JPS63291892A - 単結晶の製造方法 - Google Patents

単結晶の製造方法

Info

Publication number
JPS63291892A
JPS63291892A JP12578087A JP12578087A JPS63291892A JP S63291892 A JPS63291892 A JP S63291892A JP 12578087 A JP12578087 A JP 12578087A JP 12578087 A JP12578087 A JP 12578087A JP S63291892 A JPS63291892 A JP S63291892A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diameter
crystal
melt
single crystal
plural images
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12578087A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Takeda
茂 武田
Satoshi Makio
諭 牧尾
Masazumi Sato
佐藤 正純
Yasunori Furukawa
保典 古川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Priority to JP12578087A priority Critical patent/JPS63291892A/ja
Publication of JPS63291892A publication Critical patent/JPS63291892A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野) 本発明はフローティングゾーン法(以下FZ法と略記す
る)における、新規な単結晶の製造方法に関する。
[従来の技術] 従来メルト法による単結晶製造方法として、ブリッジマ
ン法、ベルヌーイ法及び引き上げ法等が多く用いられて
いる。しかし、ブリッジマン法は工業的には大型結晶が
得られる利点はあるが、反面結晶欠陥が多い欠点がある
。ベルヌーイ法は水素ガスを使用するため安全上問題が
あり、引き上げ法は高価な坩堝を必要とし、坩堝材質の
溶解による汚染の心配がある等の問題点を有している。
そこで、最近坩堝が不要で汚染の心配がなく、かつ危険
なガスを使用する必要のないFZ法が注目を集めている
。またFZ法は局所加熱のためエネルギー効率が極めて
よく将来の省エネルギー産業としても適している。これ
はとりもなおさず単結晶の低価格化に結び付いている。
第3図にFZ法の概要を示す。ここで1は回転楕円面鏡
、2はハロゲンランプ、3は石英管、4はガス導入口、
5はガス排出口、6は原料棒・7は種結晶、8は溶融帯
、9は上部シャフト・1゜は下部シャフト、11は0リ
ングである。上部シャフト9に原料棒6をセットし、下
部シャフト10に種結晶7をセットする。ハロゲンラン
プ2のパワーを次第に上げ、回転楕円面鏡1により該ハ
ロゲンランプの光を、石英管3の中央部に集光する。こ
の時、同時にガス導入口4がら雰囲気ガスを導入し、ガ
ス排出口5から雰囲気ガスを排出する。なお雰囲気ガス
としては、通常、空気が使用されるが、材質に応じて、
アルゴン、窒素、−酸化炭素、二酸化炭素、水素、酸素
等が使用される。
集光部において、原料棒6の先端と種結晶7の先端とを
溶融接触させて、溶融帯8を形成する。
この時上部シャフト9及び下部シャフト10は、同方向
ないしは逆方向に回転させ、上下のシャフトが同時に移
動することにより結晶が育成される。
第4図は溶融帯の部分を拡大した図である。ここでは2
1は原料棒、22は育成結晶、23は溶融帯である。い
ま、析出結晶の直径[)Sの測定部をA−A’断面矢視
図として第5図に示す。
かかるFZ法における結晶育成では、これまで結晶外径
[]Sを一定に保つための制御は一部報告されている。
これは、特開昭60−71589に示されているように
結晶径を直接検出して自動制御を行う方法である。
[発明が解決しようとする問題点] しかし、この方法では、ハロゲンランプからの迷光のた
めに析出結晶の直径を正確に測定することが極めて難し
い。実際的には、専ら第4図に示すような溶融帯の状況
(例えば溶融部の高さHや最小径d)を目視で視察しな
がらランプパワーの制御、あるいは溶融帯の高さを手動
で調整していた。ここでDOは原料棒の直径である。
このため結晶外径Dsが変動し、極端な場合には融液の
垂れ、あるいは溶融帯での破断が生じて良質な単結晶が
得られなかった。また、−人の作業者が監視できる装置
台数も限定され、結晶の価格も高価なものとなっていた
本発明の目的は結晶の育成を安定にして行うことにより
、良質な単結晶を得ることである。本発明のもう1つの
目的は装置の自動化を促進し、安価な単結晶を得ること
である。
[問題点を解決するための手段] 本発明はかかる欠点を除去するもので、光学的検出法に
より前記析出結晶の直径を測定し、育成結晶の直径を制
御する単結晶の製造方法おいて、前記光学的検出方法と
して複数の画素を有する検出器を用い、該検出器より時
分割的に抽出された複数の画像の出力信号を演算処理す
ることにより前記析出結晶の直径を求め、これを融液の
温度あるいは融液の高さにフィードバックすることによ
り極めて結晶外径Dsの安定した単結晶を製造できる方
法を提供する。
[実施例] 以下実施例により本発明について更に詳しく説明する。
第1図に本発明に基づくシステムのブロック図を示す。
ここで31は光学系、32はカメラ部、33はタイミン
グ部、34はキー人力部、35はコントロール部、36
はDA変換部、37はAD変換部、38は表示・部、3
9はプリンタ一部、40はランプパワーコントロール部
、41はギャップ調整部、42は画像処理部である。
カメラ部32はラインセンサーあるいはビデオカメラの
何れも使用可能であるが、高解像度を必要とする場合に
はラインセンサーを使用する場合がある。本実施例では
ビデオカメラの場合について述べる。
画像処理部42はタイミング部33の信号を得たときの
みカメラ部32からの像の処理を行う。
これは第5図に示すように、析出結晶の断面は真円では
なく、一般的には楕円形状となるため、下部シャフト1
0から回転同期信号を取り出し、これに同期したある時
間に前記析出結晶の直径Dsを測定する。
しかし、直径[)Sを精度よく測定することは極めて困
難である。原料棒21と育成結晶22は逆方向に回転し
ているために溶融部23は常に空間的に変動しているか
らである。またある時間の静止画像を得たとしても析出
結晶の部分とその他の迷光の部分を区別し、直径Dsを
決定することは至難のことである。本発明の実施例では
この問題を解決している。
第2図に本発明の実施例における析出結晶の直径の測定
方法を示す。
画像処理としては、析出結晶が回転し、時間的に僅かに
変動することに着目し、第2図に示すように、時分割し
て抽出した異なる時間の2つの画@A、Bを比較して静
止部と運動部とを区別し、その境界を演算処理(本実施
例の場合は引算でA−B)により導出する。次にこの境
界の横方向の長さを何回か走査して測定し、析出結晶の
直径[)Sを見つける。
この様に測定された直径の信号はコントロール部35に
送られる。コントロール部35では測定された直径[)
Sの大きさを基準値もしくは一定時間前の直径DSOと
比較して現在の溶融状態の推移の仕方を判定し、種々の
コントロール信号を送り出す。
コントロール部35で処理された信号はDA変換器36
を経て、ランプパワーコントロール部40でランプパワ
ーを調整し、融液の温度を制御する。あるいはギャップ
調整41でギャップ調整を行い融液の高さH@調節する
なおランプパワーおよびギャップはAD変換器37を経
てコントロール部35に再度フィードバックされる。
一方、キー人力部34では初期の各種定数をインプット
し、表示部38はその時々のランプパワー等を表示する
。更に、プリンタ部39は所定の時間毎にPIDの各種
定数、そのときの融液の最小径d及び結晶径Qs等をプ
リントアウトする。
従来目視では結晶径Daの制御精度が10ミリメートル
±0.5ミリメートル前後であったものが、本発明の方
式を用いることにより、±0.1ミリメートル以内に制
御され、同時に融液の垂れ、溶融帯での破断が防止でき
、極めて安定な結晶育成が可能となった。
しかも結晶径が変動すると、定常状態における固液界面
の微妙な乱れにより結晶欠陥を生じ、また色ムラや気泡
を生じ易くなる等の品質上の問題。
があったが、かかる欠点も除外され、極めて良質な単結
晶が得られた。
更に従来目視による監視では一人の作業者に対して同時
に3〜5台操作するのがやっとであったが、本発明の方
式によれば20〜30台同時に監視することが可能とな
り、単結晶の低価格化に大きく貢献した。
[発明の効果〕 以上詳述したように本発明によれば、ルビー、ザファイ
ア、アレキサンドライト等の宝石用単結晶は勿論、YI
G、YAG、GGG等の工業用単結晶にも応用でき、良
質で安価な単結晶を供給することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に基づく製造システムのブロック図、第
2図は本発明による析出結晶の直径測定の様子を示す図
、第3図は従来のFZ法の概要を示す図、第4図は溶融
帯の拡大図、第5図は第4図のA−A’断面矢視図であ
る。 31・・・光学系、32・・・カメラ部、33・・・タ
イミング部、34・・・キー人力部、35・・・コント
ロ−メル部、36・・・DA変換部、37・・・AD変
換部、38・・・表示部、39・・・プリンタ一部、4
0・・・ランプパワーコントロール部、41・・・ギャ
ップ調整部、42・・・画像処理部。 メ 3 図 第4図 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高温の光源から発する光を反射鏡またはレンズを用いて
    集光し、該集光部において、原料棒と種結晶とを結合す
    る溶融帯をフローティングゾーンとして形成し、該フロ
    ーティングゾーンを一定速度で移動することにより、前
    記種結晶上に単結晶を析出させるフローテングゾーン法
    を用い、更に光学的検出法を用いて前記析出結晶の直径
    を測定し、これを融液の温度、あるいは融液の高さにフ
    ィードバックすることにより、育成結晶の直径を制御す
    る単結晶の製造方法において、前記光学的検出法として
    複数の画素を有する検出器を用い、該検出器により時分
    割的に抽出される複数の画像の出力信号を演算処理する
    ことにより前記析出結晶の直径を求めることを特徴とす
    る単結晶の製造方法。
JP12578087A 1987-05-25 1987-05-25 単結晶の製造方法 Pending JPS63291892A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12578087A JPS63291892A (ja) 1987-05-25 1987-05-25 単結晶の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12578087A JPS63291892A (ja) 1987-05-25 1987-05-25 単結晶の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63291892A true JPS63291892A (ja) 1988-11-29

Family

ID=14918661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12578087A Pending JPS63291892A (ja) 1987-05-25 1987-05-25 単結晶の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63291892A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013249220A (ja) * 2012-05-30 2013-12-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体単結晶棒の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013249220A (ja) * 2012-05-30 2013-12-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体単結晶棒の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03279803A (ja) 結晶育成自動制御用直径測定方法及び装置
JPS63291892A (ja) 単結晶の製造方法
JPS63291891A (ja) 単結晶の製造方法
JPH0534317B2 (ja)
JPH0534318B2 (ja)
JPS60103095A (ja) 単結晶の製造方法
US6093244A (en) Silicon ribbon growth dendrite thickness control system
JP3611364B2 (ja) 単結晶の直径制御方法
JPH0354186A (ja) 浮遊帯溶融装置
JPS60221387A (ja) 赤外線加熱単結晶製造装置
JP2814035B2 (ja) 半導体単結晶の直径制御方法およびその装置
JPS6197186A (ja) 単結晶の製造方法
JPH0541597B2 (ja)
JPH11130585A (ja) 単結晶引上装置
WO2023195217A1 (ja) シリコン単結晶の製造方法及び装置並びにシリコンウェーハの製造方法
JPH0541598B2 (ja)
JPS60191093A (ja) 単結晶の製造方法
JPH0541599B2 (ja)
JPH0859247A (ja) 合成炉装置
JP3655355B2 (ja) 半導体単結晶製造工程における最適溶融液温度の検知方法
JPS63281022A (ja) 単結晶成長装置における融液面のレベル測定方法
JPS60221386A (ja) 赤外線集光加熱単結晶製造装置
JPH07172993A (ja) ルチル単結晶の製造方法
JPS6027686A (ja) 単結晶製造装置
JPS6042296A (ja) 引上中に単結晶の直径を制御する装置