JPS63283185A - 印刷回路基板の製造方法 - Google Patents

印刷回路基板の製造方法

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JPS63283185A
JPS63283185A JP63095372A JP9537288A JPS63283185A JP S63283185 A JPS63283185 A JP S63283185A JP 63095372 A JP63095372 A JP 63095372A JP 9537288 A JP9537288 A JP 9537288A JP S63283185 A JPS63283185 A JP S63283185A
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アントーン、マテリン
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、導電材料を成長させ、活性化し、次いで化学
的に又、は化学的及び電気的に金属析出することにより
電気絶縁基板に塗布するアディティブ法で印刷回路基板
を製造する方法に関する。
〔従来の技術〕
印刷回路並びに印刷回路基板を製造する場合、金属被覆
された基板又はベース材料から出発して配線に不要な銅
をエツチングにより除去するようにした広く普及してい
るサブトラクティブ法は、接着剤を被覆された基板上に
構成される導電材料を配線を必要とする箇所でのみ電解
浴から塗布するアディティブ法とは根本的に相違する。
しかしこれらの方法を組み合わせることも一般的に行わ
れている。これはスルーホール、すなわち両面に存在す
るサブトラクティブ法により製造された配線パターンの
孔壁の銅貼りをアディティブ法により加工するものであ
る。セミアディティブ法では無を流で析出された薄い基
層上に導電路を電気めっきにより補強することによって
構成し、残りの基層をエツチングにより、すなわちサブ
トラクティブ法で、再び除去する〔文献「アー・ニー・
ゲー・テレフンケン・ハンドビューヒアー（ＡＥＧ−Ｔ
ｅｌｅｆｕｎｋｅｎ　Ｈａｎｄｂｉｃｈｅｒ　）　Ｊ第
２２巻「タンストシュトッフェ・イン・デア・エレクト
ロテヒニク（にｕｎｓｔｓｔｏｆｆｅ’ｉｎ　ｄｅｒ　
Ｅｌｅｋｔｒｏｔｅｃｈｎｉｋ）　Ｊ　１９７９年第３
６頁参照〕。
ドイツ連邦共和国の雑誌「ガルバノテヒニク（Ｇａｌｖ
ａｎｏｔｅｃｈｎｉｋ）　Ｊ　７７　（１９８６年）第
１号第５１〜６０頁から、全アディティブ法で印刷回路
基板を製造する場合にレーザにより配線パターンを転写
することも既に公知である。この文献では基本的に以下
の転写機構について研究されている。
−基板表面又は接着剤をレーザ光線により直接励起する
。
−レーザ光線により活性剤層を熱的又は光化学的に励起
又は不活性化する。
一レーザ光線の熱エネルギーにより外部無電流又は電気
めっき法での金属析出を惹起及び促進する。
これらの研究された転写機構のうちＣｒ　（ＩＩＩ）層
活性化系がそれ以降の処理工程に適合させるのに最も適
していることが判明した。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、掻めて微細な導電体の構造を良好な付着力で
簡単に転写することを保証しまたスルーホールの形成の
際にも何らの問題も起こさないアディティブ法で印刷回
路基板を製造する環境保護上有利な方法を提供すること
をその課題とする。
〔課題を解決するための手段〕
この課題は本発明によれば、配線及び／又はスルーホー
ルに該当しない基板範囲で成長層を単独でか又は化学的
金属析出法により塗布された薄い基層と共に電磁放射線
により取り除くことによって再び除去し、次いで導電体
材料を化学的及び／又は電気的金属析出法により塗布す
ることによって解決される。
〔作用効果〕
本発明は、電磁放射線により取り除くことによって配線
のネガ像を製造することができ、その際成長層、活性化
された成長層又は化学的に塗布された金属の薄い層は基
板表面を殆んど損傷することなく選択的に再び除去し得
るという認識に基づ＜、ｉｉ電磁放射線作用範囲内では
以後の工程でいがなる金属化ももはや生じ得ない０本発
明方法ではアディティブ法の利点を保持しながら、電磁
放射線を用いて特に簡単に実施できる配線パターンの転
写を行うことも可能である。ネガの配線パターンを製造
する場合にもスルーホールの金属化に際していかなる欠
点も生じない、更に本発明による電磁放射線を用いての
像の構造化が三次元的に射出成形された印刷回路基板を
特に簡単に製造することを可能とすることは明らかであ
る。
（実施態様） 成長層としてＰｄＣ１５−３ｎＣ１ｔを使用した場合、
以後の選択的除去処理に際して特に良好な結果を得るこ
とができた。また成長層としての有機パラジウム化合物
を使用することも特に有利である。この種の有機パラジ
ウム化合物はアディティブ法用の市販の浴剤である。
本発明の他の有利な実施態様によれば、除去処理は成長
層の塗布後でかつ活性化前に行う、この処理により必要
な浴剤の量を減少させることができると共に、特に環境
保護の観点をも十分に配慮できる。
ガラス繊維により補強されたポリエーテルイミドからな
る基板を使用した場合、表面は除去処理により場合によ
っては極く僅かではあるが損傷される。しかし他方では
ガラス繊維により補強されたポリエーテルイミドは三次
元的に射出成形された印刷回路基板を製造するのに特に
適している。
成長層、活性化成長層又は薄い基層を除去するのに必要
な光エネルギーとして紫外線レーザを使用することが特
に好ましいことは明らかであるが、この場合にもレーザ
による像転写の利点は得ることができる。その際特にパ
ルスエキサイマによる除去が最高の結果をもたらした。
〔実施例〕
本発明の実施例を以下に図面について詳述する。
第１図に示した基板Ｓは注入孔ＬＯを有する三次元的に
射出成形された印刷回路基板用ベース材料の切片である
。この種の印刷回路基板用の材料としては特に耐高熱性
の熱可塑性材料が適しており、　図示の実施例ではガラ
ス繊維により補強されたポリエーテルイミドを使用した
。
第１図に示した基板Ｓを後に塗布すべき配線及びスルー
ホールの付着性を高めるため酸潰し、引続き洗浄した。
この場合基板Ｓの酸漬並びに洗浄のために市販の浴剤を
使用したが、酸漬浴は特にポリエーテルイミドを使用し
た。
基板Ｓを酸漬及び洗浄した後第２図に薄い層で示した成
長層Ｂが生じた。成長層Ｂは図から明らかなように基板
の表面及び孔ＬＯの壁面に施されている。成長層Ｂの塗
布は基板ＳをＰｄＣ１１−３ｎＣ１□浴に浸°漬して行
った。しかし成長層Ｂの塗布には有機パラジウム化合物
をベースとする市販の浴剤も適している。
成長層Ｂの塗布後これを活性化するが、この場合アディ
ティブ法において常用の減速又は加速が行われる。引続
き第３図に示すように外部無電流の化学的金属析出法に
より極めて薄い基層Ｇを塗布した０通常の無電流銅浴中
で塗布された基層Ｇも基板Ｓの表面及び孔ＬＯの壁面に
被覆されている。
薄い基層Ｇを塗布した後これを第４図に示すように、後
の配線ＬＺ及び後のスルーホールＤＫに該当しない基板
Ｓの範囲内で除去する。ネガの配線パターンを製造する
ための基層Ｇのこの一選択的除去処理は、電磁放射線を
用いて取り除くことにより行う、後で第１５図に基づき
更に詳述するが、この除去処理で同時に第４図に示すよ
うに成長層Ｂも後の配線ＬＺ及び後のスルーホールＤＫ
に該当しない範囲で除去される。
次いで配線ＬＺ及びスルーホールＤＫを仕上げるため第
５図に示すように、除去処理後に残留する基層Ｇを電気
めっき法で補強する。配線ＬＺ及びスルーホールＤＫの
範囲で市販の銅浴から電気的に析出された金属層は第５
図においてＣＭで示されている。
第６図ないし第１０図に略示した別の実施例においては
同様に第６図に示した孔ＬＯを有する基板Ｓから出発し
、次いでこれに第７図に示すように成長層Ｂを塗布する
。
成長層Ｂの活性化前又は活性化後に、これを電磁放射線
を用いて取り除くことにより選択的に除去する。これに
より第８図に示すように、成長層Ｂは後の配線ＬＺ及び
後のスルーホールＤＫの範囲内に残存するだけである。
成長層Ｂを選択的に除去した後、第９図に示すように後
の配線ＬＺ及び後のスルーホールＤＫの範囲に化学的に
析出した金属の薄い層ＣＭを塗布する。この金属層ＣＭ
はここでも無電流的に析出された銅から成る。
第１Ｏ図に示すように印刷回路基板を仕上げるため配線
ＬＺ及びスルーホールＤＫを電気めっき法で補強するが
、この場合にも電気的に析出された金属層はＧＭで表す
。
第１１図ないし第１４図に略示した更に別の実施例にお
いても第１１図中に示した孔ＬＯを有する基板Ｓから出
発し、これに第１２図に示すように成長層Ｂを塗布する
。成長層Ｂの活性化前又は活性化後にこれを再び電磁放
射線を用いて取り除くことにより選択的に除去する。後
の配線ＬＺ及び後のスルーホールＤＫの範囲内の残存成
長層Ｂは第１３図に示されいる。
成長層Ｂを選択的に取り除いた後第１４図に示すように
配線ＬＺ及びスルーホールＤＫを化学的に金属析出する
ことにより塗布する。第１４図において化学的に析出さ
れた金属層はＣＭで示されている。この化学的に析出さ
れた金属ＣＭは市販の銅浴から無電流法で析出された厚
い銅めっきである。
第１５図はレーザで像転写するための装置の基本略示図
である。この場合レーザ光線ＬＳをレンズＬｌ及び揺動
鏡ＳＳを介して印刷回路基板ＬＰに導き、印刷回路基板
ＬＰ上にネガの配線パターンを製造するエキサイマ・レ
ーザＥＬが使用される。エキサイマ・レーザＥＬはλ−
２４８ｎ−の波長を有する。第３図に示した成長層Ｂ及
び基層Ｇ又は第７図ないし第１２図に示した成長層Ｂを
十分に選択的に取り除（ために１ヘルツの反復率で４０
０ｍＪ／パルスのエネルギーを使用した。その際上記の
層からｌレーザパルス当り約０．５ミクロンが除去され
た。
第１５図に略示した装置の代わりにエキサイマ・レーザ
ＥＬの背後にパターン発生器を配置することもできる。
この場合にパターン発生器と印刷回路基板との間にレン
ズを配置する。像の構造化はこの場合パターン発生器に
対して印刷回路基板を適当に位置移動及び回転させるこ
とにより行う。
パターン発生器を使用してのこの種のレーザ像転写法は
、射出成形された印刷回路基板を大量生産する場合に有
利に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図、第３図、第４図及び第５図は本発明に
よる印刷回路基板を製造するに当っての第１の実施例の
種々の工程段階を示す部分断面図、第６図、第７図、第
８図、第９図及び第１０図は第２の実施例の第１図ない
し第５図に相当する部分断面図、第１１図、第１２図、
第１３図及び第１４図は第３の実施例の第１図ないし第
５図に相当する部分断面図、第１５図はレーザ像転写装
置の略示図である。 Ｓ・・・基板 ＬＯ・・・スルーホール用の孔 Ｂ・・・成長層 Ｇ・・・基層 ＤＫ・・・スルーホール ＬＺ・・・配線 ＣＭ・・・電気的に析出された金属層 ＣＭ・・・化学的に析出された金属層 ＥＬ・・・エキサイマ・レーザ Ｌｌ・・・レンズ ＳＳ・・・揺動鏡 ＬＰ・・・印刷回路基板 ＬＳ・・・レーザ光線

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）導電材料を成長させ、活性化し、次いで化学的に又
    は化学的及び電気的に金属析出することにより電気絶縁
    基板に塗布するアディティブ法で印刷回路基板を製造す
    る方法において、配線（ＬＺ）及び／又はスルーホール
    （ＤＫ）に該当しない基板（Ｓ）の範囲で成長層（Ｂ）
    を単独でか又は化学的金属析出法により塗布された薄い
    基層（Ｇ）と共に電磁放射線により取り除くことによっ
    て除去し、次いで導電材料を化学的に及び／又は電気的
    金属析出法により塗布することを特徴とする印刷回路基
    板の製法。 ２）成長層（Ｂ）としてＰｄＣｌ＿２−ＳｎＣｌ＿２を
    使用することを特徴とする請求項１記載の方法。 ３）成長層（Ｂ）として有機パラジウム化合物を使用す
    ることを特徴とする請求項１記載の方法。 ４）除去を成長層（Ｂ）の塗布後でかつ活性化前に行う
    ことを特徴とする請求項１ないし３の１つに記載の方法
    。 ５）ガラス繊維により補強されたポリエーテルイミドか
    らなる基板（Ｓ）を使用することを特徴とする請求項１
    ないし４の１つに記載の方法。 ６）除去を紫外線レーザを用いて行うことを特徴とする
    請求項１ないし５の１つに記載の方法。 ７）除去をエキサイマ・レーザ（ＥＬ）により行うこと
    を特徴とする請求項６記載の方法。 ８）脈動エキサイマ・レーザ（ＥＬ）を使用することを
    特徴とする請求項７記載の方法。
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