JPS63291892A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS63291892A JPS63291892A JP12578087A JP12578087A JPS63291892A JP S63291892 A JPS63291892 A JP S63291892A JP 12578087 A JP12578087 A JP 12578087A JP 12578087 A JP12578087 A JP 12578087A JP S63291892 A JPS63291892 A JP S63291892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diameter
- crystal
- melt
- single crystal
- plural images
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野)
本発明はフローティングゾーン法(以下FZ法と略記す
る)における、新規な単結晶の製造方法に関する。
る)における、新規な単結晶の製造方法に関する。
[従来の技術]
従来メルト法による単結晶製造方法として、ブリッジマ
ン法、ベルヌーイ法及び引き上げ法等が多く用いられて
いる。しかし、ブリッジマン法は工業的には大型結晶が
得られる利点はあるが、反面結晶欠陥が多い欠点がある
。ベルヌーイ法は水素ガスを使用するため安全上問題が
あり、引き上げ法は高価な坩堝を必要とし、坩堝材質の
溶解による汚染の心配がある等の問題点を有している。
ン法、ベルヌーイ法及び引き上げ法等が多く用いられて
いる。しかし、ブリッジマン法は工業的には大型結晶が
得られる利点はあるが、反面結晶欠陥が多い欠点がある
。ベルヌーイ法は水素ガスを使用するため安全上問題が
あり、引き上げ法は高価な坩堝を必要とし、坩堝材質の
溶解による汚染の心配がある等の問題点を有している。
そこで、最近坩堝が不要で汚染の心配がなく、かつ危険
なガスを使用する必要のないFZ法が注目を集めている
。またFZ法は局所加熱のためエネルギー効率が極めて
よく将来の省エネルギー産業としても適している。これ
はとりもなおさず単結晶の低価格化に結び付いている。
なガスを使用する必要のないFZ法が注目を集めている
。またFZ法は局所加熱のためエネルギー効率が極めて
よく将来の省エネルギー産業としても適している。これ
はとりもなおさず単結晶の低価格化に結び付いている。
第3図にFZ法の概要を示す。ここで1は回転楕円面鏡
、2はハロゲンランプ、3は石英管、4はガス導入口、
5はガス排出口、6は原料棒・7は種結晶、8は溶融帯
、9は上部シャフト・1゜は下部シャフト、11は0リ
ングである。上部シャフト9に原料棒6をセットし、下
部シャフト10に種結晶7をセットする。ハロゲンラン
プ2のパワーを次第に上げ、回転楕円面鏡1により該ハ
ロゲンランプの光を、石英管3の中央部に集光する。こ
の時、同時にガス導入口4がら雰囲気ガスを導入し、ガ
ス排出口5から雰囲気ガスを排出する。なお雰囲気ガス
としては、通常、空気が使用されるが、材質に応じて、
アルゴン、窒素、−酸化炭素、二酸化炭素、水素、酸素
等が使用される。
、2はハロゲンランプ、3は石英管、4はガス導入口、
5はガス排出口、6は原料棒・7は種結晶、8は溶融帯
、9は上部シャフト・1゜は下部シャフト、11は0リ
ングである。上部シャフト9に原料棒6をセットし、下
部シャフト10に種結晶7をセットする。ハロゲンラン
プ2のパワーを次第に上げ、回転楕円面鏡1により該ハ
ロゲンランプの光を、石英管3の中央部に集光する。こ
の時、同時にガス導入口4がら雰囲気ガスを導入し、ガ
ス排出口5から雰囲気ガスを排出する。なお雰囲気ガス
としては、通常、空気が使用されるが、材質に応じて、
アルゴン、窒素、−酸化炭素、二酸化炭素、水素、酸素
等が使用される。
集光部において、原料棒6の先端と種結晶7の先端とを
溶融接触させて、溶融帯8を形成する。
溶融接触させて、溶融帯8を形成する。
この時上部シャフト9及び下部シャフト10は、同方向
ないしは逆方向に回転させ、上下のシャフトが同時に移
動することにより結晶が育成される。
ないしは逆方向に回転させ、上下のシャフトが同時に移
動することにより結晶が育成される。
第4図は溶融帯の部分を拡大した図である。ここでは2
1は原料棒、22は育成結晶、23は溶融帯である。い
ま、析出結晶の直径[)Sの測定部をA−A’断面矢視
図として第5図に示す。
1は原料棒、22は育成結晶、23は溶融帯である。い
ま、析出結晶の直径[)Sの測定部をA−A’断面矢視
図として第5図に示す。
かかるFZ法における結晶育成では、これまで結晶外径
[]Sを一定に保つための制御は一部報告されている。
[]Sを一定に保つための制御は一部報告されている。
これは、特開昭60−71589に示されているように
結晶径を直接検出して自動制御を行う方法である。
結晶径を直接検出して自動制御を行う方法である。
[発明が解決しようとする問題点]
しかし、この方法では、ハロゲンランプからの迷光のた
めに析出結晶の直径を正確に測定することが極めて難し
い。実際的には、専ら第4図に示すような溶融帯の状況
(例えば溶融部の高さHや最小径d)を目視で視察しな
がらランプパワーの制御、あるいは溶融帯の高さを手動
で調整していた。ここでDOは原料棒の直径である。
めに析出結晶の直径を正確に測定することが極めて難し
い。実際的には、専ら第4図に示すような溶融帯の状況
(例えば溶融部の高さHや最小径d)を目視で視察しな
がらランプパワーの制御、あるいは溶融帯の高さを手動
で調整していた。ここでDOは原料棒の直径である。
このため結晶外径Dsが変動し、極端な場合には融液の
垂れ、あるいは溶融帯での破断が生じて良質な単結晶が
得られなかった。また、−人の作業者が監視できる装置
台数も限定され、結晶の価格も高価なものとなっていた
。
垂れ、あるいは溶融帯での破断が生じて良質な単結晶が
得られなかった。また、−人の作業者が監視できる装置
台数も限定され、結晶の価格も高価なものとなっていた
。
本発明の目的は結晶の育成を安定にして行うことにより
、良質な単結晶を得ることである。本発明のもう1つの
目的は装置の自動化を促進し、安価な単結晶を得ること
である。
、良質な単結晶を得ることである。本発明のもう1つの
目的は装置の自動化を促進し、安価な単結晶を得ること
である。
[問題点を解決するための手段]
本発明はかかる欠点を除去するもので、光学的検出法に
より前記析出結晶の直径を測定し、育成結晶の直径を制
御する単結晶の製造方法おいて、前記光学的検出方法と
して複数の画素を有する検出器を用い、該検出器より時
分割的に抽出された複数の画像の出力信号を演算処理す
ることにより前記析出結晶の直径を求め、これを融液の
温度あるいは融液の高さにフィードバックすることによ
り極めて結晶外径Dsの安定した単結晶を製造できる方
法を提供する。
より前記析出結晶の直径を測定し、育成結晶の直径を制
御する単結晶の製造方法おいて、前記光学的検出方法と
して複数の画素を有する検出器を用い、該検出器より時
分割的に抽出された複数の画像の出力信号を演算処理す
ることにより前記析出結晶の直径を求め、これを融液の
温度あるいは融液の高さにフィードバックすることによ
り極めて結晶外径Dsの安定した単結晶を製造できる方
法を提供する。
[実施例]
以下実施例により本発明について更に詳しく説明する。
第1図に本発明に基づくシステムのブロック図を示す。
ここで31は光学系、32はカメラ部、33はタイミン
グ部、34はキー人力部、35はコントロール部、36
はDA変換部、37はAD変換部、38は表示・部、3
9はプリンタ一部、40はランプパワーコントロール部
、41はギャップ調整部、42は画像処理部である。
グ部、34はキー人力部、35はコントロール部、36
はDA変換部、37はAD変換部、38は表示・部、3
9はプリンタ一部、40はランプパワーコントロール部
、41はギャップ調整部、42は画像処理部である。
カメラ部32はラインセンサーあるいはビデオカメラの
何れも使用可能であるが、高解像度を必要とする場合に
はラインセンサーを使用する場合がある。本実施例では
ビデオカメラの場合について述べる。
何れも使用可能であるが、高解像度を必要とする場合に
はラインセンサーを使用する場合がある。本実施例では
ビデオカメラの場合について述べる。
画像処理部42はタイミング部33の信号を得たときの
みカメラ部32からの像の処理を行う。
みカメラ部32からの像の処理を行う。
これは第5図に示すように、析出結晶の断面は真円では
なく、一般的には楕円形状となるため、下部シャフト1
0から回転同期信号を取り出し、これに同期したある時
間に前記析出結晶の直径Dsを測定する。
なく、一般的には楕円形状となるため、下部シャフト1
0から回転同期信号を取り出し、これに同期したある時
間に前記析出結晶の直径Dsを測定する。
しかし、直径[)Sを精度よく測定することは極めて困
難である。原料棒21と育成結晶22は逆方向に回転し
ているために溶融部23は常に空間的に変動しているか
らである。またある時間の静止画像を得たとしても析出
結晶の部分とその他の迷光の部分を区別し、直径Dsを
決定することは至難のことである。本発明の実施例では
この問題を解決している。
難である。原料棒21と育成結晶22は逆方向に回転し
ているために溶融部23は常に空間的に変動しているか
らである。またある時間の静止画像を得たとしても析出
結晶の部分とその他の迷光の部分を区別し、直径Dsを
決定することは至難のことである。本発明の実施例では
この問題を解決している。
第2図に本発明の実施例における析出結晶の直径の測定
方法を示す。
方法を示す。
画像処理としては、析出結晶が回転し、時間的に僅かに
変動することに着目し、第2図に示すように、時分割し
て抽出した異なる時間の2つの画@A、Bを比較して静
止部と運動部とを区別し、その境界を演算処理(本実施
例の場合は引算でA−B)により導出する。次にこの境
界の横方向の長さを何回か走査して測定し、析出結晶の
直径[)Sを見つける。
変動することに着目し、第2図に示すように、時分割し
て抽出した異なる時間の2つの画@A、Bを比較して静
止部と運動部とを区別し、その境界を演算処理(本実施
例の場合は引算でA−B)により導出する。次にこの境
界の横方向の長さを何回か走査して測定し、析出結晶の
直径[)Sを見つける。
この様に測定された直径の信号はコントロール部35に
送られる。コントロール部35では測定された直径[)
Sの大きさを基準値もしくは一定時間前の直径DSOと
比較して現在の溶融状態の推移の仕方を判定し、種々の
コントロール信号を送り出す。
送られる。コントロール部35では測定された直径[)
Sの大きさを基準値もしくは一定時間前の直径DSOと
比較して現在の溶融状態の推移の仕方を判定し、種々の
コントロール信号を送り出す。
コントロール部35で処理された信号はDA変換器36
を経て、ランプパワーコントロール部40でランプパワ
ーを調整し、融液の温度を制御する。あるいはギャップ
調整41でギャップ調整を行い融液の高さH@調節する
。
を経て、ランプパワーコントロール部40でランプパワ
ーを調整し、融液の温度を制御する。あるいはギャップ
調整41でギャップ調整を行い融液の高さH@調節する
。
なおランプパワーおよびギャップはAD変換器37を経
てコントロール部35に再度フィードバックされる。
てコントロール部35に再度フィードバックされる。
一方、キー人力部34では初期の各種定数をインプット
し、表示部38はその時々のランプパワー等を表示する
。更に、プリンタ部39は所定の時間毎にPIDの各種
定数、そのときの融液の最小径d及び結晶径Qs等をプ
リントアウトする。
し、表示部38はその時々のランプパワー等を表示する
。更に、プリンタ部39は所定の時間毎にPIDの各種
定数、そのときの融液の最小径d及び結晶径Qs等をプ
リントアウトする。
従来目視では結晶径Daの制御精度が10ミリメートル
±0.5ミリメートル前後であったものが、本発明の方
式を用いることにより、±0.1ミリメートル以内に制
御され、同時に融液の垂れ、溶融帯での破断が防止でき
、極めて安定な結晶育成が可能となった。
±0.5ミリメートル前後であったものが、本発明の方
式を用いることにより、±0.1ミリメートル以内に制
御され、同時に融液の垂れ、溶融帯での破断が防止でき
、極めて安定な結晶育成が可能となった。
しかも結晶径が変動すると、定常状態における固液界面
の微妙な乱れにより結晶欠陥を生じ、また色ムラや気泡
を生じ易くなる等の品質上の問題。
の微妙な乱れにより結晶欠陥を生じ、また色ムラや気泡
を生じ易くなる等の品質上の問題。
があったが、かかる欠点も除外され、極めて良質な単結
晶が得られた。
晶が得られた。
更に従来目視による監視では一人の作業者に対して同時
に3〜5台操作するのがやっとであったが、本発明の方
式によれば20〜30台同時に監視することが可能とな
り、単結晶の低価格化に大きく貢献した。
に3〜5台操作するのがやっとであったが、本発明の方
式によれば20〜30台同時に監視することが可能とな
り、単結晶の低価格化に大きく貢献した。
[発明の効果〕
以上詳述したように本発明によれば、ルビー、ザファイ
ア、アレキサンドライト等の宝石用単結晶は勿論、YI
G、YAG、GGG等の工業用単結晶にも応用でき、良
質で安価な単結晶を供給することができる。
ア、アレキサンドライト等の宝石用単結晶は勿論、YI
G、YAG、GGG等の工業用単結晶にも応用でき、良
質で安価な単結晶を供給することができる。
第1図は本発明に基づく製造システムのブロック図、第
2図は本発明による析出結晶の直径測定の様子を示す図
、第3図は従来のFZ法の概要を示す図、第4図は溶融
帯の拡大図、第5図は第4図のA−A’断面矢視図であ
る。 31・・・光学系、32・・・カメラ部、33・・・タ
イミング部、34・・・キー人力部、35・・・コント
ロ−メル部、36・・・DA変換部、37・・・AD変
換部、38・・・表示部、39・・・プリンタ一部、4
0・・・ランプパワーコントロール部、41・・・ギャ
ップ調整部、42・・・画像処理部。 メ 3 図 第4図 第5図
2図は本発明による析出結晶の直径測定の様子を示す図
、第3図は従来のFZ法の概要を示す図、第4図は溶融
帯の拡大図、第5図は第4図のA−A’断面矢視図であ
る。 31・・・光学系、32・・・カメラ部、33・・・タ
イミング部、34・・・キー人力部、35・・・コント
ロ−メル部、36・・・DA変換部、37・・・AD変
換部、38・・・表示部、39・・・プリンタ一部、4
0・・・ランプパワーコントロール部、41・・・ギャ
ップ調整部、42・・・画像処理部。 メ 3 図 第4図 第5図
Claims (1)
- 高温の光源から発する光を反射鏡またはレンズを用いて
集光し、該集光部において、原料棒と種結晶とを結合す
る溶融帯をフローティングゾーンとして形成し、該フロ
ーティングゾーンを一定速度で移動することにより、前
記種結晶上に単結晶を析出させるフローテングゾーン法
を用い、更に光学的検出法を用いて前記析出結晶の直径
を測定し、これを融液の温度、あるいは融液の高さにフ
ィードバックすることにより、育成結晶の直径を制御す
る単結晶の製造方法において、前記光学的検出法として
複数の画素を有する検出器を用い、該検出器により時分
割的に抽出される複数の画像の出力信号を演算処理する
ことにより前記析出結晶の直径を求めることを特徴とす
る単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12578087A JPS63291892A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12578087A JPS63291892A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63291892A true JPS63291892A (ja) | 1988-11-29 |
Family
ID=14918661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12578087A Pending JPS63291892A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63291892A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013249220A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶棒の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-25 JP JP12578087A patent/JPS63291892A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013249220A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶棒の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH03279803A (ja) | 結晶育成自動制御用直径測定方法及び装置 | |
JPS63291892A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JPS63291891A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JPH0534317B2 (ja) | ||
JPH0534318B2 (ja) | ||
JPS60103095A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
US6093244A (en) | Silicon ribbon growth dendrite thickness control system | |
JP3611364B2 (ja) | 単結晶の直径制御方法 | |
JPH0354186A (ja) | 浮遊帯溶融装置 | |
JPS60221387A (ja) | 赤外線加熱単結晶製造装置 | |
JP2814035B2 (ja) | 半導体単結晶の直径制御方法およびその装置 | |
JPS6197186A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JPH0541597B2 (ja) | ||
JPH11130585A (ja) | 単結晶引上装置 | |
WO2023195217A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法及び装置並びにシリコンウェーハの製造方法 | |
JPH0541598B2 (ja) | ||
JPS60191093A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JPH0541599B2 (ja) | ||
JPH0859247A (ja) | 合成炉装置 | |
JP3655355B2 (ja) | 半導体単結晶製造工程における最適溶融液温度の検知方法 | |
JPS63281022A (ja) | 単結晶成長装置における融液面のレベル測定方法 | |
JPS60221386A (ja) | 赤外線集光加熱単結晶製造装置 | |
JPH07172993A (ja) | ルチル単結晶の製造方法 | |
JPS6027686A (ja) | 単結晶製造装置 | |
JPS6042296A (ja) | 引上中に単結晶の直径を制御する装置 |