JPS63285129A - 光ファイバ母材製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材製造方法Info
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- JPS63285129A JPS63285129A JP11700387A JP11700387A JPS63285129A JP S63285129 A JPS63285129 A JP S63285129A JP 11700387 A JP11700387 A JP 11700387A JP 11700387 A JP11700387 A JP 11700387A JP S63285129 A JPS63285129 A JP S63285129A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
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Classifications
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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-
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-
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-
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- C03B2207/28—Multiple ports for glass precursor for different glass precursors, reactants or modifiers
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光ファイバ母材製造方法に係り、特にVAD法
によるステップインデックス型光ファイバ母材の製造方
法に関する。
によるステップインデックス型光ファイバ母材の製造方
法に関する。
[従来の技術1
従来、VAD法により多重管バーナを用いてステップイ
ンデックス型の屈折率分布を有する光ファイバ母材を製
造する場合には、例えば4重管バーナを使用して次のよ
うな方法が採られていた。すなわち、4重管バーナの中
心層からSt CJ2a 、Ge Cj!4及びArを
供給すルト共に第2層からはH2を、第3層からはAr
を、最外層となる第4層からは02をそれぞれ供給して
ガラス微粒子を積層し、スート母材を得た後これを焼結
透明ガラス化する方法である。ここで、第4層から供給
する02の流量を増加させてスート母材の外径を小さく
することにより、比屈折率差Δn−1〜2%、屈折率分
布係数α−3〜10のステップインデックス型光ファイ
バ母材が得られる。
ンデックス型の屈折率分布を有する光ファイバ母材を製
造する場合には、例えば4重管バーナを使用して次のよ
うな方法が採られていた。すなわち、4重管バーナの中
心層からSt CJ2a 、Ge Cj!4及びArを
供給すルト共に第2層からはH2を、第3層からはAr
を、最外層となる第4層からは02をそれぞれ供給して
ガラス微粒子を積層し、スート母材を得た後これを焼結
透明ガラス化する方法である。ここで、第4層から供給
する02の流量を増加させてスート母材の外径を小さく
することにより、比屈折率差Δn−1〜2%、屈折率分
布係数α−3〜10のステップインデックス型光ファイ
バ母材が得られる。
しかしながら、この方法ではスート母材の外径に比例し
て焼結後の母材径も小さくなり、またスート母材の長さ
にも限界があるので、母材1本あたりのガラス重量が1
00g程度と小さく生産性が悪いという問題があった。
て焼結後の母材径も小さくなり、またスート母材の長さ
にも限界があるので、母材1本あたりのガラス重量が1
00g程度と小さく生産性が悪いという問題があった。
これに対して、4m重管バーナ中心層から5iC1!a
及びH2を、第2!!からGeCj!a及びH2を、第
3層からArを、第4層から02をそれぞれ供給してス
ート母材を製造する方法が特公開61−44821号公
報に示されている。この方法によれば周辺部屈折率分布
の急峻な屈折率分布係数α−10程度の光ファイバ母材
を生産性よく得ることができる。
及びH2を、第2!!からGeCj!a及びH2を、第
3層からArを、第4層から02をそれぞれ供給してス
ート母材を製造する方法が特公開61−44821号公
報に示されている。この方法によれば周辺部屈折率分布
の急峻な屈折率分布係数α−10程度の光ファイバ母材
を生産性よく得ることができる。
[発明が解決しようとする問題点]
ところが、この場合バーナのm21からGeCβ4を流
すことにより火炎中でのGeC1!4の分布が広がり、
このためスート母材の最外層部分にQe 02が高濃度
で添加されてしまう。
すことにより火炎中でのGeC1!4の分布が広がり、
このためスート母材の最外層部分にQe 02が高濃度
で添加されてしまう。
その結果、スート母材を焼結透明ガラス化した模、これ
をH2−Ozバーナ火炎で加熱して表面処理と切り離し
を行なう際にGe 02 、が蒸発・再結晶化して母材
表面に付着し、これが起因して冷却時あるいは再加熱時
に母材表面に微小なりラックが多数発生するという問題
があった。
をH2−Ozバーナ火炎で加熱して表面処理と切り離し
を行なう際にGe 02 、が蒸発・再結晶化して母材
表面に付着し、これが起因して冷却時あるいは再加熱時
に母材表面に微小なりラックが多数発生するという問題
があった。
かくして、本発明の目的は上記従来技術の問題点を解消
し、クラックを発生させることなく且つ生産性よく周辺
部屈折率分布の急峻なステップインデックス型光ファイ
バ母材を得ることができる製造方法を提供することにあ
る。
し、クラックを発生させることなく且つ生産性よく周辺
部屈折率分布の急峻なステップインデックス型光ファイ
バ母材を得ることができる製造方法を提供することにあ
る。
[問題点を解決するための手段]
本発明の光ファイバ母材製造方法は上記目的達成するた
めに、多重管バーナから原料ガスと燃料ガスとを供給し
て火炎加水分解反応により生じたガラス微粒子を堆積さ
せる光ファイバ母材製造方法において、上記多重管バー
ナの中心層からSi Cl2mを、第2層からSi C
J24とGeC1!4との混合ガスをそれぞれ供給する
方法である。
めに、多重管バーナから原料ガスと燃料ガスとを供給し
て火炎加水分解反応により生じたガラス微粒子を堆積さ
せる光ファイバ母材製造方法において、上記多重管バー
ナの中心層からSi Cl2mを、第2層からSi C
J24とGeC1!4との混合ガスをそれぞれ供給する
方法である。
[作 用]
すなわち、本発明は多重管バーナの第2層から供給され
るGeCβ4にSi C4!4を添加しようとするもの
である。GeCβ4にSi C;flaを添加するとG
eC1!4の火炎中にSt C1!4が投入されるので
、母材の最外層を形成する際にそこにSICβ4が存在
すると共に最外層部の温度が低いためにここにGe0z
は入りにくく、SiO2のみが堆積されることとなる。
るGeCβ4にSi C4!4を添加しようとするもの
である。GeCβ4にSi C;flaを添加するとG
eC1!4の火炎中にSt C1!4が投入されるので
、母材の最外層を形成する際にそこにSICβ4が存在
すると共に最外層部の温度が低いためにここにGe0z
は入りにくく、SiO2のみが堆積されることとなる。
その結果、母材最外層部のQe 02分布はなだらかな
ものとなり、クラックの発生が防止される。
ものとなり、クラックの発生が防止される。
[実施例]
以下、本発明の実施例について添付図面を参照して説明
する。
する。
添付図は本発明の一実施例に係る光ファイバ母材製造方
法で用いられる4重管バーナの斜視図である。このバー
ナはその中心部から中心層1、第21112、第3層3
及び第4114の4つのノズルを有している。
法で用いられる4重管バーナの斜視図である。このバー
ナはその中心部から中心層1、第21112、第3層3
及び第4114の4つのノズルを有している。
このような4重管バーナを用いてVAD法によりステッ
プインデックス型の光ファイバ母材を製造した。
プインデックス型の光ファイバ母材を製造した。
まず、4重管バーナの中心!I11から流ff1120
0mg/lnの5ICffi4.0.81 /sinの
H2及び400c+e 3 /rainのArを、第2
層2から300111!11 /1nのS i Cj!
a 、670aig / SinのGeQIlm、2
.8f/winのH2及び580cm 3 /sinの
Arを、第3層3から1.5J2./n+inのArを
、第4層4から6i7m1nの02をそれぞれ供給し、
引上速度47mm/ hrで外径65mmのスート母材
を作製した。
0mg/lnの5ICffi4.0.81 /sinの
H2及び400c+e 3 /rainのArを、第2
層2から300111!11 /1nのS i Cj!
a 、670aig / SinのGeQIlm、2
.8f/winのH2及び580cm 3 /sinの
Arを、第3層3から1.5J2./n+inのArを
、第4層4から6i7m1nの02をそれぞれ供給し、
引上速度47mm/ hrで外径65mmのスート母材
を作製した。
その後、このスート母材を焼結炉にてHe、Cβ2#囲
気下で速度5tam/ m i nで移動させることに
より、これを焼結透明ガラス化した。さらに、この母材
を加熱処理して光ファイバ母材を得た。
気下で速度5tam/ m i nで移動させることに
より、これを焼結透明ガラス化した。さらに、この母材
を加熱処理して光ファイバ母材を得た。
このようにして製造された光ファイバ母材の表面には微
小なりラックの存在が認められず、高品質の母材である
ことが確認された。
小なりラックの存在が認められず、高品質の母材である
ことが確認された。
なお、4重管バーナの第2m2に添加する3i CJ!
4の流山はわずかでもその効果が大きく、50−g/s
inの場合でも母材表面にクラックが発生することはな
かった。また、この3i (:、itの流量を増やすと
、クラックの発生は防止されるが周辺部屈折率分布がな
だらかになってしまうので、300mg /1n程度の
流量が望ましい。
4の流山はわずかでもその効果が大きく、50−g/s
inの場合でも母材表面にクラックが発生することはな
かった。また、この3i (:、itの流量を増やすと
、クラックの発生は防止されるが周辺部屈折率分布がな
だらかになってしまうので、300mg /1n程度の
流量が望ましい。
[発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、次のごとき優れた
効果が発揮される。
効果が発揮される。
(1)4重管バーナの第2層から供給されるGeCβ4
に3i (:、flaを添加したことにより、多重のQ
e 02を含有しながらも最外層部のGO02分布をな
だらかにすることができ、りラックを発生させることな
く所望の屈折率分布を有するステップインデックス型光
ファイバ母材を製造することが可能となる。
に3i (:、flaを添加したことにより、多重のQ
e 02を含有しながらも最外層部のGO02分布をな
だらかにすることができ、りラックを発生させることな
く所望の屈折率分布を有するステップインデックス型光
ファイバ母材を製造することが可能となる。
(2) スート母材の外径を小さくしなくても急峻な
屈折率分布を有する光ファイバ母材が得られるのでその
生産性が向上する。
屈折率分布を有する光ファイバ母材が得られるのでその
生産性が向上する。
添付図は本発明の一実施例に係る光ファイバ母材製造方
法で用いられた4重管バーナの斜視図である。 図中、1は中心層、2は第2層、3は筒口L4は第41
である。 特許出願人 日立電線株式会社 代理人弁理士 絹 谷 信 雄 7・・・V間層 2・・・茅24 3・・・第3眉 4・・・茅44
法で用いられた4重管バーナの斜視図である。 図中、1は中心層、2は第2層、3は筒口L4は第41
である。 特許出願人 日立電線株式会社 代理人弁理士 絹 谷 信 雄 7・・・V間層 2・・・茅24 3・・・第3眉 4・・・茅44
Claims (1)
- 多重管バーナから原料ガスと燃料ガスを供給して火炎加
水分解反応により生じたガラス微粒子を堆積させる光フ
ァイバ母材製造方法において、上記多重管バーナの中心
層からSiCl_4を、第2層からSiCl_4とGe
Cl_4との混合ガスをそれぞれ供給することを特徴と
する光ファイバ母材製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11700387A JPS63285129A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 光ファイバ母材製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11700387A JPS63285129A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 光ファイバ母材製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63285129A true JPS63285129A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14701056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11700387A Pending JPS63285129A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 光ファイバ母材製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63285129A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0698581A3 (en) * | 1994-08-26 | 1996-10-16 | Sumitomo Electric Industries | Method and device for producing an optical fiber preform |
EP1186917A2 (en) * | 2000-09-05 | 2002-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Co-flow diffusion flame burner device for fabricating of optical waveguide |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11700387A patent/JPS63285129A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0698581A3 (en) * | 1994-08-26 | 1996-10-16 | Sumitomo Electric Industries | Method and device for producing an optical fiber preform |
EP1186917A2 (en) * | 2000-09-05 | 2002-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Co-flow diffusion flame burner device for fabricating of optical waveguide |
EP1186917A3 (en) * | 2000-09-05 | 2004-01-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Co-flow diffusion flame burner device for fabricating of optical waveguide |
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