JPS63274700A - スライスの鋸切断補助手段残片を除去する方法と除去剤 - Google Patents

スライスの鋸切断補助手段残片を除去する方法と除去剤

Info

Publication number
JPS63274700A
JPS63274700A JP63074888A JP7488888A JPS63274700A JP S63274700 A JPS63274700 A JP S63274700A JP 63074888 A JP63074888 A JP 63074888A JP 7488888 A JP7488888 A JP 7488888A JP S63274700 A JPS63274700 A JP S63274700A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
carboxylic acid
slices
aqueous solution
slice
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63074888A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2545266B2 (ja
Inventor
ゲルハルト・ブレーム
マニュエラ・クニップフ
ルードルフ・マイルーベン
ユルゲン・シューマッヘル
マックス・スタッドラー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Wacker Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic AG filed Critical Wacker Siltronic AG
Publication of JPS63274700A publication Critical patent/JPS63274700A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2545266B2 publication Critical patent/JP2545266B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/16Acidic compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/26Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265Carboxylic acids or salts thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Treatment Of Sludge (AREA)
  • Processing Of Solid Wastes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、棒形の材料、特に結晶棒の鋸切断によって生
ずる、スライスの鋸切断補助手段の残片を除去する方法
と除去剤に関するものである。
棒形の材料特に例えばガラス、石英、ガリウム−カドリ
ニウム−ガーネット、サファイア−、スピネルの如き酸
化物材料、あるいはシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリ
ウム、又はリン化インジウムの如き半導体材料より成る
結晶棒を鋸で薄いスライスに切断することが知られてい
る。多くの場合、材料からスライスを分離する異議のな
い方法は鋸切断補助手段で支援することである8例えば
、西独特許公告第106628号又はそれに相当する米
国特許明細書第3078549号では、エポキシド樹脂
から成る合成樹脂の外被で材料を取囲んで支援が行われ
ている。西独特許公開第3010866号では若干の棒
を合成樹脂で接合して棒束として支援が行われている。
西独特許公開第3216200号又はそれに相当する米
国特許明細書第4513544号では、適当な接着剤を
用いて、例えば黒鉛又はセラミック材でつくられた切断
当て板上に材料を接着して複数内周刃鋼式方法に於て分
離されたスライスを保持している。一枚方配置で内周刃
鋸切断を行う場合にも、特にスライス又はスライス群を
鋸切断により完全に切断し取出し装置を用いて取出す場
合には、同様な切断当て板が用いられている。
得られたスライスを、例えば粗研磨又は精密研磨によっ
て更に加工する前に、このような鋸切断補助手段の残片
は除去されなければならない、この目的に最初の前記刊
行物では、スライスをトリクロロエチレン又はアセトン
の中に置く、そこでスライスを取囲む合成樹脂の環は膨
潤し始め溶解する。同様にして普通エポキシド樹脂接着
材によってスライス上に固着した切断当て板の残片も通
常トリクロロエチレン溶中で除去される。
しかしながら、トリクロロエチレン又はアセトンの如き
溶媒の使用は、昔から知られた問題を伴っている。この
場合の重要な点は、これら溶媒から派生しうる作業者に
及ぼす健康上の危険であり、一般に高価な安全予防手段
と排気施設を必要にする。まして、残片の迅速な解放を
達成するためには、浴は通常沸点近くの高温で操作され
るから、特に前記手段と施設は必要となる。更に、この
種の溶媒の廃棄物処理は困難である0例えば、使用済み
トリクロロエチレンは微生物が分解することができない
、従って例えば燃焼によって始末しなければならない、
多くの場合、火災の危険と多くの有5its媒の低い引
火点に用心すべきである。
本発明の課題は、使用により前記溶媒を使用する場合に
匹敵する又はより良い効果を達成すること゛ができ、し
かも該溶媒の欠点を持たない、スライスの鋸切断補助手
段残片の除去方法と除去剤を与えるにある。
この課題は、スライスを、一種又シよ複数種の1個乃至
6個の炭素原子を含むカルボン酸の水溶液を接触させ、
スライスと鋸切断補助手段残片の間の結合が解けるまで
該水溶液との接触を維持することを特徴とする方法によ
って、解決される。
このカルボン酸としてはモノカルボン酸もジカルボン酸
もトリカルボン酸も用いうる。このような適当なカルボ
ン酸の実例は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、アジピン酸
又はクエン酸である。この中でも、1個乃至3個のC原
子を持つモノカルボン酸が特に有効である。好適には、
他の酸より格別に有効であることを示しているギ酸が用
いられる。
場合場合に選択された酸は広いt;度範囲で水溶液の形
をとり、酸は一種単独であっても混合物であってもよい
、基本的には、例えばギ酸又は酢酸の如き、選定された
操作温度で液体のカルボン酸では、酸の割合が約98乃
至99重量%である高濃度の溶液の使用も除外されない
、しかしながら、前述の高濃度の場合はもとより臭いが
強い負担、引火の危険があり経費が高くなるから、この
ような酸でもその濃度はより小さくされる。従って、一
般には酸の濃度が0.5乃至70重[L好適には5乃至
50重量%の水溶液の使用が有利である。一般的に、使
用濃度を最終的に定めるには、濃度が高い程一方では所
要操作時間が短かくなるが他方では材料の必要量が大き
くなり装置の費用が高くなることが考慮される。多くの
場合、予備実験を行ってこれらのパラメーターを明らか
にして互いに調和させる。
それぞれ選定されたカルボン酸水溶液の鋸切断補助手段
残片の除去に必要な作用時間は、温度によって影響され
る。溶液は20乃至100℃、好適には60乃至95℃
で使用されることが適当である。この場合、温度が高い
程作用時間は短かくされる。
一般に、この範囲の上限を越えると、溶液の蒸発による
損失が許容できなくなる。それに対して、20iより下
では有効性が際立って減少する。
本発明の特殊な実施態様では、選定された溶液に、処理
すべきスライスを侵さないpK a (1が共存すべき
カルボン酸又はカルボン酸混合物のpKaの値より小さ
い無4!l酸を加えることができる。
好適なギ酸(p K a約3.7)水溶液とシリコン又
はゲルマニウムのスライスの場合には、それに相応して
例えば塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、リン酸、又は
硫酸が適当である。この場合もとより、起りうるドーピ
ング物質によるスライスの汚染に注意すべきである。多
くの場合、各選定された無機酸を全溶液の5重量%まで
の1度で加えれば充分である。
他の一変法は、カルボン酸水溶液に、無機酸に加うるに
あるいは無機酸の代りに、例えばアルキルスルホン酸塩
、アルキルアリールスルホン酸塩、長鎖カルボン酸の塩
、又はエチレンオキシドのアダフトの如き界面活性側の
性質を持つ物質を、約10重量%まで、好適には約5重
量%までの量で加えるにある。この種の溶液で、鋸切断
補助側の除去と共にスライス表面の清浄化が達成される
時には前記濃化物を含むカルボン酸水溶液、特にギ酸水
溶液を、1個又は若干側の前 に分けられた形の有利に
は加熱できる浴槽中に置き、その中に処理すべきスライ
スを時には相次いで浸して、鋸切断補助手段残片が解放
されるまで放置することが適当である。その場合、スラ
イスと浴槽中のt8液を相対的に運動させることもでき
る0例えばスライスを動かす、あるいは浴の溶液を循環
させる。スライスをカルボン酸水溶液と接触させる他の
適当な一方法は、スライスを該水溶液ですすぐあるいは
咳水溶液の噴射を予め検査されたスライスと残 の分離
個所に直接作用させるにある。
1個又は若干側の浴の使用は、例えば表面清浄化処理に
使用しうるような装置の処理用格子内にスライスを用意
することができる点に利点を持つ。
その場合、通常25個のスライスを収容することができ
るこの格子は、浴中にある薬荊に耐える材質でつくられ
たものであるように勿論注意すべきでる。このような材
質としては、例えばポリテトラフ゛ルオロエチレンまた
はポリプロピレンの如き合成引脂がある0例えば高級鋼
の如き金属材料の使用も除外されないが、半導体のスラ
イスを処理する場合には、スライスの表面に許し難い1
可染を生ずる危険を秘めている。又、この汚染を避ける
ためには、用いられる水溶液を受入れる容器の少なくと
も内壁だけは、前記種類の耐性材質でつくっておくこと
が適当である。
選定されたカルボン酸水溶液の作用により、一般的に接
着剤の接着作用によるスライスの縁と鋸切断補助手段残
片の間の結合は、次第次第に弱められ、遂には完全に解
けるに至り、鋸切断補助手段残片はスライスから分離す
る0本発明の方法は、エポキシド樹脂、フェノール樹脂
、アクリル酸エステル樹脂、シアノアクリラート、ポリ
エステル樹脂の各組成物を基礎とする反応性接着剤によ
り鋸切断補助手段への結合がつくられている場合、時に
は硬化した接着剤自体が鋸切断補助手段である場合にも
、用いるに特に適する。典型的な例は、半導体又は酸化
物材料の結晶棒を内周刃式鋸で薄いスライスに分離する
場合に、鋸切断前に主としてエポキシド樹脂接着剤によ
り例えばセラミック材、ガラス、又は炭素でつくられた
切断当て板上に捧を接着して支えに固定して置く場合で
ある。
太陽電池用の粗大結晶質シリコンからおさtIA盤で例
えばブロックを切り出す場合には、ガラスプリズムの如
き鋸切断補助手段がしばしばブロック上に接着され、従
ってその残片は何よりも得られたスライスに固定されて
残留する。更に例えばガラスの如き光学材料をスライス
に分割することを例として挙げることができる。しばし
ば切断当て板を材料に付けて、鋸切断の進行を支援する
。勿論、以上に挙げた例は本発明の発明思想を制限する
意味に解すべきではないことは自明でる。
本発明の方法により得られたスライスから鋸切断補助手
段の残片を除去するに用いられるカルボン酸水溶液、特
にギ酸を基礎とする水溶液は、トリクロロエチレン又は
アセトンの如き今日まで用いられてきた有機溶媒に比較
すると、はぼ同程度の又はより高い有効性を持つ、その
上、これらの溶゛液は、引火の危険が著しく少ない又は
無視できる、作業者に及ぼす健康上の危険が明らかに少
ないと云う長所を持つ、更に、該溶液は一般に微生物に
より分解されうるから、廃棄するに問題点が少ない。
本発明の方法は、次の実施例によりより詳細に解説され
る。
実施例1: チョクラルスキーによる坩堝結晶引上げ法によって得ら
れたシリコン棒(直径約10QI、長さ約100cm)
を、市販の内周刃式鋸を用いて厚さ約400 /Jfi
の薄いスライスに切断して分けた。鋸切断過程を支援す
るために、゛アラルダイト”なる商品名で市販されてい
るエポキシ樹脂を基礎とする接着剤を用いて棒を黒鉛製
の切断当て板(断面積約12X251m”)に接着した
。このことは、棒の取付けの補助手段として役立ち同時
に各切断の終期に於て折れを防止するにも役立つ、この
場合分離された各スライスの外周縁には、切断当て板の
残余断片が残った。全部で120個のスライスが得られ
た。
次に、付着した残余断片を除去するために、これらのス
ライスの各10個を、除去に適した薬剤で満された浴中
に浸漬し、スライスからすべての残余断片が放たれるま
で浴中に放置した。この場合、個々のスライスに就いて
、浸漬と切断当て板残片解放の間に必要な作用時間を測
定し、終りにこの測定値から全部で10個のスライスに
就いて平均値をつくった。この場合溶液としては、ギ酸
、酢酸、プロピオン酸、アジピン酸の種々の濃度の水溶
液を各駒90℃で用いた。又比較のために、10個のス
ライスを沸点(約87℃)に保たれたトリクロロエチレ
ンを満した浴槽中で処理した。これらの実験で見出され
た結果を次の表に対照して示す。
表:種々の溶液中の厚さ400μmのシリコンスライス
に於ける、切断当て板残片の解放までに必要な作用時間 ■溶液 ■酸の割合(重量%) ■浴温度(℃)■作用
時間(分) ■ギ酸/水 ■酢酸/水■プロピオン酸/
水 ■クエン酸/水 ■°アジピン酸/水 0トリクロロ工チレン100%実
施例2: 実施例1に従って鋸切断されたスライス各lO個を、室
温(約25℃)に保たれた浴中にもたらした。
この場合浴液としては、第一の場合に50重置%のギ酸
、第二の場合に50重量%の酢酸、第三の場合にトリク
ロロエチレンを用いた。ギ酸浴に於ては既に約1時間 
に、酢酸浴では約3時間 に、トリクロロエチレン浴で
は初めて約10時間 に、すべての残余断片がスライス
から離れた。
実施例3: 15重量%のギ酸を含む2個の浴(浴温度はそれぞれ6
5℃)を準備した。浴の一つでは、浴液に追加してアル
キルスルホン酸塩を基礎とする市販の界面活性剤を約2
重量%添加した。
次に、表面に鋸くずの濃い条痕を持つ汚れたシリコンス
ライス各lθ個を、二つの浴中で約1分間周期して動か
した。
この処理の 、二つのスライス群では切断当て板の残余
断片が解き放たれた。界面活性剤を含む浴中で処理され
たスライスの表面上には目に見える条痕が最早残ってい
なかった。これに対して、界面活性剤を含まない浴中で
処理されたスライスはな表面上に条痕を示した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)棒形の材料特に結晶棒の鋸による分断によって得ら
    れたスライスの鋸切断補助手段残片を除去する方法に於
    て、 一種又は複数種の1乃至6個の炭素原子を含むカルボン
    酸の水溶液と該スライスを接触させ、スライスと鋸切断
    補助手段残片の間の結合が解けるまで該接触を維持する
    ことを特徴とする、前記方法。 2)カルボン酸として、1乃至3個の炭素原子を持つモ
    ノカルボン酸を用いることを特徴とする、請求の範囲第
    1項記載の方法。 3)カルボン酸として、ギ酸を用いることを特徴とする
    、請求の範囲第1又は2項のいずれか一項に記載の方法
    。 4)水溶液中のカルボン酸の割合が0.5乃至70重量
    %に設定されることを特徴とする、請求の範囲第1乃至
    3項のいずれかの一項または若干項に記載の方法。 5)水溶液が浴として備えられることを特徴とする、請
    求の範囲第1乃至4項のいずれか一項又は若干項に記載
    の方法。 6)浴を20乃至100℃、好適には60乃至95℃の
    温度に維持することを特徴とする、請求の範囲第5項記
    載の方法。 7)前記水溶液に、10重量%までの界面活性剤及び又
    は5重量%までのpKa値が既存のカルボン酸のpKa
    値より低くスライスを侵さない無機酸を添加することを
    特徴とする、請求の範囲第1乃至6項のいずれかの一項
    又は若干項に記載の方法。 8)1乃至6個の炭素原子を含むカルボン酸を基礎とす
    ることを特徴とする、鋸切断過程の固体棒特に結晶棒に
    固着した鋸切断補助手段残片を除去するための除去剤。 9)1乃至3個の炭素原子を含むモノカルボン酸の水溶
    液を基礎とすることを特徴とする、請求の範囲第8項記
    載の除去剤。 10)ギ酸の水溶液を基礎とすることを特徴とする、請
    求の範囲第8項又は9項のいずれかの1項に記載の除去
    剤。
JP63074888A 1987-04-03 1988-03-30 スライスの鋸切断補助手段残片を除去する方法と除去剤 Expired - Lifetime JP2545266B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873711262 DE3711262A1 (de) 1987-04-03 1987-04-03 Verfahren und mittel zum entfernen von saegehilfsmittelresten von scheiben
DE3711262.7 1987-04-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63274700A true JPS63274700A (ja) 1988-11-11
JP2545266B2 JP2545266B2 (ja) 1996-10-16

Family

ID=6324789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63074888A Expired - Lifetime JP2545266B2 (ja) 1987-04-03 1988-03-30 スライスの鋸切断補助手段残片を除去する方法と除去剤

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4900363A (ja)
EP (1) EP0285090B1 (ja)
JP (1) JP2545266B2 (ja)
KR (1) KR950012814B1 (ja)
DE (2) DE3711262A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260463A (ja) * 1991-10-11 1994-09-16 Air Prod And Chem Inc 金属含有汚染物除去用洗浄剤と汚染物洗浄法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5461008A (en) * 1994-05-26 1995-10-24 Delco Electronics Corporatinon Method of preventing aluminum bond pad corrosion during dicing of integrated circuit wafers
US5632667A (en) * 1995-06-29 1997-05-27 Delco Electronics Corporation No coat backside wafer grinding process
JP3693441B2 (ja) * 1996-12-27 2005-09-07 富士通株式会社 記録媒体の製造方法
US5888838A (en) * 1998-06-04 1999-03-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for preventing chip breakage during semiconductor manufacturing using wafer grinding striation information
DE10223937A1 (de) * 2002-05-29 2004-01-15 Wacker Siltronic Ag Zweischichtverklebung von Sägehilfen auf Siliciumeinkristallstäben
US20100089978A1 (en) * 2008-06-11 2010-04-15 Suss Microtec Inc Method and apparatus for wafer bonding
DE102009040503A1 (de) * 2009-08-31 2011-03-03 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Herstellung von Wafern
CN112691990B (zh) * 2020-12-09 2022-05-03 深圳市富吉真空技术有限公司 一种用于铣刀清洗工序的自动转运装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5027787A (ja) * 1973-07-12 1975-03-22
JPS53126258A (en) * 1977-04-12 1978-11-04 Mitsubishi Metal Corp Method of producing silicon wafer
JPS5869099U (ja) * 1981-10-27 1983-05-11 協和電設株式会社 セグメント搬入装置
JPS5936821A (ja) * 1982-08-26 1984-02-29 Kensetsusho Kenchiku Kenkyu Shocho 耐震試験装置
JPS614232A (ja) * 1984-06-19 1986-01-10 Nec Corp 半導体基板の洗浄方法
JPS6231127A (ja) * 1985-08-02 1987-02-10 Hitachi Ltd ウエハの付着異物除去方法
JP3128798U (ja) * 2006-11-07 2007-01-25 Mtrトレイド株式会社 はすば歯車や傘歯車等の歯車バリ取り装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE745281C (de) * 1941-04-01 1944-03-01 Dr Emil Berninger Verfahren zur Herstellung von Lack- oder Lackfarbenentfernern
DE1066282B (ja) * 1958-03-26 1900-01-01
DE1617075A1 (de) * 1967-02-04 1971-02-25 Daimler Benz Ag Reinigungsmittel zum Entfernen von Harz- und Haerterueckstaenden
US3607397A (en) * 1969-05-26 1971-09-21 Goodyear Tire & Rubber Method of retarding fouling of substrate surfaces
US3589468A (en) * 1970-04-03 1971-06-29 Aluminum Co Of America Noise suppression in cutting operations
CH653466A5 (de) * 1981-09-01 1985-12-31 Industrieorientierte Forsch Verfahren zur dekontamination von stahloberflaechen und entsorgung der radioaktiven stoffe.
US4587030A (en) * 1983-07-05 1986-05-06 Economics Laboratory, Inc. Foamable, acidic cleaning compositions

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5027787A (ja) * 1973-07-12 1975-03-22
JPS53126258A (en) * 1977-04-12 1978-11-04 Mitsubishi Metal Corp Method of producing silicon wafer
JPS5869099U (ja) * 1981-10-27 1983-05-11 協和電設株式会社 セグメント搬入装置
JPS5936821A (ja) * 1982-08-26 1984-02-29 Kensetsusho Kenchiku Kenkyu Shocho 耐震試験装置
JPS614232A (ja) * 1984-06-19 1986-01-10 Nec Corp 半導体基板の洗浄方法
JPS6231127A (ja) * 1985-08-02 1987-02-10 Hitachi Ltd ウエハの付着異物除去方法
JP3128798U (ja) * 2006-11-07 2007-01-25 Mtrトレイド株式会社 はすば歯車や傘歯車等の歯車バリ取り装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260463A (ja) * 1991-10-11 1994-09-16 Air Prod And Chem Inc 金属含有汚染物除去用洗浄剤と汚染物洗浄法

Also Published As

Publication number Publication date
KR950012814B1 (ko) 1995-10-21
DE3885135D1 (de) 1993-12-02
EP0285090B1 (de) 1993-10-27
EP0285090A2 (de) 1988-10-05
EP0285090A3 (en) 1990-05-09
DE3711262A1 (de) 1988-10-13
KR880012795A (ko) 1988-11-29
JP2545266B2 (ja) 1996-10-16
US4900363A (en) 1990-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63274700A (ja) スライスの鋸切断補助手段残片を除去する方法と除去剤
US5049200A (en) Process for the hydrophilizing and/or cement-residue-removing surface treatment of silicon wafers
CN101538716B (zh) 含钌金属的去除剂及其使用方法
JP2005093869A (ja) シリコンウエーハの再生方法及び再生ウエーハ
JPH10242087A (ja) ラッピング後の半導体ウエーハの洗浄方法
US5911889A (en) Method of removing damaged crystal regions from silicon wafers
JPH04218594A (ja) ワイヤソーによる切断法および加工液
JP2545266C (ja)
CN102723403A (zh) 籽晶脱胶工艺
KR100255970B1 (ko) 톱질용 현탁액 및 결정에서 웨이퍼를 절삭하는 방법
CN1098373C (zh) 零件的洗净方法
DE2526052A1 (de) Verfahren zur reinigung polierter halbleiterscheiben
JPH04216897A (ja) ワイヤソーによる切断法および加工液
JPH09223679A (ja) スライスしたウエハー又は板状物の洗浄剤組成物および洗浄方法
CN112410723A (zh) 一种锯片pvd涂层前清洗方法
KR100230484B1 (ko) 폐실리콘 웨이퍼의 재사용 방법
CN112512970A (zh) 回收利用硅锭切割废料的处理方法
JP4399855B2 (ja) 廃液の分離方法
KR102438512B1 (ko) 반도체 제조 장비를 위한 세정 방법
EP0746459B1 (en) Process of preparing lenses
US20020056468A1 (en) Use of organic carbonates as solvents for the washing of metal surfaces
JPWO2010064558A1 (ja) シアノアクリレート系接着剤剥離用組成物、および該接着剤の除去方法
JP2001232647A (ja) 洗浄用組成物
DE10223937A1 (de) Zweischichtverklebung von Sägehilfen auf Siliciumeinkristallstäben
JPH05154455A (ja) アルミニウム箔ラベルの剥離方法

Legal Events

Date Code Title Description
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725

Year of fee payment: 12