JPS63281416A - コンデンサ− - Google Patents
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- JPS63281416A JPS63281416A JP11483187A JP11483187A JPS63281416A JP S63281416 A JPS63281416 A JP S63281416A JP 11483187 A JP11483187 A JP 11483187A JP 11483187 A JP11483187 A JP 11483187A JP S63281416 A JPS63281416 A JP S63281416A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 6
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 abstract description 13
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 abstract description 9
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 229940071125 manganese acetate Drugs 0.000 abstract description 2
- UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);diacetate Chemical compound [Mn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000005809 transesterification reaction Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N [3-[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]-2,2-bis[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxymethyl]propyl] 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)OCC(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- WOZVHXUHUFLZGK-UHFFFAOYSA-N dimethyl terephthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=C(C(=O)OC)C=C1 WOZVHXUHUFLZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 2-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1Cl ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical group [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 description 1
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229910000720 Silicomanganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- BTVWZWFKMIUSGS-UHFFFAOYSA-N dimethylethyleneglycol Natural products CC(C)(O)CO BTVWZWFKMIUSGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011140 metalized polyester Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000012748 slip agent Substances 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、改良されたコンデンサーに関するものであり
、更に詳しくは主として経口によっても誘電正接(以下
、tanδと称する)の値が変化しないコンデンサーに
関するものである。
、更に詳しくは主として経口によっても誘電正接(以下
、tanδと称する)の値が変化しないコンデンサーに
関するものである。
[従来の技術]
二軸配向ポリエステルフィルムに、アルミニウム、亜鉛
等の金属を蒸着せしめた、いわゆる金属化ポリエステル
フィルムを巻回あるいは積層してなるコンデンサーが知
られている。
等の金属を蒸着せしめた、いわゆる金属化ポリエステル
フィルムを巻回あるいは積層してなるコンデンサーが知
られている。
「発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、上記従来のコンデンサーには、次のよう
な欠点があった。
な欠点があった。
■ 経口と共に、tanδが変化し、特に高温高湿の雰
囲気下では、比較的短時間にtanδが大きくなるばか
りか、その値も変動し易い。
囲気下では、比較的短時間にtanδが大きくなるばか
りか、その値も変動し易い。
■ 更に、経口と共に、静電容量が減少し、安定した容
量が得られない。
量が得られない。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、少なくとも片方の表面層の酸素原子と炭素原
子との原子構成比を0.50〜1.00の範囲にせしめ
た二軸配向ポリエステルフィルムと、該表面層側に蒸着
された金属層とを主体としてなるコンデンサーに関する
ものである。
子との原子構成比を0.50〜1.00の範囲にせしめ
た二軸配向ポリエステルフィルムと、該表面層側に蒸着
された金属層とを主体としてなるコンデンサーに関する
ものである。
本発明におけるポリエステルとは、ジカルボン酸とジオ
ールとより重縮合により得られるエステル結合を分子主
鎖に有する高分子化合物であり、代表的なポリエステル
としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレートなど、及び
それらにテレフタル酸、イソフタル酸、アジピン酸、セ
パチン酸、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコ
ール、ポリテトラメチレングリコールなどのコモノマー
などを共重合させたものなどを含むものである。この時
のエステル交換触媒としては、MCI系、Mn系が本発
明の場合非常に好ましく、Ca系、Zn系、l−i系、
Ni系などでは顕著な効果が出にくい。
ールとより重縮合により得られるエステル結合を分子主
鎖に有する高分子化合物であり、代表的なポリエステル
としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレートなど、及び
それらにテレフタル酸、イソフタル酸、アジピン酸、セ
パチン酸、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコ
ール、ポリテトラメチレングリコールなどのコモノマー
などを共重合させたものなどを含むものである。この時
のエステル交換触媒としては、MCI系、Mn系が本発
明の場合非常に好ましく、Ca系、Zn系、l−i系、
Ni系などでは顕著な効果が出にくい。
本発明の場合、ホモポリマー、中でもポリエチレンナフ
タレート、ポリエチレンテレフタレートを用いたものに
本発明の効果が顕著になることが多い。もちろん、ポリ
エステルには、高分子として、公知の添加剤、例えば安
定剤、粘度調整剤、酸化防止剤、充填剤、滑り剤、アン
チブロッキング剤、還元剤などを含有させてもよく、本
発明の場合、特に酸化防止剤(イルガノックス1010
:: C1ba Geigy製〉、還元剤(フェロシリ
コン、シリコマンガンなど)の添加が有効である。
タレート、ポリエチレンテレフタレートを用いたものに
本発明の効果が顕著になることが多い。もちろん、ポリ
エステルには、高分子として、公知の添加剤、例えば安
定剤、粘度調整剤、酸化防止剤、充填剤、滑り剤、アン
チブロッキング剤、還元剤などを含有させてもよく、本
発明の場合、特に酸化防止剤(イルガノックス1010
:: C1ba Geigy製〉、還元剤(フェロシリ
コン、シリコマンガンなど)の添加が有効である。
フィルム厚さは特に限定されないが、25μm以下、よ
り好ましくは10μm以下、更に好ましくは6μm以下
のものに、本発明の効果は顕著になる。また、表面粗さ
Raは、5〜200mμの範囲のものが普通であるが、
10〜50mμと平滑なフィルムはど本発明の効果は顕
著となる。
り好ましくは10μm以下、更に好ましくは6μm以下
のものに、本発明の効果は顕著になる。また、表面粗さ
Raは、5〜200mμの範囲のものが普通であるが、
10〜50mμと平滑なフィルムはど本発明の効果は顕
著となる。
本発明のポリエステルフィルムは、少なくとも片方の表
面層の酸素原子と炭素原子との原子構成比(以下0/C
と称する)を0.50〜1.00゜好ましくは0.53
〜0.88の範囲とする。この比0/Cが小さすぎると
経口によるtanδが大きくなるのみならず、静電容量
が減少する。この理由は、明確ではないが、通常のポリ
エチレンテレフタレートの場合、O/Cは0.4近傍で
あるが、フィルム表面から約100人までの極表層部の
み○/Cを0.50〜1.○Oにすることにより、フィ
ルム表層部に新たな酸素原子がとり込まれた結果、酸素
や水などの外部雰囲気に対する安定性が増すためと考え
られる。一方、O/Cが大きすぎると、経口によるta
nδかまた大きくなるのみならず、フィルムの滑り性が
非常に悪くなり、コンデンサー素子巻きなどの作業性が
劣り、その結果、素子の中には発生する″シワ″などの
ためにコンデンサーの破壊電圧が低下するという欠点を
有する。
面層の酸素原子と炭素原子との原子構成比(以下0/C
と称する)を0.50〜1.00゜好ましくは0.53
〜0.88の範囲とする。この比0/Cが小さすぎると
経口によるtanδが大きくなるのみならず、静電容量
が減少する。この理由は、明確ではないが、通常のポリ
エチレンテレフタレートの場合、O/Cは0.4近傍で
あるが、フィルム表面から約100人までの極表層部の
み○/Cを0.50〜1.○Oにすることにより、フィ
ルム表層部に新たな酸素原子がとり込まれた結果、酸素
や水などの外部雰囲気に対する安定性が増すためと考え
られる。一方、O/Cが大きすぎると、経口によるta
nδかまた大きくなるのみならず、フィルムの滑り性が
非常に悪くなり、コンデンサー素子巻きなどの作業性が
劣り、その結果、素子の中には発生する″シワ″などの
ためにコンデンサーの破壊電圧が低下するという欠点を
有する。
本発明のO/Cの値は、フィルム表面から約100人ま
での表層部のみに適用されるもので、100人よりも深
い所では、0.4近傍であるのが好ましい。
での表層部のみに適用されるもので、100人よりも深
い所では、0.4近傍であるのが好ましい。
また、本発明フィルムの場合、表面ぬれ張力は、53〜
68 dyn/cmであるのが好ましく、より好ましく
は55〜65 d’yn/cmである。表面ぬれ張力γ
Cがこの範囲にある場合は、tanδの経口変化、特に
高湿時の変化が更に小さくなり、またフィルが互いにブ
ロッキングしたりすることがなく、フィルムの取り扱い
性が優れる。その結果、絶縁破壊電圧か低下することが
少ない。
68 dyn/cmであるのが好ましく、より好ましく
は55〜65 d’yn/cmである。表面ぬれ張力γ
Cがこの範囲にある場合は、tanδの経口変化、特に
高湿時の変化が更に小さくなり、またフィルが互いにブ
ロッキングしたりすることがなく、フィルムの取り扱い
性が優れる。その結果、絶縁破壊電圧か低下することが
少ない。
また、該フィルム表層の窒素原子と炭素原子とり原子構
成比N/Cを0.005〜0.08の範囲にすることに
より、効果はより顕著になる。
成比N/Cを0.005〜0.08の範囲にすることに
より、効果はより顕著になる。
ポリエステルフィルムへの金属蒸着は、このO/Cとγ
Cとが上記範囲にある表面に施される。
Cとが上記範囲にある表面に施される。
従って、フィルムの両表面とも上記範囲内にある場合は
、金属を両面に蒸着し得る。蒸着する金属は、特に限定
されないが、アルミニウム、亜鉛がよく利用される。も
ちろんアルミニウムと亜鉛とを合金蒸着(例えば特開昭
54−131762等)したり、積層蒸着(例えば特開
昭54−127557等)してもよい。本発明の場合、
金属としては、白金、パラジウム、金、銅などの標準電
極電位の高い、安定した金属を用いるのがtanδの安
定化に好ましい。蒸着膜の厚さは、10人から5000
人の範囲が好ましく、これをアルミニウム膜の場合に膜
抵抗で表示すると0.1〜10Ω/口程度の範囲のもの
となる。蒸着方式は、特に限定されず、電熱加熱溶解蒸
着法、イオンビーム蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法などを用いることができる。
、金属を両面に蒸着し得る。蒸着する金属は、特に限定
されないが、アルミニウム、亜鉛がよく利用される。も
ちろんアルミニウムと亜鉛とを合金蒸着(例えば特開昭
54−131762等)したり、積層蒸着(例えば特開
昭54−127557等)してもよい。本発明の場合、
金属としては、白金、パラジウム、金、銅などの標準電
極電位の高い、安定した金属を用いるのがtanδの安
定化に好ましい。蒸着膜の厚さは、10人から5000
人の範囲が好ましく、これをアルミニウム膜の場合に膜
抵抗で表示すると0.1〜10Ω/口程度の範囲のもの
となる。蒸着方式は、特に限定されず、電熱加熱溶解蒸
着法、イオンビーム蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法などを用いることができる。
本発明のコンデンサーは、油含浸式でも、乾式でも、そ
れらの折衷でもよいが、本発明の場合乾式コンデンサー
の方がその効果は顕著となる。
れらの折衷でもよいが、本発明の場合乾式コンデンサー
の方がその効果は顕著となる。
次に本発明コンデンサーの製造方法についで説明する。
酢酸マンガンをエステル交換触媒にして得たポリエチレ
ンテレフタレートを用いて得た二軸配向ポリエステルフ
ィルムの表層をコロナ処理、プラズマ処理、薬液処理な
どの手法により該フィルム表層のみのO/Cが0.50
〜1.00、更に好ましくはぬれ張力γCが53〜68
dyn/cmになるようにする。
ンテレフタレートを用いて得た二軸配向ポリエステルフ
ィルムの表層をコロナ処理、プラズマ処理、薬液処理な
どの手法により該フィルム表層のみのO/Cが0.50
〜1.00、更に好ましくはぬれ張力γCが53〜68
dyn/cmになるようにする。
フィルム表層の特性を上記のようにするための詳細な条
件は、フィルムの性質、雰囲気の条件、処理方法、製膜
条件等によって異なる。従って、個々の場合に応じて、
適宜条件設定すればよい。
件は、フィルムの性質、雰囲気の条件、処理方法、製膜
条件等によって異なる。従って、個々の場合に応じて、
適宜条件設定すればよい。
コロナ処理の場合、雰囲気ガスは、酸素濃度0゜1体積
%以下の窒素、二酸化炭素、アルゴンなどの雰囲気で行
なうのが好ましい。もちろん加湿されていてもよい。ま
た、コロナ放電の印加エネルギーは、1〜6KJ/Tn
2程度のものが好ましい。この処理されたフィルムを真
空蒸着装置の中にセットし、アルミニウム、亜鉛などの
金属を処理面の上に蒸着する。蒸着されたフィルムを小
幅にスリットし、これを2枚重ね合わせて巻き回してコ
ンデンサー素子を作り、以下常法によって、プレス、テ
ーピング、メタリコン、電圧処理、両端面封止、リード
線取付けなどをしてコンデンサーとする。
%以下の窒素、二酸化炭素、アルゴンなどの雰囲気で行
なうのが好ましい。もちろん加湿されていてもよい。ま
た、コロナ放電の印加エネルギーは、1〜6KJ/Tn
2程度のものが好ましい。この処理されたフィルムを真
空蒸着装置の中にセットし、アルミニウム、亜鉛などの
金属を処理面の上に蒸着する。蒸着されたフィルムを小
幅にスリットし、これを2枚重ね合わせて巻き回してコ
ンデンサー素子を作り、以下常法によって、プレス、テ
ーピング、メタリコン、電圧処理、両端面封止、リード
線取付けなどをしてコンデンサーとする。
[測定法]
以下に本発明に関する測定法について説明する。
(1) フィルム表面層の原子構成比国際電気(株)
製のES、CAスペクトロメーターES−200型を用
い、次の条件でフィルム表面を測定した。
製のES、CAスペクトロメーターES−200型を用
い、次の条件でフィルム表面を測定した。
励起X線:ArL K(X線(1486,6eV)X繰
出カニ10KV 20mA 温度:20’C 運動エネルギー補正:中性炭素の運動エネルギー値を1
202.OeVに合わせる。
出カニ10KV 20mA 温度:20’C 運動エネルギー補正:中性炭素の運動エネルギー値を1
202.OeVに合わせる。
得られたスペクトルから、CIS、 013. NIS
それぞれの相対積分強度から、Cを1、Oを2.6、N
Ol、7として感度補正し、O/C,N/Cの原子構成
比を求める。
それぞれの相対積分強度から、Cを1、Oを2.6、N
Ol、7として感度補正し、O/C,N/Cの原子構成
比を求める。
(2) 表面粗さくRa)
JIS B12O3−1976に従い、カットオフ0
.25mmで測定した。
.25mmで測定した。
(3) 誘電正接(tanδ)
ASTM D150に従い求めた。
(4)表面ぬれ張力(γC)
JIS K6768−1971に従い求めるが、7c
が55〜72 dyn/cmはアンモニア水を、72d
yn/cm以上は水酸化ナトリウム水溶液を用いる。
が55〜72 dyn/cmはアンモニア水を、72d
yn/cm以上は水酸化ナトリウム水溶液を用いる。
(5)コンデンサーのtanδ増加率(Δtanδ〉及
び容量低下率(ΔC) 6μmのポリエチレンテレフタレートに1を蒸着して、
常法により30μFの巻回型コンデンサーを作り、これ
を85℃の雰囲気中に起き、八〇425Vを荷電して、
500時間保つ。500時間後のtanδ、容量C値か
ら、最初のjanδ、容量に対する変化率として%で表
示する。
び容量低下率(ΔC) 6μmのポリエチレンテレフタレートに1を蒸着して、
常法により30μFの巻回型コンデンサーを作り、これ
を85℃の雰囲気中に起き、八〇425Vを荷電して、
500時間保つ。500時間後のtanδ、容量C値か
ら、最初のjanδ、容量に対する変化率として%で表
示する。
(6)コンデンサーの絶縁破壊電圧(BDV)厚さ6μ
mの二軸配向ポリエステルフィルムに、アルミニウムを
膜抵抗2Ω/口になるように蒸着し、これを巻き回して
容量30μFのコンデンサー素子を作る。これに100
V/秒の昇圧速度で荷電してゆき、コンデンサーが破壊
する時の電圧をフィルム厚さで割った値をBDV値とす
る。
mの二軸配向ポリエステルフィルムに、アルミニウムを
膜抵抗2Ω/口になるように蒸着し、これを巻き回して
容量30μFのコンデンサー素子を作る。これに100
V/秒の昇圧速度で荷電してゆき、コンデンサーが破壊
する時の電圧をフィルム厚さで割った値をBDV値とす
る。
電極等は、ASTM D149に従った。
[実施例]
以下、本発明の効果をより明確にするために、実施例及
び比較例にて説明する。
び比較例にて説明する。
実施例1〜6、比較例1〜2
ジメチルテレフタレートとエチレングリコールから、エ
ステル交換触媒として、酢酸マンカンを用い、重合触媒
として三酸化アンチモンを用いて、常法により、オルト
クロルフェノール中での極限粘度[η]=0.63dl
/gのポリエチレンテレフタレートを得た。該ポリエス
テルペレットを押出機に供給し、280°Cで溶融し、
口金からシート状に吐出させ、これに静電荷を印加させ
ながら、25°Cに保たれた冷却用ドラム上に密着固化
させた。このキャストシートを長手方向に110’Cで
5倍延伸後、幅方向に100’Cで4倍に延伸後、19
5℃で幅方向に3%のリラックスをさせながら、5秒間
熱処理し、厚さ5μmの二軸延伸フィルムを得た。
ステル交換触媒として、酢酸マンカンを用い、重合触媒
として三酸化アンチモンを用いて、常法により、オルト
クロルフェノール中での極限粘度[η]=0.63dl
/gのポリエチレンテレフタレートを得た。該ポリエス
テルペレットを押出機に供給し、280°Cで溶融し、
口金からシート状に吐出させ、これに静電荷を印加させ
ながら、25°Cに保たれた冷却用ドラム上に密着固化
させた。このキャストシートを長手方向に110’Cで
5倍延伸後、幅方向に100’Cで4倍に延伸後、19
5℃で幅方向に3%のリラックスをさせながら、5秒間
熱処理し、厚さ5μmの二軸延伸フィルムを得た。
かくして得られたフィルムを、酸素濃度0.1vo1%
未満で、窒素7QVO1%と炭酸ガス3Qv。
未満で、窒素7QVO1%と炭酸ガス3Qv。
1%の混合カス下で、コロナ放電処理強度を変えて、表
面処理をし、O/Cの値の異なるフィルムを得た。かく
して得られたフィルムのΔtanδ、へ〇、BDV値を
表1に一覧した。
面処理をし、O/Cの値の異なるフィルムを得た。かく
して得られたフィルムのΔtanδ、へ〇、BDV値を
表1に一覧した。
以上の結果より、コンデンサー用のポリエチレンテレフ
タレートフィルム表面のO/Cは、0゜50〜1.00
、好ましくは0.58〜0.88の範囲にあることが必
要なことが判る。
タレートフィルム表面のO/Cは、0゜50〜1.00
、好ましくは0.58〜0.88の範囲にあることが必
要なことが判る。
なお、フィルムの表面粗さは50mμ、N/Cは0.0
3であった。
3であった。
実施例7〜10
ポリエチレンテレフタレートに添加する酸化防止剤のイ
ルガノックス1010 (C1ba eeipy> (
D添加量を変更して、上記と同様のテストを行ない、表
2の結果を得た。
ルガノックス1010 (C1ba eeipy> (
D添加量を変更して、上記と同様のテストを行ない、表
2の結果を得た。
もちろん、添加剤によって、表面ぬれ張力を変更したが
、それ以外にコロナ放電処理時の雰囲気湿度を高くする
方法や、種々のガス下でのプラズマ処理法などを用いて
も同様の結果が1qられる。
、それ以外にコロナ放電処理時の雰囲気湿度を高くする
方法や、種々のガス下でのプラズマ処理法などを用いて
も同様の結果が1qられる。
表1
表2
[発明の効果]
本発明にかかるコンデンサーは、tanδや静電容量の
経口による変化、特に高湿下での経口変化が少なく、ま
た高い絶縁破壊電圧を有する。
経口による変化、特に高湿下での経口変化が少なく、ま
た高い絶縁破壊電圧を有する。
Claims (2)
- (1)少なくとも片方の表面層の酸素原子と炭素原子と
の原子構成比を0.50〜1.00の範囲にせしめた二
軸配向ポリエステルフィルムと、該表面層側に蒸着され
た金属層とを主体としてなるコンデンサー。 - (2)少なくとも片方の表面層の酸素原子と炭素原子と
の原子構成比を0.50〜1.00、かつ表面ぬれ張力
を53〜68dyn/cmにせしめた二軸配向ポリエス
テルフィルムと、該表面層側に蒸着された金属層とを主
体としてなるコンデンサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11483187A JPS63281416A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | コンデンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11483187A JPS63281416A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | コンデンサ− |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63281416A true JPS63281416A (ja) | 1988-11-17 |
JPH044733B2 JPH044733B2 (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=14647784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11483187A Granted JPS63281416A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | コンデンサ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63281416A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0383312A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Toray Ind Inc | 金属化フィルム及びコンデンサ |
US7341792B2 (en) * | 2003-08-21 | 2008-03-11 | Amt Laboratory Corporation | Biaxially oriented saturated polyester film, method of making the same, laminate of biaxially oriented saturated polyester film and method of making the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6089358A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-20 | 東レ株式会社 | 金属化ポリエステルフイルム |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP11483187A patent/JPS63281416A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6089358A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-20 | 東レ株式会社 | 金属化ポリエステルフイルム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0383312A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Toray Ind Inc | 金属化フィルム及びコンデンサ |
US7341792B2 (en) * | 2003-08-21 | 2008-03-11 | Amt Laboratory Corporation | Biaxially oriented saturated polyester film, method of making the same, laminate of biaxially oriented saturated polyester film and method of making the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH044733B2 (ja) | 1992-01-29 |
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