JPS63291891A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
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- JPS63291891A JPS63291891A JP12577987A JP12577987A JPS63291891A JP S63291891 A JPS63291891 A JP S63291891A JP 12577987 A JP12577987 A JP 12577987A JP 12577987 A JP12577987 A JP 12577987A JP S63291891 A JPS63291891 A JP S63291891A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はフローティングゾーン法(以下FZ法と略記す
る)における、新規な単結晶の製造方法に関する。
る)における、新規な単結晶の製造方法に関する。
し従来の技術]
従来メルト法による単結晶製造方法として、ブリッジマ
ン法、ベルヌーイ法及び引き上げ法等が多く用いられて
いる。しかし、ブリッジマン法は工業的には大型結晶が
得られる利点はあるが、反面結晶欠陥が多い欠点がある
。ベルヌーイ法は水素ガスを使用するため安全上問題が
あり、引き、上げ法は高価な坩堝を必要とし、坩堝材質
の溶解による汚染の心配がある等の問題点を有している
。
ン法、ベルヌーイ法及び引き上げ法等が多く用いられて
いる。しかし、ブリッジマン法は工業的には大型結晶が
得られる利点はあるが、反面結晶欠陥が多い欠点がある
。ベルヌーイ法は水素ガスを使用するため安全上問題が
あり、引き、上げ法は高価な坩堝を必要とし、坩堝材質
の溶解による汚染の心配がある等の問題点を有している
。
そこで、最近坩堝が不要で汚染の心配がなく、かつ危険
なガスを使用する必要のないFZ法が注目を集めている
。またFZ法は局所加熱のためエネルギー効率が極めて
よく将来の省エネルギー産業としても適している。これ
はとりもなおさず単結晶の低価格化に結び付いている。
なガスを使用する必要のないFZ法が注目を集めている
。またFZ法は局所加熱のためエネルギー効率が極めて
よく将来の省エネルギー産業としても適している。これ
はとりもなおさず単結晶の低価格化に結び付いている。
第3図にFZ法の概要を示す。ここで1は回転楕円面鏡
、2はハロゲンランプ、3は石英管、4はガス導入口、
5はガス排出口、6は原料棒、7は種結晶、8は溶融帯
、9は上部シャフト、10は下部シャフト、11はOリ
ングである。上部シのパワーを次第に上げ、回転楕円面
miにより該ハロゲンランプの光を、石英管3の中央部
に集光する。この時、同時にガス導入口4から雰囲気ガ
スを導入し、ガス排出口5から雰囲気ガスを排出する。
、2はハロゲンランプ、3は石英管、4はガス導入口、
5はガス排出口、6は原料棒、7は種結晶、8は溶融帯
、9は上部シャフト、10は下部シャフト、11はOリ
ングである。上部シのパワーを次第に上げ、回転楕円面
miにより該ハロゲンランプの光を、石英管3の中央部
に集光する。この時、同時にガス導入口4から雰囲気ガ
スを導入し、ガス排出口5から雰囲気ガスを排出する。
なお雰囲気ガスとしては、通常、空気が使用されるが、
材質に応じて、アルゴン、窒素、−酸化炭素、二酸化炭
素、水素、酸素等が使用される。
材質に応じて、アルゴン、窒素、−酸化炭素、二酸化炭
素、水素、酸素等が使用される。
集光部において、原料棒6の先端と種結晶7の先端とを
溶融接触させて、溶融帯8を形成する。
溶融接触させて、溶融帯8を形成する。
この時上部シャフト9及び下部シャフト10は、同方向
ないしは逆方向に回転させ、上下のシャフトが同時に移
動することにより結晶が育成される。
ないしは逆方向に回転させ、上下のシャフトが同時に移
動することにより結晶が育成される。
第4図は溶融帯の部分を拡大した図である。ここでは2
1は原料棒、22は育成結晶、23は溶融帯である。い
ま、融液の最小径dの測定部を八−A’ (溶融部の
ほぼ中央より少し上の部分)断面矢視図として第5図に
示す。
1は原料棒、22は育成結晶、23は溶融帯である。い
ま、融液の最小径dの測定部を八−A’ (溶融部の
ほぼ中央より少し上の部分)断面矢視図として第5図に
示す。
かかるFZ法における結晶育成では、これまで結晶外径
O3を一定に保つための制御は一部報告されている。こ
れは、特開昭60−71589に示されているように結
晶径を直接検出して自動制御を行う方法である。
O3を一定に保つための制御は一部報告されている。こ
れは、特開昭60−71589に示されているように結
晶径を直接検出して自動制御を行う方法である。
[発明が解決しようとする問題点]
しかし、これでは時定数が長く、FZ法の制御の安定性
を維持するのには必ずしも適しているとは言えない。実
際には専ら第4図に示すような溶融帯の状況(例えば溶
融部の高さHや最小径d)を目視で視察しながらランプ
パワーの制御、あるいは溶融帯の高さを手動で調整して
いた。ここでDOは原料棒の直径である。
を維持するのには必ずしも適しているとは言えない。実
際には専ら第4図に示すような溶融帯の状況(例えば溶
融部の高さHや最小径d)を目視で視察しながらランプ
パワーの制御、あるいは溶融帯の高さを手動で調整して
いた。ここでDOは原料棒の直径である。
このため結晶外径[)Sが変動し、極端な場合には融液
の垂れ、あるいは溶融帯での破断が生じて良質な単結晶
が得られなかった。特に、融液の最小直径dの時間的変
動は直接単結晶の品質に影響を与えると供にFZ法によ
る単結晶の育成状態の安定性にも重要な関係がある。ま
た、−人の作業者が監視できる装置台数も限定され、結
晶の価格も高価なものとなっていた。
の垂れ、あるいは溶融帯での破断が生じて良質な単結晶
が得られなかった。特に、融液の最小直径dの時間的変
動は直接単結晶の品質に影響を与えると供にFZ法によ
る単結晶の育成状態の安定性にも重要な関係がある。ま
た、−人の作業者が監視できる装置台数も限定され、結
晶の価格も高価なものとなっていた。
本発明の目的は結晶の育成を安定にして行うことにより
、良質な単結晶を得ることである。本発明のもう1つの
目的は装置の自動化を促進し、安価な単結晶を得ること
である。
、良質な単結晶を得ることである。本発明のもう1つの
目的は装置の自動化を促進し、安価な単結晶を得ること
である。
[問題点を解決するための手段]
本発明はかかる欠点を除去するもので、光学的検出法に
より溶融帯の最小径dを測定し、これを融液の温度ある
いは融液の高さにフィードバックすることにより極めて
結晶外径の安定した単結晶を製造できる方法を提供する
。
より溶融帯の最小径dを測定し、これを融液の温度ある
いは融液の高さにフィードバックすることにより極めて
結晶外径の安定した単結晶を製造できる方法を提供する
。
[実施例]
以下実施例により本発明について更に詳しく説明する。
第1図に本発明に基づくシステムのブロック図を示す。
ここで31は光学系、32はカメラ部、33はタイミン
グ部、34はキー人力部、35はコントロール部、36
はOA変換部、37はAD変換部、38は表示部、39
はプリンタ一部、40はランプパワーコントロール部、
41はギャップ調整部、42は画像処理部である。
グ部、34はキー人力部、35はコントロール部、36
はOA変換部、37はAD変換部、38は表示部、39
はプリンタ一部、40はランプパワーコントロール部、
41はギャップ調整部、42は画像処理部である。
カメラ部32はラインセンサーあるいはビデオカメラの
何れも使用可能であるが、高解像度を必要とする場合に
はラインセンサーを使用する場合がある。本実施例では
主にビデオカメラを使用した場合について述べる。
何れも使用可能であるが、高解像度を必要とする場合に
はラインセンサーを使用する場合がある。本実施例では
主にビデオカメラを使用した場合について述べる。
画像処理部42はタイミング部33の信号を得たときの
みカメラ部32からの像の処理を行う。
みカメラ部32からの像の処理を行う。
これは第5図に示すように、溶融帯の融液の断面は真円
ではなく、一般的には楕円形状となるため、下部シャフ
ト10もしくは上部シャフト9からの回転同期信号を取
り出し、これに従って前記融液の最小直径dを測定する
。
ではなく、一般的には楕円形状となるため、下部シャフ
ト10もしくは上部シャフト9からの回転同期信号を取
り出し、これに従って前記融液の最小直径dを測定する
。
しかし、最小径dを精度よく測定することは極めて困難
である。原料棒21と育成結晶22は逆方向に回転して
いるために溶融部23は常に空間的に変動しているから
である。またある時間の静止画像を得たとしても溶融部
とその他の迷光の部分を区別して、最小直径dを決定す
ることは至難のことである。本発明の実施例ではこの問
題も解決している。
である。原料棒21と育成結晶22は逆方向に回転して
いるために溶融部23は常に空間的に変動しているから
である。またある時間の静止画像を得たとしても溶融部
とその他の迷光の部分を区別して、最小直径dを決定す
ることは至難のことである。本発明の実施例ではこの問
題も解決している。
第2図に本発明の実施例における融液の直径の測定方法
を示す。
を示す。
画像処理としては、融液部分が時間的に僅かに変動する
ことに着目し、第2図に示すように、時分割して抽出し
た異なる時間の2つの画像A、Bを比較して静止部と運
動部とを区別し、その境界を演算処理(本実施例の場合
は引算でA−8)により導出する。次にこの境界の横方
向の長さに何回か走査して測定し、最小径dを見つける
。
ことに着目し、第2図に示すように、時分割して抽出し
た異なる時間の2つの画像A、Bを比較して静止部と運
動部とを区別し、その境界を演算処理(本実施例の場合
は引算でA−8)により導出する。次にこの境界の横方
向の長さに何回か走査して測定し、最小径dを見つける
。
この様に測定された最小径の信号はコントロール部35
に送られる。コントロール部35では測定された最小径
dの大きさを基準値もしくは一定時間前の最小径dOと
比較して現在の溶融状態の推移の仕方を判定し、種々の
コントロール信号を送り出す。
に送られる。コントロール部35では測定された最小径
dの大きさを基準値もしくは一定時間前の最小径dOと
比較して現在の溶融状態の推移の仕方を判定し、種々の
コントロール信号を送り出す。
コントロール部35で処理された信号はDA変換器36
を経て、ランプパワーコントロール部40でランプパワ
ーを調整し、融液の温度を制御する。あるいはギャップ
調整41でギャップ調整を行い融液の高さHを調節する
。
を経て、ランプパワーコントロール部40でランプパワ
ーを調整し、融液の温度を制御する。あるいはギャップ
調整41でギャップ調整を行い融液の高さHを調節する
。
なおランプパワーおよびギャップはAD変換器37を経
てコントロール部35に再度フィードバックされる。
てコントロール部35に再度フィードバックされる。
一方、キー人力部34では初期の各種定数をインプット
し、表示部38はその時々のランプパワー等を表示する
。更に、プリンタ部39は所定の時間毎にPIDの各種
定数、そのときの融液の最小径d及び結晶径DS等をプ
リントアウトする。
し、表示部38はその時々のランプパワー等を表示する
。更に、プリンタ部39は所定の時間毎にPIDの各種
定数、そのときの融液の最小径d及び結晶径DS等をプ
リントアウトする。
従来目視では結晶径の制御精度が10ミリメートル±0
.5ミリメートル前後であったものが、本発明の方式を
用いることにより、±0.1ミリメートル以内に制御さ
れ、同時に融液の垂れ、溶融帯での破断が防止でき、極
めて安定な結晶育成が可能となった。
.5ミリメートル前後であったものが、本発明の方式を
用いることにより、±0.1ミリメートル以内に制御さ
れ、同時に融液の垂れ、溶融帯での破断が防止でき、極
めて安定な結晶育成が可能となった。
しかも結晶径が変動すると、定常状態における固液界面
の微妙な乱れにより結晶欠陥を生じ、また色ムラや気泡
を生じ易くなる等の品質上の問題があったが、かかる欠
点も除外され、極めて良質な単結晶が得られた。
の微妙な乱れにより結晶欠陥を生じ、また色ムラや気泡
を生じ易くなる等の品質上の問題があったが、かかる欠
点も除外され、極めて良質な単結晶が得られた。
更に従来目視による監視では一人の作業者に対して同時
に3〜5台操作するのがやっとであったが、本発明の方
式によれば20〜30台同時に監視することが可能とな
り、単結晶の低価格化に大きく貢献した。
に3〜5台操作するのがやっとであったが、本発明の方
式によれば20〜30台同時に監視することが可能とな
り、単結晶の低価格化に大きく貢献した。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、ルビー、サファイ
ア、アレキサンドライト等の宝石用単結晶は勿論、Y
IG、YAG、GGG等の工業用単結晶にも応用でき、
良質で安価な単結晶を供給することができる。
ア、アレキサンドライト等の宝石用単結晶は勿論、Y
IG、YAG、GGG等の工業用単結晶にも応用でき、
良質で安価な単結晶を供給することができる。
第1図は本発明に基づく製造システムのブロック図、第
2図は本発明による融液直径測定の様子を示す図、第3
図は従来のFZ法の概要を示す図、第4図は溶融帯の拡
大図、第5図は第4図のA−A′断面矢視図である。 31・・・光学系、32・・・カメラ部、33・・・タ
イミング部、34・・・キー人力部、35・・・コント
ロール部、36・−OA変換部、37・・・AD変換部
、38・・・表示部、39・・・プリンタ一部、40・
・・ランプパワーコントロール部、41・・・ギャップ
調整部、42・・・画像処理部。 ヌ 3 図 第4図 第5図
2図は本発明による融液直径測定の様子を示す図、第3
図は従来のFZ法の概要を示す図、第4図は溶融帯の拡
大図、第5図は第4図のA−A′断面矢視図である。 31・・・光学系、32・・・カメラ部、33・・・タ
イミング部、34・・・キー人力部、35・・・コント
ロール部、36・−OA変換部、37・・・AD変換部
、38・・・表示部、39・・・プリンタ一部、40・
・・ランプパワーコントロール部、41・・・ギャップ
調整部、42・・・画像処理部。 ヌ 3 図 第4図 第5図
Claims (2)
- (1)高温の光源から発する光を反射鏡またはレンズを
用いて集光し、該集光部において、原料棒と種結晶とを
結合する溶融帯をフローティングゾーンとして形成し、
該フローティングゾーンを一定速度で移動することによ
り、前記種結晶上に単結晶を析出させるフローテングゾ
ーン法において、光学的検出法を用いて前記溶融帯の融
液の最小径を測定し、これを融液の温度、あるいは融液
の高さにフィードバックすることにより、育成結晶の直
径を制御することを特徴とする単結晶の製造方法。 - (2)特許請求の範囲第1項において、前記光学的検出
方法として複数の画素を有する検出器を用い、該検出器
により時分割的に抽出された複数の画像の出力信号を演
算処理することにより前記融液の最小径を求めることを
特徴とする単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12577987A JPS63291891A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12577987A JPS63291891A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63291891A true JPS63291891A (ja) | 1988-11-29 |
Family
ID=14918633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12577987A Pending JPS63291891A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63291891A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010143811A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 多結晶材料から単結晶を成長させる方法 |
JP5729569B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-06-03 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 金属化合物結晶の製造方法および装飾品の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-25 JP JP12577987A patent/JPS63291891A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010143811A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 多結晶材料から単結晶を成長させる方法 |
JP5729569B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-06-03 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 金属化合物結晶の製造方法および装飾品の製造方法 |
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