JPS63276823A - 超電導膜の製造方法 - Google Patents
超電導膜の製造方法Info
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- JPS63276823A JPS63276823A JP62110371A JP11037187A JPS63276823A JP S63276823 A JPS63276823 A JP S63276823A JP 62110371 A JP62110371 A JP 62110371A JP 11037187 A JP11037187 A JP 11037187A JP S63276823 A JPS63276823 A JP S63276823A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、基板上に超電導膜を形成するｌｉｔ導膜の製
造方法に関し、その目的は特性の優れた超電導膜を提供
することにある。またこのようにして形成された超電導
膜は、エレクトロニクス、電子計算機、電力などの各分
野で使用される。
造方法に関し、その目的は特性の優れた超電導膜を提供
することにある。またこのようにして形成された超電導
膜は、エレクトロニクス、電子計算機、電力などの各分
野で使用される。
（従来の技ＷＩ）
一般にＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の超電導体は第１図に示す
ようにＶ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｙの各原子
が順位積層され、Ｌａ−Ｂａ（Ｓｒ ｏｒ ５ｃ）−Ｃ
ｕ−０系の超電導体は第２図に示すようにそれぞれの原
子が順次積層された、所謂ペロブスカイト型構造になっ
ている。
ようにＶ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｙの各原子
が順位積層され、Ｌａ−Ｂａ（Ｓｒ ｏｒ ５ｃ）−Ｃ
ｕ−０系の超電導体は第２図に示すようにそれぞれの原
子が順次積層された、所謂ペロブスカイト型構造になっ
ている。
従来、基板上にこの種酸化物の超電導膜を形成しようと
するとき、まず始めに予備超電導体を構成し、次にこの
予備超電導体をターゲットとしてスパッタリング法によ
り基板上に薄膜を積層することにより製造することが考
えられていた。この時、・予備超電導体は次のようにし
て製造される。
するとき、まず始めに予備超電導体を構成し、次にこの
予備超電導体をターゲットとしてスパッタリング法によ
り基板上に薄膜を積層することにより製造することが考
えられていた。この時、・予備超電導体は次のようにし
て製造される。
ランタノイド金属、アルカリ土類金属の酸化物もしくは
炭酸塩とＣｕＯないしはＣｕオ０を秤量後、乳鉢中で良
く混合しその後予備焼結し、その後、その予備焼結した
物を再び粉砕混合して焼成（Ｌａ系の場合は１１００℃
程、Ｙ系の場合は９００℃程）して、予備超電導体を構
成する。
炭酸塩とＣｕＯないしはＣｕオ０を秤量後、乳鉢中で良
く混合しその後予備焼結し、その後、その予備焼結した
物を再び粉砕混合して焼成（Ｌａ系の場合は１１００℃
程、Ｙ系の場合は９００℃程）して、予備超電導体を構
成する。
（本発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上記の製造方法は各元素の組成比を制御す
るのが困難であり、適切なペロブスカイト型構造の超電
導膜を製造することが出来なかった。
るのが困難であり、適切なペロブスカイト型構造の超電
導膜を製造することが出来なかった。
（問題点を解決するための手段）
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、基板上にＹ−
Ｂａ−Ｃｕ−０系あるいはＬａ−Ｂａ（Ｓｒ ｏｒ ５
ｃ）−Ｃｕ−０系の超電導膜を形成する超電導膜の製造
方法において、超電導体を構成する各原子をそれぞれ含
む化合物からなる複数のターゲットを用いて、各原子が
ペロブスカイト型構造となる厚さだけ気相成長法により
順次積層することを特徴とする超電導膜の製造方法であ
る。
Ｂａ−Ｃｕ−０系あるいはＬａ−Ｂａ（Ｓｒ ｏｒ ５
ｃ）−Ｃｕ−０系の超電導膜を形成する超電導膜の製造
方法において、超電導体を構成する各原子をそれぞれ含
む化合物からなる複数のターゲットを用いて、各原子が
ペロブスカイト型構造となる厚さだけ気相成長法により
順次積層することを特徴とする超電導膜の製造方法であ
る。
（作用）
超電導体を構成する各原子の層を、気相成長法によりペ
ロブスカイト型構造となる厚さだけそれぞれ積層するの
で、得られる積層酸化膜はペロブスカイト型構造となり
、特性の優れた超電導膜となる。
ロブスカイト型構造となる厚さだけそれぞれ積層するの
で、得られる積層酸化膜はペロブスカイト型構造となり
、特性の優れた超電導膜となる。
（実施例）
以下、本発明を一実施例に基づき説明する。始めに、Ｍ
ｇＯで構成された基板の温度を４００℃、Ａｒ対ＯｔＯ
比がｌ対ｌの雰囲気、ガス圧１０ミリｔｏｒｒｓＲｆ電
力１５０Ｈの高周波スバンタ法による装置に、ターゲッ
トとしてのＹｚ Ｏｓ ＋Ｃｕ Ｏ＋ Ｂ ａ ＣＯ３
の３組の酸化物をそれぞれ準備する０次にＹｔＯｓのタ
ーゲットを用いて１０人程の厚さとなるようＹの層を積
層する。
ｇＯで構成された基板の温度を４００℃、Ａｒ対ＯｔＯ
比がｌ対ｌの雰囲気、ガス圧１０ミリｔｏｒｒｓＲｆ電
力１５０Ｈの高周波スバンタ法による装置に、ターゲッ
トとしてのＹｚ Ｏｓ ＋Ｃｕ Ｏ＋ Ｂ ａ ＣＯ３
の３組の酸化物をそれぞれ準備する０次にＹｔＯｓのタ
ーゲットを用いて１０人程の厚さとなるようＹの層を積
層する。
次にターゲットをＣｕＯに替えて厚さが１０人程になる
ようＣｕの層を積層する０次にターゲットＢａＣ０１に
替えて厚さが１０人程になるようＢａの層を積層する。
ようＣｕの層を積層する０次にターゲットＢａＣ０１に
替えて厚さが１０人程になるようＢａの層を積層する。
このようにして順次ターゲットを替えて積層される原子
層がＹ＋ＣｕＪａ、ＣｕＪａ＋Ｃｕ＋Ｙ−・”の順とな
るよう、しかも各層の厚さがペロブスカイト型構造とな
るよう積層させる。このようにして約０．８−の厚さに
酸化膜を積層した。
層がＹ＋ＣｕＪａ、ＣｕＪａ＋Ｃｕ＋Ｙ−・”の順とな
るよう、しかも各層の厚さがペロブスカイト型構造とな
るよう積層させる。このようにして約０．８−の厚さに
酸化膜を積層した。
得られた酸化膜を次に０！流７００℃の雰囲気で８時間
熱処理を施した後、ＯＲ流中で徐冷を行った。
熱処理を施した後、ＯＲ流中で徐冷を行った。
これにより得られた酸化膜は９８″にで超電導特性を示
した。
した。
また先に得られた酸化膜をＺｎＳ＠レンズにより１０（
１−の径に収束した波長１０．６−〇Ｃ０８でアニール
した後、０８流７００℃の雰囲気で４時間熱処理し、Ｏ
ｆ流中で徐冷した。これにより得られた酸化膜は１０１
１で超電導特性を示した。
１−の径に収束した波長１０．６−〇Ｃ０８でアニール
した後、０８流７００℃の雰囲気で４時間熱処理し、Ｏ
ｆ流中で徐冷した。これにより得られた酸化膜は１０１
１で超電導特性を示した。
なお、本発明の上記実施例は、基板がＭｇＯ、酸化膜が
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系薄膜、本発明はそれぞれＴｉｅ、
。
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系薄膜、本発明はそれぞれＴｉｅ、
。
５ｒＴｉＯｓ、ＡｌｔＯｓ＋ＹＳＺのいずれかの単結晶
、Ｌａ−５ｒ−Ｃｕ−０系の酸化膜によっても同様に効
果がある。
、Ｌａ−５ｒ−Ｃｕ−０系の酸化膜によっても同様に効
果がある。
（発明の効果）
本発明は以上詳述したように、基板上にＹ−Ｂａ−Ｃｕ
−０系あるいはＬａ−Ｂａ（Ｓｒ ｏｒ ５ｃ）−Ｃｕ
−０系の超電導膜を形成する超電導膜の製造方法におい
て、超電導体を構成する各原子をそれぞれ含む化合物か
らなる複数のターゲットを用いて、各原子がペロブスカ
イト型構造となる厚さだけ気相成長法により順次積層す
ることを特徴とする超電導膜の製造方法である。従って
各超電導体を構成する各原子はペロブスカイト型構造に
積層され、得られる酸化膜は特性の優れた超電導膜とな
る優れた効果がある。
−０系あるいはＬａ−Ｂａ（Ｓｒ ｏｒ ５ｃ）−Ｃｕ
−０系の超電導膜を形成する超電導膜の製造方法におい
て、超電導体を構成する各原子をそれぞれ含む化合物か
らなる複数のターゲットを用いて、各原子がペロブスカ
イト型構造となる厚さだけ気相成長法により順次積層す
ることを特徴とする超電導膜の製造方法である。従って
各超電導体を構成する各原子はペロブスカイト型構造に
積層され、得られる酸化膜は特性の優れた超電導膜とな
る優れた効果がある。
第１図及び第２図はそれぞれ異なるペロブスカイト型創
造の超電導体を示す構造図である。 特許出願人 古河電気工業株式会社 第１図 第２図
造の超電導体を示す構造図である。 特許出願人 古河電気工業株式会社 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板上にＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系あるいはＬａ−Ｂ
ａ（ＳｒｏｒＳｃ）−Ｃｕ−Ｏ系の超電導膜を形成する
超電導膜の製造方法において、超電導体を構成する各原
子をそれぞれ含む化合物からなる複数のターゲットを用
いて、各原子がペロブスカイト型構造となる厚さだけ気
相成長法により順次積層することを特徴とする超電導膜
の製造方法。 （２）基板は、ＭｇＯ、ＴｉＯ＿２、ＳｒＴｉＯ＿３、
Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＹＳＺの単結晶のいずれかからなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の超電導膜の
製造方法。（３）超電導膜を形成した後、レーザアニー
ル等の熱処理をすることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の超電導膜の製造方法。 （４）各ターゲットは超電導膜がＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系
酸化物からなるときにそれぞれＹ＿２Ｏ＿３、ＣｕＯ、
ＢａＣＯ＿３であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１つの項に記載の超電導膜の
製造方法。 （５）各ターゲットは超電導膜がＬａ−Ｂａ（Ｓｒｏｒ
Ｓｃ）−Ｃｕ−Ｏ系酸化物からなるときにそれぞれＬａ
＿２Ｏ＿３、ＳｒＣＯ＿２、Ｓｃ＿２Ｏ＿３、ＣｕＯで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいずれか１つの項に記載の超電導膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110371A JPS63276823A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 超電導膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110371A JPS63276823A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 超電導膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276823A true JPS63276823A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14534102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62110371A Pending JPS63276823A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 超電導膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63276823A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5141917A (en) * | 1988-11-29 | 1992-08-25 | Fujitsu Limited | Multilayer deposition method for forming Pb-doped Bi-Sr-Ca-Cu-O Superconducting films |
| CN100362420C (zh) * | 2005-07-27 | 2008-01-16 | 大连理工大学 | 一种利用激光退火提高掺稀土氧化铝薄膜光学特性的方法 |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP62110371A patent/JPS63276823A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5141917A (en) * | 1988-11-29 | 1992-08-25 | Fujitsu Limited | Multilayer deposition method for forming Pb-doped Bi-Sr-Ca-Cu-O Superconducting films |
| US5585332A (en) * | 1988-11-29 | 1996-12-17 | Fujitsu Limited | Process for preparing a perovskite Bi-containing superconductor film |
| CN100362420C (zh) * | 2005-07-27 | 2008-01-16 | 大连理工大学 | 一种利用激光退火提高掺稀土氧化铝薄膜光学特性的方法 |
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