JPH10112419A - 二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびそれからなるフィルムコンデンサー - Google Patents
二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびそれからなるフィルムコンデンサーInfo
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- JPH10112419A JPH10112419A JP9127043A JP12704397A JPH10112419A JP H10112419 A JPH10112419 A JP H10112419A JP 9127043 A JP9127043 A JP 9127043A JP 12704397 A JP12704397 A JP 12704397A JP H10112419 A JPH10112419 A JP H10112419A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】耐電圧性と耐熱性に優れた二軸配向ポリプロピ
レンフィルムおよびそれを誘電体として用いる耐電圧性
に優れたフィルムコンデンサー、さらには耐電圧性と耐
電流性に優れた高周波回路用コンデンサーを提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】アイソタクチックインデックスが99%以
下であり、下記式(1)および(2)の特性を有するポ
リプロピレン樹脂からなり、灰分が30ppm以下であ
ることを特徴とする二軸配向ポリプロピレンフィルムお
よびそれを誘電体として用いるフィルムコンデンサーお
よび高周波回路用フィルムコンデンサー。 (1)mmmmmm≧98.5% (2)rrrrrr≦0.5% (ただし、mmmmmmはポリプロピレンの13C−NM
Rから求めたメソヘプタッド分率であり、rrrrrr
はラセモヘプタッド分率である。)
レンフィルムおよびそれを誘電体として用いる耐電圧性
に優れたフィルムコンデンサー、さらには耐電圧性と耐
電流性に優れた高周波回路用コンデンサーを提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】アイソタクチックインデックスが99%以
下であり、下記式(1)および(2)の特性を有するポ
リプロピレン樹脂からなり、灰分が30ppm以下であ
ることを特徴とする二軸配向ポリプロピレンフィルムお
よびそれを誘電体として用いるフィルムコンデンサーお
よび高周波回路用フィルムコンデンサー。 (1)mmmmmm≧98.5% (2)rrrrrr≦0.5% (ただし、mmmmmmはポリプロピレンの13C−NM
Rから求めたメソヘプタッド分率であり、rrrrrr
はラセモヘプタッド分率である。)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐電圧性と耐熱性
に優れた二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびそれを
誘電体として用いる耐電圧性と耐電流性に優れた高周波
回路用フィルムコンデンサーに関する。
に優れた二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびそれを
誘電体として用いる耐電圧性と耐電流性に優れた高周波
回路用フィルムコンデンサーに関する。
【0002】
【従来の技術】二軸配向ポリプロピレンフィルムは工業
材料、包装材料用フィルムとして広く用いられている
が、その優れた電気特性(高耐電圧、低誘電損失)を活
かしてコンデンサー用途にも使用されている。
材料、包装材料用フィルムとして広く用いられている
が、その優れた電気特性(高耐電圧、低誘電損失)を活
かしてコンデンサー用途にも使用されている。
【0003】ところで、ポリプロピレンフィルムは、フ
ィルムコンデンサーの代表的な素材の一つであるが、近
頃の電子部品の軽薄短小化に伴い、従来、耐電圧性に余
裕を持たせるために厚めのフィルムで設計が行われてき
たものが、年々フィルムが薄膜化してきており、フィル
ムに高度な耐電圧性と耐熱性が要求されつつある。ま
た、このポリプロピレンフィルムを誘電体に用いた、高
周波回路用コンデンサーにおいてはますます高度な耐電
圧性と耐電流性が要求されてきている。
ィルムコンデンサーの代表的な素材の一つであるが、近
頃の電子部品の軽薄短小化に伴い、従来、耐電圧性に余
裕を持たせるために厚めのフィルムで設計が行われてき
たものが、年々フィルムが薄膜化してきており、フィル
ムに高度な耐電圧性と耐熱性が要求されつつある。ま
た、このポリプロピレンフィルムを誘電体に用いた、高
周波回路用コンデンサーにおいてはますます高度な耐電
圧性と耐電流性が要求されてきている。
【0004】このような課題に対し、特開平6−236
709号公報には灰分が低く、沸騰n−ヘプタン可溶分
が1〜10重量%であることから加工性に優れ、室温か
ら80℃までの電気絶縁性に優れた高分子絶縁材料が開
示されており、沸騰n−ヘプタン不溶分のアイソタクチ
ックペンタッド分率が90%以上のものが好ましいとの
示唆がある。
709号公報には灰分が低く、沸騰n−ヘプタン可溶分
が1〜10重量%であることから加工性に優れ、室温か
ら80℃までの電気絶縁性に優れた高分子絶縁材料が開
示されており、沸騰n−ヘプタン不溶分のアイソタクチ
ックペンタッド分率が90%以上のものが好ましいとの
示唆がある。
【0005】また、特開平7−25946号公報には同
じく沸騰n−ヘプタン不溶分が80重量%以上、特に好
ましくは96重量%以上であり、該沸騰n−ヘプタン不
溶分のアイソタクチックペンタッド分率が0.970〜
0.995の範囲にあるプロピレン重合体およびこれを
用いた成形体の開示がある。
じく沸騰n−ヘプタン不溶分が80重量%以上、特に好
ましくは96重量%以上であり、該沸騰n−ヘプタン不
溶分のアイソタクチックペンタッド分率が0.970〜
0.995の範囲にあるプロピレン重合体およびこれを
用いた成形体の開示がある。
【0006】しかし、これらに開示されたように、単に
沸騰n−ヘプタン不溶分のアイソタクチックペンタッド
分率の高い二軸配向ポリプロピレンフィルムでは、本発
明の目指す85℃を越える高温での耐絶縁破壊特性とこ
のフィルムを誘電体として用いたコンデンサー素子の長
期耐熱性が不十分であった。すなわち、上記従来の技術
による立体規則性の高い二軸配向ポリプロピレンフィル
ムは、沸騰n−ヘプタン不溶分のアイソタクチックペン
タッド分率がそこそこ高いものの、n−ヘプタン可溶分
のアイソタクチックペンタッド分率が低いため、フィル
ムとしてのアイソタクチックペンタッド分率が結果とし
て低く、立体規則性が不十分であった。
沸騰n−ヘプタン不溶分のアイソタクチックペンタッド
分率の高い二軸配向ポリプロピレンフィルムでは、本発
明の目指す85℃を越える高温での耐絶縁破壊特性とこ
のフィルムを誘電体として用いたコンデンサー素子の長
期耐熱性が不十分であった。すなわち、上記従来の技術
による立体規則性の高い二軸配向ポリプロピレンフィル
ムは、沸騰n−ヘプタン不溶分のアイソタクチックペン
タッド分率がそこそこ高いものの、n−ヘプタン可溶分
のアイソタクチックペンタッド分率が低いため、フィル
ムとしてのアイソタクチックペンタッド分率が結果とし
て低く、立体規則性が不十分であった。
【0007】またアイソタクチシティが極めて高い、い
わゆる高結晶性の二軸配向ポリプロピレンフィルムは、
立体規則性が不十分であるがゆえに、製膜性が極めて悪
く、耐熱性と耐絶縁破壊特性に優れた二軸配向ポリプロ
ピレンフィルムを製造するための有用な技術として確立
されるには至っていなかった。
わゆる高結晶性の二軸配向ポリプロピレンフィルムは、
立体規則性が不十分であるがゆえに、製膜性が極めて悪
く、耐熱性と耐絶縁破壊特性に優れた二軸配向ポリプロ
ピレンフィルムを製造するための有用な技術として確立
されるには至っていなかった。
【0008】この欠点を解消するための技術として、特
公平4−28727号公報には、アイソタクチックペン
タッド分率が0.960〜0.990の範囲にあり、か
つ沸騰n−ヘキサンおよび沸騰n−ヘプタンで逐次抽出
した被抽出物の全量が3.0〜6.0%とすることで成
形性に優れた結晶性ポリプロピレンフィルムの開示があ
る。しかし、アイソタクチックペンタッド分率が十分で
なく、高温での耐絶縁破壊特性が不十分であった。
公平4−28727号公報には、アイソタクチックペン
タッド分率が0.960〜0.990の範囲にあり、か
つ沸騰n−ヘキサンおよび沸騰n−ヘプタンで逐次抽出
した被抽出物の全量が3.0〜6.0%とすることで成
形性に優れた結晶性ポリプロピレンフィルムの開示があ
る。しかし、アイソタクチックペンタッド分率が十分で
なく、高温での耐絶縁破壊特性が不十分であった。
【0009】さらに特開平5−217799号公報に
は、特定の熱変形温度とヤング率を有し、結晶化度が高
く、立体規則性の良い高剛性ポリプロピレンを用いたフ
ィルムに金属を蒸着した高剛性蒸着金属化フィルムを用
いた蒸着フィルムコンデンサーの開示がある。しかし立
体規則性は高々90%程度であり、高温での絶縁破壊特
性が不十分であった。
は、特定の熱変形温度とヤング率を有し、結晶化度が高
く、立体規則性の良い高剛性ポリプロピレンを用いたフ
ィルムに金属を蒸着した高剛性蒸着金属化フィルムを用
いた蒸着フィルムコンデンサーの開示がある。しかし立
体規則性は高々90%程度であり、高温での絶縁破壊特
性が不十分であった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常の
高剛性、または高いアイソタクチックインデックスのポ
リプロピレンフィルムは、耐電圧性が十分でなく、絶縁
破壊電圧不良となる場合がある。一方、単に低灰分のポ
リプロピレンフィルムでは、熱収縮率が大きく、コンデ
ンサー素子へ加工するときに上述のごとき不具合が生じ
たり、高温での使用に耐えられない場合がある。
高剛性、または高いアイソタクチックインデックスのポ
リプロピレンフィルムは、耐電圧性が十分でなく、絶縁
破壊電圧不良となる場合がある。一方、単に低灰分のポ
リプロピレンフィルムでは、熱収縮率が大きく、コンデ
ンサー素子へ加工するときに上述のごとき不具合が生じ
たり、高温での使用に耐えられない場合がある。
【0011】本発明は上記従来の欠点を解消すべくなさ
れたものであり、耐電圧性と耐熱性に優れた二軸配向ポ
リプロピレンフィルムおよびそれを誘電体として用いる
耐電圧性に優れたフィルムコンデンサー、さらには耐電
圧性と耐電流性に優れた高周波回路用コンデンサーを提
供することを目的とするものである。
れたものであり、耐電圧性と耐熱性に優れた二軸配向ポ
リプロピレンフィルムおよびそれを誘電体として用いる
耐電圧性に優れたフィルムコンデンサー、さらには耐電
圧性と耐電流性に優れた高周波回路用コンデンサーを提
供することを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に鋭意検討した結果、ポリプロピレンの立体規則性がフ
ィルムの耐電圧性と耐熱性に大きく影響し、このことで
フィルムコンデンサーに加工した結果、耐電圧性と耐電
流性に優れたフィルムコンデンサーとすることができる
ことを見出し本発明に至った。
に鋭意検討した結果、ポリプロピレンの立体規則性がフ
ィルムの耐電圧性と耐熱性に大きく影響し、このことで
フィルムコンデンサーに加工した結果、耐電圧性と耐電
流性に優れたフィルムコンデンサーとすることができる
ことを見出し本発明に至った。
【0013】すなわち、前記した本発明の目的は、アイ
ソタクチックインデックスが99%以下であり、下式
(1)および(2)の特性を有し、灰分が30ppm以
下であることを特徴とする二軸配向ポリプロピレンフィ
ルムおよびそれを誘電体として用いたフィルムコンデン
サーにより達成できる。
ソタクチックインデックスが99%以下であり、下式
(1)および(2)の特性を有し、灰分が30ppm以
下であることを特徴とする二軸配向ポリプロピレンフィ
ルムおよびそれを誘電体として用いたフィルムコンデン
サーにより達成できる。
【0014】(1)mmmmmm≧98.5% (2)rrrrrr≦0.5% (ただし、mmmmmmはポリプロピレンの13C−NM
Rから求めたメソヘプタッド分率であり、rrrrrr
はラセモヘプタッド分率である。)
Rから求めたメソヘプタッド分率であり、rrrrrr
はラセモヘプタッド分率である。)
【0015】
【発明の実施の形態】本発明における二軸配向ポリプロ
ピレンフィルムは、主としてポリプロピレンからなる二
軸延伸フィルムであり、基本的に他の共重合成分を含ん
でいない。
ピレンフィルムは、主としてポリプロピレンからなる二
軸延伸フィルムであり、基本的に他の共重合成分を含ん
でいない。
【0016】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムに使用されるポリプロピレンのアイソタクチッ
クインデックス(II)は、製膜性の点で99%以下で
ある必要がある。99%を越えると、二軸延伸フィルム
を製造する際、延伸性が悪く、製膜が著しく困難とな
る。より好ましくは97〜99%の範囲のものが用いら
れ、97%未満のものでは耐熱性、耐電圧性に劣る場合
がある。
フィルムに使用されるポリプロピレンのアイソタクチッ
クインデックス(II)は、製膜性の点で99%以下で
ある必要がある。99%を越えると、二軸延伸フィルム
を製造する際、延伸性が悪く、製膜が著しく困難とな
る。より好ましくは97〜99%の範囲のものが用いら
れ、97%未満のものでは耐熱性、耐電圧性に劣る場合
がある。
【0017】本発明において、ポリプロピレンフィルム
の立体規則性は、13C−NMRにより測定したメチル基
の吸収ピークによるヘプタッド分率により評価すること
ができる。一般的に、ポリプロピレン分子鎖における7
個の繰り返し単位の立体配座(ヘプタッド)は、mmm
mmm、mmmmmr、rmmmmr、・・、rrrr
rr、・・といったものがある。ここで、mはメソ(m
eso)、rはラセモ(rasemo)の立体配座を示
す。ヘプタッド分率は、T.Hayashiらの報告
[Polymer、29、138〜143(198
8)]等にあるように、上記各立体配座を有するセグメ
ントの比率を13C−NMRから求めたものである。
の立体規則性は、13C−NMRにより測定したメチル基
の吸収ピークによるヘプタッド分率により評価すること
ができる。一般的に、ポリプロピレン分子鎖における7
個の繰り返し単位の立体配座(ヘプタッド)は、mmm
mmm、mmmmmr、rmmmmr、・・、rrrr
rr、・・といったものがある。ここで、mはメソ(m
eso)、rはラセモ(rasemo)の立体配座を示
す。ヘプタッド分率は、T.Hayashiらの報告
[Polymer、29、138〜143(198
8)]等にあるように、上記各立体配座を有するセグメ
ントの比率を13C−NMRから求めたものである。
【0018】本発明のポリプロピレンフィルムは、立体
規則性の極めて高いポリプロピレン樹脂により達成でき
る。すなわち本発明の二軸配向ポリプロピレンフィルム
のポリプロピレン樹脂はメソの並びの確率の高さで評価
できるが、一般にメソペンタッド分率と呼ばれるmmm
mの立体配座の割合よりもさらに高度の立体規則性の指
標であるメソヘプタッド分率mmmmmmが98.5%
以上であることが必要である。さらにシンジオタクチッ
クな構造を反映するrrrrrrの立体配座の確率であ
るラセモヘプタッド分率が0.5%以下であることも必
要である。このようなポリプロピレンフィルムは、より
長いアイソタクチックセグメントを持つ分子から構成さ
れており、高結晶性、高耐電圧性、高耐熱性のフィルム
を得ることができる。本発明のポリプロピレンフィルム
のポリプロピレンの立体規則性において、mmmmmm
として、さらに好ましくは99.0%以上である。ま
た、rrrrrrとして、さらに好ましくは0.3%以
下である。
規則性の極めて高いポリプロピレン樹脂により達成でき
る。すなわち本発明の二軸配向ポリプロピレンフィルム
のポリプロピレン樹脂はメソの並びの確率の高さで評価
できるが、一般にメソペンタッド分率と呼ばれるmmm
mの立体配座の割合よりもさらに高度の立体規則性の指
標であるメソヘプタッド分率mmmmmmが98.5%
以上であることが必要である。さらにシンジオタクチッ
クな構造を反映するrrrrrrの立体配座の確率であ
るラセモヘプタッド分率が0.5%以下であることも必
要である。このようなポリプロピレンフィルムは、より
長いアイソタクチックセグメントを持つ分子から構成さ
れており、高結晶性、高耐電圧性、高耐熱性のフィルム
を得ることができる。本発明のポリプロピレンフィルム
のポリプロピレンの立体規則性において、mmmmmm
として、さらに好ましくは99.0%以上である。ま
た、rrrrrrとして、さらに好ましくは0.3%以
下である。
【0019】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムに使用されるポリプロピレンの極限粘度は、特
に限定される事はないが、製膜性の点から1〜10dl
/gの範囲のものが用いられる。
フィルムに使用されるポリプロピレンの極限粘度は、特
に限定される事はないが、製膜性の点から1〜10dl
/gの範囲のものが用いられる。
【0020】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムの灰分が30ppm以下であることが必要であ
る。より好ましくは25ppm以下であり、さらに好ま
しくは20ppm以下である。灰分が30ppmを越え
ると、該フィルムの耐電圧性が低下し、コンデンサー用
二軸配向ポリプロピレンフィルムとして実用に耐えられ
ない。
フィルムの灰分が30ppm以下であることが必要であ
る。より好ましくは25ppm以下であり、さらに好ま
しくは20ppm以下である。灰分が30ppmを越え
ると、該フィルムの耐電圧性が低下し、コンデンサー用
二軸配向ポリプロピレンフィルムとして実用に耐えられ
ない。
【0021】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムは、耐電圧性の低下を防ぐ観点から、灰分中の
鉄分が2ppm以下であることが好ましく、より好まし
くは1.5ppm以下であり、さらに好ましくは1pp
m以下である。
フィルムは、耐電圧性の低下を防ぐ観点から、灰分中の
鉄分が2ppm以下であることが好ましく、より好まし
くは1.5ppm以下であり、さらに好ましくは1pp
m以下である。
【0022】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムの密度より求めた結晶化度は、70%以上であ
ることが好ましく、より好ましくは72%以上であり、
さらに好ましくは74%以上である。結晶化度が70%
未満であると、該二軸配向ポリプロピレンフィルムの耐
電圧性、耐熱性、さらには蒸着加工性が低下する場合が
ある。
フィルムの密度より求めた結晶化度は、70%以上であ
ることが好ましく、より好ましくは72%以上であり、
さらに好ましくは74%以上である。結晶化度が70%
未満であると、該二軸配向ポリプロピレンフィルムの耐
電圧性、耐熱性、さらには蒸着加工性が低下する場合が
ある。
【0023】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムの厚みは、特に限定される事はないが、製膜性
や機械特性の点から0.5〜40μmの範囲であること
が好ましく、高周波回路用途としては3〜15μmの範
囲が好ましく、特に大電流用途すなわち耐電流性が要求
される用途には3〜10μm、特に耐電圧性が要求され
る用途には5〜15μmの範囲が好ましい。
フィルムの厚みは、特に限定される事はないが、製膜性
や機械特性の点から0.5〜40μmの範囲であること
が好ましく、高周波回路用途としては3〜15μmの範
囲が好ましく、特に大電流用途すなわち耐電流性が要求
される用途には3〜10μm、特に耐電圧性が要求され
る用途には5〜15μmの範囲が好ましい。
【0024】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムの耐電圧性は、直流での絶縁破壊電圧で評価で
きる。一般に二軸配向ポリプロピレンフィルムの絶縁破
壊電圧は、膜厚が小さくなると単位厚み当たりの絶縁破
壊電圧(V/μm)が小さくなる。本発明の二軸配向ポ
リプロピレンフィルムの絶縁破壊電圧は、膜厚をd(μ
m)として700−200/d1/2(V/μm)以上で
あることが好ましい。この値未満の場合、絶縁破壊が容
易に発生しコンデンサー用途として実用に適さない場合
がある。
フィルムの耐電圧性は、直流での絶縁破壊電圧で評価で
きる。一般に二軸配向ポリプロピレンフィルムの絶縁破
壊電圧は、膜厚が小さくなると単位厚み当たりの絶縁破
壊電圧(V/μm)が小さくなる。本発明の二軸配向ポ
リプロピレンフィルムの絶縁破壊電圧は、膜厚をd(μ
m)として700−200/d1/2(V/μm)以上で
あることが好ましい。この値未満の場合、絶縁破壊が容
易に発生しコンデンサー用途として実用に適さない場合
がある。
【0025】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムの耐熱性は、120℃、15分加熱時の熱収縮
率で評価することができる。本発明の二軸配向ポリプロ
ピレンフィルムは、120℃、15分加熱時の長手方向
の熱収縮率が1.5〜2.5%の範囲であることが好ま
しい。熱収縮率が2.5%を超えると、金属層形成時に
寸法変化を起こし、フィルムロールにシワが入ったり、
コンデンサーの容量低下が大きくなる場合がある。
フィルムの耐熱性は、120℃、15分加熱時の熱収縮
率で評価することができる。本発明の二軸配向ポリプロ
ピレンフィルムは、120℃、15分加熱時の長手方向
の熱収縮率が1.5〜2.5%の範囲であることが好ま
しい。熱収縮率が2.5%を超えると、金属層形成時に
寸法変化を起こし、フィルムロールにシワが入ったり、
コンデンサーの容量低下が大きくなる場合がある。
【0026】特に、後述するフィルムの幅方向に金属蒸
着膜の膜厚を変化させ、外部電極とのコンタクト部の膜
厚を相対的に増大させる手法、いわゆるヘビーエッジの
手法を採用する場合、フィルムロールに蒸着膜厚の異な
る部分がフィルム長手方向にストライプ状に形成される
ため、熱収縮率が大きいとフィルムロールのしわが大き
くなりコンデンサー素子に加工する際、スリット端面が
そろわなくなり、外部電極接続が不十分となることによ
り、耐電流性が悪化し使用上問題が生じる場合がある。
熱収縮率が1.5%未満の場合は、コンデンサー素子作
成時の熱処理による巻締まりが不十分となり、形態保持
性や容量変化率に悪影響を及ぼす場合がある。
着膜の膜厚を変化させ、外部電極とのコンタクト部の膜
厚を相対的に増大させる手法、いわゆるヘビーエッジの
手法を採用する場合、フィルムロールに蒸着膜厚の異な
る部分がフィルム長手方向にストライプ状に形成される
ため、熱収縮率が大きいとフィルムロールのしわが大き
くなりコンデンサー素子に加工する際、スリット端面が
そろわなくなり、外部電極接続が不十分となることによ
り、耐電流性が悪化し使用上問題が生じる場合がある。
熱収縮率が1.5%未満の場合は、コンデンサー素子作
成時の熱処理による巻締まりが不十分となり、形態保持
性や容量変化率に悪影響を及ぼす場合がある。
【0027】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムは、公知の添加剤、例えば結晶核剤、酸化防止
剤、熱安定剤、すべり剤、帯電防止剤、ブロッキング防
止剤、充填剤、粘度調整剤、着色防止剤などを含有させ
てもよい。
フィルムは、公知の添加剤、例えば結晶核剤、酸化防止
剤、熱安定剤、すべり剤、帯電防止剤、ブロッキング防
止剤、充填剤、粘度調整剤、着色防止剤などを含有させ
てもよい。
【0028】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムは、金属層を形成する面に、接着力を高めるた
めコロナ放電処理あるいはプラズマ処理を行うことが好
ましい。コロナ放電処理は公知の方法を用いることがで
きるが、処理をする際に雰囲気ガスとして空気、炭酸ガ
ス、窒素ガスおよびこれらの混合ガス中での処理が好ま
しい。またプラズマ処理は、種々の気体をプラズマ状態
におき、フィルム表面を化学変成させる方法、例えば特
開昭59−98140号公報に記載されている方法など
がある。
フィルムは、金属層を形成する面に、接着力を高めるた
めコロナ放電処理あるいはプラズマ処理を行うことが好
ましい。コロナ放電処理は公知の方法を用いることがで
きるが、処理をする際に雰囲気ガスとして空気、炭酸ガ
ス、窒素ガスおよびこれらの混合ガス中での処理が好ま
しい。またプラズマ処理は、種々の気体をプラズマ状態
におき、フィルム表面を化学変成させる方法、例えば特
開昭59−98140号公報に記載されている方法など
がある。
【0029】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムに金属層を形成する金属は、アルミニウム、亜
鉛、銅、錫、銀、ニッケル等を単独または併用で使用す
るが、特に限定されることはない。
フィルムに金属層を形成する金属は、アルミニウム、亜
鉛、銅、錫、銀、ニッケル等を単独または併用で使用す
るが、特に限定されることはない。
【0030】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムに金属層を形成する方法は、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンビーム法等が挙げられるが、特に
限定されることはない。
フィルムに金属層を形成する方法は、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンビーム法等が挙げられるが、特に
限定されることはない。
【0031】本発明において,蒸着金属の抵抗値(膜抵
抗)は2〜10Ω/□の範囲が好ましい。抵抗値が2Ω
/□よりも小さいと、蒸着膜の厚みが厚く蒸着時に熱負
けが生じアバタ状の表面欠点や4μm前後の薄いフィル
ムでは穴アキ等が発生する可能性が生ずる。抵抗値が1
0Ω/□を越えると酸化により膜抵抗値がさらに大きく
なり、コンデンサーとした場合に誘電正接tanδが大
きくなり、交流課電時に発熱し素子が急激に劣化する問
題が生じる場合がある。
抗)は2〜10Ω/□の範囲が好ましい。抵抗値が2Ω
/□よりも小さいと、蒸着膜の厚みが厚く蒸着時に熱負
けが生じアバタ状の表面欠点や4μm前後の薄いフィル
ムでは穴アキ等が発生する可能性が生ずる。抵抗値が1
0Ω/□を越えると酸化により膜抵抗値がさらに大きく
なり、コンデンサーとした場合に誘電正接tanδが大
きくなり、交流課電時に発熱し素子が急激に劣化する問
題が生じる場合がある。
【0032】本発明において、蒸着金属の抵抗値(膜抵
抗)は、フィルム幅方向に連続的に変化し、外部電極と
の接触部が最も抵抗値が低く、マージン部に近い、実質
的にフィルム誘電体を挟んで内部電極となる部分は抵抗
値が高い、いわゆるヘビーエッジの構造を採ることが好
ましい。具体的には、フィルム幅方向に最小2Ω/□か
ら最大10Ω/□の範囲で連続的に抵抗値が変化する金
属層を設けた構成とすることが好ましい。かかる構成
は、蒸着時に基材フィルムと蒸発源の間に基材フィルム
走行方向に伸びた櫛状防着板を設置することで、フィル
ム幅方向に蒸発金属のフラックスの強弱を設けること等
で達成できる。
抗)は、フィルム幅方向に連続的に変化し、外部電極と
の接触部が最も抵抗値が低く、マージン部に近い、実質
的にフィルム誘電体を挟んで内部電極となる部分は抵抗
値が高い、いわゆるヘビーエッジの構造を採ることが好
ましい。具体的には、フィルム幅方向に最小2Ω/□か
ら最大10Ω/□の範囲で連続的に抵抗値が変化する金
属層を設けた構成とすることが好ましい。かかる構成
は、蒸着時に基材フィルムと蒸発源の間に基材フィルム
走行方向に伸びた櫛状防着板を設置することで、フィル
ム幅方向に蒸発金属のフラックスの強弱を設けること等
で達成できる。
【0033】フィルム中には原料や製膜工程で導入され
るいわゆる絶縁欠陥が潜在的に存在するため、コンデン
サー製造工程中、電圧処理を行って絶縁欠陥を不活性化
するクリアリングという工程を行うことが一般的であ
る。クリアリングのメカニズムは、絶縁欠陥部での絶縁
破壊によるジュール熱によって周辺の金属電極が蒸発し
放電破壊部を電極から電気的に隔絶することによる。絶
縁破壊によるジュール熱は蒸着金属、蒸着膜厚によらず
一定であるため、周辺の金属電極の蒸発のし易さがクリ
アリングの効果に影響し(セルフヒール性)、特に電極
膜厚が小さいほうが金属電極が完全に蒸発しクリアリン
グが完全に行えて好ましい。
るいわゆる絶縁欠陥が潜在的に存在するため、コンデン
サー製造工程中、電圧処理を行って絶縁欠陥を不活性化
するクリアリングという工程を行うことが一般的であ
る。クリアリングのメカニズムは、絶縁欠陥部での絶縁
破壊によるジュール熱によって周辺の金属電極が蒸発し
放電破壊部を電極から電気的に隔絶することによる。絶
縁破壊によるジュール熱は蒸着金属、蒸着膜厚によらず
一定であるため、周辺の金属電極の蒸発のし易さがクリ
アリングの効果に影響し(セルフヒール性)、特に電極
膜厚が小さいほうが金属電極が完全に蒸発しクリアリン
グが完全に行えて好ましい。
【0034】クリアリングが不完全であると特に高電圧
課電時に絶縁破壊に至る場合がある。高周波回路用途に
おいて特に高電圧での使用が行われる場合には上記理由
で電極膜厚を小さくしなければならないが、全体として
膜厚を小さくすると外部電極との接触部も膜厚を小さく
せざるをえず、外部電極との接触が不十分となり、コン
デンサーとしての誘電正接tanδが大きくなる場合が
ある。このことを避けるため、内部電極部は膜厚を小さ
く、外部電極接触部は膜厚を大きく採ることが好まし
い。
課電時に絶縁破壊に至る場合がある。高周波回路用途に
おいて特に高電圧での使用が行われる場合には上記理由
で電極膜厚を小さくしなければならないが、全体として
膜厚を小さくすると外部電極との接触部も膜厚を小さく
せざるをえず、外部電極との接触が不十分となり、コン
デンサーとしての誘電正接tanδが大きくなる場合が
ある。このことを避けるため、内部電極部は膜厚を小さ
く、外部電極接触部は膜厚を大きく採ることが好まし
い。
【0035】本発明において、二軸配向ポリプロピレン
フィルムに金属層を形成する時に設けられるマージン
(電気絶縁目的などにより金属層を形成する面に設けら
れる金属層のない部分)仕様は、通常タイプ以外にヒュ
ーズ機構を設けた種々のものが提案されており、目的に
応じて採用され、特に限定されることはない。マージン
を採る方法はオイルマージン、テープマージンなど特に
限定されないが、絶縁欠陥を減少させるにはオイルマー
ジンでマージンを取ることが好ましい。
フィルムに金属層を形成する時に設けられるマージン
(電気絶縁目的などにより金属層を形成する面に設けら
れる金属層のない部分)仕様は、通常タイプ以外にヒュ
ーズ機構を設けた種々のものが提案されており、目的に
応じて採用され、特に限定されることはない。マージン
を採る方法はオイルマージン、テープマージンなど特に
限定されないが、絶縁欠陥を減少させるにはオイルマー
ジンでマージンを取ることが好ましい。
【0036】本発明の二軸配向ポリプロピレンフィルム
からなるコンデンサーの形式は、乾式や、油浸式等が挙
げられ、特に限定されることはないが、高周波回路用途
としては乾式が誘電損失が小さく好ましい。
からなるコンデンサーの形式は、乾式や、油浸式等が挙
げられ、特に限定されることはないが、高周波回路用途
としては乾式が誘電損失が小さく好ましい。
【0037】本発明の二軸配向ポリプロピレンフィルム
の105℃での絶縁破壊電圧V105と25℃での絶縁破
壊電圧V25の比(V105/V25)は0.75以上である
ことが好ましい。さらに好ましくは0.8以上である。
この値が小さい場合は、高温での絶縁破壊電圧が小さく
なり、高温での実用に耐えない場合がある。
の105℃での絶縁破壊電圧V105と25℃での絶縁破
壊電圧V25の比(V105/V25)は0.75以上である
ことが好ましい。さらに好ましくは0.8以上である。
この値が小さい場合は、高温での絶縁破壊電圧が小さく
なり、高温での実用に耐えない場合がある。
【0038】本発明の二軸配向ポリプロピレンフィルム
を誘電体として用いたフィルムコンデンサーの25℃
(室温)での交流絶縁破壊電圧は、単位厚み当たり24
0V/μm以上であることが好ましい。さらに好ましく
は250V/μm以上である。
を誘電体として用いたフィルムコンデンサーの25℃
(室温)での交流絶縁破壊電圧は、単位厚み当たり24
0V/μm以上であることが好ましい。さらに好ましく
は250V/μm以上である。
【0039】さらに本発明の二軸配向ポリプロピレンフ
ィルムを金属化し、誘電体として用いたフィルムコンデ
ンサーの25℃(室温)での直流絶縁破壊電圧は、単位
厚み当たり350V/μm以上であることが好ましく、
さらに好ましくは370V/μm以上である。
ィルムを金属化し、誘電体として用いたフィルムコンデ
ンサーの25℃(室温)での直流絶縁破壊電圧は、単位
厚み当たり350V/μm以上であることが好ましく、
さらに好ましくは370V/μm以上である。
【0040】本発明の二軸配向ポリプロピレンフィルム
およびそれからなるコンデンサーの製造方法を以下に説
明するが、必ずしもこれに限定されるものではない。
およびそれからなるコンデンサーの製造方法を以下に説
明するが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【0041】ポリプロピレンからなる原料を押出機に供
給し、加熱溶融し、濾過フィルターを通した後、220
〜320℃の温度でスリット状口金から溶融押出し、4
0〜100℃の温度に保たれたキャスティングドラムに
巻き付けて冷却固化せしめ、未延伸フィルムを作る。な
お、キャスティングドラム温度が40℃未満ではフィル
ムの結晶化度が小さくなる場合がある。
給し、加熱溶融し、濾過フィルターを通した後、220
〜320℃の温度でスリット状口金から溶融押出し、4
0〜100℃の温度に保たれたキャスティングドラムに
巻き付けて冷却固化せしめ、未延伸フィルムを作る。な
お、キャスティングドラム温度が40℃未満ではフィル
ムの結晶化度が小さくなる場合がある。
【0042】次にこの未延伸フィルムを二軸延伸し、二
軸配向せしめる。延伸方法としては逐次二軸延伸方法、
または同時二軸延伸方法を用いることができる。逐次延
伸方法としては、まず未延伸フィルムを120〜150
℃に保たれたロールに通して予熱し、引き続き該シート
を100℃〜150℃の温度に保ち周速差を設けたロー
ル間に通し、長手方向に2〜6倍に延伸し、ただちに室
温に冷却する。引き続き該延伸フィルムをテンターに導
いて、150〜170℃の温度で幅方向に5〜10倍に
延伸し、次いで幅方向に2〜20%の弛緩を与えつつ、
160〜170℃の温度で熱固定して巻取る。その後、
蒸着を施す面に蒸着金属の接着性を良くするために、空
気中、窒素中、炭酸ガス中あるいはこれらの混合気体中
でコロナ放電処理を行いワインダーで巻取る。
軸配向せしめる。延伸方法としては逐次二軸延伸方法、
または同時二軸延伸方法を用いることができる。逐次延
伸方法としては、まず未延伸フィルムを120〜150
℃に保たれたロールに通して予熱し、引き続き該シート
を100℃〜150℃の温度に保ち周速差を設けたロー
ル間に通し、長手方向に2〜6倍に延伸し、ただちに室
温に冷却する。引き続き該延伸フィルムをテンターに導
いて、150〜170℃の温度で幅方向に5〜10倍に
延伸し、次いで幅方向に2〜20%の弛緩を与えつつ、
160〜170℃の温度で熱固定して巻取る。その後、
蒸着を施す面に蒸着金属の接着性を良くするために、空
気中、窒素中、炭酸ガス中あるいはこれらの混合気体中
でコロナ放電処理を行いワインダーで巻取る。
【0043】得られたフィルムを真空蒸着装置にセット
し、目的に応じた金属を、所定の膜抵抗に蒸着する。こ
の際必要に応じ、フィルム幅方向に連続的に抵抗値が変
化するいわゆるヘビーエッジの蒸着を行う。この蒸着フ
ィルムをスリットし、コンデンサー素子を作るための2
リール一対の蒸着リールとする。この後、素子状に巻回
し、熱プレスして扁平状に成形し、端部の金属溶射、リ
ード取り出し、外装を経てコンデンサーとする。
し、目的に応じた金属を、所定の膜抵抗に蒸着する。こ
の際必要に応じ、フィルム幅方向に連続的に抵抗値が変
化するいわゆるヘビーエッジの蒸着を行う。この蒸着フ
ィルムをスリットし、コンデンサー素子を作るための2
リール一対の蒸着リールとする。この後、素子状に巻回
し、熱プレスして扁平状に成形し、端部の金属溶射、リ
ード取り出し、外装を経てコンデンサーとする。
【0044】本発明の特性値の測定方法、および効果の
評価方法は次のとおりである。
評価方法は次のとおりである。
【0045】(1)アイソタクチックインデックス(I
I) 試料を60℃以下の温度のn−ヘプタンで2時間抽出
し、ポリプロピレンへの添加物を除去する。その後13
0℃で2時間真空乾燥する。これから重量W(mg)の
試料をとり、ソックスレー抽出器に入れ沸騰n−ヘプタ
ンで12時間抽出する。次にこの試料を取り出しアセト
ンで十分洗浄した後、130℃で6時間真空乾燥しその
後常温まで冷却し、重量W’(mg)を測定し、次式で
求めた。
I) 試料を60℃以下の温度のn−ヘプタンで2時間抽出
し、ポリプロピレンへの添加物を除去する。その後13
0℃で2時間真空乾燥する。これから重量W(mg)の
試料をとり、ソックスレー抽出器に入れ沸騰n−ヘプタ
ンで12時間抽出する。次にこの試料を取り出しアセト
ンで十分洗浄した後、130℃で6時間真空乾燥しその
後常温まで冷却し、重量W’(mg)を測定し、次式で
求めた。
【0046】II=(W’/W)×100(%)
【0047】(2)ヘプタッド分率 試料をo−ジクロロベンゼン/ベンゼン−D6に溶解
し、JEOL製JNM−GX270装置を用い、共鳴周
波数67.93MHzで13C−NMRを測定した。得ら
れたスペクトルの帰属およびペンタッド分率の計算につ
いては、T.Hayashiらが行った方法[Poly
mer,29,138〜143(1988)]に基づ
き、メチル基由来のスペクトルについて各ピークの帰属
を行い、ピーク面積を求めてメチル基由来全ピーク面積
に対するmmmmmmとrrrrrrの比率を百分率で
表示した。詳細な測定条件は以下のとおりである。
し、JEOL製JNM−GX270装置を用い、共鳴周
波数67.93MHzで13C−NMRを測定した。得ら
れたスペクトルの帰属およびペンタッド分率の計算につ
いては、T.Hayashiらが行った方法[Poly
mer,29,138〜143(1988)]に基づ
き、メチル基由来のスペクトルについて各ピークの帰属
を行い、ピーク面積を求めてメチル基由来全ピーク面積
に対するmmmmmmとrrrrrrの比率を百分率で
表示した。詳細な測定条件は以下のとおりである。
【0048】測定溶媒 :o−ジクロロベンゼン(90
wt%)/ベンゼン−D6(10wt%) 試料濃度 :15〜20wt% 測定温度 :120〜130℃ 共鳴周波数:67.93MHz パルス幅 :10μsec(45゜パルス) パルス繰り返し時間:7.091sec データ点 :32K 積算回数 :8168 測定モード:ノイズデカップリング
wt%)/ベンゼン−D6(10wt%) 試料濃度 :15〜20wt% 測定温度 :120〜130℃ 共鳴周波数:67.93MHz パルス幅 :10μsec(45゜パルス) パルス繰り返し時間:7.091sec データ点 :32K 積算回数 :8168 測定モード:ノイズデカップリング
【0049】(3)灰分 JIS−C−2330に準ずる。初期重量W0 の二軸配
向ポリプロピレンフィルムを、白金坩堝に入れ、まずガ
スバーナーで十分に燃やした後、750〜800℃の電
気炉で、約1時間処理して完全灰化し、得られた灰の重
量W1 を測定し、下記式から求めた。
向ポリプロピレンフィルムを、白金坩堝に入れ、まずガ
スバーナーで十分に燃やした後、750〜800℃の電
気炉で、約1時間処理して完全灰化し、得られた灰の重
量W1 を測定し、下記式から求めた。
【0050】 灰分=(W1 /W0)×1000000(ppm) W0 :初期重量(g) W1 :灰化重量(g)
【0051】(4)フィルム厚み ダイヤルゲージ式厚み計(JIS−B−7503)を用
いて測定した。
いて測定した。
【0052】(5)結晶化度 JIS−K−7112−D法に準じて、エタノール−水
系密度勾配管で23±0.5℃で測定した試料の密度か
ら、下記式により求めた。
系密度勾配管で23±0.5℃で測定した試料の密度か
ら、下記式により求めた。
【0053】結晶化度=(dc /d)*(d−da )/
(dc −da )*100(%) d :試料の密度(g/cm3 ) dc :ポリプロピレンの完全結晶の密度(0.936g/
cm3 ) da :ポリプロピレンの非晶状態の密度(0.850g/
cm3 )
(dc −da )*100(%) d :試料の密度(g/cm3 ) dc :ポリプロピレンの完全結晶の密度(0.936g/
cm3 ) da :ポリプロピレンの非晶状態の密度(0.850g/
cm3 )
【0054】(6)熱収縮率 フィルムを長手方向と幅方向にそれぞれ縦260mm、
横10mmにサンプリングし、両端から30mmのとこ
ろにマークを入れて、原寸(L0:200mm)とす
る。このサンプルの下端に3gの加重をかけ、120℃
のオーブン中に吊るし15分間熱処理する。その後サン
プルを取り出し、マークした長さ(L1)を測定し、次
式により熱収縮率を算出し、長手方向と幅方向の熱収縮
率の和を求めた。
横10mmにサンプリングし、両端から30mmのとこ
ろにマークを入れて、原寸(L0:200mm)とす
る。このサンプルの下端に3gの加重をかけ、120℃
のオーブン中に吊るし15分間熱処理する。その後サン
プルを取り出し、マークした長さ(L1)を測定し、次
式により熱収縮率を算出し、長手方向と幅方向の熱収縮
率の和を求めた。
【0055】 [熱収縮率]=[(L0−L1)/L0]×100(%)
【0056】(7)フィルム絶縁破壊電圧(フィルムB
DV) JIS−C−2110に準じて測定した。陰極に厚み1
00μm、10cm角のアルミ箔電極、陽極に真鍮性2
5mmφの電極を用い、この間にフィルムをはさみ、春
日電気(株)製直流高圧安定化電源を用いて、200V
/秒の速度で昇圧しながら電圧を印加し、電流が10m
A以上流れた場合を絶縁破壊したものとした。その時の
電圧を測定点のフィルム厚みで割った値を絶縁破壊電圧
とし、20点測定した平均値で示した。
DV) JIS−C−2110に準じて測定した。陰極に厚み1
00μm、10cm角のアルミ箔電極、陽極に真鍮性2
5mmφの電極を用い、この間にフィルムをはさみ、春
日電気(株)製直流高圧安定化電源を用いて、200V
/秒の速度で昇圧しながら電圧を印加し、電流が10m
A以上流れた場合を絶縁破壊したものとした。その時の
電圧を測定点のフィルム厚みで割った値を絶縁破壊電圧
とし、20点測定した平均値で示した。
【0057】(8)素子絶縁破壊電圧(素子BDV) コンデンサー素子を、春日電気(株)製直流(または交
流)高圧安定化電源に接続し、200V/秒の速度で昇
圧しながら電圧を印加し、素子が破壊された時の電圧を
求め、10素子測定した平均値を素子BDVとした。
流)高圧安定化電源に接続し、200V/秒の速度で昇
圧しながら電圧を印加し、素子が破壊された時の電圧を
求め、10素子測定した平均値を素子BDVとした。
【0058】(9)耐電流性 高周波定電流電源(高砂製、HFS100K−100)
を用い、コンデンサー素子に100kHz印加電圧10
Vで10Aの電流を3分間流し、サンプルをシェーリン
グブリッジ法で誘電正接tanδを測定した。
を用い、コンデンサー素子に100kHz印加電圧10
Vで10Aの電流を3分間流し、サンプルをシェーリン
グブリッジ法で誘電正接tanδを測定した。
【0059】(10)セルフヒール性 コンデンサー素子の絶縁抵抗を絶縁抵抗計で印加電圧1
00Vの1分間値で測定する(R0)。この後、直流5
00Vをスタートに直流100Vステップで1分間ずつ
電圧を印加し、放電破壊の個数を放電音で観測し、合計
10個の放電破壊が観察されたところで電圧印加を中止
する。放電破壊後の絶縁抵抗を再度絶縁抵抗計で測定し
(R)、R/R0の値でセルフヒール性を以下の基準で
判定した。
00Vの1分間値で測定する(R0)。この後、直流5
00Vをスタートに直流100Vステップで1分間ずつ
電圧を印加し、放電破壊の個数を放電音で観測し、合計
10個の放電破壊が観察されたところで電圧印加を中止
する。放電破壊後の絶縁抵抗を再度絶縁抵抗計で測定し
(R)、R/R0の値でセルフヒール性を以下の基準で
判定した。
【0060】 R/R0 1以上 :セルフヒール性○ R/R0 0.8以上、1未満 :セルフヒール性△ R/R0 0.8未満 :セルフヒール性×
【0061】(11)膜抵抗 蒸着されたフィルムサンプルを長手方向に幅2mm長さ
50mmで切り出し、切り出したものの長手方向の抵抗
値を4点接触法で測定し、幅および電圧測定端子間隙で
校正した。幅方向にの抵抗値の異なるものは幅方向の全
サンプルを測定し、最大値および最小値を求めた。
50mmで切り出し、切り出したものの長手方向の抵抗
値を4点接触法で測定し、幅および電圧測定端子間隙で
校正した。幅方向にの抵抗値の異なるものは幅方向の全
サンプルを測定し、最大値および最小値を求めた。
【0062】
【実施例】本発明を実施例、比較例に基づいて説明す
る。
る。
【0063】実施例1 IIが98.8%、mmmmmmが99.4%、rrr
rrrが0.09%、灰分が19ppmのポリプロピレ
ンを押出機に供給して樹脂温度280℃の温度で溶融
し、T型口金からシート状に押出成形し、70℃の温度
のキャスティングドラムに巻き付けて冷却固化し、次い
で、該シートを135℃で予熱し、引き続き該シートを
140℃の温度に保ち周速差を設けたロール間に通し、
長手方向に5倍に延伸し、ただちに室温に冷却する。引
き続き該フィルムをテンターに導き、170℃の温度に
予熱し、引き続き165℃の温度で幅方向に10倍延伸
し、次いで幅方向に8%の弛緩を与え、30W・min
/m2 で大気中でコロナ放電処理を行った。得られたフ
ィルムの灰分およびヘプタッド分率は、原料のそれらの
値と差がなかった。このフィルムを真空蒸着機にセット
し、銅を核付け金属とし、コロナ処理面に亜鉛を膜抵抗
が4.0Ω/□になるように蒸着した。このフィルムを
スリットし、全幅38mm、マージン幅1mmの金属化
フィルムを得た。
rrrが0.09%、灰分が19ppmのポリプロピレ
ンを押出機に供給して樹脂温度280℃の温度で溶融
し、T型口金からシート状に押出成形し、70℃の温度
のキャスティングドラムに巻き付けて冷却固化し、次い
で、該シートを135℃で予熱し、引き続き該シートを
140℃の温度に保ち周速差を設けたロール間に通し、
長手方向に5倍に延伸し、ただちに室温に冷却する。引
き続き該フィルムをテンターに導き、170℃の温度に
予熱し、引き続き165℃の温度で幅方向に10倍延伸
し、次いで幅方向に8%の弛緩を与え、30W・min
/m2 で大気中でコロナ放電処理を行った。得られたフ
ィルムの灰分およびヘプタッド分率は、原料のそれらの
値と差がなかった。このフィルムを真空蒸着機にセット
し、銅を核付け金属とし、コロナ処理面に亜鉛を膜抵抗
が4.0Ω/□になるように蒸着した。このフィルムを
スリットし、全幅38mm、マージン幅1mmの金属化
フィルムを得た。
【0064】得られたフィルム一対2リールを用いて素
子巻し、素子の端面に金属溶射し、ここからリード線を
取り出して容量5μFのコンデンサー素子を作成した。
得られたフィルムおよびコンデンサー素子の各種特性は
表1に記載の通りであり、フィルム耐絶縁破壊特性に優
れたものであった。また、コンデンサー素子の耐絶縁破
壊特性および大電流印加後の誘電正接tanδも良好で
あり、セルフヒール性は△の判定であった。
子巻し、素子の端面に金属溶射し、ここからリード線を
取り出して容量5μFのコンデンサー素子を作成した。
得られたフィルムおよびコンデンサー素子の各種特性は
表1に記載の通りであり、フィルム耐絶縁破壊特性に優
れたものであった。また、コンデンサー素子の耐絶縁破
壊特性および大電流印加後の誘電正接tanδも良好で
あり、セルフヒール性は△の判定であった。
【0065】実施例2〜4、比較例1〜4 表1に記載のごとく、実施例1と同様にして、各種条件
を変更した二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびコン
デンサーを得た。
を変更した二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびコン
デンサーを得た。
【0066】フィルムおよびコンデンサー特性は表1記
載の通りであった。
載の通りであった。
【0067】
【表1】 表中の略号は、次のものを示す。
【0068】BDV :絶縁破壊電圧 AC :交流 DC :直流 実施例2〜4は、いずれも本発明の範囲内のものであ
り、得られた二軸配向ポリプロピレンフィルムは、耐電
圧性良好であり、該フィルムから得られるコンデンサー
の耐電圧性に優れ、大電流印加後の誘電損失tanδも
良好なものであり、セルフヒール性は△の判定であっ
た。
り、得られた二軸配向ポリプロピレンフィルムは、耐電
圧性良好であり、該フィルムから得られるコンデンサー
の耐電圧性に優れ、大電流印加後の誘電損失tanδも
良好なものであり、セルフヒール性は△の判定であっ
た。
【0069】一方、比較例1〜3はmmmmmm、rr
rrrrのいずれかが本発明の範囲外であり、得られた
二軸配向ポリプロピレンフィルムの絶縁破壊電圧が小さ
く、該フィルムからなるコンデンサーの耐絶縁破壊特性
に劣ったものとなった。また熱収縮率も大きく、耐熱性
にも劣ったものとなった。
rrrrのいずれかが本発明の範囲外であり、得られた
二軸配向ポリプロピレンフィルムの絶縁破壊電圧が小さ
く、該フィルムからなるコンデンサーの耐絶縁破壊特性
に劣ったものとなった。また熱収縮率も大きく、耐熱性
にも劣ったものとなった。
【0070】比較例4はmmmmmm、rrrrrrは
本発明の範囲であるが灰分が本発明の範囲外であり、耐
絶縁破壊特性および大電流印加後の誘電損失tanδが
劣ったものとなった。
本発明の範囲であるが灰分が本発明の範囲外であり、耐
絶縁破壊特性および大電流印加後の誘電損失tanδが
劣ったものとなった。
【0071】実施例5〜7 実施例1と同じ二軸配向ポリプロピレンフィルムを用
い、蒸着の際櫛形の防着板を蒸発源と基材フィルムの間
に挿入し、フィルム幅方向に2.5Ω/□から8Ω/□
に連続的に膜抵抗が変化し、8Ω/□の電極金属側にマ
ージンを設けた構成としたものを左右対称な2対とし、
実施例1と同様の方法でコンデンサー素子とした(実施
例5)。
い、蒸着の際櫛形の防着板を蒸発源と基材フィルムの間
に挿入し、フィルム幅方向に2.5Ω/□から8Ω/□
に連続的に膜抵抗が変化し、8Ω/□の電極金属側にマ
ージンを設けた構成としたものを左右対称な2対とし、
実施例1と同様の方法でコンデンサー素子とした(実施
例5)。
【0072】膜抵抗をフィルム幅方向に12Ω/□一定
としたものを実施例6、膜抵抗を1.5Ω/□一定とし
たものを実施例7とした。結果を表2に示す。
としたものを実施例6、膜抵抗を1.5Ω/□一定とし
たものを実施例7とした。結果を表2に示す。
【0073】
【表2】 いずれのコンデンサー素子も優れた耐電圧性を示し、特
に、実施例5のものは大電流通電後の誘電正接tanδ
もセルフヒール性も優れたものとなり、高周波回路用コ
ンデンサーとして極めて優れたものとなった。実施例6
のものは膜抵抗が大きく、実施例5に比べると、大電流
通電後の誘電正接tanδがやや高いものとなった。実
施例7のものは、膜抵抗が低く、実施例5に比べるとセ
ルフヒール性がやや劣ったものとなった。
に、実施例5のものは大電流通電後の誘電正接tanδ
もセルフヒール性も優れたものとなり、高周波回路用コ
ンデンサーとして極めて優れたものとなった。実施例6
のものは膜抵抗が大きく、実施例5に比べると、大電流
通電後の誘電正接tanδがやや高いものとなった。実
施例7のものは、膜抵抗が低く、実施例5に比べるとセ
ルフヒール性がやや劣ったものとなった。
【0074】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のポリプロピ
レンフィルムは、メソヘプタッド分率およびラセモヘプ
タッド分率および灰分を規定したことにより、耐電圧性
が良好となり、これを誘電体として用いたフィルムコン
デンサーは、高い耐電圧性が得られ、さらに内部電極と
して用いる膜抵抗を規定することにより、高い耐電流性
と高い耐電圧性のフィルムコンデンサーとすることがで
きる。このフィルムコンデンサーは高い周波数で用いら
れる高周波回路用コンデンサーとして信頼性高く用いる
ことができ、またセルフヒール性に優れるため高い電圧
で安定に用いることができる。
レンフィルムは、メソヘプタッド分率およびラセモヘプ
タッド分率および灰分を規定したことにより、耐電圧性
が良好となり、これを誘電体として用いたフィルムコン
デンサーは、高い耐電圧性が得られ、さらに内部電極と
して用いる膜抵抗を規定することにより、高い耐電流性
と高い耐電圧性のフィルムコンデンサーとすることがで
きる。このフィルムコンデンサーは高い周波数で用いら
れる高周波回路用コンデンサーとして信頼性高く用いる
ことができ、またセルフヒール性に優れるため高い電圧
で安定に用いることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C08L 23/10 C08L 23/10 // B29K 23:00 B29L 7:00 31:34 C08L 23:12
Claims (8)
- 【請求項1】アイソタクチックインデックスが99%以
下であり、下式(1)および(2)の特性を有し、灰分
が30ppm以下であることを特徴とする二軸配向ポリ
プロピレンフィルム。 (1)mmmmmm≧98.5% (2)rrrrrr≦0.5% (ただし、mmmmmmはポリプロピレンの13C−NM
Rから求めたメソヘプタッド分率であり、rrrrrr
はラセモヘプタッド分率である。) - 【請求項2】請求項1に記載の二軸配向ポリプロピレン
フィルムを誘電体として用いることを特徴とするフィル
ムコンデンサー。 - 【請求項3】二軸配向ポリプロピレンフィルムの少なく
とも片面に内部電極として金属層を設けたことを特徴と
する請求項2記載のフィルムコンデンサー。 - 【請求項4】25℃での、誘電体として用いる二軸配向
ポリプロピレンフィルムの厚み当たりの交流絶縁破壊電
圧が240V/μm以上であることを特徴とする請求項
2〜請求項3いずれかに記載のフィルムコンデンサー。 - 【請求項5】25℃での、誘電体として用いる二軸配向
ポリプロピレンフィルムの厚み当たりの直流絶縁破壊電
圧が350V/μm以上であることを特徴とする請求項
2〜請求項4いずれかに記載のフィルムコンデンサー。 - 【請求項6】2Ω/□〜10Ω/□の抵抗値を有する金
属層を設けたことを特徴とする請求項2〜5いずれかに
記載のフィルムコンデンサー。 - 【請求項7】フィルム幅方向に最小2Ω/□から最大1
0Ω/□の範囲で連続的に抵抗値が変化する金属層を設
けたことを特徴とする請求項6記載の高周波回路用フィ
ルムコンデンサー。 - 【請求項8】100kHz、10A、3分間通電後の誘
電正接tanδが0.05%以下である請求項2〜7い
ずれかに記載の高周波回路用フィルムコンデンサー。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9127043A JPH10112419A (ja) | 1996-08-09 | 1997-05-16 | 二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびそれからなるフィルムコンデンサー |
CA002229778A CA2229778A1 (en) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | A polypropylene film and a capacitor using it as a dielectric |
EP97934754A EP0885918B1 (en) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | Polypropylene film and capacitor made by using the same as the dielectric |
DE69714022T DE69714022T2 (de) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | Polypropylenfolie und kondensator hergestellt durch verwendung derselben als dielektrikum |
US09/029,703 US6094337A (en) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | Polypropylene film and capacitor made by using it as a dielectric |
KR10-1998-0702568A KR100513965B1 (ko) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | 폴리프로필렌필름및그것을유전체로서사용한콘덴서 |
CN97191048A CN1081652C (zh) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | 聚丙烯膜及用其作电介质的电容器 |
PCT/JP1997/002791 WO1998006776A1 (fr) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | Film de polypropylene et condensateur dans lequel ledit film est utilise en tant que dielectrique |
TW086113683A TW356550B (en) | 1996-10-04 | 1997-09-20 | A polypropylene film and a capacitor using it as a dielectric |
IDP973340A ID19278A (id) | 1996-10-04 | 1997-10-02 | Film polipropilena dan kapasitor yang menggunakannya sebagai dielektrika |
AU52756/98A AU5275698A (en) | 1997-05-12 | 1998-01-28 | A polypropylene film and a capacitor using it as a dielectric |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21128696 | 1996-08-09 | ||
JP8-211286 | 1996-08-09 | ||
JP9127043A JPH10112419A (ja) | 1996-08-09 | 1997-05-16 | 二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびそれからなるフィルムコンデンサー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10112419A true JPH10112419A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=26463088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9127043A Pending JPH10112419A (ja) | 1996-08-09 | 1997-05-16 | 二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびそれからなるフィルムコンデンサー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10112419A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010501382A (ja) * | 2006-08-31 | 2010-01-21 | トレオファン・ジャーマニー・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー | 二軸延伸電気絶縁フィルム |
EP2410539A4 (en) * | 2009-03-17 | 2015-11-04 | Prime Polymer Co Ltd | POLYPROPYLENE FOR FILM CAPACITOR, POLYPROPYLENE SHEET FOR FILM CAPACITOR, METHODS OF PRODUCTION THEREOF AND USES THEREOF |
CN113683838A (zh) * | 2020-05-19 | 2021-11-23 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种聚丙烯纤维树脂及其制备方法 |
-
1997
- 1997-05-16 JP JP9127043A patent/JPH10112419A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010501382A (ja) * | 2006-08-31 | 2010-01-21 | トレオファン・ジャーマニー・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー | 二軸延伸電気絶縁フィルム |
EP2410539A4 (en) * | 2009-03-17 | 2015-11-04 | Prime Polymer Co Ltd | POLYPROPYLENE FOR FILM CAPACITOR, POLYPROPYLENE SHEET FOR FILM CAPACITOR, METHODS OF PRODUCTION THEREOF AND USES THEREOF |
US9449761B2 (en) | 2009-03-17 | 2016-09-20 | Prime Polymer Co., Ltd. | Polypropylene for film capacitor, polypropylene sheet for film capacitor, method for producing the same, and uses of the same |
CN113683838A (zh) * | 2020-05-19 | 2021-11-23 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种聚丙烯纤维树脂及其制备方法 |
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