JPS63291212A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［利用分野］ 本発明は高密度記録できる垂直磁気記録方式に適した磁
気記録媒体に関し、更に詳しくは非磁性の基板上に、磁
性薄膜からなる低保磁力層及び垂直磁気異方性を有する
磁気記録層を順次形成したフレキシブルディスクに好適
な磁気記録媒体に関する。

［従来技術］ 上述の低保磁力層と垂直磁気異方性層とからなる二層膜
の磁気記録媒体は、垂直磁気記録方式において単極型ヘ
ッドによって効率良く記録できる垂直磁気記録媒体とし
て特公昭５８−９１号公報、特公昭５８−１０７６９ｑ
公報等により公知である。この公知の二層膜構成の磁気
記録媒体（以下゛二層膜媒体°′という）は具体的には
ＲＦ２極スパッタ法で作成され、低保磁力層をＮＢニッ
ケル）、Ｆｅ（鉄）を主成分とするパーマロイで、垂直
磁化層をＣ。

（コバルト）−Ｃｒ（クロム）合金膜で構成したもので
あり、高い記録感度と大なる再生出力を得られる優れた
ものであるが、信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ）や再生出力の
安定性（モジュレーション）の面で、より一層の改善が
望まれている。

［発明の「１的］ 本発明は上述の二層膜媒体の特性を改善することを目的
とするもので、低保磁力層を構成するパーマロイ薄膜に
着「１し、その特性を改善することによって、さらに改
善された高いＳ／Ｎ比と安定な再生出力を有する磁気記
録媒体を実現覆ることを目的とするものて′ある。

［発明の構成２作用効果］ 本発明は、前述の二層膜媒体、すなわち非磁性の基板上
に「ｅ及びＮｉを主成分とするパーマ［１イ薄膜からな
る低保磁力層と垂直磁気異方性を有する磁気記録層とを
有する磁気記録媒体において、該低保磁力層を、Ｎｉ、
Ｆｅ、Ｎｏを必須の構成元素とし、必要に応じてＣｕを
含んでもよい、ｉｉ［！度９８．８ｗｔ％以上のパーマ
ロイ薄膜で、特定の膜厚と磁気特性を有するものとする
ことにより面記の目的を達成したものである。

すなわち、本発明は非磁性の基板−Ｌに、旧およびＦｅ
を主成分とするパーマロイＨ膜からなる低保磁力層及び
垂直磁気異方性を有する磁気記録層を順次形成してなる
磁気記録媒体において、該低保磁力層が、 ■　組成がＣｕｖＮｏｗＮｉｘｒｅ、　　（但し、Ｖ、
Ｗ、　Ｘ、　Ｖは各重量％で、Ｏ≦■≦１７，３≦ｗ≦
７，６７≦ｘ≦８２．１０≦ｙ≦１７．０．１６≦ｙ÷
ｘ≦　０．２２゜かつ９８．８≦ｖ　十ｗ　＋ｘ　＋ｙ
≦１００の各式をづぺて満足する範囲にある。ただし、
膜中のＡｒ（アルゴン）は除外して計算する。）である
こと。

■　膜面内でＶＳＩ（（振動試料型磁力削）で測定され
るみかけの保持力が、膜面内のすべての方向において４
エルステッド（Ｏｅ）以上、１２Ｏｅ以下であること。

■　膜面内でＶＳＭにより測定されるみかけの飽和磁化
曲線か、６０　Ｏｅ以上で磁化の飽和を示し、かつ飽和
状態より印加磁場を減少していった時に６０Ｏｅ以下で
磁化が現象を始め、保持力近傍までほぼ直線的に磁化が
変化し、保持力近傍で急峻に磁化反転する形状の減磁曲
線を示すこと。

■　膜厚が０．３μｍ以上で０．７μｍ以下であること の全要件を具備したパーマロイ薄膜からなることを特徴
とする磁気記録媒体でおる。

上述の本発明は以下のようにしてなされたものである。

本発明者らは、詳細は後述するが、第５図に示した巻取
式の対向ターゲット式の連続スパッタ装置によりポリエ
ステルフィルム上に二層膜媒体を形成し、打法いてフレ
キシブルディスクとする研究過程において、該二層膜媒
体を構成する低保磁力層に２つの重大な問題があること
を見い出した。

すなわち、その１つは該低保磁力層の保磁力の制御に関
するものでおり、１つは該低保磁力層の面内磁気異方性
の制御に関するものである。従来、保磁力は小さい程再
生出力が大きくなると信じられてきた。実際に、５用量
％程の）ｔｏを含有ＪるＨＯパーマロイ薄膜を用いた時
には第２図に示した様な飽和磁化曲線を有するものも１
７られ、この様な時は保磁力が小さい程再生出力が大き
い。第２図は０．５　μｍのＮＯパーＶＯイ薄膜（Ｎｏ
　５ｗｔ％、Ｎｉ７９ｗｔ％、　Ｆｅ　ｌ６ｗｔ％）で
、実線は長尺フィルムの艮手方向（連続スパッタ時の走
行方向。以下ＭＤと称す。）に測定したもので、点線は
ＭＤに直角な方向（［１］方向。以下ＴＤと称す。）に
測定したものであり、保磁力は１〜２Ｏｅである。第２
図より判断されるようにこのト１０パーマロイ薄膜は面
内磁気異方性が小さい。このような低保磁力層を有する
二層膜媒体のフレキシブルディスクでは、ＪＩＳ−Ｃ−
６２９０に規定されている再生出力のモジレーションは
数％以下と良好である。しかしながらこのような低保磁
力層は安定生産という観点よりは必ずしちずぐれたこし
のとは言えないことが本発明者らの研究により明らかに
された。特に、ポリエチレンプレフタレート（ＰＥＴ）
やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）の３０μｍ　〜
１２０　ｔｌｍのフィルムが好ましい代表例で必るポリ
エステルフィルム等を支持体とするフレキシブルディス
クの用途を目的に、該フィルムを連続に走行させながら
Ｎｏパーマロイ薄膜を形成する場合は、第２図に示され
るような面内等方向な磁気特性を有する薄膜は得難く、
第３図に示すような面内磁気異方性の大きい薄膜となる
ことが多い。

このような面内磁気異方性の大きな低保磁力層を有する
二層膜媒体では磁気ヘッドが該低保磁力層の磁化容易軸
方向に通過する時は再生出力が小さく、磁化困難軸方向
に通過する時は再生出力が大きくなることにより、フレ
キシブルディスクではヘッドが一周する間に再生出力の
変動（モジュレーション）が大きくなり、システムの限
界が再生出力の極小値で規制され、きわめて不都合であ
ることは良く知られている。

本発明者らにより、この面内磁気異方性の原因は、）ｌ
ｏパーマロイ薄膜が対向ターゲット空間で形成されるこ
とによる磁場中誘導異方性の効果と該薄膜の内部応力と
支持体より受ける外部応力による逆磁歪効果にあること
が判明し、そして、この逆磁歪効果により発生する異方
性の大きさがポリエステルフィルム等の可撓性フィルム
の連続スパッタでは制御し難いことが判明した。これに
対し、）ｔｏパーマロイ薄膜の保磁力が第４図に例示し
た形状を示し、かつ約１０Ｏｅ程度以上と大ぎい場合は
再生出力のモジュレーションは良好になるものの再生出
力値が小さい、という問題がある。

以上に述べた様に、公知の通り１〜２Ｏｅ以下の低い保
磁力を有する低保磁力層を有する二層膜媒体では、再生
出力は良好な場合もおるが、磁気異方性の制御に難点が
あることが判明し、１０Ｏｅ程度以上の保磁力のものは
、再生出力のモジュレーションは良好なものの、その再
生出力の絶対値が小ざい。ここにおいて、二律背反する
問題が提起された。また、低い保磁力のものでは出力は
大きくとも、ノイズも大きくなり出力対ノイズ（Ｓ／間
）比はそれ程良好でないという問題もある。

本発明者らはかかる状況にもとづき、再生出力を低下さ
せずに、ノイズとモジュレーションを小さくすべく、鋭
意研究した結果本発明の到達した。

以下、本発明を詳細に述べる。

本発明の低保磁力層は、４〜１２Ｏｅの範囲の後述する
みかけの保磁力と、第１図に示した形状の飽和磁化曲線
を有することが特徴となっている。

ここにおいて、低保磁力層の保磁力は、約０．０５μｍ
〜０．５μｍの膜厚を有し、かつ飽和磁化が約１５０〜
１００００ｍｔＪ／ＣＣの磁気記録層が形成されている
二層膜の状態のままＶＳＭ　（振動試料型磁力側）にお
いて、記録層の残留磁化が大きく変化しない測定磁場（
例えば膜面内に±２０００ｃ以下）において測定される
みかけの保磁力をいう。このようにみかけの保磁力を採
用するのは、低保磁力層は磁気記録Ｍが形成された二層
膜媒体として記録・再生に供せられるのでおり、二層膜
のまま測定して得られる磁化曲線の方がより記録・再生
特性との相関が深いと思われるからである。なお、みか
けの保磁力及びみかけの磁化曲線と、二層膜媒体より記
録層を除去して得られる低保磁力層のみの保磁力、磁化
曲線とは、保磁力が４〜１２Ｏｅ程度のものでは、その
保磁力に数Ｏｅ程度以下の差しかなく、その磁化曲線の
形状はほとんど変化しない。

なお、みかけの保磁力は磁気記録層の飽和磁化や該層の
残留磁化状態により変化することが知られ°ており、み
かけの保磁力を求める時は、二層膜媒体を予め垂直方向
に充分大きな磁場（例えば１５ｋＯｅ程度）を加え、該
磁気記録層を略垂直方向の残留磁化状態とするのが良い
。

上述のみかけの保磁力は４エルステッド（Ｏｅ）以上、
１２Ｏｅ以下である必要がある。４Ｏｅより小さい時は
、後述の好ましい磁化曲線の形状を示さないので不都合
であり、１２Ｏｅより大なる時は再生出力の低下が著し
く不都合でおる。

また、低保磁力層の膜厚は０．３μｍ以上、０．７μｍ
以下である必要がある。０．３μｍ以下では再生出力が
小さくまた面内磁気異方性が発生し易く、０．７μｍ以
上では二層膜媒体が硬くなり、フレキシブルディスクと
した時はヘッドとの接触状態がわるくなり再生出力が安
定しない。

ざらに、本発明の低保磁力層は、第１図に示した様な形
状のみかけの磁化曲線を示すのが特徴となっている。す
なわち、第１図においてＩＩｃは保磁力であり、ｔｌｓ
は飽和磁化になる印加磁場であるが、飽和状態より印加
磁場を減少（又は増加）させた場合その磁化が保磁力ｔ
ｉｃ近傍まではほぼ一定勾配の直線的に低下（又は増加
）して飽和磁化の４０〜８０％となり、保磁力１１ｃ近
傍で急峻に磁化反転して略垂直的に低下（又は増加）す
る減１ａ（又は増磁）特性を示し、次いで反転状態に次
第に飽和する磁化曲線を示すことを特徴とし、Ｈｓの値
は（３０Ｏｅ以下である必要がある。保磁力（ｌｌｃ　
）が同じでも＋１３が６０Ｏｅより大なる時は再生出力
の低下が箸しい。

低保磁力層が第１図の形状を示し、Ｈｓが６０Ｏｅより
小さく、かつ保磁力が１２０８より、好ましくは１０Ｏ
ｅより、さらに最も好ましくは６Ｏｅより小さい低保磁
力層は後述の組成範囲のパーマロイ膜において、また後
述の製造法により安定に得られ、かつ第２図の例示した
Ｎｏパーマロイ薄膜を有する二層膜媒体と同等の再生出
力を有し、ノイズは小さく、フレキシブルディスクとし
た時の再生出力のモジュレーションは、いかなる記録・
再生ヘッド（例えば補助磁極励磁型単磁極ヘッドである
か、主磁極励磁型ヘッドであるかを問わず任意のヘッド
）に対しても常に５％以下と良好であった。

上述の効果の理由は明確でないが以下のようにも考えら
れる。第１図のような磁化曲線は回転磁気異方性として
古くより知られているものであり、磁化は完全に面内に
はなく、斜めに立上がっていると解釈されている。磁化
が斜め方向に立上がっていることと、保磁力が１２Ｏｅ
　、好ましくは１００８以下と小ざいことが高周波での
磁化反転を有利にし再生出力の向上に寄与している、ま
た、Ｈ５ＩＪ−６０Ｏｅ以下と小さいことが記録感度の
向上に奇与しているのであろうと思われる。さらに、こ
の様な磁化曲線のパーマロイ薄膜は面内の測定方向によ
らず常に同じ形状の磁化極性を承り、すなわち面内で等
方の磁気特性を有するものが広いｖＩＡ膜条件で容易に
得られることが、モジュレーションの低下と安定制御に
奇与していると考えられる。そして、保磁力が４０Ｏｅ
以上であること、かつ磁区か細いことがノイズを低レベ
ルに押える効果を有している。

上記のパーマロイ薄膜よりなる低保磁力層は以下の製造
法により安定に制御性良り１ｑることが可能である。

本発明のパーマロイ薄膜は、Ａｒガス雰囲気下でスパッ
タされることにより膜中に含有されるアルゴン（Ａｒ）
を除いて、ＮｉとＦｅとＨＯを必須成分として構成され
る。この構成はバルク合金においてスーパーマロイとい
う名称で公知でおり、Ｎｏの含有量は通常３〜７ｗｔ％
である。この構成２組成のものは、低保磁力、適度の力
学強度を有する合金となる。また耐蝕性も、Ｎｏを含有
しないＮｉＦｅ合金より良好である。薄膜でも同様の効
果をＨＯが有していることが確認され、本発明ではＮｏ
を３〜７ｗｔ％含有するものとする。Ｃｕは必要に応じ
て添加され、これは飽和磁化を調節するために添加され
る。低保磁力層の飽和磁化は、磁気ヘッドのヨーク（垂
直ヘッドでは主磁極）の材質、形状、飽和磁化。

及び垂直磁気異方性を有する磁気記録層の膜厚。

飽和磁化に合せて、適宜選定される。

例えばＣｕ　１５．７．）ｔｏ　３．０．Ｎｉ　６８．
２．Ｆｅ　１３．１の組成では飽和磁化は約４６０　ｅ
ｍｕ／ｃｃ、　Ｃｕを含有しないＮ。

４．６．Ｎｉ　７９゜８．Ｆｅ　１５．４の組成では約
６３０　ｅｍｕ／ｃｃである。Ｃｕがｉｙｗｔ％より大
きい時は飽和磁化が小さくなりすぎて再生出力が小さく
なる。Ｎｉ、Ｆｅの添加担は、スパッタで得られるパー
マロイ薄膜の磁気特性において、その保磁力が４〜１２
Ｏｅとなるものが得やプく、かつその磁化曲線が第１図
に示した形状となる様にＮｉ　：　６７〜８２ｗｔ％、
Ｆｅ：１０〜１７ｗｔ％かツＦｅ対Ｎｉの比：　０．１
６〜０．２２の範囲より選択される。この範囲をはずれ
たものは膜の磁歪が大きくなる。磁歪が大きくなると、
磁気ヘッドが接触した時の応力で磁気特性が変化し再生
出力が不安定となる、また連続スパッタ製膜時に発生し
易い膜応力による逆磁歪効果により面内磁気異方性が大
きくなることにより保磁力の安定制御が困難となってく
る、また磁化曲線が第１図に示した好ましい形状を示さ
なくなってくる、という不都合が生じる。

特に、軟質の有機高分子フィルムを基板とする連続スパ
ッタでは、パーマロイ薄膜には膜面内に一軸性の応力が
発生し易く、このような時に磁歪が大きすぎると、該薄
膜に加わる応力方向に大ぎな磁気異方性が発生する為に
、低保磁力の薄膜では第３図のような形状、高保磁力の
薄膜では第４図のような形状の磁化曲線を示し、ともに
不都合である。なお、磁歪の絶対値は約１．５　ｘｌｏ
−６以下が好ましい。

上記の組成のパーマロイ薄膜を１ｑるには略同組成のパ
ーマロイターゲットを用意し、スパッタリング法で製膜
するのがよい。該薄膜の保磁力を制御覆るにはスパッタ
時の酊ガス圧を調節する、又は／及び酊に数％以内の酸
素（０２）ガスを添加覆るのが好ましい。第６図はスパ
ッタ時の＾ｒガス圧に対して、得られた０、５μｍ厚さ
のパーマロイ薄膜（Ｎｏ　５．Ｎｉ　７９．Ｆｅ　１６
．各ｗｔ％）の保磁力を示したもの、第７図は全圧０．
５パスカル（Ｐａ）のスパッタ時の酊に添加したＯｚ１
度（％）に対して、同じく保磁力を示したものでおる。

両図において保磁力が４Ｏｅ以上のものは第１図に示し
た形状の磁化曲線を有した。

対向ターゲットスパッタ法はかがる軟磁性材ターゲット
のスパッタに適した方法である。なお、用いるターゲッ
トは結晶粒度番号が４以下の比較的大きな結晶粒で構成
されているものが好ましい。

ここに言う結晶粒度番号は、ＪＩＳ　ＧＯ５５１−１９
７７に規定される鋼の結晶粒度試験方法に準じて測定し
たものとする。すなわち、表面研磨したターゲラ１〜（
旧［ｅ合金）、又はそのテストピースを用意し、その表
面を、濃塩酸と濃硝酸の２対１（重量比）の混合溶液に
さらに塩化第二銅を１０重岳％程度混合した溶液を脱脂
綿につけて結晶粒が観察される程度にこづりつづける。

かくして出現する結晶粒模様を上記ＪＩＳに規定の判定
方法に従いその表１の粒度番号で表示したものである。

ターゲットの結晶粒度番号が小さい（結晶粒が粗い）程
保磁力の人さいパーマロイ薄膜を得ることが容易となる
。

この理由は今のところ明らかでない。

かかるターゲット用のパーマロイ合金の粒度はターゲッ
ト製造時の条件、熱処理の温度と時間。

鍛造比、あるいは少量の添加物たとえばイオウ。

マンガンなどによって制御できる。

−六本発明における垂直磁気異方性を有する磁気記録層
は、特に限定されず、膜面に略垂直な方向に磁化容易軸
を有し、特公昭５８−９１　＠公報等で公知の磁気特性
を有１−る磁性膜が適用できる。従って、特公昭５８−
１０７６４号公報等で公知のＣｏ−Ｃｒ合金膜、膜面に
垂直配向したバリウムフェライト塗膜等種々の磁性膜が
適用でき、ｃｏ−ｃｒ合金膜にＷ（タングステン）、Ｔ
ａ（タンタル）等の第３成分を添加したものでもよい。

更に、基板と低保磁力層と磁気記録層とは直接接する必
要はなく、接着層等をその間に介在させても良い。

本発明の基板は有機高分子、ガラス、ＡＪ１合金等の非
磁性材であればよいが、特にフレキシブルディスクを目
的とする時は連続生産が可能な可撓性を有づる有機高分
子フィルムが好ましく使用される。ざらに、良好な機械
的特性と良好な表面性のものが得られ、かつ廉価である
ポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンナフタレ
ートのフィルムにおいて本発明は最も好ましく適用され
る。

本発明の磁気記録媒体は、フレキシブルディスクを目的
としたものであり、通常は３０〜１２０μｍのフィルム
の両面に低保磁力層と磁気記録層が同構成で形成される
。なお、この場合の低保磁力層の磁気特性は片面ずつ別
々に測定される。

更に、基板の片面にのみ二層膜が形、成された媒体であ
っても、フレキシブルディスクとして使用できるもので
あればかまわない。

なお、本発明の磁気記録媒体の製造法においては、特に
対向ターゲット式スパッタ法により低保磁力層を形成す
ると広範囲の条件で安定した生産ができる。

ここで、対向ターゲット式スパッタ法とは、特開昭５７
−１５８３８０号公報等で公知のもので、対向した一組
のターゲット間にプラズマ（電子）捕捉のための磁界を
形成して、ターゲットの側方に配置された基板上に膜形
成するスパッタ法を言う。

ところで、前述の垂直磁気異方性層も同じく対向ターゲ
ット式スパッタ法で作成すると、共に低温膜形成が可能
で耐熱性の低いポリエステルフィルム等が基板として利
用できる上、両層を１つの真空槽内で連続して作成でき
、製造コストを大巾に低減できる。

以下、上述の本発明の詳細を実施例に基いて説明する。

第５図は本発明の実施に用いた対向ターゲラ１〜式スパ
ッタ装置の構成図でおる。

図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭５７−１５
８３８０号公報で公知の対向ターゲット式スパッタ装置
と基本的に同じ構成となっている。

すなわち、図において１０は真空槽、　２０は真空槽１
０を排気する真空ポンプ等からなる排気系、　３０は真
空槽１０内に所定のガスを導入して真空槽１ｏ内の圧力
を１０−１〜１０−４　丁ｏｒｒ程度の所定のガス圧力
に設定するガス導入系である。

そして、真空槽１０内には、図示の如く真空槽１゜の側
板１１．１２に絶縁部材１３．１４を介して固着された
ターゲットホルダー１５．１６により１対のターゲット
ＴＬＴ２が、そのスパッタされる面’１ｓ、’２ｓを空
間を隔てて平行に対面するように配設しである。そして
、ターゲットホルダー１５．１６内は、冷却パイプ１５
１．１６１を介して冷却水が循環し、ターゲットＴＩ、
Ｔ？、永久磁石１５２．１６２が冷却される。

ｆＩＥ１１５２．１６２はターゲットＴ１．Ｔ２を介し
てＮ極。

Ｓ極が対向するように設けてあり、従って磁界はターゲ
ットＴＩ、Ｔ２に垂直な方向に、かつターゲット間に形
成される。なお、１７．１８は絶縁部材１３゜１４及び
ターゲットホルダー１５．１６をスパッタリング時のプ
ラズマ粒子から保護するためとターゲット表面以外の部
分の異常放電を防止覆るだめのシールドである。

また、磁性薄膜が形成される基板４０を保持する基板保
持手段４１は、真空槽１０内のターゲットＴ＋。

Ｔ２の側方に設けである。基板保持手段４１は、図示省
略した支持ブラケットによりそれぞれ回転自在かつ互い
に軸平行に支持された繰り出しロール４１ａ、支持ロー
ル４１ｂ１巻取ロール４１ｃの３個のロールからなり、
基板４０をターゲットＴ１．Ｔ２間・の空間に対面する
ようにスパッタ面’１ｓ、’２ｓに対して略直角方向に
支持するように配置しである。従って基板４０は基板保
持手段４１によりスパッタ面Ｔ１ｓ、’２ｓに対して直
角方向に連続的に移動可能である。なお、支持ロール４
１ｂはその表面温度が調節可能となっている。なお、４
２は基板の「［Ｊ方向（ＴＤ）の膜厚力イ［を均一にす
るためのマスクである。

一方、スパッタ電力を供給する直流電源からなる電力供
給手段５０はプラス側をアースに、マイノ“ス側をター
ゲットＴ１．Ｔ２に夫々接続する。従って電力供給手段
５０からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、タ
ーグツ１〜Ｔ＋、Ｔ２をカソードとして、アノード、カ
ソード間に供給される。

なお、プレスパッタ時基板４ｏを保護するため、基板４
０とターゲットＴＩ、Ｔ２どの間に出入するシャッター
（図示省略）が設けである。

以上の通り、前述の特開昭５７−１５８３８０号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低湿
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲッｈ’Ｌ、Ｔ
ｚ間の空間に、磁界の作用によりスパッタガスイオン、
スパッタにより放出されたＴ電子等が束縛され高密度プ
ラズマが形成される。従って、ターゲットＴＩ、Ｔ２の
スパッタが促進されて前記空間より析出母が増大し、基
板４ｏ上への堆積速度か増し高速スパッタが出来る上、
基板４０がターゲットＴＩ、Ｔ２の側方にあるので低温
スパッタも出来る。

なお、本発明にお（）る対向ターゲット式スパッタ法は
、前述の装置のものに限定されるものでなく、前述の通
り一対の対面さけたターゲットの側方に基板を配し、タ
ーゲット間に垂直方向の磁界を印加してスパッタし、基
板上に膜を形成するスパッタ法を言う。従って、磁界発
生手段も永久磁石でなく、電磁石を用いても良い。また
、磁界もターゲット間の空間にＴ電子等を閉じ込めるも
のであれば良く、従ってターゲット仝而でなく、ターゲ
ット周囲にのみ発生させた場合も含む。

次に上ｊホの対向ターゲット式スパッタ装置により実施
した本発明に係わる垂直磁気記録媒体の実施例を説明す
る。

媒体の磁気特性は振動試料型磁力計（Ｖ　Ｓ　Ｍ　）−
で測定して求めた。

二層膜媒体の記録・再生特性は前述の特公昭５８−９１
号公報等で公知のものと同様な補助ｖｉｉ極励磁型の垂
直型磁気ヘッドを用いて評価した。。

膜厚及び組成については、蛍光Ｘ線装置を用いて予め較
正した曲線から求めた。

実施例 下記条件により粒度番＠３のパーマロイターゲットを用
い低保磁力層形成時のＡｒガス圧を１．０Ｐａ（パスカ
ル）とし、基板上にパーマロイからなる低保磁力層を作
成したのら、Ｃｏ−Ｃｒからなる垂直磁気異方性層を第
５図のスパッタ装置を用いて順次形成して５０１１の長
さの二層膜媒体を作成した。

Ａ９装置条件 ＾−１．低保磁力層 ａ、ターグツ１〜ＴＩ、Ｔ２材：共に粒度番号３２組成
Ｎｏ−５ｗｔ％、Ｎｉ−７９ｗｔ％、Ｆｅ−１６ｗｔ％
のパーマロイ ｂ、基板４０　：　５０μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）フィルム Ｃ，ターゲットＴＩ、Ｔ２間隔：　１２０ｍｍｄ、ター
ゲット表面の磁界：１００〜２００ガウスｅ、ターゲッ
トＬ、Ｔ２形状： １００ｍｍ　Ｌ　Ｘ　１５０ｍｍＷＸ　１２ｍｍｔの矩
形［１基板４０とターゲットＴＩ、Ｔ２端部の距離：０
１１ｍ Ａ−２，Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁気異方性層 ａ、ターゲットＴ＋、　Ｔ２ＦＡ　：共にＣｏ−８０ｗ
ｔ％、　Ｃｒ−２０ｗｔ％の合金 Ｃ，ターゲットＴ１．Ｔ２間隔：　１６０ｍｍｄ、ター
ゲット表面の磁界＝１００〜２００がウスｅ、ターゲッ
トＴ１．Ｔ２形状： １００ｍｍ　Ｌ　Ｘ　１５０ｍｍｗｘ　１２ｍｍｔの矩
形ｆ、基板４０とターゲットＴ＋、Ｔ２端部の距離：０
ｍｍ Ｂ、操作手順 Ａ−１，Ａ−２の条件のもとて順次次の如く行かた。

ａ、　基板を設置後、真空槽１０内を到達真空度が１Ｘ
１０−６丁ｏｒｒ以下まで排気する。

ｂ、Ａｒ（アルゴン）ガスを所定の圧力まで導入し、３
〜５分間のプレスパツタを行い、シャッターを開き、基
板４０を図示の通りターゲットＴ１゜Ｔ２の前向方向に
移送しつつ膜形成を行った。なお、八−１の場合スパッ
タ時のＡｒガス圧は１．ＯＰａとした。またＡ−２の場
合、０．５Ｐａとした。

Ｃ６スパッタ時投入電力はＡ−１，＾−２ともに３ＫＷ
で行い、フィルム走り速度を調節して、０．５μｍ厚さ
のパーマロイ薄膜と０．２μｍのＣｏＣｒ薄膜を積層形
成した。

ｄ、　基（反温度はＡ−１，八−２（まそれぞれ９０’
Ｃ，１３０°Ｃて行った。

Ｃ０実施結果 基板フィルムの片面に二層膜を形成した５０ｍの長さの
媒体より、長さ方向に４ケ所、すなわちスパッタ開始よ
り１０ｍ、　２０ｍ、　３０ｍ、　４０ｍの所よりフレ
キシブルディスク形状を打法いた。ディスクをジャケッ
トに入れて、カールを押え込みながら、補助磁極励磁型
の垂直ヘッドで再生出力と一周期のモジュレーションを
測定した。測定は潤滑剤を塗イｈし半径３０ｍｍの所で
３０Ｏｒｐｍの回転速度で、３０ｋＢＰＩの記録密度相
当の周波数で実施した。表−１に、後述の比較例におけ
る結果とともに、適当なアンプ利１ｑ後の再生出力の最
大値と最小値と、モジュレーションを示した。

Ｎｏパーマロイ薄膜のみかけの保磁力は、４試料ともに
測定方向によらず６．０±０．５Ｏｅであり、そのみか
けの磁化曲線はすべて第１図に示した形状であった。Ｃ
ｏＣｒ合金薄膜の保磁力は、二層膜よりＣｏＣｒ層のみ
を取り出しＶＳＭで評価し、垂直方向で６７０Ｏｅ、面
内方向で４２０Ｏｅであった。なあ、Ｃ。

Ｃｒ層に面内の磁気異方性は見られなかった。

また、基板にヤング率、熱収縮率を変えた種々の機械的
、熱的特性が異なるＰＥＴフィルムを用い、同じように
製膜したが、全てほぼ同じ特性の媒体が安定に生産でき
た。

比較例 実施例におけるパーマロイターゲットスパッタ時のへｒ
ガス圧を０．５Ｐａとした以外は、すべて同様の条件下
で５０ｍ長さの二層膜媒体を作製し、同様に評価した。

Ｎｏパーマロイ薄膜のみかけの保磁力は、４試料とも、
すべて１．５〜３．ＯＯｅの範囲であったが、そのみか
けの磁化曲線の形状は、表−１に記載の通り、４試料問
すなわち長さ方向に変化が見られた。

この理由はスパッタの進行とともに真空槽内の温度が上
昇すること、及び／又はフィルム送行に必要なフィルム
張力の経時変化、及び／又は真空槽内のスパッタ時のＡ
ｒガス以外の不純ガスレベルの経時的な変動１等が考え
られ、このようなわずかな変化は制御不能であった。Ｃ
ｏＣｒ合金＠膜の特性は実施例と同じであった。

なお、基板に実施例と同様様々の機械的、熱的特性が異
なるＰＥＴフィルムを用い、上述と同様に製膜したとこ
ろ、Ｎｏパーマロイ薄膜の面内磁気異方性は種々の変化
を示し、その都度フィルム張力等の微調整を必要とし、
それでも長尺の媒体では長さ方向に磁気特性が変動し、
安定連続生産が難しいことがわかった。

表−１ （＊）第２図と第３図の中間的な形状、寸なわち、中程
度の面内磁気異方性を示した。

表−１より理解される如く、本発明の低保磁力層を有す
る二層膜媒体は、すぐれた製膜安定性と、従来の良好な
磁気特性であるとされていた第２図の形状のものと同等
以上の再生出力値を有し、モジュレーションはきわめて
小さい。またノイズも低いレベルでおった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の好ましい磁化曲線の形状を示したもの
、第２図、第３図、第４図啄いずれも従来のＮｏパーマ
ロイ薄膜の磁化曲線の形状を示したものであり、実線は
ＭＤ方向に測定、点線はＴＯ力方向測定したものである
。 第５図は本発明の実施に用いた巻取式の連続対向ターゲ
ット式スパッタ装置の説明図、第６図はスパッタ時の酊
ガス圧（Ｐａ）と１昇られたＮｏパーマロイ薄膜の保磁
力との関係を示すグラフ、第７図は＾ｒガスに添ＩＪ口
した０２Ｉ！度（％）と保磁力との関係を示すグラフで
ある。 ＴＩ、Ｔ２：ターゲット、１０：真空槽、２０：排気系
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）非磁性の基板上に、ＮｉおよびＦｅを主成分とする
   パーマロイ薄膜からなる低保磁力層及び垂直磁気異方性
   を有する磁気記録層を順次形成してなる磁気記録媒体に
   おいて、該低保磁力層が、下記の諸項を具備したパーマ
   ロイ薄膜からなることを特徴とする磁気記録媒体。 （１）組成がＣｕ＿ｖＭｏ＿ｗＮｉ＿ｘＦｅ＿ｙ（但し
   、ｖ、ｗ、ｘ、ｙは各重量％で、０≦ｖ≦１７、３≦ｗ
   ≦７、６７≦ｘ≦８２、１０≦ｙ≦１７、０．１６≦ｙ
   ÷ｘ≦０．２２、かつ９８．８≦ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ≦１０
   ０の各式をすべて満足する範囲にある。ただし、膜中の
   Ａｒ（アルゴン）は除外して計算する。）であること。 （２）膜面内でＶＳＭ（振動試料型磁力計）で測定され
   るみかけの保持力が、膜面内のすべての方向において４
   エルステッド（Ｏｅ）以上、１２Ｏｅ以下であること。 （３）膜面内でＶＳＭにより測定されるみかけの飽和磁
   化曲線が、６０Ｏｅ以上で磁化の飽和を示し、かつ飽和
   状態より印加磁場を減少していった時に６０Ｏｅ以下で
   磁化が減少を始め、保持力近傍までほぼ直線的に磁化が
   変化し、保持力近傍で急峻に磁化反転する形状の減磁曲
   線を示すこと。 （４）膜厚が０．３μｍ以上で０．７μｍ以下であるこ
   と。 ２）前記非磁性の基板が可撓性を有する有機高分子フィ
   ルムである特許請求の範囲第１）項記載の磁気記録媒体
   。 ３）前記低保磁力層が対向ターゲット式スパッタ法によ
   り形成された特許請求の範囲第１）項もしくは第２）項
   記載の磁気記録媒体。