JPH05183237A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JPH05183237A JPH05183237A JP3347344A JP34734491A JPH05183237A JP H05183237 A JPH05183237 A JP H05183237A JP 3347344 A JP3347344 A JP 3347344A JP 34734491 A JP34734491 A JP 34734491A JP H05183237 A JPH05183237 A JP H05183237A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体レーザ光増幅器とＰＩＮフォトダイオー
ドを集積化した半導体受光装置に関し、半導体レーザ光
増幅器とＰＩＮフォトダイオードの素子分離領域で光信
号が反射することのない半導体受光装置を提供すること
を目的とする。 【構成】ｎ−ＩｎＰ基板１０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ
層１２、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１４、ＩｎＧａ
ＡｓＰ光増幅吸収層１６、ｎ−ＩｎＰスペーサ層１８が
順々に積層され、ｎ−ＩｎＰスペーサ層１８上に、リッ
ジ形状のｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、２０ｂが形成さ
れている。ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、２０ｂの光導
波方向に対して約３０°の斜め方向に切断された約２μ
ｍ幅の隙間にｎ−ＩｎＰ光導波路層２０ｃが設けられ、
屈折率を徐々に変化させるようにしている。
ドを集積化した半導体受光装置に関し、半導体レーザ光
増幅器とＰＩＮフォトダイオードの素子分離領域で光信
号が反射することのない半導体受光装置を提供すること
を目的とする。 【構成】ｎ−ＩｎＰ基板１０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ
層１２、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１４、ＩｎＧａ
ＡｓＰ光増幅吸収層１６、ｎ−ＩｎＰスペーサ層１８が
順々に積層され、ｎ−ＩｎＰスペーサ層１８上に、リッ
ジ形状のｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、２０ｂが形成さ
れている。ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、２０ｂの光導
波方向に対して約３０°の斜め方向に切断された約２μ
ｍ幅の隙間にｎ−ＩｎＰ光導波路層２０ｃが設けられ、
屈折率を徐々に変化させるようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ光増幅器と
ＰＩＮフォトダイオードを集積化した半導体受光装置に
関する。
ＰＩＮフォトダイオードを集積化した半導体受光装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の光通信技術の高度化にともない、
光通信の高速化、長距離化が求められている。このため
光信号を電気信号に変換する半導体受光装置に対しても
高速化、高感度化が強く要求されている。高速で高感度
な半導体受光装置を実現するために、光信号を半導体レ
ーザにより増幅し、増幅した光信号をＰＩＮフォトダイ
オードにより受光する光信号受光方式が提案されてい
る。更に、この光信号受光方式を実現するために、半導
体レーザ光増幅器とＰＩＮフォトダイオードを集積化し
た小型の半導体受光装置が提案されている(D.Wake et a
l, "Monolithic integration of 1.5μm optical pream
plifier and PIN photodetector with a gain of 20dB
and a bandwidth of 35GHz", Electron. Lett., vol.2
6, ,no.15, pp1166-1168,1990) 。
光通信の高速化、長距離化が求められている。このため
光信号を電気信号に変換する半導体受光装置に対しても
高速化、高感度化が強く要求されている。高速で高感度
な半導体受光装置を実現するために、光信号を半導体レ
ーザにより増幅し、増幅した光信号をＰＩＮフォトダイ
オードにより受光する光信号受光方式が提案されてい
る。更に、この光信号受光方式を実現するために、半導
体レーザ光増幅器とＰＩＮフォトダイオードを集積化し
た小型の半導体受光装置が提案されている(D.Wake et a
l, "Monolithic integration of 1.5μm optical pream
plifier and PIN photodetector with a gain of 20dB
and a bandwidth of 35GHz", Electron. Lett., vol.2
6, ,no.15, pp1166-1168,1990) 。
【０００３】現在提案されている半導体受光装置を図２
に示す。ｎ−ＩｎＰ基板１０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ
層１２、光ガイド層１４、光増幅吸収層１６、ｎ−Ｉｎ
Ｐスペーサ層１８が順々に積層されている。ｎ−ＩｎＰ
スペーサ層１８上には、分断されたリッジ形状のｐ−Ｉ
ｎＰ光導波路層２０ａ、２０ｂが形成されている。ｐ−
ＩｎＰ光導波路層２０ａ上にはコンタクト層２２ａが形
成され、ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ｂ上にはコンタクト
層２２ｂが形成されている。ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０
ａ、２０ｂが形成されていないｎ−ＩｎＰスペーサ層１
８上は絶縁マスク層２４により覆われている。
に示す。ｎ−ＩｎＰ基板１０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ
層１２、光ガイド層１４、光増幅吸収層１６、ｎ−Ｉｎ
Ｐスペーサ層１８が順々に積層されている。ｎ−ＩｎＰ
スペーサ層１８上には、分断されたリッジ形状のｐ−Ｉ
ｎＰ光導波路層２０ａ、２０ｂが形成されている。ｐ−
ＩｎＰ光導波路層２０ａ上にはコンタクト層２２ａが形
成され、ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ｂ上にはコンタクト
層２２ｂが形成されている。ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０
ａ、２０ｂが形成されていないｎ−ＩｎＰスペーサ層１
８上は絶縁マスク層２４により覆われている。
【０００４】この半導体受光装置では、図２左側の領域
に順方向バイアス電圧を印加することにより入射した光
信号を増幅する半導体レーザ光増幅器として機能させ、
図２右側の領域に逆方向バイアス電圧を印加することに
より増幅された光信号を受光するＰＩＮフォトダイオー
ドとして機能させる。しかしながら、この半導体受光装
置ではリッジ形状のｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、２０
ｂを分断することにより半導体レーザ光増幅器とＰＩＮ
フォトダイオードとを素子分離している。このため、半
導体レーザ光増幅器のｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａの端
面で増幅された光信号が反射する。これは半導体レーザ
光増幅器に正の帰還をかけることになり、半導体レーザ
光増幅器による雑音を著しく増加させてしまうという問
題があった。ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａの端面に無反
射コーティングすることができれば、光信号の反射は防
止できるが、集積された素子間の狭い部分に有効な無反
射コーティング層を形成することは技術的に困難であ
る。
に順方向バイアス電圧を印加することにより入射した光
信号を増幅する半導体レーザ光増幅器として機能させ、
図２右側の領域に逆方向バイアス電圧を印加することに
より増幅された光信号を受光するＰＩＮフォトダイオー
ドとして機能させる。しかしながら、この半導体受光装
置ではリッジ形状のｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、２０
ｂを分断することにより半導体レーザ光増幅器とＰＩＮ
フォトダイオードとを素子分離している。このため、半
導体レーザ光増幅器のｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａの端
面で増幅された光信号が反射する。これは半導体レーザ
光増幅器に正の帰還をかけることになり、半導体レーザ
光増幅器による雑音を著しく増加させてしまうという問
題があった。ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａの端面に無反
射コーティングすることができれば、光信号の反射は防
止できるが、集積された素子間の狭い部分に有効な無反
射コーティング層を形成することは技術的に困難であ
る。
【０００５】このような光導波路層の端面における反射
を防止するために、図３に示すように、ｐ−ＩｎＰ光導
波路層２０ａとｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ｂの間にｎ−
ＩｎＰ光導波路層２０ｃを設けることにより素子分離す
る半導体受光装置が提案されている。
を防止するために、図３に示すように、ｐ−ＩｎＰ光導
波路層２０ａとｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ｂの間にｎ−
ＩｎＰ光導波路層２０ｃを設けることにより素子分離す
る半導体受光装置が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この提
案された半導体受光装置においても、図３左側の半導体
レーザ光増幅器の領域では、光増幅吸収層１６にキャリ
アが注入されるのに対し、図３右側のＰＩＮフォトダイ
オードの領域では、光増幅吸収層１６が空乏化されるの
で、半導体レーザ光増幅器の領域の光増幅吸収層１６と
ＰＩＮフォトダイオードの領域の光増幅吸収層１６とで
は屈折率差が生じるため、半導体レーザ光増幅器とＰＩ
Ｎフォトダイオードの素子分離領域で依然として光信号
が反射して、半導体レーザ光増幅器による雑音を増加さ
せてしまうという問題があった。
案された半導体受光装置においても、図３左側の半導体
レーザ光増幅器の領域では、光増幅吸収層１６にキャリ
アが注入されるのに対し、図３右側のＰＩＮフォトダイ
オードの領域では、光増幅吸収層１６が空乏化されるの
で、半導体レーザ光増幅器の領域の光増幅吸収層１６と
ＰＩＮフォトダイオードの領域の光増幅吸収層１６とで
は屈折率差が生じるため、半導体レーザ光増幅器とＰＩ
Ｎフォトダイオードの素子分離領域で依然として光信号
が反射して、半導体レーザ光増幅器による雑音を増加さ
せてしまうという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、半導体レーザ光増幅器と
ＰＩＮフォトダイオードの素子分離領域で光信号が反射
することのない半導体受光装置を提供することにある。
ＰＩＮフォトダイオードの素子分離領域で光信号が反射
することのない半導体受光装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、第１導電型
の半導体層と、前記半導体層上に形成されたノンドープ
の光増幅吸収層と、前記光増幅吸収層上に形成され、リ
ッジ形状の第２導電型の光導波路層とを有し、前記光導
波路層の第１の領域に順方向バイアス電圧を印加して光
信号を増幅し、前記光導波路層の第２の領域に逆方向バ
イアス電圧を印加して前記第１の領域で増幅された光信
号を吸収する半導体受光装置において、前記光導波路層
の前記第１の領域と前記第２の領域とを、前記光信号の
波長よりも長く、屈折率が徐々に変化する第３の領域に
より分離することを特徴とする半導体受光装置によって
達成される。
の半導体層と、前記半導体層上に形成されたノンドープ
の光増幅吸収層と、前記光増幅吸収層上に形成され、リ
ッジ形状の第２導電型の光導波路層とを有し、前記光導
波路層の第１の領域に順方向バイアス電圧を印加して光
信号を増幅し、前記光導波路層の第２の領域に逆方向バ
イアス電圧を印加して前記第１の領域で増幅された光信
号を吸収する半導体受光装置において、前記光導波路層
の前記第１の領域と前記第２の領域とを、前記光信号の
波長よりも長く、屈折率が徐々に変化する第３の領域に
より分離することを特徴とする半導体受光装置によって
達成される。
【０００９】
【作用】本発明によれば、光導波路層の光信号を増幅す
る第１の領域と、光信号を吸収する第２の領域とを、光
信号の波長よりも長く、屈折率が徐々に変化する第３の
領域により分離するようにしているので、第１の領域と
第２の領域の間で光信号の反射を防止できる。
る第１の領域と、光信号を吸収する第２の領域とを、光
信号の波長よりも長く、屈折率が徐々に変化する第３の
領域により分離するようにしているので、第１の領域と
第２の領域の間で光信号の反射を防止できる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例による半導体受光装置を図
１を用いて説明する。ｎ−ＩｎＰ基板１０上に、不純物
濃度が１×１０18ｃｍ-3より大きく約５μｍ厚のｎ−Ｉ
ｎＰバッファ層１２が形成されている。ｎ−ＩｎＰバッ
ファ層１２上には、λｇが１．１μｍで不純物濃度が１
×１０18ｃｍ-3より大きく約０．４μｍ厚のｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ光ガイド層１４が形成されている。ｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ光ガイド層１４上には、λｇが１．５μｍで不
純物が添加されていない約０．１μｍ厚のＩｎＧａＡｓ
Ｐ光増幅吸収層１６が形成されている。ＩｎＧａＡｓＰ
光増幅吸収層１６上には、不純物濃度が１×１０17ｃｍ
-3より大きく約０．２μｍ厚のｎ−ＩｎＰスペーサ層１
８が形成されている。
１を用いて説明する。ｎ−ＩｎＰ基板１０上に、不純物
濃度が１×１０18ｃｍ-3より大きく約５μｍ厚のｎ−Ｉ
ｎＰバッファ層１２が形成されている。ｎ−ＩｎＰバッ
ファ層１２上には、λｇが１．１μｍで不純物濃度が１
×１０18ｃｍ-3より大きく約０．４μｍ厚のｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ光ガイド層１４が形成されている。ｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ光ガイド層１４上には、λｇが１．５μｍで不
純物が添加されていない約０．１μｍ厚のＩｎＧａＡｓ
Ｐ光増幅吸収層１６が形成されている。ＩｎＧａＡｓＰ
光増幅吸収層１６上には、不純物濃度が１×１０17ｃｍ
-3より大きく約０．２μｍ厚のｎ−ＩｎＰスペーサ層１
８が形成されている。
【００１１】ｎ−ＩｎＰスペーサ層１８上には、不純物
濃度が１×１０18ｃｍ-3より大きく高さ１μｍで幅２μ
ｍのリッジ形状のｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、２０ｂ
が形成されている。ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａは図１
左側の半導体レーザ光増幅器の領域に設けられ、ｐ−Ｉ
ｎＰ光導波路層２０ｂは図１右側のＰＩＮフォトダイオ
ードの領域に設けられている。
濃度が１×１０18ｃｍ-3より大きく高さ１μｍで幅２μ
ｍのリッジ形状のｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、２０ｂ
が形成されている。ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａは図１
左側の半導体レーザ光増幅器の領域に設けられ、ｐ−Ｉ
ｎＰ光導波路層２０ｂは図１右側のＰＩＮフォトダイオ
ードの領域に設けられている。
【００１２】これらｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、２０
ｂの間には、不純物濃度が１×１０ 16ｃｍ-3程度で高さ
１μｍで幅２μｍのリッジ形状のｎ−ＩｎＰ光導波路層
２０ｃが設けられている。ｎ−ＩｎＰ光導波路層２０ｃ
は、図１に示すように、ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、
２０ｂの光導波方向に対して約３０°の斜め方向に切断
された約２μｍ幅の隙間に設けられている。このように
斜め方向の隙間にｎ−ＩｎＰ光導波路層２０ｃを埋め込
むことにより、ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａからｎ−Ｉ
ｎＰ光導波路層２０ｃにかけて屈折率が徐々に変化する
と共に、ｎ−ＩｎＰ光導波路層２０ｃからｐ−ＩｎＰ光
導波路層２０ｂにかけて屈折率が徐々に変化する。屈折
率が変化する領域の長さを光導波される光信号の波長よ
りも長くなるようにして、ｎ−ＩｎＰ光導波路層２０ｃ
の両側の端面における光信号の反射を防止している。
ｂの間には、不純物濃度が１×１０ 16ｃｍ-3程度で高さ
１μｍで幅２μｍのリッジ形状のｎ−ＩｎＰ光導波路層
２０ｃが設けられている。ｎ−ＩｎＰ光導波路層２０ｃ
は、図１に示すように、ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、
２０ｂの光導波方向に対して約３０°の斜め方向に切断
された約２μｍ幅の隙間に設けられている。このように
斜め方向の隙間にｎ−ＩｎＰ光導波路層２０ｃを埋め込
むことにより、ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａからｎ−Ｉ
ｎＰ光導波路層２０ｃにかけて屈折率が徐々に変化する
と共に、ｎ−ＩｎＰ光導波路層２０ｃからｐ−ＩｎＰ光
導波路層２０ｂにかけて屈折率が徐々に変化する。屈折
率が変化する領域の長さを光導波される光信号の波長よ
りも長くなるようにして、ｎ−ＩｎＰ光導波路層２０ｃ
の両側の端面における光信号の反射を防止している。
【００１３】ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、２０ｂ上に
は、不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3より大きく０．１μ
ｍ厚のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２２ａ、２２ｂが
形成されている。ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２２
ａ、２２ｂ上には約０．５μｍ厚のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕか
らなるｐ側電極層２６ａ、２６ｂが形成され、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１０下面には約０．５μｍ厚のＡｕＧｅ／Ａｕか
らなるｎ側電極層２８が形成されている。
は、不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3より大きく０．１μ
ｍ厚のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２２ａ、２２ｂが
形成されている。ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２２
ａ、２２ｂ上には約０．５μｍ厚のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕか
らなるｐ側電極層２６ａ、２６ｂが形成され、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１０下面には約０．５μｍ厚のＡｕＧｅ／Ａｕか
らなるｎ側電極層２８が形成されている。
【００１４】なお、ｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ａ、２０
ｂが形成されていないｎ−ＩｎＰスペーサ層１８上は、
ＳｉＯ2 からなる約０．２μｍ厚の絶縁マスク層２４に
より覆われている。共通のｎ側電極層２８とｐ側電極層
２６ａにより、図１左側の半導体レーザ光増幅器の領域
に順方向バイアス電圧を印加し、共通のｎ側電極層２８
とｐ側電極層２６ｂにより、図１右側のＰＩＮフォトダ
イオードの領域に逆方向バイアス電圧を印加する。
ｂが形成されていないｎ−ＩｎＰスペーサ層１８上は、
ＳｉＯ2 からなる約０．２μｍ厚の絶縁マスク層２４に
より覆われている。共通のｎ側電極層２８とｐ側電極層
２６ａにより、図１左側の半導体レーザ光増幅器の領域
に順方向バイアス電圧を印加し、共通のｎ側電極層２８
とｐ側電極層２６ｂにより、図１右側のＰＩＮフォトダ
イオードの領域に逆方向バイアス電圧を印加する。
【００１５】このような電圧を印加することにより、図
１左側の半導体レーザ光増幅器の領域に入射した光信号
は増幅され、増幅された光信号は反射することなくｎ−
ＩｎＰ光導波路層２０ｃ下の領域を経てＰＩＮフォトダ
イオードの領域に入射し、受光される。本発明は上記実
施例に限らず種々の変形が可能である。
１左側の半導体レーザ光増幅器の領域に入射した光信号
は増幅され、増幅された光信号は反射することなくｎ−
ＩｎＰ光導波路層２０ｃ下の領域を経てＰＩＮフォトダ
イオードの領域に入射し、受光される。本発明は上記実
施例に限らず種々の変形が可能である。
【００１６】例えば、上記実施例では、ｐ−ＩｎＰ光導
波路層２０ａ、２０ｂ間の斜め方向の隙間にｎ−ＩｎＰ
光導波路層２０ｃを埋め込むことにより、ｐ−ＩｎＰ光
導波路層２０ａからｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ｂ間で屈
折率を徐々に変化させるようにしたが、他の材料を埋め
込む等の他の方法により屈折率が徐々に変化する領域に
より、半導体レーザ光増幅器の領域とＰＩＮフォトダイ
オードの領域を分離するようにしてもよい。
波路層２０ａ、２０ｂ間の斜め方向の隙間にｎ−ＩｎＰ
光導波路層２０ｃを埋め込むことにより、ｐ−ＩｎＰ光
導波路層２０ａからｐ−ＩｎＰ光導波路層２０ｂ間で屈
折率を徐々に変化させるようにしたが、他の材料を埋め
込む等の他の方法により屈折率が徐々に変化する領域に
より、半導体レーザ光増幅器の領域とＰＩＮフォトダイ
オードの領域を分離するようにしてもよい。
【００１７】また、上記実施例の半導体受光装置とｐ
型、ｎ型の導電型を全て反転させた半導体受光装置でも
よい。
型、ｎ型の導電型を全て反転させた半導体受光装置でも
よい。
【００１８】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、光導波路
層の光信号を増幅する第１の領域と、光信号を吸収する
第２の領域とを、光信号の波長よりも長く、屈折率が徐
々に変化する第３の領域により分離するようにしている
ので、第１の領域と第２の領域の間で光信号の反射を防
止でき、半導体レーザ光増幅器による雑音を低減させる
ことができる。
層の光信号を増幅する第１の領域と、光信号を吸収する
第２の領域とを、光信号の波長よりも長く、屈折率が徐
々に変化する第３の領域により分離するようにしている
ので、第１の領域と第２の領域の間で光信号の反射を防
止でき、半導体レーザ光増幅器による雑音を低減させる
ことができる。
【図１】本発明の一実施例による半導体受光装置を示す
図である。
図である。
【図２】提案されている半導体受光装置を示す図であ
る。
る。
【図３】提案されている他の半導体受光装置を示す図で
ある。
ある。
１０…ｎ−ＩｎＰ基板 １２…ｎ−ＩｎＰバッファ層 １４…ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層 １６…ＩｎＧａＡｓＰ光増幅吸収層 １８…ｎ−ＩｎＰスペーサ層 ２０ａ、２０ｂ…ｐ−ＩｎＰ光導波路層 ２０ｃ…ｎ−ＩｎＰ光導波路層 ２２ａ、２２ｂ…ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ２４…絶縁マスク層 ２６ａ、２６ｂ…ｐ側電極層 ２８…ｎ側電極層
Claims (2)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体層と、前記半導体層
上に形成されたノンドープの光増幅吸収層と、前記光増
幅吸収層上に形成され、リッジ形状の第２導電型の光導
波路層とを有し、前記光導波路層の第１の領域に順方向
バイアス電圧を印加して光信号を増幅し、前記光導波路
層の第２の領域に逆方向バイアス電圧を印加して前記第
１の領域で増幅された光信号を吸収する半導体受光装置
において、 前記光導波路層の前記第１の領域と前記第２の領域と
を、前記光信号の波長よりも長く、屈折率が徐々に変化
する第３の領域により分離することを特徴とする半導体
受光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体受光装置におい
て、 前記光導波路層の第３の領域は、前記光導波路層の第１
の領域と第２の領域を光導波方向に対して斜めに分離す
るように設けられていることを特徴とする半導体受光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347344A JPH05183237A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347344A JPH05183237A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183237A true JPH05183237A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18389593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3347344A Withdrawn JPH05183237A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05183237A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014103692A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 半導体光集積回路 |
| CN112420858A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-02-26 | 北京工业大学 | 一种硅基脊波导光电晶体管探测器 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP3347344A patent/JPH05183237A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2014103692A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 半導体光集積回路 |
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