JPS63294695A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS63294695A JPS63294695A JP62128453A JP12845387A JPS63294695A JP S63294695 A JPS63294695 A JP S63294695A JP 62128453 A JP62128453 A JP 62128453A JP 12845387 A JP12845387 A JP 12845387A JP S63294695 A JPS63294695 A JP S63294695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- source
- earth metal
- zns
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- -1 rare earth metal fluoride Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims abstract description 7
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910004299 TbF3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract 1
- LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K trifluoroterbium Chemical compound F[Tb](F)F LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は希土類を添加したＺｎＳ薄膜を母材とする薄膜
Ｅ Ｌ素子において、再現性良く高輝度のＥ Ｌ、素子
を得るため発光母材用ソースとしてＺｎＳ、発光中心添
加用ソースとして希土類弗化物と希土類硫化物の混合タ
ーゲットを用いた２源堆積法を使用し、再現性の向上と
高輝度化を可能としたものである。
Ｅ Ｌ素子において、再現性良く高輝度のＥ Ｌ、素子
を得るため発光母材用ソースとしてＺｎＳ、発光中心添
加用ソースとして希土類弗化物と希土類硫化物の混合タ
ーゲットを用いた２源堆積法を使用し、再現性の向上と
高輝度化を可能としたものである。
本発明は薄膜Ｅｌ、（エレクトロルミネッセンス）素子
の製造方法、より詳しく述べると、薄膜ＥＬ素子の発光
効率、輝度を向上させることを可能にする薄膜Ｅ Ｌ素
子の製造方法に関する。
の製造方法、より詳しく述べると、薄膜ＥＬ素子の発光
効率、輝度を向上させることを可能にする薄膜Ｅ Ｌ素
子の製造方法に関する。
薄膜Ｅ Ｌ素子は発光中心として機能する希土類元素例
えばテルビウム、サマリウム、ツリウム、プラセオジウ
ム等とハロゲン元素例えばフッ素、塩素等とを含有する
硫化亜鉛等のけい光体の多結晶薄膜に電界を印加し、エ
レクトロルミネッセンス現象にもとづいて発光させる発
光素子である。
えばテルビウム、サマリウム、ツリウム、プラセオジウ
ム等とハロゲン元素例えばフッ素、塩素等とを含有する
硫化亜鉛等のけい光体の多結晶薄膜に電界を印加し、エ
レクトロルミネッセンス現象にもとづいて発光させる発
光素子である。
本発明者らは、先に、発光中心を形成するための希土類
金属（３価）とハロゲン元素（１価）との組成比は化学
量論比３：ｌより小さく、特に１：１が好ましいことを
開示した（特願昭６０−２１７０９８明細書）。
金属（３価）とハロゲン元素（１価）との組成比は化学
量論比３：ｌより小さく、特に１：１が好ましいことを
開示した（特願昭６０−２１７０９８明細書）。
また、上記のような発光中心を有するＥ Ｌ膜を形成す
る方法として、硫化亜鉛と希土類元素のハロゲン化物と
希土類元素の硫化物とを独立にもしくは混合してソース
として、または硫化亜鉛と希土類元素のハロゲン化物と
硫黄とを独立にもしくは混合してソースとして使用する
ことが有効であることを開示したく特願昭６０−２８２
３２０号明細書）。
る方法として、硫化亜鉛と希土類元素のハロゲン化物と
希土類元素の硫化物とを独立にもしくは混合してソース
として、または硫化亜鉛と希土類元素のハロゲン化物と
硫黄とを独立にもしくは混合してソースとして使用する
ことが有効であることを開示したく特願昭６０−２８２
３２０号明細書）。
上記の方法によって、ＥＬ膜の再現性も向上し、ＥＬ素
子の発光効率、輝度が向上したが、薄膜ＥＬ素子の実用
化のためには、これらがさらに向上することが望ましい
。
子の発光効率、輝度が向上したが、薄膜ＥＬ素子の実用
化のためには、これらがさらに向上することが望ましい
。
本発明は、上記問題点を解決するために、硫化亜鉛を一
方のソース、希土類金属のフッ化物と希土類金属の硫化
物の混合物を他方のソースとして堆積してＥＬ膜を形成
する工程を含むことを特徴とする薄膜ＥＴ、素子の製造
方法を提供する。
方のソース、希土類金属のフッ化物と希土類金属の硫化
物の混合物を他方のソースとして堆積してＥＬ膜を形成
する工程を含むことを特徴とする薄膜ＥＴ、素子の製造
方法を提供する。
希土類金属のフッ化物と希土類金属の硫化物の混合ソー
スにおけるフッ素（Ｆ）と硫黄（Ｓ）とのモル比は０．
５＜Ｆ／Ｓ＜１．５の範囲内であることが好ましく、特
にＦ／Ｓ ＝約１．０が最も好ましい。また、希土類金
属のフッ化物と希土類金属の硫化物の混合ソースはＥＬ
膜堆積用ソースとして用いる前に、フッ化物と硫化物の
混合物を反応させて希土類金属のフッ硫化物と成して使
用することが望ましい。このような組成範囲および反応
生成物であるととによって、得られるＥ Ｌ、膜の再現
性、特性が向上する効果が著しい。
スにおけるフッ素（Ｆ）と硫黄（Ｓ）とのモル比は０．
５＜Ｆ／Ｓ＜１．５の範囲内であることが好ましく、特
にＦ／Ｓ ＝約１．０が最も好ましい。また、希土類金
属のフッ化物と希土類金属の硫化物の混合ソースはＥＬ
膜堆積用ソースとして用いる前に、フッ化物と硫化物の
混合物を反応させて希土類金属のフッ硫化物と成して使
用することが望ましい。このような組成範囲および反応
生成物であるととによって、得られるＥ Ｌ、膜の再現
性、特性が向上する効果が著しい。
希土類金属としてはテルビウム、サマリウム、ツリウム
、プラセオジウム等（これらの混合物でもよい）が好ま
しい。
、プラセオジウム等（これらの混合物でもよい）が好ま
しい。
Ｅ Ｌ、膜の堆積は、上記の２源堆積法であればよく、
スパッタ法、プラズマスパッタ法、イオンプレーテング
法、蒸着法等が利用できる。発光母材（ＺｎＳ）に対す
る発光中心材料（ＮＦＳ）の添加モル比としては０．５
〜６モル％程度が望ましく、このような添加比率は２源
ソースの各ソースよりの堆積速度の比を調整して共堆積
して実現する。
スパッタ法、プラズマスパッタ法、イオンプレーテング
法、蒸着法等が利用できる。発光母材（ＺｎＳ）に対す
る発光中心材料（ＮＦＳ）の添加モル比としては０．５
〜６モル％程度が望ましく、このような添加比率は２源
ソースの各ソースよりの堆積速度の比を調整して共堆積
して実現する。
ＺｎＳ中の発光中心材料の添加状態は希土類（たとえば
Ｔｂ）がＺｎと置換し、かつ格子間に位置するＦと結合
した状態が最も良い。このときＴｂとＦを２源ソースを
用いて供給するならば、これらの電荷を中和するために
付加的なＳが必要である。
Ｔｂ）がＺｎと置換し、かつ格子間に位置するＦと結合
した状態が最も良い。このときＴｂとＦを２源ソースを
用いて供給するならば、これらの電荷を中和するために
付加的なＳが必要である。
従って、こういう添加状態を２源堆積法で実現するには
、ＺｎＳソースとＴｈＦ＊＋ＴｂｔＳｚソースを用いる
場合、ＴｂＦ＊＋ＴｂｔＳ＊ソース中のＦ／Ｓが１とな
る時が最も良い。さらに再現性を向上させるためにはＴ
ｈｚＳ＊ ＋ ＴｈＦｔソースがそれぞれの粉末の争な
る混合物であるよりも反応して新しい生成物ＴｂＦＳと
なっていることが望ましいと考えられる。
、ＺｎＳソースとＴｈＦ＊＋ＴｂｔＳｚソースを用いる
場合、ＴｂＦ＊＋ＴｂｔＳ＊ソース中のＦ／Ｓが１とな
る時が最も良い。さらに再現性を向上させるためにはＴ
ｈｚＳ＊ ＋ ＴｈＦｔソースがそれぞれの粉末の争な
る混合物であるよりも反応して新しい生成物ＴｂＦＳと
なっていることが望ましいと考えられる。
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は、本発明の方法を実施するスパッタ装置、第２
図は薄膜ＥＬ素子である。
図は薄膜ＥＬ素子である。
第２図を参照すると、ガラス基板１上に透明電極（ＩＴ
Ｏ）層２、絶縁膜（ＳｉｔＮａ） ３をそれぞれ２０
００人スパッタリングにより形成する。その上にＺｎＳ
ターゲット、ＴｂＰｘ ＋ＴｂｔＳ３ターゲットを用い
てＺｎＳ：ＴｈＦ膜４を６０００人形成する。スパッタ
後６００℃１時間の熱処理を施し、その後さらにＳｉ＊
Ｎ４膜５を２０００人形成し最後にＡＩ電極６を形成す
る。
Ｏ）層２、絶縁膜（ＳｉｔＮａ） ３をそれぞれ２０
００人スパッタリングにより形成する。その上にＺｎＳ
ターゲット、ＴｂＰｘ ＋ＴｂｔＳ３ターゲットを用い
てＺｎＳ：ＴｈＦ膜４を６０００人形成する。スパッタ
後６００℃１時間の熱処理を施し、その後さらにＳｉ＊
Ｎ４膜５を２０００人形成し最後にＡＩ電極６を形成す
る。
第１図に示す如く、スパッタ装置１０の真空チャンバ１
１内に基板１２を後述の２つのターゲット間を往復移動
可能にセットし、スパッタターゲットとしてＺｎＳター
ゲット１３とＴｂＦｓ ＋ Ｔｌ）ｚｓ。
１内に基板１２を後述の２つのターゲット間を往復移動
可能にセットし、スパッタターゲットとしてＺｎＳター
ゲット１３とＴｂＦｓ ＋ Ｔｌ）ｚｓ。
混合ターゲット１４とを別々に用意した。なお、図中１
５ 、１６は高周波電源、１７はヒータを示す。
５ 、１６は高周波電源、１７はヒータを示す。
ＺｎＳスパッタ時の基板温度は２５０℃、スパッタガス
（Ａｒ）のガス圧Ｉ Ｘ １０− ｚｔｏｒｒとして、
ＺｎＳのスパッタレート８０人／ｗｉｎ ％ ＴｂＰ＊
＋↑ｈｔｓｉのスパッタレートは１人／ｌｌｌ１ｎ と
した。ＺｎＳとＴｈＦ、 ＋↑１）ｔｓｓとのスパッタ
レートの比率は水晶振動子を用いた膜厚計によりモニタ
ーし、スパッタ中宮に一定となるようにターゲットに印
加する電力を増減して調整した。
（Ａｒ）のガス圧Ｉ Ｘ １０− ｚｔｏｒｒとして、
ＺｎＳのスパッタレート８０人／ｗｉｎ ％ ＴｂＰ＊
＋↑ｈｔｓｉのスパッタレートは１人／ｌｌｌ１ｎ と
した。ＺｎＳとＴｈＦ、 ＋↑１）ｔｓｓとのスパッタ
レートの比率は水晶振動子を用いた膜厚計によりモニタ
ーし、スパッタ中宮に一定となるようにターゲットに印
加する電力を増減して調整した。
ここにおいて、発光中心用ターゲットであるＴｂＦｉ
＋ ＴｂｚＳ３混合ターゲット中のＴｂＦ、とＴｂｚＳ
ｚ との混合比率を変えて、得られる薄膜ＥＬ素子の輝
度（１にＨｚで駆動し発光値電圧を３０Ｖ超過した電圧
における輝度）との関係を求めた。結果を第３図に示す
が、混合ターゲット中のＦ／Ｓ比が１の時最も輝度が高
くなり、０．５＜Ｆ／Ｓ＜１．５の範囲で最大の輝度の
１／２以上の輝度が得られた。
＋ ＴｂｚＳ３混合ターゲット中のＴｂＦ、とＴｂｚＳ
ｚ との混合比率を変えて、得られる薄膜ＥＬ素子の輝
度（１にＨｚで駆動し発光値電圧を３０Ｖ超過した電圧
における輝度）との関係を求めた。結果を第３図に示す
が、混合ターゲット中のＦ／Ｓ比が１の時最も輝度が高
くなり、０．５＜Ｆ／Ｓ＜１．５の範囲で最大の輝度の
１／２以上の輝度が得られた。
また、単にＴｂＦｌとＴｂｚＳ＊粉末を混合したターゲ
・ノドを用いる場合と、ＴｈＰ ：ＩとＴｂ２Ｓ３混合
物を８５０℃５気圧でホットプレスすることにより新し
い生成物としたターゲットを用いる場合とを比較した。
・ノドを用いる場合と、ＴｈＰ ：ＩとＴｂ２Ｓ３混合
物を８５０℃５気圧でホットプレスすることにより新し
い生成物としたターゲットを用いる場合とを比較した。
ホットプレスをして得られた生成物のＸｉ回折パターン
は、第４図（ａ）に見られるように、ＴｂＦ。
は、第４図（ａ）に見られるように、ＴｂＦ。
のＸ線回折パターン（ｂ）とも、ＴｂｚＳ＝のＸ線回折
パターン（Ｃ）とも異なり、新生酸物ＴｂＦＳであるこ
とを示している。これらを用いて製作した薄膜Ｅ■、素
子の輝度を第５図に示すが、ホットプレスをしたターゲ
ットを用いた場合、惟なる混合物のターゲットを用いる
場合と比べて約１．５倍の輝度が達成された。
パターン（Ｃ）とも異なり、新生酸物ＴｂＦＳであるこ
とを示している。これらを用いて製作した薄膜Ｅ■、素
子の輝度を第５図に示すが、ホットプレスをしたターゲ
ットを用いた場合、惟なる混合物のターゲットを用いる
場合と比べて約１．５倍の輝度が達成された。
本発明によれば、ＺｎＳ中にＴｂＦを効率の高い状態で
添加できるため高輝度化、再現性に効果がある。
添加できるため高輝度化、再現性に効果がある。
第１図は本発明の方法を実施するスパッタ装置の模式図
、第２図は薄膜ＥＬ素子の断面図、第３図はＴｂＦｌ
＋ ＴｂｚＳ＊混合ターゲット中のＦ／Ｓ比に関する薄
膜ＥＬ素子の輝度を示すグラフ図、第４図は各種ターゲ
ットのＸ線回折パターン、第５図は単純混合ターゲット
を用いた場合とホットプレスターゲットとを用いた場合
の素子特性（ｔｔｉ度）の比較グラフ図である。 ｌ・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極層、３
”’５ｉＪ４膜、 ４・・・発光層（Ｅｒ、、膜
）、５・・・５ｉ３Ｎ１膜、 ６・・・Ａｌ電
極、１０・・・スパッタ装置、 １１・・・チャンバ
、１２・・・基板、 １３・・・ＺｎＳター
ゲット、１４・・・ＴｂＦ、ｌ＋ Ｔｂ、Ｓ、混合ター
ゲット。 スパッタ装置 第１図 薄膜ＥＬ素子 第３藺
、第２図は薄膜ＥＬ素子の断面図、第３図はＴｂＦｌ
＋ ＴｂｚＳ＊混合ターゲット中のＦ／Ｓ比に関する薄
膜ＥＬ素子の輝度を示すグラフ図、第４図は各種ターゲ
ットのＸ線回折パターン、第５図は単純混合ターゲット
を用いた場合とホットプレスターゲットとを用いた場合
の素子特性（ｔｔｉ度）の比較グラフ図である。 ｌ・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極層、３
”’５ｉＪ４膜、 ４・・・発光層（Ｅｒ、、膜
）、５・・・５ｉ３Ｎ１膜、 ６・・・Ａｌ電
極、１０・・・スパッタ装置、 １１・・・チャンバ
、１２・・・基板、 １３・・・ＺｎＳター
ゲット、１４・・・ＴｂＦ、ｌ＋ Ｔｂ、Ｓ、混合ター
ゲット。 スパッタ装置 第１図 薄膜ＥＬ素子 第３藺
Claims (1)
- １．硫化亜鉛を一方のソース、希土類金属のフッ化物と
希土類金属の硫化物の混合物を他方のソースとして堆積
してＥＬ膜を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜
ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62128453A JPH0824069B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62128453A JPH0824069B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63294695A true JPS63294695A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0824069B2 JPH0824069B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=14985086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62128453A Expired - Fee Related JPH0824069B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0824069B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012136683A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Jiaotong Univ | 発光ダイオード用黄色フルオロスルフィド蛍光体及びその製造方法 |
| JP2012153872A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Jiaotong Univ | 赤光及び緑光のフルオロスルフィド蛍光材料及びその製造方法、並びに白光発光ダイオード装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134890A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | 日本電信電話株式会社 | 電界発光薄膜形成方法 |
| JPH077712A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-01-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録再生装置 |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP62128453A patent/JPH0824069B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134890A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | 日本電信電話株式会社 | 電界発光薄膜形成方法 |
| JPH077712A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-01-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録再生装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012136683A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Jiaotong Univ | 発光ダイオード用黄色フルオロスルフィド蛍光体及びその製造方法 |
| US8703015B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-04-22 | National Chiao Tung University | Yellow fluorosulfide phosphors for light-emitting diode and preparation method thereof |
| JP2012153872A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Jiaotong Univ | 赤光及び緑光のフルオロスルフィド蛍光材料及びその製造方法、並びに白光発光ダイオード装置 |
| US8551793B2 (en) | 2011-01-24 | 2013-10-08 | National Chiao Tung University | Red and green fluorosulfide phosphor, preparation method and white-light emitting diodes thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0824069B2 (ja) | 1996-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004137480A (ja) | 蛍光体薄膜およびその製造方法ならびにｅｌパネル | |
| JPH0896958A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 | |
| JPS6346117B2 (ja) | ||
| JPH0793196B2 (ja) | Ｅｌ素子およびその製造法 | |
| US4508610A (en) | Method for making thin film electroluminescent rare earth activated zinc sulfide phosphors | |
| JPS63294695A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| US3044902A (en) | Method of forming films of electro-luminescent phosphor | |
| JPH0272592A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2003155480A (ja) | 酸化物蛍光体及びエレクトロルミネッセンス素子並びにその製造方法 | |
| JPS6040160B2 (ja) | 電場発光素子 | |
| JPS63230869A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS63294694A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2828019B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| JPS636774A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP3543414B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JPH0744068B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS59143297A (ja) | 交流駆動薄膜電場発光素子 | |
| JPS59146191A (ja) | 薄膜電場発光素子 | |
| JP3446542B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS62140395A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2005076024A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子用希土類添加酸化ガリウム−酸化錫多元系酸化物蛍光体薄膜の製造方法 | |
| JP4928329B2 (ja) | 薄膜型無機ｅｌ素子 | |
| JPS63294693A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH02114490A (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにこのスパッタリングターゲットを用いる蛍光体薄膜の製造方法 | |
| JPH0294289A (ja) | 薄膜型エレクトロルミネツセンス素子の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |