JPH06342738A - コンデンサー用金属化フィルム - Google Patents
コンデンサー用金属化フィルムInfo
- Publication number
- JPH06342738A JPH06342738A JP13050293A JP13050293A JPH06342738A JP H06342738 A JPH06342738 A JP H06342738A JP 13050293 A JP13050293 A JP 13050293A JP 13050293 A JP13050293 A JP 13050293A JP H06342738 A JPH06342738 A JP H06342738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- vapor deposition
- capacitor
- ratio
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンデンサーの破壊電圧を向上させる金属化
フィルムの提供。 【構成】 二軸延伸ポリプロピレンフィルムの蒸着金属
層側の原子構成比が（Ｎの数／Ｃの数）の比において
０．００５〜０．０８、（Ｏの数／Ｃの数）の比におい
て０．０５〜０．２５の範囲にあり、かつ該二軸延伸ポ
リプロピレンフィルムの結晶サイズが１３．０ｎｍ以
下、１３０℃のｎ−ヘプタンで抽出した成分の結晶化ピ
ーク温度が８０℃以上であり、蒸着金属層の膜抵抗が６
Ω／□以上であるコンデンサー用金属化フィルム。
フィルムの提供。 【構成】 二軸延伸ポリプロピレンフィルムの蒸着金属
層側の原子構成比が（Ｎの数／Ｃの数）の比において
０．００５〜０．０８、（Ｏの数／Ｃの数）の比におい
て０．０５〜０．２５の範囲にあり、かつ該二軸延伸ポ
リプロピレンフィルムの結晶サイズが１３．０ｎｍ以
下、１３０℃のｎ−ヘプタンで抽出した成分の結晶化ピ
ーク温度が８０℃以上であり、蒸着金属層の膜抵抗が６
Ω／□以上であるコンデンサー用金属化フィルム。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、二軸延伸ポリプロピレ
ンフィルムに金属蒸着せしめたコンデンサー用金属化フ
ィルムの改良に関するものである。
ンフィルムに金属蒸着せしめたコンデンサー用金属化フ
ィルムの改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】二軸延伸ポリプロピレンフィルムは電気
特性に優れているため、誘電体層として特によく用いら
れている。例えば、コンデンサーとして用いられるが、
その際に要求されるコンデンサーの破壊電圧は、後述す
る測定法によれば約１８００Ｖ以上である。また、コン
デンサー用の金属化ポリプロピレンフィルムとしては種
々提案されており、例えば特開平３−８３３１２号公報
に開示されているものがある。
特性に優れているため、誘電体層として特によく用いら
れている。例えば、コンデンサーとして用いられるが、
その際に要求されるコンデンサーの破壊電圧は、後述す
る測定法によれば約１８００Ｖ以上である。また、コン
デンサー用の金属化ポリプロピレンフィルムとしては種
々提案されており、例えば特開平３−８３３１２号公報
に開示されているものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の技術においても破壊電圧がまだ十分でなく、コンデン
サーでの耐圧特性において、必ずしも満足したものでは
ない。従って、本発明は、上記従来技術の欠点を解消
し、蒸着膜の均一性に優れ、破壊電圧の向上したコンデ
ンサー用金属化フィルム、およびそれから得られるコン
デンサーを提供することを目的とする。
の技術においても破壊電圧がまだ十分でなく、コンデン
サーでの耐圧特性において、必ずしも満足したものでは
ない。従って、本発明は、上記従来技術の欠点を解消
し、蒸着膜の均一性に優れ、破壊電圧の向上したコンデ
ンサー用金属化フィルム、およびそれから得られるコン
デンサーを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、二軸延伸ポリ
プロピレンフィルムの少なくとも片面に蒸着金属層が形
成された金属化フィルムにおいて、該二軸延伸ポリプロ
ピレンフィルムの蒸着金属層側の原子構成比が（窒素原
子の数／炭素原子の数）の比において０．００５〜０．
０８の範囲にあり（酸素原子の数／炭素原子の数）の比
において０．０５〜０．２５の範囲にあり、かつ該二軸
延伸ポリプロピレンフィルムの結晶サイズが１３．０ｎ
ｍ以下、１３５℃のｎ−ヘプタンで抽出した成分の結晶
化ピーク温度が８０℃以上であり、さらに前記蒸着金属
層の膜抵抗が６Ω／□以上であることを特徴とするコン
デンサー用金属化フィルムに関する。
プロピレンフィルムの少なくとも片面に蒸着金属層が形
成された金属化フィルムにおいて、該二軸延伸ポリプロ
ピレンフィルムの蒸着金属層側の原子構成比が（窒素原
子の数／炭素原子の数）の比において０．００５〜０．
０８の範囲にあり（酸素原子の数／炭素原子の数）の比
において０．０５〜０．２５の範囲にあり、かつ該二軸
延伸ポリプロピレンフィルムの結晶サイズが１３．０ｎ
ｍ以下、１３５℃のｎ−ヘプタンで抽出した成分の結晶
化ピーク温度が８０℃以上であり、さらに前記蒸着金属
層の膜抵抗が６Ω／□以上であることを特徴とするコン
デンサー用金属化フィルムに関する。
【０００５】本発明における蒸着金属層での膜抵抗は６
Ω／□以上であることが必要である。好ましくは８Ω／
□以上である。膜抵抗が５Ω／□以下になるとコンデン
サーにおける荷電時でのクリアリング性が低下し、局部
的な電界集中により５００〜１０００Ｖのような低電圧
でも破壊を生じることになる。
Ω／□以上であることが必要である。好ましくは８Ω／
□以上である。膜抵抗が５Ω／□以下になるとコンデン
サーにおける荷電時でのクリアリング性が低下し、局部
的な電界集中により５００〜１０００Ｖのような低電圧
でも破壊を生じることになる。
【０００６】二軸延伸ポリプロピレンフィルムの表層
（通常表面から１０ｎｍ深さ以内の層）における窒素原
子と炭酸原子の比（以下「Ｎ／Ｃ」と略す）は０．００
５〜０．０８の範囲にあることが必要であり、さらに好
ましくは０．０１〜０．０５の範囲である。Ｎ／Ｃが
０．００５より小さい値になるとフィルム表面と金属蒸
着層の界面の接着力が弱く、６Ω／□以上の蒸着加工で
は均一な蒸着膜が形成されない。また、フィルム剥離時
での静電気ムラ、および微小な表面層のヌレによる傷の
部分に蒸着されにくい欠点が生じる。Ｎ／Ｃが０．０８
を越えると、コロナ放電処理の影響によりフィルムの静
電気が高くなり、すべり性が悪化するため、スリット加
工時や素子巻工程においてシワの巻込み、フィルム同士
のブロッキング等が生じる。素子巻時でのシワの巻込み
は、コンデンサー荷電時に電荷集中により、５００〜１
０００Ｖのような低電圧でも破壊を引き起すようにな
る。
（通常表面から１０ｎｍ深さ以内の層）における窒素原
子と炭酸原子の比（以下「Ｎ／Ｃ」と略す）は０．００
５〜０．０８の範囲にあることが必要であり、さらに好
ましくは０．０１〜０．０５の範囲である。Ｎ／Ｃが
０．００５より小さい値になるとフィルム表面と金属蒸
着層の界面の接着力が弱く、６Ω／□以上の蒸着加工で
は均一な蒸着膜が形成されない。また、フィルム剥離時
での静電気ムラ、および微小な表面層のヌレによる傷の
部分に蒸着されにくい欠点が生じる。Ｎ／Ｃが０．０８
を越えると、コロナ放電処理の影響によりフィルムの静
電気が高くなり、すべり性が悪化するため、スリット加
工時や素子巻工程においてシワの巻込み、フィルム同士
のブロッキング等が生じる。素子巻時でのシワの巻込み
は、コンデンサー荷電時に電荷集中により、５００〜１
０００Ｖのような低電圧でも破壊を引き起すようにな
る。
【０００７】また、二軸延伸ポリプロピレンフィルムの
表層における酸素原子の数と炭素原子の数との比（以下
「Ｏ／Ｃ」と略す）は、０．０５〜０．２５の範囲にあ
ることが必要である。好ましくは０．１〜０．１８の範
囲である。０．０５より小さい値になると蒸着膜の接着
力が劣り、蒸着膜の消失および膜厚ムラが生じ、コンデ
ンサーでの容量低下の一因となる。また、Ｏ／Ｃが０．
２５を越えると静電気が高くなり、フィルムの滑りが悪
くスリットでの加工性やコンデンサー素子巻作業性の低
下およびシワの巻込み等が生じる。本発明の重要なポイ
ントは、二軸延伸ポリプロピレンフィルムの表層のＮ／
ＣとＯ／Ｃは前述した範囲内の比が同時に保有されてい
ることである。
表層における酸素原子の数と炭素原子の数との比（以下
「Ｏ／Ｃ」と略す）は、０．０５〜０．２５の範囲にあ
ることが必要である。好ましくは０．１〜０．１８の範
囲である。０．０５より小さい値になると蒸着膜の接着
力が劣り、蒸着膜の消失および膜厚ムラが生じ、コンデ
ンサーでの容量低下の一因となる。また、Ｏ／Ｃが０．
２５を越えると静電気が高くなり、フィルムの滑りが悪
くスリットでの加工性やコンデンサー素子巻作業性の低
下およびシワの巻込み等が生じる。本発明の重要なポイ
ントは、二軸延伸ポリプロピレンフィルムの表層のＮ／
ＣとＯ／Ｃは前述した範囲内の比が同時に保有されてい
ることである。
【０００８】蒸着金属層を片面にのみ設ける場合は、二
軸延伸ポリプロピレンフィルムの２つの表面のうち、蒸
着金属層を設ける面の表層のみが上記範囲のＯ／Ｃおよ
びＮ／Ｃを有していることが好ましい。非蒸着面側表層
が上記範囲のＯ／ＣおよびＮ／Ｃを有する二軸延伸ポリ
プロピレンフィルムでは、裁断する工程において、蒸着
後の保存状態によってはブロッキングの影響により、非
蒸着面に蒸着金属が転写され剥離することがある。
軸延伸ポリプロピレンフィルムの２つの表面のうち、蒸
着金属層を設ける面の表層のみが上記範囲のＯ／Ｃおよ
びＮ／Ｃを有していることが好ましい。非蒸着面側表層
が上記範囲のＯ／ＣおよびＮ／Ｃを有する二軸延伸ポリ
プロピレンフィルムでは、裁断する工程において、蒸着
後の保存状態によってはブロッキングの影響により、非
蒸着面に蒸着金属が転写され剥離することがある。
【０００９】なお、表層が酸素原子のみを保有している
場合、あるいはその逆に窒素原子のみを保有している場
合は、いずれも蒸着金属層との接着が劣ったものとな
る。
場合、あるいはその逆に窒素原子のみを保有している場
合は、いずれも蒸着金属層との接着が劣ったものとな
る。
【００１０】本発明において蒸着金属層を構成する場合
は特に限定はされないが、少なくともＺｎ／Ａｌ、Ｚｎ
／Ｃｎ等が好ましい。Ａｌ金属蒸着単独であれば、蒸着
膜の金属飛散が進行し、コンデンサーの容量減少が促進
される。Ｚｎ金属蒸着単独であれば、耐湿性が悪く、吸
湿によるＺｎ（ＯＨ）2 への変質が生じる。また、金属
蒸着時真空度や蒸発温度のバラツキにより均一な蒸着膜
を得ることができない。
は特に限定はされないが、少なくともＺｎ／Ａｌ、Ｚｎ
／Ｃｎ等が好ましい。Ａｌ金属蒸着単独であれば、蒸着
膜の金属飛散が進行し、コンデンサーの容量減少が促進
される。Ｚｎ金属蒸着単独であれば、耐湿性が悪く、吸
湿によるＺｎ（ＯＨ）2 への変質が生じる。また、金属
蒸着時真空度や蒸発温度のバラツキにより均一な蒸着膜
を得ることができない。
【００１１】上記範囲のＯ／ＣおよびＮ／Ｃを有する高
活性なフィルム表面であれば金属との接着性が向上し、
均一な蒸着膜が可能となる該フィルムの結晶サイズは１
３．０ｎｍ以下が必要である。さらにより好ましくは１
２．５ｎｍ以下である。結晶サイズが１３．０ｎｍより
も大きくなるとフィルム内の結晶構造で非晶部分が多く
なり、フィルム内の非晶部のセグメント密度の低下や分
子鎖長さが短かくなり、耐圧特性の低下を招くことにな
る。結晶サイズの下限は、スベリおよびブロッキング等
による加工性不良防止の面から１１．０ｎｍが好まし
い。
活性なフィルム表面であれば金属との接着性が向上し、
均一な蒸着膜が可能となる該フィルムの結晶サイズは１
３．０ｎｍ以下が必要である。さらにより好ましくは１
２．５ｎｍ以下である。結晶サイズが１３．０ｎｍより
も大きくなるとフィルム内の結晶構造で非晶部分が多く
なり、フィルム内の非晶部のセグメント密度の低下や分
子鎖長さが短かくなり、耐圧特性の低下を招くことにな
る。結晶サイズの下限は、スベリおよびブロッキング等
による加工性不良防止の面から１１．０ｎｍが好まし
い。
【００１２】本発明に使用するポリプロピレンフィルム
の１３５℃のｎ−ヘプタン抽出成分の結晶化ピーク温度
（以下「Ｔｍｃ」と略記する）は８０℃以上であり、好
ましくは８５℃以上である。Ｔｍｃの上限は、フィルム
製膜時破れ防止の面から９５℃であることが好ましい。
Ｔｍｃが８０℃よりも低くなると結晶性が低下し、極部
的な電荷集中により絶縁耐力の低下が著しい。
の１３５℃のｎ−ヘプタン抽出成分の結晶化ピーク温度
（以下「Ｔｍｃ」と略記する）は８０℃以上であり、好
ましくは８５℃以上である。Ｔｍｃの上限は、フィルム
製膜時破れ防止の面から９５℃であることが好ましい。
Ｔｍｃが８０℃よりも低くなると結晶性が低下し、極部
的な電荷集中により絶縁耐力の低下が著しい。
【００１３】本発明のフィルムを構成するポリプロピレ
ンは、必ずしもポリプロピレンホモポリマーからなる必
要はなく、本発明の目的、効果を損わない範囲で少量、
好ましくは５重量％以下のポリエチレンやポリ４−メチ
ルペンテン−１等の他種ポリオレフィンが混合されても
よい。
ンは、必ずしもポリプロピレンホモポリマーからなる必
要はなく、本発明の目的、効果を損わない範囲で少量、
好ましくは５重量％以下のポリエチレンやポリ４−メチ
ルペンテン−１等の他種ポリオレフィンが混合されても
よい。
【００１４】次に、本発明の金属化フィルムの製造方法
の一例について説明する。ただし、本発明は以下の製造
方法に限定されるものではない。触媒活性の優れた担持
型超活性化触媒を用いて、無溶媒の液化プロピレン中で
重合および後処理での洗浄を強化して、Ｉ，Ｉが９７．
５〜９９．５％（好ましくは９７．８〜９９．５％）、
灰分２５ｐｐｍ以下（好ましくは１８ｐｐｍ以下）より
なるポリプロピレン樹脂を得る。この樹脂を２４０〜２
８５℃に加熱された押出機に供給し、溶融押出してシー
ト状とし、表面温度６０〜９５℃のチルロールに接触さ
せて徐冷して冷却固定せしめる。次に、１５０〜８００
μｍ相当の厚みの未延伸フィルムを得る。
の一例について説明する。ただし、本発明は以下の製造
方法に限定されるものではない。触媒活性の優れた担持
型超活性化触媒を用いて、無溶媒の液化プロピレン中で
重合および後処理での洗浄を強化して、Ｉ，Ｉが９７．
５〜９９．５％（好ましくは９７．８〜９９．５％）、
灰分２５ｐｐｍ以下（好ましくは１８ｐｐｍ以下）より
なるポリプロピレン樹脂を得る。この樹脂を２４０〜２
８５℃に加熱された押出機に供給し、溶融押出してシー
ト状とし、表面温度６０〜９５℃のチルロールに接触さ
せて徐冷して冷却固定せしめる。次に、１５０〜８００
μｍ相当の厚みの未延伸フィルムを得る。
【００１５】結晶化ピーク温度を高めるには、フィルム
を高結晶化させる程好ましく、チルロールでの冷却は８
５〜９０℃が好ましい。このシートを１３０〜１５０℃
に加熱されたロールで予熱しつつ、長手方向に４．０〜
５．３倍の延伸を行なう。なお、結晶化度を高めるに
は、低い温度で高倍率延伸する程好ましいが、厚み斑を
助長することから１４０〜１４５℃が好ましく、延伸倍
率は４．５〜５．０倍が好ましい。さらに好ましくは、
１４０〜１４５℃で４．５〜５．０倍延伸後、１４５〜
１５５℃の温度で１．０５〜１．１倍の再延伸を行なう
ことである。
を高結晶化させる程好ましく、チルロールでの冷却は８
５〜９０℃が好ましい。このシートを１３０〜１５０℃
に加熱されたロールで予熱しつつ、長手方向に４．０〜
５．３倍の延伸を行なう。なお、結晶化度を高めるに
は、低い温度で高倍率延伸する程好ましいが、厚み斑を
助長することから１４０〜１４５℃が好ましく、延伸倍
率は４．５〜５．０倍が好ましい。さらに好ましくは、
１４０〜１４５℃で４．５〜５．０倍延伸後、１４５〜
１５５℃の温度で１．０５〜１．１倍の再延伸を行なう
ことである。
【００１６】１３５℃のｎ−ヘプタンで抽出した成分の
Ｔｍｃは原料の依存が大きいが、Ｔｍｃを高めるには前
述のとおり溶融ポリマーを冷却する際、徐冷が好まし
い。長さ方向の延伸条件にも依存し、前述のとおり再延
伸を行なうことが好ましい。
Ｔｍｃは原料の依存が大きいが、Ｔｍｃを高めるには前
述のとおり溶融ポリマーを冷却する際、徐冷が好まし
い。長さ方向の延伸条件にも依存し、前述のとおり再延
伸を行なうことが好ましい。
【００１７】次いで長手方向と直角方向に１５０〜１６
５℃の温度で８．０〜１１．０倍延伸し、次いで１３５
〜１６５℃の温度で４〜８％の弛緩をしつつ熱処理を行
なう。Ｔｍｃを高めるには高温での熱処理が好ましい
が、結晶サイズが大きくなることから１４５〜１５５℃
の温度が好ましい。
５℃の温度で８．０〜１１．０倍延伸し、次いで１３５
〜１６５℃の温度で４〜８％の弛緩をしつつ熱処理を行
なう。Ｔｍｃを高めるには高温での熱処理が好ましい
が、結晶サイズが大きくなることから１４５〜１５５℃
の温度が好ましい。
【００１８】このフィルムを、窒素と炭酸ガスの混合ガ
ス雰囲気中でＥ値、５〜２０Ｗ／ｍ2 ／分のエネルギー
でフィルムの表面にコロナ放電処理を施す。前述のＮ／
ＣおよびＯ／Ｃを得るには、混合ガスの窒素／炭酸ガス
の比は９５／５〜７０／３０％が好ましく、コロナ放電
処理のエネルギーはＥ値を８〜１５Ｗ／ｍ2 ／分の範囲
にすることが好ましい。
ス雰囲気中でＥ値、５〜２０Ｗ／ｍ2 ／分のエネルギー
でフィルムの表面にコロナ放電処理を施す。前述のＮ／
ＣおよびＯ／Ｃを得るには、混合ガスの窒素／炭酸ガス
の比は９５／５〜７０／３０％が好ましく、コロナ放電
処理のエネルギーはＥ値を８〜１５Ｗ／ｍ2 ／分の範囲
にすることが好ましい。
【００１９】このフィルムを５００〜１０００ｍｍ幅に
裁断後、真空蒸着装置を用いて、コロナ放電処理面に銅
金属を蒸着後、亜鉛金属を膜抵抗６．０〜２０Ω／□に
なるように蒸着をする。膜抵抗を６Ω／□以上にするた
めには、蒸着時の蒸発源のパワーを下げて金属蒸発量を
少なくし、蒸着工程中に膜抵抗を監視しつつ蒸着させ
る。この蒸着フィルムを５０〜１００ｍｍ幅に裁断し、
これを２枚重ね回してコンデンサー素子を作る。この素
子を熱処理、端面封止、封缶後リード線の取付けを行な
ってコンデンサーとする。
裁断後、真空蒸着装置を用いて、コロナ放電処理面に銅
金属を蒸着後、亜鉛金属を膜抵抗６．０〜２０Ω／□に
なるように蒸着をする。膜抵抗を６Ω／□以上にするた
めには、蒸着時の蒸発源のパワーを下げて金属蒸発量を
少なくし、蒸着工程中に膜抵抗を監視しつつ蒸着させ
る。この蒸着フィルムを５０〜１００ｍｍ幅に裁断し、
これを２枚重ね回してコンデンサー素子を作る。この素
子を熱処理、端面封止、封缶後リード線の取付けを行な
ってコンデンサーとする。
【００２０】次に、本発明に用いた測定法および評価方
法について述べる。 （１）フィルム表層の原子構成比 国際電気株式会社製のＥＳＣＡスペクトロメーターＥＳ
２００型を用い、次の条件でフィルム表面を測定した。 励起Ｘ線：Ａｌ Ｋα線（１４８６．６ｅＶ） Ｘ線出力：１０ｋＶ、２０ｍＡ 温度：２０℃ 運動エネルギー補正：中性炭素（＞ *ＣＨ2 ）の運動エ
ネルギー値を１２０２．２ｅＶに合わせた。
法について述べる。 （１）フィルム表層の原子構成比 国際電気株式会社製のＥＳＣＡスペクトロメーターＥＳ
２００型を用い、次の条件でフィルム表面を測定した。 励起Ｘ線：Ａｌ Ｋα線（１４８６．６ｅＶ） Ｘ線出力：１０ｋＶ、２０ｍＡ 温度：２０℃ 運動エネルギー補正：中性炭素（＞ *ＣＨ2 ）の運動エ
ネルギー値を１２０２．２ｅＶに合わせた。
【００２１】得られたスペクトルから、Ｃ1sのピークと
Ｎ1sのピークの面積比を、酸素原子の数／炭素原子の数
の比（Ｏ／Ｃ）の値とし、またＣ1sのピークとＮ1sのピ
ークの面積比を、窒素原子の数／炭素原子の数の比（Ｎ
／Ｃ）の値とした。
Ｎ1sのピークの面積比を、酸素原子の数／炭素原子の数
の比（Ｏ／Ｃ）の値とし、またＣ1sのピークとＮ1sのピ
ークの面積比を、窒素原子の数／炭素原子の数の比（Ｎ
／Ｃ）の値とした。
【００２２】（２）結晶サイズ 広角Ｘ線回折法（反射法）で印加電圧３５ｋＶ、１５ｍ
Ａ、Ｓｃａｎ Ｓｐｅｅｄ １°／分、Ｔｉｍ Ｃｏｎ
ｓｔ ２秒、フルスケール ８０００ｃｐｓ、スリット
系 ＤＳ ＳＳ１°、ＲＳ ０．３ｍｍ、フィルターは
ニッケルを用い、上記条件で測定後、次式で求め（１．
１．０）面の測定値をフィルムの結晶サイズ（ｎｍ）と
定義した。 結晶サイズ＝Ｋ・λ／β・ｃｏｓθ Ｋ：シェラー定数、ここではＫ＝１とした。
Ａ、Ｓｃａｎ Ｓｐｅｅｄ １°／分、Ｔｉｍ Ｃｏｎ
ｓｔ ２秒、フルスケール ８０００ｃｐｓ、スリット
系 ＤＳ ＳＳ１°、ＲＳ ０．３ｍｍ、フィルターは
ニッケルを用い、上記条件で測定後、次式で求め（１．
１．０）面の測定値をフィルムの結晶サイズ（ｎｍ）と
定義した。 結晶サイズ＝Ｋ・λ／β・ｃｏｓθ Ｋ：シェラー定数、ここではＫ＝１とした。
【００２３】λ：０．１５４１８ β：半価幅 θ：ピーク角度
【００２４】（３）抽出成分の結晶化ピーク温度（Ｔｍ
ｃ） フィルム２０ｇを測定し、ｎ−ヘプタン８０ｍｌ中に入
れ、１３５℃で１２時間抽出し、その抽出液を蒸発乾固
させた後、ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＭＥＲ社製ＤＳＣ−ＩＩ
型の走査示差熱量計を用いて、次の条件にて降温冷却時
のピーク温度を結晶ピーク温度（Ｔｍｃ）と定義した。 討料：５ｍｇ 範囲：５ｍｃａｌ／ｓｅｃ 昇温速度：２０℃／分 感度：１０ｍＶ 溶融温度：２８０℃ 保持時間：５分
ｃ） フィルム２０ｇを測定し、ｎ−ヘプタン８０ｍｌ中に入
れ、１３５℃で１２時間抽出し、その抽出液を蒸発乾固
させた後、ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＭＥＲ社製ＤＳＣ−ＩＩ
型の走査示差熱量計を用いて、次の条件にて降温冷却時
のピーク温度を結晶ピーク温度（Ｔｍｃ）と定義した。 討料：５ｍｇ 範囲：５ｍｃａｌ／ｓｅｃ 昇温速度：２０℃／分 感度：１０ｍＶ 溶融温度：２８０℃ 保持時間：５分
【００２５】（４）コンデンサーの破壊電圧 厚さ８μｍの蒸着フィルムを巻回して容量１６μＦのコ
ンデンサー素子を作成する。これに１０００Ｖまで１０
０Ｖ／秒の昇圧速度で荷電し、以後は１００Ｖずつ昇圧
し、１分間同電圧で荷電する。このようにしてコンデン
サーが破壊するまで電圧を昇圧し、破壊する時の電圧を
破壊電圧とする（コンデンサーは１０個作成し、その平
均値で表わす）。この破壊電圧が高い程、コンデンサー
として優れていることになる。
ンデンサー素子を作成する。これに１０００Ｖまで１０
０Ｖ／秒の昇圧速度で荷電し、以後は１００Ｖずつ昇圧
し、１分間同電圧で荷電する。このようにしてコンデン
サーが破壊するまで電圧を昇圧し、破壊する時の電圧を
破壊電圧とする（コンデンサーは１０個作成し、その平
均値で表わす）。この破壊電圧が高い程、コンデンサー
として優れていることになる。
【００２６】（５）蒸着膜厚の均一性 蒸着フィルムの下側から蛍光灯を点灯させて、蒸着フィ
ルムの上側より目視観察をする。長さ方向に２０ｍ検査
を行なう。 ○：蒸着膜厚にムラがない。
ルムの上側より目視観察をする。長さ方向に２０ｍ検査
を行なう。 ○：蒸着膜厚にムラがない。
【００２７】×：蒸着膜厚にムラがあり、透過観察によ
り濃淡、膜抜けがある。
り濃淡、膜抜けがある。
【００２８】（６）シートｖ−ｔ破壊率 サンプルを１５０ｍｍ×１５０ｍｍのサイズでサンプリ
ングを行ない、春日電機（株）製ＡＣ耐圧試験機を用い
て、陽極に５０ｍｍφの黄銅製電極、陰極に８μｍのＡ
ｌ箔を３ｍｍ厚のシリコーンゴムに３枚重巻として、陽
極と陰極の間にフィルムをおき、ＡＣ１ｋＶを課電す
る。課電後から破壊するまでの時間を求め、６０秒以下
で破壊する割合を次式で求めた。ただし、測定総数は３
０とした。
ングを行ない、春日電機（株）製ＡＣ耐圧試験機を用い
て、陽極に５０ｍｍφの黄銅製電極、陰極に８μｍのＡ
ｌ箔を３ｍｍ厚のシリコーンゴムに３枚重巻として、陽
極と陰極の間にフィルムをおき、ＡＣ１ｋＶを課電す
る。課電後から破壊するまでの時間を求め、６０秒以下
で破壊する割合を次式で求めた。ただし、測定総数は３
０とした。
【００２９】シートｖ−ｔ破壊率（％）＝（６０秒以下
での破壊シート数／破壊測定総数）×１００ この値が低い程、常用使用電圧における劣化度合が小さ
いこと、すなわちライフ特性が良好であることを示す。
での破壊シート数／破壊測定総数）×１００ この値が低い程、常用使用電圧における劣化度合が小さ
いこと、すなわちライフ特性が良好であることを示す。
【００３０】（７）加工性 金属蒸着フィルムを合わせ巻き回して、コンデンサ素子
を作る。この素子巻き工程および素子のできあがり状態
をもって加工性を評価する。この時素子巻き速度は４０
０ｍ／分である。 ○：良好 ×：皺、端面不揃い、走行時のズレ等が発生。
を作る。この素子巻き工程および素子のできあがり状態
をもって加工性を評価する。この時素子巻き速度は４０
０ｍ／分である。 ○：良好 ×：皺、端面不揃い、走行時のズレ等が発生。
【００３１】
【実施例】以下、実施例に基づいて、この発明の実施態
様を説明する。 実施例１ 重合触媒に担持型の超活性化触媒を用い、洗浄強化によ
り灰分１４ｐｐｍでＩ，Ｉ９７．８％よりなるポリプロ
ピレン樹脂を２５５℃にて溶融シート状とし、これを８
７℃に徐冷して冷却固化させて、厚み４１０μｍの未延
伸フィルムとする。
様を説明する。 実施例１ 重合触媒に担持型の超活性化触媒を用い、洗浄強化によ
り灰分１４ｐｐｍでＩ，Ｉ９７．８％よりなるポリプロ
ピレン樹脂を２５５℃にて溶融シート状とし、これを８
７℃に徐冷して冷却固化させて、厚み４１０μｍの未延
伸フィルムとする。
【００３２】このシートを１４０℃で長手方向に４．６
倍の延伸後、さらに１．０７倍で再延伸し、次いで直角
方向に１６０℃の温度で１０．５倍延伸し、１４５℃の
温度で５％の弛緩を行ない熱処理をする。
倍の延伸後、さらに１．０７倍で再延伸し、次いで直角
方向に１６０℃の温度で１０．５倍延伸し、１４５℃の
温度で５％の弛緩を行ない熱処理をする。
【００３３】この延伸フィルムを窒素と炭酸ガスの混合
比９５／５％の混合ガス雰囲気中で、Ｅ値１０Ｗ／ｍ2
／分のエネルギーでフィルム表面にコロナ放電処理を施
す。
比９５／５％の混合ガス雰囲気中で、Ｅ値１０Ｗ／ｍ2
／分のエネルギーでフィルム表面にコロナ放電処理を施
す。
【００３４】このフィルムを６３０ｍｍ幅に裁断し、真
空蒸着装置で膜抵抗が８Ω／□になるように亜鉛蒸着を
行なう。この蒸着フィルムを１００ｍｍ幅の製品とし
て、２枚重ね回して１６μＦのコンデサー素子を作成す
る。この素子を１２０℃で２時間熱処理後、封缶、リー
ド端子付をして、コンデンサーとした。
空蒸着装置で膜抵抗が８Ω／□になるように亜鉛蒸着を
行なう。この蒸着フィルムを１００ｍｍ幅の製品とし
て、２枚重ね回して１６μＦのコンデサー素子を作成す
る。この素子を１２０℃で２時間熱処理後、封缶、リー
ド端子付をして、コンデンサーとした。
【００３５】このコンデンサーを１０００Ｖまで１００
Ｖ／秒の昇圧速度で荷電する。１０００Ｖで１分間荷電
し、以後は１００Ｖずつ昇圧し、このようにしてコンデ
ンサーが破壊するまで荷電し、その破壊電圧を測定し
た。結果を表１に示す。
Ｖ／秒の昇圧速度で荷電する。１０００Ｖで１分間荷電
し、以後は１００Ｖずつ昇圧し、このようにしてコンデ
ンサーが破壊するまで荷電し、その破壊電圧を測定し
た。結果を表１に示す。
【００３６】実施例２ 金属蒸着層の膜抵抗を１０Ω／□に変更した以外は、実
施例１と全く同様にして金属化フィルムを製造し、評価
した。結果は表１に示す。
施例１と全く同様にして金属化フィルムを製造し、評価
した。結果は表１に示す。
【００３７】実施例３ 窒素と炭酸ガスの混合比を８０／２０％、金属蒸着層の
膜抵抗を１２Ω／□に変更した以外は、実施例１と全く
同様にして金属化フィルムを製造し、評価した。結果を
表１に示す。
膜抵抗を１２Ω／□に変更した以外は、実施例１と全く
同様にして金属化フィルムを製造し、評価した。結果を
表１に示す。
【００３８】実施例４ 窒素と炭酸ガスの混合比を８０／２０％の混合ガスに変
更した以外は、実施例２と全く同様にして金属化フィル
ムを製造し、評価した。結果を表１に示す。
更した以外は、実施例２と全く同様にして金属化フィル
ムを製造し、評価した。結果を表１に示す。
【００３９】実施例５ 溶融シートを冷却する際のチルロール温度を８３℃、熱
処理温度を１５０℃で、窒素と炭酸ガスの混合比を８０
／２０の混合ガス雰囲気中でコロナ放電処理する以外
は、実施例２と全く同様にして金属化フィルムを製造
し、評価した。結果を表１に示す。
処理温度を１５０℃で、窒素と炭酸ガスの混合比を８０
／２０の混合ガス雰囲気中でコロナ放電処理する以外
は、実施例２と全く同様にして金属化フィルムを製造
し、評価した。結果を表１に示す。
【００４０】比較例１ 金属蒸着層の膜抵抗を３Ω／□に変更した以外は、実施
例１と全く同様にして金属化フィルムを製造し、評価し
た。結果は表１に示す。
例１と全く同様にして金属化フィルムを製造し、評価し
た。結果は表１に示す。
【００４１】比較例２ コロナ放電処理時に窒素と炭酸ガスの混合ガスの供給を
ストップして酸素雰囲気化で処理をした以外は、実施例
１と全く同様にして金属化フィルムを製造し、評価し
た。結果は表１に示す。
ストップして酸素雰囲気化で処理をした以外は、実施例
１と全く同様にして金属化フィルムを製造し、評価し
た。結果は表１に示す。
【００４２】比較例３ 窒素と炭酸ガスの混合比を５０／５０％に変更した以外
は、実施例１と全く同様にして金属化フィルムを製造
し、評価した。結果は表１に示す。
は、実施例１と全く同様にして金属化フィルムを製造
し、評価した。結果は表１に示す。
【００４３】比較例４ コロナ放電処理のＥ値を３Ｗ／ｍ2 ／分に変更した以外
は、実施例１と全く同様にして金属化フィルムを製造
し、評価した。結果は表１に示す。
は、実施例１と全く同様にして金属化フィルムを製造
し、評価した。結果は表１に示す。
【００４４】比較例５ コロナ放電処理のＥ値を２５Ｗ／ｍ2 ／分に変更した以
外は、実施例１と全く同様にして金属化フィルムを製造
し、評価した。結果は表１に示す。
外は、実施例１と全く同様にして金属化フィルムを製造
し、評価した。結果は表１に示す。
【００４５】比較例６ 重合触媒が通常に用いられている触媒にて製造された灰
分２８ｐｐｍ、Ｉ，Ｉ９７．６よりなるポリプロピレン
樹脂を用い、横延伸後の熱処理は、１５５℃に変更した
以外は、実施例１と全く同様にして金属化フィルムを製
造し、評価した。結果は表１に示す。
分２８ｐｐｍ、Ｉ，Ｉ９７．６よりなるポリプロピレン
樹脂を用い、横延伸後の熱処理は、１５５℃に変更した
以外は、実施例１と全く同様にして金属化フィルムを製
造し、評価した。結果は表１に示す。
【００４６】比較例７ 通常の重合触媒により製造された灰分２８ｐｐｍ、Ｉ，
Ｉ９７．６％よりなるポリプロピレン樹脂を用い、縦延
伸での倍率が４．３倍、熱処理は１４０℃に変更した以
外は、実施例１と全く同様にして金属化フィルムを製造
し、評価した。結果は表１に示す。
Ｉ９７．６％よりなるポリプロピレン樹脂を用い、縦延
伸での倍率が４．３倍、熱処理は１４０℃に変更した以
外は、実施例１と全く同様にして金属化フィルムを製造
し、評価した。結果は表１に示す。
【００４７】表１から金属蒸着の膜抵抗６Ω／□以上、
Ｎ／Ｃ０．００５以上、０．０８以下であり、Ｏ／Ｃが
０．０５以上、０．２５以下で、結晶サイズが１３ｎｍ
以下、かつ１３５℃のｎ−ヘプタン抽出物の結晶化ピー
ク温度８０℃以上を満足している金属蒸着フィルム、す
なわち実施例１、実施例２、実施例３、実施例４および
実施例５は、比較例１〜比較例７に較べてコンデンサー
での破壊電圧が高く、蒸着スリットおよび素子巻工程で
のシワ発生もなく、均一な蒸着膜を有し、コンデンサー
特性の優れたものであることがわかる。
Ｎ／Ｃ０．００５以上、０．０８以下であり、Ｏ／Ｃが
０．０５以上、０．２５以下で、結晶サイズが１３ｎｍ
以下、かつ１３５℃のｎ−ヘプタン抽出物の結晶化ピー
ク温度８０℃以上を満足している金属蒸着フィルム、す
なわち実施例１、実施例２、実施例３、実施例４および
実施例５は、比較例１〜比較例７に較べてコンデンサー
での破壊電圧が高く、蒸着スリットおよび素子巻工程で
のシワ発生もなく、均一な蒸着膜を有し、コンデンサー
特性の優れたものであることがわかる。
【００４８】
【表１】
【００４９】
【発明の効果】本発明のコンデンサー用金属化フィルム
は、コンデンサーでの破壊電圧が向上し、かつ常用使用
電圧における劣化度合も小さく、コンデンサー寿命を向
上させる。また、蒸着膜厚が均一で加工性も優れてい
る。
は、コンデンサーでの破壊電圧が向上し、かつ常用使用
電圧における劣化度合も小さく、コンデンサー寿命を向
上させる。また、蒸着膜厚が均一で加工性も優れてい
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 二軸延伸ポリプロピレンフィルムの少な
くとも片面に蒸着金属層が形成されたコンデンサー用金
属化フィルムにおいて、該二軸延伸ポリプロピレンフィ
ルムの蒸着金属層側の原子構成比が（窒素原子の数／炭
素原子の数）の比において０．００５〜０．０８の範囲
にあり（酸素原子の数／炭素原子の数）の比において
０．０５〜０．２５の範囲にあり、かつ該二軸延伸ポリ
プロピレンフィルムの結晶サイズが１３．０ｎｍ以下、
１３５℃のｎ−ヘプタンで抽出した成分の結晶化ピーク
温度が８０℃以上であり、さらに前記蒸着金属層の膜抵
抗が６Ω／□以上であることを特徴とするコンデンサー
用金属化フィルム。 - 【請求項２】 請求項１記載のコンデンサー用金属化フ
ィルムを合わせ巻回してなるコンデンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13050293A JPH06342738A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | コンデンサー用金属化フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13050293A JPH06342738A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | コンデンサー用金属化フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342738A true JPH06342738A (ja) | 1994-12-13 |
Family
ID=15035811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13050293A Pending JPH06342738A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | コンデンサー用金属化フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06342738A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016158590A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 東レ株式会社 | コンデンサ用二軸配向ポリプロピレンフィルム、金属積層フィルムおよびフィルムコンデンサ |
| US10431380B2 (en) * | 2014-09-30 | 2019-10-01 | Oji Holdings Corporation | Biaxially stretched polypropylene film for capacitor |
-
1993
- 1993-06-01 JP JP13050293A patent/JPH06342738A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10431380B2 (en) * | 2014-09-30 | 2019-10-01 | Oji Holdings Corporation | Biaxially stretched polypropylene film for capacitor |
| WO2016158590A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 東レ株式会社 | コンデンサ用二軸配向ポリプロピレンフィルム、金属積層フィルムおよびフィルムコンデンサ |
| JP6032386B1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-11-30 | 東レ株式会社 | コンデンサ用二軸配向ポリプロピレンフィルム、金属積層フィルムおよびフィルムコンデンサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3654541B2 (ja) | 耐熱性コンデンサ用ポリプロピレンフィルム | |
| EP3069850B1 (en) | Biaxially oriented polypropylene film and method for producing same | |
| KR19990064089A (ko) | 폴리프로필렌필름 및 그것을 유전체로써 사용한 콘덴서 | |
| JP6658953B1 (ja) | ポリプロピレンフィルムおよびこれを用いた金属膜積層フィルム、フィルムコンデンサ | |
| EP3124205A1 (en) | Biaxially oriented polypropylene film | |
| JPH10119127A (ja) | 二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびコンデンサー | |
| JP3791038B2 (ja) | 耐熱耐電圧性コンデンサ用ポリプロピレンフィルム | |
| EP4105281A1 (en) | Polypropylene film, polypropylene film integrated with metal layer, and film capacitor | |
| JPH06342738A (ja) | コンデンサー用金属化フィルム | |
| JP2001129944A (ja) | 二軸配向ポリプロピレンフィルム | |
| EP3845363A1 (en) | Biaxially stretched polypropylene film, metallized film, metallized film roll and film capacitor | |
| JPH0224298B2 (ja) | ||
| EP4249542A1 (en) | Polypropylene film, polypropylene film integrated with metal layer, and film capacitor | |
| JPH10156940A (ja) | ポリプロピレンフィルムおよびそれを誘電体とするコンデンサー | |
| JP2001048998A (ja) | 二軸配向ポリプロピレンフィルム | |
| JPH10156938A (ja) | ポリプロピレンフィルムおよびそれを誘電体として用いたコンデンサー | |
| JPH09139323A (ja) | コンデンサ用ポリプロピレンフィルム | |
| JPH0642441B2 (ja) | コンデンサー | |
| JPH08269690A (ja) | 被覆層形成用フィルムと被覆フィルム | |
| JPH0383312A (ja) | 金属化フィルム及びコンデンサ | |
| JP3018543B2 (ja) | ポリフェニレンスルフィド積層フィルムおよびそれを用いてなるコンデンサ | |
| JP2001329076A (ja) | ポリフェニレンスルフィドフィルムおよびコンデンサー | |
| JP3309619B2 (ja) | ポリプロピレンフィルム | |
| JPS63281416A (ja) | コンデンサ− | |
| JPH10112419A (ja) | 二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびそれからなるフィルムコンデンサー |