JPS6231127A - ウエハの付着異物除去方法 - Google Patents

ウエハの付着異物除去方法

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Publication number
JPS6231127A
JPS6231127A JP16982585A JP16982585A JPS6231127A JP S6231127 A JPS6231127 A JP S6231127A JP 16982585 A JP16982585 A JP 16982585A JP 16982585 A JP16982585 A JP 16982585A JP S6231127 A JPS6231127 A JP S6231127A
Authority
JP
Japan
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wafer
washing
foreign material
material adhered
foreign matter
Prior art date
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Pending
Application number
JP16982585A
Other languages
English (en)
Inventor
Tateo Ite
射手 建雄
Kiyotake Kato
加藤 清毅
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ウェハ表面に付着した、異物の除去に関する
ものである。
〔発明の背景〕
従来の、ウェハ表面の異物除去方法は、特開昭57−1
54B56に記載のように、比抵抗値の高い純水を、ウ
ニノ・表面に吹き付けながら、異物を除去する方法など
がとられていた。しかし、洗浄後、表面から剥離した異
物が、洗浄中の静電気の発生により帯電し、ウェハに再
付着すると言う点には、配慮されていなかった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、ウェハ表面に付着した異物の影響によ
る、微細電極の欠陥を、少なくすることができる付着異
物除去方法を、提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、ウェハ洗浄時、洗浄液中で、発生する静電気
により帯電した異物の再付着を防止する目的で、アルカ
リ塩からなる混合液に界面活性剤を添辺、加熱した洗浄
液を超音波発振させた中で洗浄することにより、洗浄組
成物が、ウェハと異物間、或(・は実物内に浸透し、こ
れを膨潤、軽化させ、ウェハ表面から剥離する。
剥離した異物は、濾過フィルターに捕捉する。
洗浄液中では、静電気の発生がないため、異物は、帯電
を受けず、ウニノ・表面への再付着はない。更に、表面
の洗浄液を除くため、超純水にも静電気の影響による異
物の再付着を防止する目的で、水酸化アンモニウムある
いは、アンモニアガスを微量添加し、純水の抵抗値を下
げて用いるもつである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の詳細な冥施例により説明する。
図は本発明による方法が適用される装置の一例を示すブ
ロック図で、1は水酸化アンモニウムあるいは、アンモ
ニアガス供給源、2はコントロール弁、3は比抵抗測定
計、4 、8 、14はポンプ、5は超純水、6は混合
槽、7.10はフィルタ、9.18は水洗水、11はウ
ェハ、12はヒーター、13は洗浄槽、15は洗浄液、
16は超音波発振器、17は排水、19は水洗槽である
図のように、ウェハなアルカリ塩の混合物からなる液(
50f/を水酸化ナトリウム、50f/lオルソケイ酸
ナトリウム)へ、1匁アルキルベンゼンスルホン酸ナト
リウムを添加し、50Cに加熱、0.2μmのフィルタ
ーで濾過した洗浄液を28諧で発振させた中で5分間放
置後、水酸化アンモニウムを添加してI MQcmに調
整した純水中で、水洗を行なったところ、表面に付着異
物が、観察されなかった。
ここでウェハとは、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチ
ウム、グラス、フォトセラミック。
生セラミツク、アルミナセラミック、ファインセラミッ
クなどの材質である。アルカリ塩とは、水酸化ナトリウ
ム、炭酸ナトリウム、重炭酸水素ナトリウム、オルソケ
イ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、メタリン酸ナ
トリウム、ピロリン酸ナトリウム、三リン酸ナトリウム
などである。界面活性剤とは、ドデシルベンゼンスルフ
オン酸ナトリウム、アルキルナフタレンスルフオン酸ナ
トリウム、ナフタレンスルフォン酸ホルマリン縮金物、
高級アルコール硫酸エステルソーダ塩、ラウリルアルコ
ール硫酸エステルトリエタノールアミン塩、ラウリルア
ルコール硫酸エステルアンモニウム塩、などである。
〔発明の効果〕
本発明による、ウェハへの付着異物除去方法により、異
物が電極形成工程に、及ぼす影響をなくすることで、電
極欠陥数を少なくできる。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明によるウェハ付着異物の除去方法が適用さ
れる洗浄装置の一例を示すブロック図である。 1:水酸化アンモニウムあるいは、アンモニアガス供給
源、 2:コントロール弁、 3:比抵抗測定計、4.13,
14  :ポンプ、 5:超純水、6:混合槽、   
   7,10:フィルタ、9.18:水洗水、   
11:ウェハ、12:ヒータ、     15−二洗浄
槽、15:洗浄液、     16:超音波発振器、1
7:排水、      19:水洗槽。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1〜20%濃度のアルカリ塩からなる混合液に、0.2
    〜2.0%の濃度で、界面活性剤を添加した洗浄液を、
    濾過をしながら、20℃〜100℃に加熱した中に、ウ
    ェハを入れて、超音波を併用しながら、表面に付着した
    異物を除去する工程と、水洗水として用いる超純水に、
    アンモニアガスあるいは、水酸化アンモニウムを微量溶
    解させ水洗する工程とからなることを特徴とするウェハ
    の付着異物除去方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63274700A (ja) * 1987-04-03 1988-11-11 ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング スライスの鋸切断補助手段残片を除去する方法と除去剤
JPH04362325A (ja) * 1991-06-07 1992-12-15 Nissin Kogyo Kk 摩擦要素基板の洗浄方法
US6277203B1 (en) 1998-09-29 2001-08-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63274700A (ja) * 1987-04-03 1988-11-11 ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング スライスの鋸切断補助手段残片を除去する方法と除去剤
JPH04362325A (ja) * 1991-06-07 1992-12-15 Nissin Kogyo Kk 摩擦要素基板の洗浄方法
US6277203B1 (en) 1998-09-29 2001-08-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces
US6319330B1 (en) 1998-09-29 2001-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces

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