JPS63278280A - 光検出器 - Google Patents
光検出器Info
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- JPS63278280A JPS63278280A JP62111714A JP11171487A JPS63278280A JP S63278280 A JPS63278280 A JP S63278280A JP 62111714 A JP62111714 A JP 62111714A JP 11171487 A JP11171487 A JP 11171487A JP S63278280 A JPS63278280 A JP S63278280A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、光検出器に於いて、ｉ型の光吸収層をｐ型及
びｎ型の各光導波層で上下から挟んで光導波及び吸収層
を形成し、その先導波及び吸収層に一導電型不純物拡散
領域と反対導電型不純物拡散領域とを形成することで一
方の劈開面から他方の劈開面に向かう漏斗状の不純物非
拡散領域を画成し、その漏斗状の不純物非拡散領域に於
けるテーバ部分で入射光の集光を行い、その集光された
光を同じく直状部分に入射させて光検出を行うようにし
たことに依り、光ファイバとの光結合効率を向上させ、
また、高速の光検出、即ち、高速光パルスの検出も可能
にしたものである。
びｎ型の各光導波層で上下から挟んで光導波及び吸収層
を形成し、その先導波及び吸収層に一導電型不純物拡散
領域と反対導電型不純物拡散領域とを形成することで一
方の劈開面から他方の劈開面に向かう漏斗状の不純物非
拡散領域を画成し、その漏斗状の不純物非拡散領域に於
けるテーバ部分で入射光の集光を行い、その集光された
光を同じく直状部分に入射させて光検出を行うようにし
たことに依り、光ファイバとの光結合効率を向上させ、
また、高速の光検出、即ち、高速光パルスの検出も可能
にしたものである。
本発明は、光結合効率が良好で、且つ、集積化するのに
好適な構成をもった光検出器に関する。
好適な構成をもった光検出器に関する。
従来、光検出器としてピン（ｐｉｎ） ・フォト・ダ
イオード、アバランシェ・フォト・ダイオード（（ａｖ
ａｌａｎｃｈｅ ｐｈｏｔｏ ｄｉ。
イオード、アバランシェ・フォト・ダイオード（（ａｖ
ａｌａｎｃｈｅ ｐｈｏｔｏ ｄｉ。
ｄｅ：ＡＰＤ）などが知られている。
第５図は従来のｐｉｎフォト・ダイオードを説明する為
の要部切断側面図を表している。
の要部切断側面図を表している。
図に於いて、１はｎ型ＡｌＧａＡｓ層、２はｉ型ＧａＡ
ｓ層、３はｎ型ＡＪＧａＡｓ層、３Ａはｐ型領域、４は
二酸化シリコン（Ｓｉ０２）からなる絶縁膜、５はｐ側
電極、６はｎ側電極、７は電源、Ｌは入射する光をそれ
ぞれ示している。因に、ｎ型Ａｊ！ＧａＡｓ層１の厚さ
は２〔μｍ〕、ｉ型ＧａＡＳ層２の厚さは３乃至４ （
μｍ） 、ｎ型Ａｊ！ＧａＡｓ層３の厚さは１ （μ
ｍ）としである。尚、構造に依っては、光りを裏面から
入射させるものもある。
ｓ層、３はｎ型ＡＪＧａＡｓ層、３Ａはｐ型領域、４は
二酸化シリコン（Ｓｉ０２）からなる絶縁膜、５はｐ側
電極、６はｎ側電極、７は電源、Ｌは入射する光をそれ
ぞれ示している。因に、ｎ型Ａｊ！ＧａＡｓ層１の厚さ
は２〔μｍ〕、ｉ型ＧａＡＳ層２の厚さは３乃至４ （
μｍ） 、ｎ型Ａｊ！ＧａＡｓ層３の厚さは１ （μ
ｍ）としである。尚、構造に依っては、光りを裏面から
入射させるものもある。
このｐｉｎフォト・ダイオードに於いては、図示のよう
に逆バイアス電圧を印加しておき、光りを入射させると
、空乏化されているｉ型ＧａＡｓ層２に於いて光りが吸
収されて電子・正孔対が発生し、電子はｐ型領域３Ａに
、また、正孔はｎ型Ａ＊ｃａＡｓ層１に流れ込み、所謂
、フォト電流が流れ、光が検出されるものである。
に逆バイアス電圧を印加しておき、光りを入射させると
、空乏化されているｉ型ＧａＡｓ層２に於いて光りが吸
収されて電子・正孔対が発生し、電子はｐ型領域３Ａに
、また、正孔はｎ型Ａ＊ｃａＡｓ層１に流れ込み、所謂
、フォト電流が流れ、光が検出されるものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、第５図に見られるｐｉｎフォト・ダイオード
に光を入射させる場合、光伝送路とじて光ファイバを用
いるのが一般的であるが、取り扱う光の波長λを０．８
〔μｍ〕とした場合、光ファイバのコア径は、シングル
・モードのもので、６〔μｍ〕乃至１０〔μｍ〕である
。
に光を入射させる場合、光伝送路とじて光ファイバを用
いるのが一般的であるが、取り扱う光の波長λを０．８
〔μｍ〕とした場合、光ファイバのコア径は、シングル
・モードのもので、６〔μｍ〕乃至１０〔μｍ〕である
。
また、ｐｉｎフォト・ダイオードを高速化するには、極
低容量化（〜０．０１ （ｐＦ） ）する必要があり
、受光径も６〜１０〔μｍ〕と小さくしなければならな
い。
低容量化（〜０．０１ （ｐＦ） ）する必要があり
、受光径も６〜１０〔μｍ〕と小さくしなければならな
い。
従って、このようなｐｉｎフォト・ダイオードに対し、
高い結合効率をもって光を入射させることは困難である
。尚、レンズを用いて光りを集束させることも行われて
いるが、ｐｉｎフォト・ダイオードとレンズとの整合を
高精度で維持することや集積化が難しく、また、光りを
入射させる方向が、表面側或いは裏面側に限定されると
集積化は更に困難となる。
高い結合効率をもって光を入射させることは困難である
。尚、レンズを用いて光りを集束させることも行われて
いるが、ｐｉｎフォト・ダイオードとレンズとの整合を
高精度で維持することや集積化が難しく、また、光りを
入射させる方向が、表面側或いは裏面側に限定されると
集積化は更に困難となる。
本発明は、光検出器に導波路を一体的に形成して光の入
射を容易にすることで光ファイバとの結合効率を向上し
、また、劈開面からも光の入射を可能にし、集積化を容
易にしようとする。
射を容易にすることで光ファイバとの結合効率を向上し
、また、劈開面からも光の入射を可能にし、集積化を容
易にしようとする。
本発明に依る光検出器に於いては、導電型がｉ型若しく
はｉ型に近い化合物半導体光吸収層（例えばｎ型ＧａＡ
ｓ光吸収層１２Ｂ）をｐ型化合物半導体光導波Ｎ（例え
ばｐ型ＡｆＧａＡｓ光導波層１２Ａ）とｎ型化合物半導
体光導波層（例えばｎ型ＡＡＧａＡｓ光導波層１２Ｃ）
とで上下から挟んだ構成を含む光導波及び吸収層（例え
ば光導波及び吸収層１２）と、該光導波及び吸収層を表
面で見て一方の劈開面から他方の劈開面に向かい次第に
狭幅化されるテーパ部分（例えばテーバ部分１６Ａ）及
びそれに連なり一定の幅をもって延在する直状部分（例
えば直状部分１６Ｂ）からなるパターンを画成する為に
該パターンの一方の外側に形成された一導電型不純物拡
散領域（例えばｐ型不純物拡散領域１４）及び同じく他
方の外側に形成された反対導電型不純物拡散領域（例え
ばｎ型不純物拡散領域１５）とを備えている。
はｉ型に近い化合物半導体光吸収層（例えばｎ型ＧａＡ
ｓ光吸収層１２Ｂ）をｐ型化合物半導体光導波Ｎ（例え
ばｐ型ＡｆＧａＡｓ光導波層１２Ａ）とｎ型化合物半導
体光導波層（例えばｎ型ＡＡＧａＡｓ光導波層１２Ｃ）
とで上下から挟んだ構成を含む光導波及び吸収層（例え
ば光導波及び吸収層１２）と、該光導波及び吸収層を表
面で見て一方の劈開面から他方の劈開面に向かい次第に
狭幅化されるテーパ部分（例えばテーバ部分１６Ａ）及
びそれに連なり一定の幅をもって延在する直状部分（例
えば直状部分１６Ｂ）からなるパターンを画成する為に
該パターンの一方の外側に形成された一導電型不純物拡
散領域（例えばｐ型不純物拡散領域１４）及び同じく他
方の外側に形成された反対導電型不純物拡散領域（例え
ばｎ型不純物拡散領域１５）とを備えている。
前記手段を採ることに依り、先導波及び吸収層と光ファ
イバとは高い光結合効率をもって結合させることができ
、そして、テーバ部分で効率良く集光された光は幅が狭
い直状部分に確実に入射され、そこで高速の光検出を行
うことが可能であり、また、光の入射は劈開面、表面、
裏面の何れでも良いから、集積化する際には有利である
。
イバとは高い光結合効率をもって結合させることができ
、そして、テーバ部分で効率良く集光された光は幅が狭
い直状部分に確実に入射され、そこで高速の光検出を行
うことが可能であり、また、光の入射は劈開面、表面、
裏面の何れでも良いから、集積化する際には有利である
。
第１図は本発明一実施例の要部切断斜面図を表している
。尚、図では簡明にする為、電極などを省略しである。
。尚、図では簡明にする為、電極などを省略しである。
図に於いて、１１は半絶縁性のＡβＧａＡｓβＧａＡｓ
バッフは多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｑｕａ ｎ ｔ ｕ
ｍ ｗｅ １１ ： ＭＱＷ）光導波及び吸収層、１
３は半絶縁性のＡｌｌＧａＡｓキャップ層、１４はｐ型
不純物拡散領域、１５はｎ型不純物拡散領域、１６Ａは
不純物非拡散領域のテーパ部分、１６Ｂは不純物非拡散
領域の直状部分、１７は直状部分の幅、Ｅは電源、Ｌは
入射する光をそれぞれ示している。尚、本発明の光検出
器では、前記した材料の外、ＩｎＰ系など他のそれに代
替しても良い。
バッフは多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｑｕａ ｎ ｔ ｕ
ｍ ｗｅ １１ ： ＭＱＷ）光導波及び吸収層、１
３は半絶縁性のＡｌｌＧａＡｓキャップ層、１４はｐ型
不純物拡散領域、１５はｎ型不純物拡散領域、１６Ａは
不純物非拡散領域のテーパ部分、１６Ｂは不純物非拡散
領域の直状部分、１７は直状部分の幅、Ｅは電源、Ｌは
入射する光をそれぞれ示している。尚、本発明の光検出
器では、前記した材料の外、ＩｎＰ系など他のそれに代
替しても良い。
第２図は光導波及び吸収層１２を拡大して詳細に表した
要部切断正面図であり、第１図に於いて用いた記号と同
記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする
。
要部切断正面図であり、第１図に於いて用いた記号と同
記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする
。
図に於いて、１２Ａはｐ型Ａｌ１ＧａＡｓ光導波層、１
２Ｂはｉ型ＧａＡｓ光吸収層、１２Ｃはｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ光導波層をそれぞれ示している。
２Ｂはｉ型ＧａＡｓ光吸収層、１２Ｃはｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ光導波層をそれぞれ示している。
尚、光導波層１２Ａの材料をｐ型１ｎＰに、光吸収層１
２Ｂのそれをｉ型１ｎＧａＡｓに、光導波層１２Ｇのそ
れをｎ型１ｎＰにそれぞれ代替しても良い。
２Ｂのそれをｉ型１ｎＧａＡｓに、光導波層１２Ｇのそ
れをｎ型１ｎＰにそれぞれ代替しても良い。
本実施例に於ける各部分の主要データを例示すると次の
通りである。
通りである。
（１１バッファ層１１について
厚さ＝３〜４ 〔μｍ〕
（２）光導波及び吸収層１２について
厚さ＝２〜６ 〔μｍ〕
（３）光導波層１２Ａについて
厚さ： ０．０１〜０．２ （ｕｍ）不純物濃度：１
×１０Ｉ７〜１０ＩＯ〔ｃｍ−３〕ＡｆｆｉのＸ値：
０．１ Ｂ （ＡｆｆＧａＡｓの場合）（４）光吸収層
１２Ｂについて 厚さ： ０．０１〜０．２ Ｃμｍ）Ｇａ ： ０．
４７ （ＩｎＧａＡｓの場合）Ｉｎｔｏ、５３ （Ｉｎ
ＧａＡｓの場合）（５）光導波層１２Ｃについて 厚さ： Ｏ，Ｏｆ 〜０．２ （，１７ｍ）不純物濃
度：１×１０１７〜１０Ｉ８〔ｃｍ−３〕ＡｌのＸ値：
０．１８ （Ａｊ！ＧａＡｓの場合）（６） キャ
ンプ層１３について 厚さ：０．５（μｍ〕 Ａｌ１０Ｘ値： ０．７〜０．４ （ＡＩ！ＧａＡｓの
場合） （７）ｎ型不純物拡散領域１４について不純物：Ｚｎ 拡散手段：熱拡散 （８）ｎ型不純物拡散領域１５について不純物：ＧａＡ
ｓ系の場合は５ｉ ＩｎＰ系の場合はＣｄ 拡散手段：熱拡散 （９） テーパ部分１６Ａについて 最大幅：６〜１５〔μｍ〕 最小幅：３〜５〔μｍ〕 αω 直状部分１６Ｂについて 幅１７：３〜５〔μｍ〕 長さ：６〜１５ 〔μｍ〕 図から判るように、光導波及び吸収層１２は、光導波層
１２Ａと光吸収層１２Ｂと光導波層１２Ｃとを順に積層
し、これを必要に応じて繰り返したものからなっていて
、ｎ型不純物拡散領域１４とｎ型不純物拡散領域１５と
の間に電源Ｅから逆バイアス電圧を印加した状態で、第
１図に示しであるように光りが入射すると、光吸収層１
２Ｂに於いては電子・正札対が発生し、また、光導波層
１２Ａ或いは１２Ｇに於いては、直進するものもあるが
、斜めに入射したものは光導波層１２Ａ及び１２Ｃに比
較して屈折率が小さい光吸収１１２Ａの間を反射しなが
ら進行し、光吸収層１２Ｂに入った場合には、前記同様
、電子・正孔対を発生する。尚、ｎ型不純物拡散領域１
４及びｎ型不純物拡散領域１５は、多結晶化して屈折率
が低くなっていることから、光導波及び吸収層１２に入
射した光に対する横方向の閉じ込め効果があり、また、
勿論、上下方向の閉じ込めも行われているから、光はテ
ーパ部分１６Ａで集光されて直状部分１６Ｂに達する。
×１０Ｉ７〜１０ＩＯ〔ｃｍ−３〕ＡｆｆｉのＸ値：
０．１ Ｂ （ＡｆｆＧａＡｓの場合）（４）光吸収層
１２Ｂについて 厚さ： ０．０１〜０．２ Ｃμｍ）Ｇａ ： ０．
４７ （ＩｎＧａＡｓの場合）Ｉｎｔｏ、５３ （Ｉｎ
ＧａＡｓの場合）（５）光導波層１２Ｃについて 厚さ： Ｏ，Ｏｆ 〜０．２ （，１７ｍ）不純物濃
度：１×１０１７〜１０Ｉ８〔ｃｍ−３〕ＡｌのＸ値：
０．１８ （Ａｊ！ＧａＡｓの場合）（６） キャ
ンプ層１３について 厚さ：０．５（μｍ〕 Ａｌ１０Ｘ値： ０．７〜０．４ （ＡＩ！ＧａＡｓの
場合） （７）ｎ型不純物拡散領域１４について不純物：Ｚｎ 拡散手段：熱拡散 （８）ｎ型不純物拡散領域１５について不純物：ＧａＡ
ｓ系の場合は５ｉ ＩｎＰ系の場合はＣｄ 拡散手段：熱拡散 （９） テーパ部分１６Ａについて 最大幅：６〜１５〔μｍ〕 最小幅：３〜５〔μｍ〕 αω 直状部分１６Ｂについて 幅１７：３〜５〔μｍ〕 長さ：６〜１５ 〔μｍ〕 図から判るように、光導波及び吸収層１２は、光導波層
１２Ａと光吸収層１２Ｂと光導波層１２Ｃとを順に積層
し、これを必要に応じて繰り返したものからなっていて
、ｎ型不純物拡散領域１４とｎ型不純物拡散領域１５と
の間に電源Ｅから逆バイアス電圧を印加した状態で、第
１図に示しであるように光りが入射すると、光吸収層１
２Ｂに於いては電子・正札対が発生し、また、光導波層
１２Ａ或いは１２Ｇに於いては、直進するものもあるが
、斜めに入射したものは光導波層１２Ａ及び１２Ｃに比
較して屈折率が小さい光吸収１１２Ａの間を反射しなが
ら進行し、光吸収層１２Ｂに入った場合には、前記同様
、電子・正孔対を発生する。尚、ｎ型不純物拡散領域１
４及びｎ型不純物拡散領域１５は、多結晶化して屈折率
が低くなっていることから、光導波及び吸収層１２に入
射した光に対する横方向の閉じ込め効果があり、また、
勿論、上下方向の閉じ込めも行われているから、光はテ
ーパ部分１６Ａで集光されて直状部分１６Ｂに達する。
前記のようにして発生した電子・正孔対のうち、電子は
光導波層１２Ａを介してｎ型不純物拡散領域１４へ、ま
た、正孔は光導波層１２Ｃを介してｎ型不純物拡散領域
１５へ向かう。
光導波層１２Ａを介してｎ型不純物拡散領域１４へ、ま
た、正孔は光導波層１２Ｃを介してｎ型不純物拡散領域
１５へ向かう。
その結果、ｐ型Ａ６ＧａＡｓ光導波層１２Ａとｎ型Ａ７
！ＧａＡｓ光導波層１２Ｃとの間にはフォト電流が流れ
、光検出が行われるものである。
！ＧａＡｓ光導波層１２Ｃとの間にはフォト電流が流れ
、光検出が行われるものである。
第３図は光導波及び吸収層１２の一部を更に拡大して詳
細に表した要部切断正面図であり、第１図及び第２図に
於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同し
意味を持つものとする。
細に表した要部切断正面図であり、第１図及び第２図に
於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同し
意味を持つものとする。
図に於いて、ｈは正孔、ｅは電子をそれぞれ示している
。
。
図から判るように、ｐ型ＡＡＧａＡｓ光導波層１２Ａ、
、ｉ型ＧａＡｓ光吸収層１２Ｂ、ｎ型ＡｌＧａＡｓ光導
波層１２Ｃのそれぞれはｐｉｎフォト・ダイオードを成
し、それが多数積層された構成になっている。そして、
直状部分１６Ｂに於ける光吸収層１２Ｂで発生した正孔
ｈ・電子ｅの対は分離され、電子ｅはｐ型Ａ７！ＧａＡ
Ｓ光導波層１２Ａに、また、正孔りはｎ型Ａｊ！ＧａＡ
ｓ光導波層１２Ｃにそれぞれ流れ込んでいる。
、ｉ型ＧａＡｓ光吸収層１２Ｂ、ｎ型ＡｌＧａＡｓ光導
波層１２Ｃのそれぞれはｐｉｎフォト・ダイオードを成
し、それが多数積層された構成になっている。そして、
直状部分１６Ｂに於ける光吸収層１２Ｂで発生した正孔
ｈ・電子ｅの対は分離され、電子ｅはｐ型Ａ７！ＧａＡ
Ｓ光導波層１２Ａに、また、正孔りはｎ型Ａｊ！ＧａＡ
ｓ光導波層１２Ｃにそれぞれ流れ込んでいる。
さきに説明したように、キャリヤが走行する距離は極め
て短いことから、高速の光パルスであっても容易に検出
することができる。尚、ｎ型不純物拡散領域１４に近接
した個所で発生した電子・正孔対に於ける電子は、ｐ型
Ａ＃ＧａＡｓ光導波層１２Ａを介することなくｎ型不純
物拡散領域１４に直接流入することは勿論であり、これ
はｎ型不純物拡散領域１５の近傍に於ける正孔について
も同じことが言える。
て短いことから、高速の光パルスであっても容易に検出
することができる。尚、ｎ型不純物拡散領域１４に近接
した個所で発生した電子・正孔対に於ける電子は、ｐ型
Ａ＃ＧａＡｓ光導波層１２Ａを介することなくｎ型不純
物拡散領域１４に直接流入することは勿論であり、これ
はｎ型不純物拡散領域１５の近傍に於ける正孔について
も同じことが言える。
第４図は本発明の他の実施例を説明する為の要部切断斜
面図であり、第１図乃至第３図に於いて用いた記号と同
記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする
。
面図であり、第１図乃至第３図に於いて用いた記号と同
記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする
。
本実施例が第１図乃至第３図について説明した実施例と
相違する点は、図示のように、溝１８を形成し、テーパ
部分１６Ａと直状部分１６Ｂとを切り離し、テーパ部分
１６Ａには電圧が加わらないようにしたことにある。
相違する点は、図示のように、溝１８を形成し、テーパ
部分１６Ａと直状部分１６Ｂとを切り離し、テーパ部分
１６Ａには電圧が加わらないようにしたことにある。
このような構成にすると、直状部分１６Ｂの側に関連す
る電極領域が小面積となり、従って、容量が小さくなる
ので高速化の面で有利である。
る電極領域が小面積となり、従って、容量が小さくなる
ので高速化の面で有利である。
前記説明した何れの実施例に於いても、光導波及び吸収
層１２の厚さを約２〜６ 〔μｍ〕程度に選択すること
ができ、これは波長０．８ 〔μｍ〕の光に好適なシン
グル・モードの光ファイバに於けるコア径に近い厚さで
あり、従って、光結合効率は極めて良好である。
層１２の厚さを約２〜６ 〔μｍ〕程度に選択すること
ができ、これは波長０．８ 〔μｍ〕の光に好適なシン
グル・モードの光ファイバに於けるコア径に近い厚さで
あり、従って、光結合効率は極めて良好である。
また、同じく何れの実施例に於いても、光りはｐｉｎフ
ォト・ダイオードのテーパ部分１６Ａ側に於ける劈開面
から入射させているが、光導波層１２Ａと１２Ｇとの間
隔、従って、光吸収層１２Ｂの厚さを入射する光りの波
長程度以下にしであるから、前記のような手段に限らず
、テーパ部分１６Ａ側の表面或いは裏面からも入射させ
ることが可能である。
ォト・ダイオードのテーパ部分１６Ａ側に於ける劈開面
から入射させているが、光導波層１２Ａと１２Ｇとの間
隔、従って、光吸収層１２Ｂの厚さを入射する光りの波
長程度以下にしであるから、前記のような手段に限らず
、テーパ部分１６Ａ側の表面或いは裏面からも入射させ
ることが可能である。
本発明の光検出器に於いては、ｉ型の光吸収層をｎ型及
びｎ型の各光導波層で上下から挾んで光導波及び吸収層
を形成し、その光導波及び吸収層に一導電型不純物拡散
領域と反対導電型不純物拡散領域とを形成することで一
方の劈開面から他方の劈開面に向かう漏斗状の不純物非
拡散領域を画成し、その漏斗状の不純物非拡散領域に於
けるテーパ部分で入射光の集光を行い、その集光された
光を同じく直状部分に入射させて光検出を行うようにし
ている。
びｎ型の各光導波層で上下から挾んで光導波及び吸収層
を形成し、その光導波及び吸収層に一導電型不純物拡散
領域と反対導電型不純物拡散領域とを形成することで一
方の劈開面から他方の劈開面に向かう漏斗状の不純物非
拡散領域を画成し、その漏斗状の不純物非拡散領域に於
けるテーパ部分で入射光の集光を行い、その集光された
光を同じく直状部分に入射させて光検出を行うようにし
ている。
この構成を採ることに依り、光導波及び吸収層と光ファ
イバとは高い光結合効率をもって結合させることができ
、そして、テーパ部分で効率良く集光された光は幅が狭
い直状部分に確実に入射され、そこでは高速の光検出を
行うことが可能であす、また、光の入射は劈開面、表面
、裏面の何れでも良いから、集積化する際には有利であ
る。
イバとは高い光結合効率をもって結合させることができ
、そして、テーパ部分で効率良く集光された光は幅が狭
い直状部分に確実に入射され、そこでは高速の光検出を
行うことが可能であす、また、光の入射は劈開面、表面
、裏面の何れでも良いから、集積化する際には有利であ
る。
第１図は本発明一実施例の要部切断斜面図、第２図は光
導波及び吸収層１２を拡大して詳細に表した要部切断正
面図、第３図は光導波及び吸収層１２の一部を更に拡大
して詳細に表した要部切断正面図、第４図は本発明の他
の実施例を説明する為の要部切断斜面図、第５図は従来
例の要部切断側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１１は半絶縁性のＡｊ！ＧａＡｓバッファ
層、１２は多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｑｕａ ｎ ｔ
ｕｍ ｗｅ ｌ ｌ ：ＭＱＷ）光導波及び吸収層、
１３は半絶縁性のＡｊ！ＧａＡｓキャップ層、１４はｎ
型不純物拡散領域、１５はｎ型不純物拡散領域、１６Ａ
は不純物非拡散領域のテーパ部分、１６Ｂは不純物非拡
散領域の直状部分、１７は直状部分の幅、Ｅは電源、Ｌ
は入射する光をそれぞれ示している。 実施例の要部切断正面図 第２図 光導波及び吸収層の要部切断正面図 第３図
導波及び吸収層１２を拡大して詳細に表した要部切断正
面図、第３図は光導波及び吸収層１２の一部を更に拡大
して詳細に表した要部切断正面図、第４図は本発明の他
の実施例を説明する為の要部切断斜面図、第５図は従来
例の要部切断側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１１は半絶縁性のＡｊ！ＧａＡｓバッファ
層、１２は多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｑｕａ ｎ ｔ
ｕｍ ｗｅ ｌ ｌ ：ＭＱＷ）光導波及び吸収層、
１３は半絶縁性のＡｊ！ＧａＡｓキャップ層、１４はｎ
型不純物拡散領域、１５はｎ型不純物拡散領域、１６Ａ
は不純物非拡散領域のテーパ部分、１６Ｂは不純物非拡
散領域の直状部分、１７は直状部分の幅、Ｅは電源、Ｌ
は入射する光をそれぞれ示している。 実施例の要部切断正面図 第２図 光導波及び吸収層の要部切断正面図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電型がｉ型若しくはｉ型に近い化合物半導体光吸収層
をｐ型化合物半導体光導波層とｎ型化合物半導体光導波
層とで上下から挟んだ構成を含む光導波及び吸収層と、 該光導波及び吸収層を表面で見て一方の劈開面から他方
の劈開面に向かい次第に狭幅化されるテーパ部分及びそ
れに連なり一定の幅をもって延在する直状部分からなる
パターンを画成する為に該パターンの一方の外側に形成
された一導電型不純物拡散領域及び同じく他方の外側に
形成された反対導電型不純物拡散領域と を備えてなることを特徴とする光検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111714A JPS63278280A (ja) | 1987-05-09 | 1987-05-09 | 光検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111714A JPS63278280A (ja) | 1987-05-09 | 1987-05-09 | 光検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278280A true JPS63278280A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14568298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111714A Pending JPS63278280A (ja) | 1987-05-09 | 1987-05-09 | 光検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63278280A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223369A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Opnext Japan Inc | 端面入射導波路型半導体受光素子およびそれを用いた光受信モジュール |
| US6307242B1 (en) | 1998-02-19 | 2001-10-23 | Nec Corporation | Semiconductor photo-detector with square-shaped optical wave-guide |
-
1987
- 1987-05-09 JP JP62111714A patent/JPS63278280A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6307242B1 (en) | 1998-02-19 | 2001-10-23 | Nec Corporation | Semiconductor photo-detector with square-shaped optical wave-guide |
| JP2001223369A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Opnext Japan Inc | 端面入射導波路型半導体受光素子およびそれを用いた光受信モジュール |
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