問題が
あった。
このような問題点を解決するために、発明名等による昭
和６２年５ Ｊｌ ３ ＯＥｌ付の特許出願に記載され
ているような被Ｍ１定物の所定部分の電圧によって光ビ
ームの偏光状態が変化することを利用して電圧を検出す
る型式の電圧検出装置が開発された。
和６２年５ Ｊｌ ３ ＯＥｌ付の特許出願に記載され
ているような被Ｍ１定物の所定部分の電圧によって光ビ
ームの偏光状態が変化することを利用して電圧を検出す
る型式の電圧検出装置が開発された。
第５図は、光ビームの偏光状態が被ｒｔｌｌＪｔ拘の所
定部分の電圧によって変イヒすることを利用して被λ」
１定物の電圧を検出する型式の電圧検出装７−：の構成
図である。
定部分の電圧によって変イヒすることを利用して被λ」
１定物の電圧を検出する型式の電圧検出装７−：の構成
図である。
第５図において電圧検出装置５０は、光プローブ５２と
、例えばレーザダイオードによる直流光源５３と、直流
光源５３から出力される光ビームを集光レンズ６０を介
して光プローブ５２に案内する光ファイバ５１と、光プ
ローブ５２がらの参照光をコリメータ９０を介して光電
変換素子５５に案内する光ファイバ９２と、光プローブ
５２がらの出射光をコリメータ９１を介して光電変換素
子５８に案内する光ファイバ９３と、光電変換素子５５
．５８からの光電変換された電気伝号を比較する比較回
路６１とから構成されている。
、例えばレーザダイオードによる直流光源５３と、直流
光源５３から出力される光ビームを集光レンズ６０を介
して光プローブ５２に案内する光ファイバ５１と、光プ
ローブ５２がらの参照光をコリメータ９０を介して光電
変換素子５５に案内する光ファイバ９２と、光プローブ
５２がらの出射光をコリメータ９１を介して光電変換素
子５８に案内する光ファイバ９３と、光電変換素子５５
．５８からの光電変換された電気伝号を比較する比較回
路６１とから構成されている。
光プローブ５２には、電気光字材料６２、例えば光字的
−軸性結晶のタンタル酸リチウム（Ｌｉ’ｒ’ａＯ３）
が収容されており、電気光７材料６２の先端部６３は、
截頭円錐形状に加工されている。光プローブ５２の外周
部には、導電性電ｐＪ４６４が説けられ、また先端部６
３には金属薄膜！）るいは１誘電体ｉ １Ｍ ｌ摸の反
射鏡６５が被着されている。
−軸性結晶のタンタル酸リチウム（Ｌｉ’ｒ’ａＯ３）
が収容されており、電気光７材料６２の先端部６３は、
截頭円錐形状に加工されている。光プローブ５２の外周
部には、導電性電ｐＪ４６４が説けられ、また先端部６
３には金属薄膜！）るいは１誘電体ｉ １Ｍ ｌ摸の反
射鏡６５が被着されている。
光プローブ５２内にはさらに、二ｌリメータ９４と、集
光レンズ９５．９６と、コリメータ９４からの光ビーム
から所定の偏光成分をもつ光ビームだけを抽出する偏光
子５４と、偏光子５４からの所定の偏光成分をもつ光ビ
ームを参照光と入射光とに分割する一方、電気光学材ｆ
Ｉ６２からの出射光を検光子５７に入射させるビームス
プリッタ５６とが設けられている。なお参照光、出射光
は、それぞれ集光レンズ９５．９６を介して光ファイバ
９２．９３に出力されるようになっている。
光レンズ９５．９６と、コリメータ９４からの光ビーム
から所定の偏光成分をもつ光ビームだけを抽出する偏光
子５４と、偏光子５４からの所定の偏光成分をもつ光ビ
ームを参照光と入射光とに分割する一方、電気光学材ｆ
Ｉ６２からの出射光を検光子５７に入射させるビームス
プリッタ５６とが設けられている。なお参照光、出射光
は、それぞれ集光レンズ９５．９６を介して光ファイバ
９２．９３に出力されるようになっている。
このような構成の電圧検出装’ｉ！、 ５０では、検出
に際して 光プローブ５２の外周部に設けられた導電性
電極６１１を例えば接地電位に保持しておく。
に際して 光プローブ５２の外周部に設けられた導電性
電極６１１を例えば接地電位に保持しておく。
次いで、光プローブ５２の先端部６３を被測定物、例え
ば集積回路（図示せず）に接近させる。これにより、光
プローブ５２の電気光学材料６２の先端部６３の屈折率
が変化する。より詳しくは、光学的−軸性結晶などにお
いて、光軸と垂直な平面内における常光の屈折率と異常
光の屈折率との差が変化する。
ば集積回路（図示せず）に接近させる。これにより、光
プローブ５２の電気光学材料６２の先端部６３の屈折率
が変化する。より詳しくは、光学的−軸性結晶などにお
いて、光軸と垂直な平面内における常光の屈折率と異常
光の屈折率との差が変化する。
光源５３から出力された光ビームは、集光レンズ６０．
光ファイバ５１を介して光プローブ５２のコリメータ９
４に入射し、さらに偏光子５４により所定の偏光成分の
強度ｌの光ビームとなって、ビームスプリッタ５６゛を
介して光プローブ５２の電気光学材料６２に入射する。
光ファイバ５１を介して光プローブ５２のコリメータ９
４に入射し、さらに偏光子５４により所定の偏光成分の
強度ｌの光ビームとなって、ビームスプリッタ５６゛を
介して光プローブ５２の電気光学材料６２に入射する。
なおと−ノースズリツタ５６により分割された参照光、
入射光の強度はそれぞれＩ／２となる。電気光学材料６
２の先端部６３の屈折率は上述のように被測定物の電圧
により変化するので、電気光字材料６２に入射した入射
光は先端部６３のところでその偏光状態が屈折率変化に
依存して変化し反射鏡６５に達し、反射鏡６５で反射さ
れ、電気光学材ｆ’ｉ６２から出射光として再びビーム
スプリッタ５６に向がう。
入射光の強度はそれぞれＩ／２となる。電気光学材料６
２の先端部６３の屈折率は上述のように被測定物の電圧
により変化するので、電気光字材料６２に入射した入射
光は先端部６３のところでその偏光状態が屈折率変化に
依存して変化し反射鏡６５に達し、反射鏡６５で反射さ
れ、電気光学材ｆ’ｉ６２から出射光として再びビーム
スプリッタ５６に向がう。
電気光字材料６２の先端部６３の長さをρとすると、入
射光の偏光状態は電圧による常光と異常光との屈折率差
および長さ２ｇに比例して変化する。
射光の偏光状態は電圧による常光と異常光との屈折率差
および長さ２ｇに比例して変化する。
ビームスプリッタ５６に戻された出射光は、検光子５７
に入射する。なお検光子５７に入射する出射光の強度は
、ビームスプリッタ５６により■／４となっている。検
光子５７が例えば（ｉ光子５４の偏光成分と直交する偏
光成分の光ビームだけを通過させるように構成されてい
るとすると、偏光状態が変化して検光子５７に入射する
強度Ｉ／４の出射光は、検光子５７により、強度が（１
／４）Ｓ団 〔（π／２）・Ｖ／Ｖｏ〕となって光電変
換素子５８に加わることになる。ここでＶは被測定物の
電圧、Ｖｏは半波長電圧である。
に入射する。なお検光子５７に入射する出射光の強度は
、ビームスプリッタ５６により■／４となっている。検
光子５７が例えば（ｉ光子５４の偏光成分と直交する偏
光成分の光ビームだけを通過させるように構成されてい
るとすると、偏光状態が変化して検光子５７に入射する
強度Ｉ／４の出射光は、検光子５７により、強度が（１
／４）Ｓ団 〔（π／２）・Ｖ／Ｖｏ〕となって光電変
換素子５８に加わることになる。ここでＶは被測定物の
電圧、Ｖｏは半波長電圧である。
比穀回路６１では、光電変換素子５５において充電変換
された参照光の強度１／２と、光電変換素子５８におい
て光電変換された出射光の強度（１，／４） ・ｓｉ
ｎ ２ （（π／２）Ｖ／ＶＯ）とが比軸される。
された参照光の強度１／２と、光電変換素子５８におい
て光電変換された出射光の強度（１，／４） ・ｓｉ
ｎ ２ （（π／２）Ｖ／ＶＯ）とが比軸される。
出射光の強度（π／４）・ｓｉｒ＋２［（π／２）Ｖ／
Ｖｏ）は、電圧変化に伴なう電気光学材ｒ１６２の先端
部６３の屈折率の変化によって変わるので、これに基づ
いて被測定物、例えば集積回路の所定部分の電圧を検出
することができろ。
Ｖｏ）は、電圧変化に伴なう電気光学材ｒ１６２の先端
部６３の屈折率の変化によって変わるので、これに基づ
いて被測定物、例えば集積回路の所定部分の電圧を検出
することができろ。
このように第５図に示す電圧検出装置５０では、光プロ
ーブ５２の先端部６３を被ＭＩ定物に接近させることで
変化する電気光学材料６２の先端部６３の屈折率の変化
に基づき、被測定物の所定部分の電圧を検出するように
しているので、特に接触させることが困難で、また接触
させることにより被測定電圧に影響を与えるような集積
回路の微細部分などの電圧を、光プローブ５２を接触さ
せることなく検出することができる。また光源としてパ
ルス幅の非常に短かい光パルスを出力するレーザダイオ
ードなどのパルス光源を用いて、被測定物の高速な電圧
変化を非常に短かい時間幅でサンプリングするかあるい
は光源に直流光源を用い検出器にストリークカメラなど
の高速応答検出器を用いて被測定物の品運な電圧変化を
高い時間分解能で測定することにより、高速な電圧変化
をも精度良く検出することが可能となる。
ーブ５２の先端部６３を被ＭＩ定物に接近させることで
変化する電気光学材料６２の先端部６３の屈折率の変化
に基づき、被測定物の所定部分の電圧を検出するように
しているので、特に接触させることが困難で、また接触
させることにより被測定電圧に影響を与えるような集積
回路の微細部分などの電圧を、光プローブ５２を接触さ
せることなく検出することができる。また光源としてパ
ルス幅の非常に短かい光パルスを出力するレーザダイオ
ードなどのパルス光源を用いて、被測定物の高速な電圧
変化を非常に短かい時間幅でサンプリングするかあるい
は光源に直流光源を用い検出器にストリークカメラなど
の高速応答検出器を用いて被測定物の品運な電圧変化を
高い時間分解能で測定することにより、高速な電圧変化
をも精度良く検出することが可能となる。
ところで、第５図に示す従来の電圧検出装置５０では、
光′＆５３からの光ビームＢＭを、第６図に示ずような
集光レンズ７０（第５図には図示せず）により集光させ
て電気光学材料６２に入射させるようになっていた。
光′＆５３からの光ビームＢＭを、第６図に示ずような
集光レンズ７０（第５図には図示せず）により集光させ
て電気光学材料６２に入射させるようになっていた。
しかしながら、第６図に示すような集光レンズ７０を設
４−］ることによって、光学系の部材数が多くなり、光
字系の調整が煩雑となって、イ８顆性に欠けるという問
題があった。
４−］ることによって、光学系の部材数が多くなり、光
字系の調整が煩雑となって、イ８顆性に欠けるという問
題があった。
本発明は、被測定物の所定部分の電圧を簡単な光学系で
信頼性良く検出することの可能な電圧検出装置を提供す
ることを１的としている。
信頼性良く検出することの可能な電圧検出装置を提供す
ることを１的としている。
本発明は、電気光学材料が光ビームの光路を変更する光
路変更機能を有するｌｆｉ造になっていることを特徴と
する電圧検出装置によって、上記従来技術の問題点を改
曽するものである。
路変更機能を有するｌｆｉ造になっていることを特徴と
する電圧検出装置によって、上記従来技術の問題点を改
曽するものである。
本発明では、電気光学材料自体にこれに入射する光ビー
ムの光路を変更する光路変更機能をもたせている０例え
ば電気光学材料の光ビームの入射する側の面をレンズ状
に加工し集光レンズとしている。これにより、集光レン
ズを電気光学材ｒ１とは別に設ける必要がないので、光
学系をＢｌｔ’な構造にすることができる。
ムの光路を変更する光路変更機能をもたせている０例え
ば電気光学材料の光ビームの入射する側の面をレンズ状
に加工し集光レンズとしている。これにより、集光レン
ズを電気光学材ｒ１とは別に設ける必要がないので、光
学系をＢｌｔ’な構造にすることができる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る電圧検出装置の第１の実施例の部
分概略構成図である。
分概略構成図である。
第１図の電圧検出装置では、光プローブ１内に設けられ
た電気光学材料２の光ビームＢＭの入射する面３をレン
ズ状に加工している０例えば電気光学材料２に入射した
光ビームＢＭが金属薄膜あるいは誘電体多Ｗｉ膜の反射
鏡６５の位置で焦点が合うように而３を加工する。
た電気光学材料２の光ビームＢＭの入射する面３をレン
ズ状に加工している０例えば電気光学材料２に入射した
光ビームＢＭが金属薄膜あるいは誘電体多Ｗｉ膜の反射
鏡６５の位置で焦点が合うように而３を加工する。
このような構成では、電気光学材ｒｌ ２の面３に入射
する光ビーム）３Ｍは電気光学材料２自体によって集光
されて反射鏡６５に達し、反射鏡６５で反射されて電気
光′Ｔ材１２の血３から出力される。
する光ビーム）３Ｍは電気光学材料２自体によって集光
されて反射鏡６５に達し、反射鏡６５で反射されて電気
光′Ｔ材１２の血３から出力される。
このように光ビームＢＭは、電気光パを材ｖＩ２自体に
よって集光されるので、第６図に示すようなレンズ７０
を設ける必要がなく、光学系の部材数を少なくすること
ができて部類性を向上さぜることができる。
よって集光されるので、第６図に示すようなレンズ７０
を設ける必要がなく、光学系の部材数を少なくすること
ができて部類性を向上さぜることができる。
第２図（ａ）は本発明に係る電圧検出Ｅ置の第２の実施
例の部分概略結成図である。
例の部分概略結成図である。
第２図（ａ）の電圧検出装置では、光プローブ４内の電
気光学材料５にイオンを拡散させて、電気光字材ｆｌ
５内体を分布屈折率レンズとしている。
気光学材料５にイオンを拡散させて、電気光字材ｆｌ
５内体を分布屈折率レンズとしている。
分布屈折率レンズとされた電気光字材１１５の屈折率分
布は、電気光学材ｆｌ ５の横断面位置に対して第２図
（ｂ）のようになっている。
布は、電気光学材ｆｌ ５の横断面位置に対して第２図
（ｂ）のようになっている。
このような構成の電圧検出装置では、光源からの光ビー
ムＢＭは光ファイバ（図示せず）を介して光プローブ４
内の電気光学材料５に入射する。
ムＢＭは光ファイバ（図示せず）を介して光プローブ４
内の電気光学材料５に入射する。
電気光学材料５に入射した光ビームＢＭは分布屈折率レ
ンズとしての電気光学材Ｆｌ ５により光路１ｏで反射
鏡６５に達する。電気光学材料５に電圧が加わっていな
いときには、電気光学材ｆ１５に入射した光ビームＢＭ
は、反射鏡６５に垂直に入射し、そこで反射されて再び
同じ光路で電気光学材ｆ１５から出力される。これによ
り、検出される出射光の強度は、入射光の強度とほぼ同
じになる。
ンズとしての電気光学材Ｆｌ ５により光路１ｏで反射
鏡６５に達する。電気光学材料５に電圧が加わっていな
いときには、電気光学材ｆ１５に入射した光ビームＢＭ
は、反射鏡６５に垂直に入射し、そこで反射されて再び
同じ光路で電気光学材ｆ１５から出力される。これによ
り、検出される出射光の強度は、入射光の強度とほぼ同
じになる。
これに対して被測定物の所定部分の電圧が電気光？！材
ｆ？１５に加わると、電気光学材料５の屈折率が変化す
るので、第２図（ａ）に破線で示ずように光路ｌで反射
鏡６５に達する。このときには、光ビームＢＭは反射８
１６５に垂直には入射しないので、反射５１６５からの
出射光は、光１ｉＩとは異なる光路Ｉ′で電気光学材料
６５から出力される。これにより、検出される出射光の
強度は入射光の強度に比べて弱くなり、このような出射
光の強度分布を調べることで被測定物の所定部分の電圧
を検出することができる。
ｆ？１５に加わると、電気光学材料５の屈折率が変化す
るので、第２図（ａ）に破線で示ずように光路ｌで反射
鏡６５に達する。このときには、光ビームＢＭは反射８
１６５に垂直には入射しないので、反射５１６５からの
出射光は、光１ｉＩとは異なる光路Ｉ′で電気光学材料
６５から出力される。これにより、検出される出射光の
強度は入射光の強度に比べて弱くなり、このような出射
光の強度分布を調べることで被測定物の所定部分の電圧
を検出することができる。
この第２の実施例では、光ビームＢＭの偏光状態の変化
を利用して被測定物の所定部分の電圧を検出するもので
はなく、出射光の強度変化すなわち光量変化に基づいて
電圧を検出するものであるので、第６図に示す集光レン
ズ７０の他に第５図の検光子５７などを何ら用いる必要
がなく、光学系を極めて筒車なものにすることができる
。
を利用して被測定物の所定部分の電圧を検出するもので
はなく、出射光の強度変化すなわち光量変化に基づいて
電圧を検出するものであるので、第６図に示す集光レン
ズ７０の他に第５図の検光子５７などを何ら用いる必要
がなく、光学系を極めて筒車なものにすることができる
。
第３図は本発明の第３の実施例を示すものである。
第３図において光ビームＢＭは、ビームスプリッタ６（
またはハーフミラ−）を介して分布屈折率レンズとして
の電気光学材料７に入射するようになっている。第３図
の電気光′７材料７は、第４図（ａ）乃至（Ｃ）に示す
ような一方向性（すなわちＸ軸線方向）の屈折率分布を
有している。従って、電気光学材料７に入射した光ビー
ムＢＭは、反射鏡６５の位置で符号Ａ−Ａで示すように
ライン状に集光される。ライン状に集光された光ビーム
ＢＭは、反射１６５で反射され出射光として、ビームス
プリッタ６、検光子８．シリンドリカルレンズ９を介し
てストリークカメラ１０の光電面１１上に符号Ｂ−Ｂで
示すようにライン状に集光される。すなわち電気光Ｔ材
１１７内で符号Ａ−Ａで示ずようにライン状に集光され
た光ビームは、ストリークカメラ１０の光電面１１上で
符号Ｂ −Ｂ −Ｌで示すようにライン状に投影される
ことになる。
またはハーフミラ−）を介して分布屈折率レンズとして
の電気光学材料７に入射するようになっている。第３図
の電気光′７材料７は、第４図（ａ）乃至（Ｃ）に示す
ような一方向性（すなわちＸ軸線方向）の屈折率分布を
有している。従って、電気光学材料７に入射した光ビー
ムＢＭは、反射鏡６５の位置で符号Ａ−Ａで示すように
ライン状に集光される。ライン状に集光された光ビーム
ＢＭは、反射１６５で反射され出射光として、ビームス
プリッタ６、検光子８．シリンドリカルレンズ９を介し
てストリークカメラ１０の光電面１１上に符号Ｂ−Ｂで
示すようにライン状に集光される。すなわち電気光Ｔ材
１１７内で符号Ａ−Ａで示ずようにライン状に集光され
た光ビームは、ストリークカメラ１０の光電面１１上で
符号Ｂ −Ｂ −Ｌで示すようにライン状に投影される
ことになる。
光電面１１上に投影された光ビームのラインＢ−Ｂは、
ストリークカメラ１０の婦引方自と垂直となるようにし
ているので、これにより、反射鏡６５の下方に位置する
被測定物の一次元方向の電圧変化をストリークカメラ１
０により瞬時に測定することができる。
ストリークカメラ１０の婦引方自と垂直となるようにし
ているので、これにより、反射鏡６５の下方に位置する
被測定物の一次元方向の電圧変化をストリークカメラ１
０により瞬時に測定することができる。
なお、上述の実施例において、光ビームＢＭを反射ｇ、
６５に集光させているものの、光ビームＢＭの一部は光
プローブ１．４の内壁に入射し、そこで散乱光として反
射される場合がある。このような散乱光は、電圧検出精
度を低下させるので取除かれるのが望ましい。このため
に、光プローブ１．１１の内壁を例えば黒塗りして内壁
に入射した光ビームＢＭを吸収させて、散乱光の発生を
助ＩＬするのが良い。
６５に集光させているものの、光ビームＢＭの一部は光
プローブ１．４の内壁に入射し、そこで散乱光として反
射される場合がある。このような散乱光は、電圧検出精
度を低下させるので取除かれるのが望ましい。このため
に、光プローブ１．１１の内壁を例えば黒塗りして内壁
に入射した光ビームＢＭを吸収させて、散乱光の発生を
助ＩＬするのが良い。
また上述の実施例では、電気光字材料の先端を被、１Ｆ
Ｉｔ物に接触させない場合について説明したが、電気光
学材ｒｓの先端を被測定物に接触させても良い。
Ｉｔ物に接触させない場合について説明したが、電気光
学材ｒｓの先端を被測定物に接触させても良い。
以上に説明したように、本発明によれば、電気光’７材
ｒＩ自体にこれに入射する光ビームの光路を変更する光
路変更機能をもたせているので、集光レンズなどを別途
設ける必要がなく、極めて簡単な構成で被測定物の所定
部分の電圧を精度良く検出することができる。
ｒＩ自体にこれに入射する光ビームの光路を変更する光
路変更機能をもたせているので、集光レンズなどを別途
設ける必要がなく、極めて簡単な構成で被測定物の所定
部分の電圧を精度良く検出することができる。
第１１￥Ｉは本発明に係る電圧検出装置の第１の実施例
の部分概略構成図、第２図（ａ）は本発明に係る電圧検
出装置の第２の実施例の部分概略構成図、第２図（ｂ）
は第２図（ａ）に示す電圧検出装置の電気光学材料の屈
折率分布を示す図、第３図は本発明に係る電圧検出装置
の第３の実施例の構成図、第４図は第３図の電気光学材
料の屈折７分布を示す図であり、第４図（ａ）乃至（ｃ
）はそれぞれｘ！ｙｌＩＩ線、ｙｌＮ＋線、Ｚ軸線方向
の屈折率分布を示す図、第５図は従来の電圧検出装置の
構成図、第６図は従来の電圧検出装置の部分概略図であ
る。 １．４・・・光プローブ、２，５・・・電気光学材料、
３・・・而 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社代理人 弁
理士 植 本 雅 治第１図 第２図 横断面位置 屈折率 屈折率 屈折率 第６図
の部分概略構成図、第２図（ａ）は本発明に係る電圧検
出装置の第２の実施例の部分概略構成図、第２図（ｂ）
は第２図（ａ）に示す電圧検出装置の電気光学材料の屈
折率分布を示す図、第３図は本発明に係る電圧検出装置
の第３の実施例の構成図、第４図は第３図の電気光学材
料の屈折７分布を示す図であり、第４図（ａ）乃至（ｃ
）はそれぞれｘ！ｙｌＩＩ線、ｙｌＮ＋線、Ｚ軸線方向
の屈折率分布を示す図、第５図は従来の電圧検出装置の
構成図、第６図は従来の電圧検出装置の部分概略図であ
る。 １．４・・・光プローブ、２，５・・・電気光学材料、
３・・・而 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社代理人 弁
理士 植 本 雅 治第１図 第２図 横断面位置 屈折率 屈折率 屈折率 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）被測定物の所定部分の電圧によって屈折率が変化す
る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置において、
前記電気光学材料は、これに入射する光ビームの光路を
変更する光路変更機能を有する構造になっていることを
特徴とする電圧検出装置。 ２）前記電気光学材料は、光ビームの入射する側の面が
レンズ状に加工され集光レンズとしての光路変更機能を
有していることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の電圧検出装置。 ３）前記電気光学材料は、イオンの拡散された分布屈折
率レンズとなっていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の電圧検出装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62142063A JPH0695111B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 電圧検出装置 |
| US07/201,888 US4887026A (en) | 1987-06-05 | 1988-06-03 | Voltage detector for detecting a voltage developing in a selected area of an object |
| DE88108926T DE3886821T2 (de) | 1987-06-05 | 1988-06-03 | Spannungsdetektor. |
| EP88108926A EP0293922B1 (en) | 1987-06-05 | 1988-06-03 | Voltage detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62142063A JPH0695111B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 電圧検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63305259A true JPS63305259A (ja) | 1988-12-13 |
| JPH0695111B2 JPH0695111B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=15306567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62142063A Expired - Fee Related JPH0695111B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 電圧検出装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4887026A (ja) |
| EP (1) | EP0293922B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0695111B2 (ja) |
| DE (1) | DE3886821T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005241489A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nec Corp | 磁界測定装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5272434A (en) * | 1987-06-20 | 1993-12-21 | Schlumberger Technologies, Inc. | Method and apparatus for electro-optically testing circuits |
| US4928058A (en) * | 1989-05-23 | 1990-05-22 | The University Of Rochester | Electro-optic signal measurement |
| US5190541A (en) * | 1990-10-17 | 1993-03-02 | Boston Scientific Corporation | Surgical instrument and method |
| JP3220252B2 (ja) * | 1992-09-10 | 2001-10-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ｅｏプローブ |
| US5412330A (en) * | 1993-06-16 | 1995-05-02 | Tektronix, Inc. | Optical module for an optically based measurement system |
| DE4416298A1 (de) * | 1994-05-09 | 1995-11-16 | Abb Research Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Ermittlung einer physikalischen Größe |
| US5808473A (en) * | 1994-08-04 | 1998-09-15 | Nippon Telegraph & Telephone Corp. | Electric signal measurement apparatus using electro-optic sampling by one point contact |
| JP3485685B2 (ja) * | 1995-08-04 | 2004-01-13 | オリンパス株式会社 | 屈折率分布型単レンズ |
| DE19634251A1 (de) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Abb Patent Gmbh | Spannungswandler |
| DE29707379U1 (de) * | 1997-04-24 | 1997-06-19 | Pmk Mess Und Kommunikationstec | Gerät zur Messung von Hochspannung an Hochspannungsleitungen |
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| JPS57168167A (en) * | 1981-04-10 | 1982-10-16 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Electric field/voltage detector |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2036264A5 (ja) * | 1969-03-10 | 1970-12-24 | Walter Transformateurs M | |
| JPS5155273A (en) * | 1974-11-09 | 1976-05-14 | Eto Goro | Hikarihenseigatakendenki |
| NL180882C (nl) * | 1976-05-31 | 1987-05-04 | Philips Nv | Optisch koppelelement en optische koppelinrichting met zulke koppelelementen. |
| JPS56157872A (en) * | 1980-05-10 | 1981-12-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Light-applying voltage and electric field sensor |
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| US4618819A (en) * | 1984-03-27 | 1986-10-21 | The University Of Rochester | Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution |
| US4603293A (en) * | 1984-03-27 | 1986-07-29 | University Of Rochester | Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution |
| US4762403A (en) * | 1984-04-13 | 1988-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging optical system having a distributed index lens |
| EP0197196A1 (en) * | 1985-03-08 | 1986-10-15 | The University Of Rochester | Electro-electron optical oscilloscope system for time-resolving picosecond electrical waveforms |
-
1987
- 1987-06-05 JP JP62142063A patent/JPH0695111B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-06-03 US US07/201,888 patent/US4887026A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-03 DE DE88108926T patent/DE3886821T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-03 EP EP88108926A patent/EP0293922B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS57168167A (en) * | 1981-04-10 | 1982-10-16 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Electric field/voltage detector |
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| JP4656282B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2011-03-23 | 日本電気株式会社 | 磁界測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4887026A (en) | 1989-12-12 |
| JPH0695111B2 (ja) | 1994-11-24 |
| DE3886821T2 (de) | 1994-04-28 |
| EP0293922A2 (en) | 1988-12-07 |
| EP0293922A3 (en) | 1990-06-06 |
| DE3886821D1 (de) | 1994-02-17 |
| EP0293922B1 (en) | 1994-01-05 |
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|---|---|---|---|
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