JPS63271982A - 発光素子及びその製造法 - Google Patents
発光素子及びその製造法Info
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- JPS63271982A JPS63271982A JP62071567A JP7156787A JPS63271982A JP S63271982 A JPS63271982 A JP S63271982A JP 62071567 A JP62071567 A JP 62071567A JP 7156787 A JP7156787 A JP 7156787A JP S63271982 A JPS63271982 A JP S63271982A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は１例えば青色発光ダイオードや可視短波長半導
体レーザなどの発光素子及びその製造法に関するもので
ある。
体レーザなどの発光素子及びその製造法に関するもので
ある。
（従来の技術）
近年、ｍ−ｖ族化合物半導体を用いた赤色から緑色まで
の可視発光ダイオードの製造は、既に量産化の時代に入
り、また、赤色から黄色までの可視発光半導体レーザも
実用化の時代を迎えるに至っているが、これに伴って、
可視域で欠けている唯一の発光色である青色を与える発
光ダイオード、及び緑色から青色の光を発する可視短波
長半導体レーザの開発に対する期待も一層強まっている
。
の可視発光ダイオードの製造は、既に量産化の時代に入
り、また、赤色から黄色までの可視発光半導体レーザも
実用化の時代を迎えるに至っているが、これに伴って、
可視域で欠けている唯一の発光色である青色を与える発
光ダイオード、及び緑色から青色の光を発する可視短波
長半導体レーザの開発に対する期待も一層強まっている
。
そこで、このような青色を与える発光ダイオード及び緑
色から青色の光を発する可視短波長半導体レーザに用い
られる発光素子用の材料としては、広禁止帯幅を有する
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であるＺ ｎ ＳｘＳ ｅ、
ｘ（０≦Ｘ≦１）が期待されているが、これらの材料を
用いて実用的な発光素子を製造するためには、ｎ型及び
ｐ型の伝導性を制御して結晶層を得る必要がある。
色から青色の光を発する可視短波長半導体レーザに用い
られる発光素子用の材料としては、広禁止帯幅を有する
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であるＺ ｎ ＳｘＳ ｅ、
ｘ（０≦Ｘ≦１）が期待されているが、これらの材料を
用いて実用的な発光素子を製造するためには、ｎ型及び
ｐ型の伝導性を制御して結晶層を得る必要がある。
ところで、上記したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であるＺ
ｎ ＳｘＳ ｅ□−Ｘは、直接遷移型結晶で、優れた
発光特性を有する材料であること、Ｓｉ、Ｇｅ。
ｎ ＳｘＳ ｅ□−Ｘは、直接遷移型結晶で、優れた
発光特性を有する材料であること、Ｓｉ、Ｇｅ。
Ｇ ａ Ａ ｓあるいはＧａＰ単結晶の基板結晶上にエ
ピタキシャル成長し得ること、その混晶比Ｘを選択する
ことによって格子定数のずれを解消できること、このエ
ピタキシャル成長法として有機金属化合物を原料とする
気相成長法（ＭＯＣＶＤ）あるいは分子線エピタキシャ
ル成長法（ＭＢＥ）が適切であること、等が明らかにさ
れており、また、元素周期表におけるｍｂ族元素あるい
はｍｂ族元素の導入によってこの結晶層のｎ型伝導度の
制御も可能である。
ピタキシャル成長し得ること、その混晶比Ｘを選択する
ことによって格子定数のずれを解消できること、このエ
ピタキシャル成長法として有機金属化合物を原料とする
気相成長法（ＭＯＣＶＤ）あるいは分子線エピタキシャ
ル成長法（ＭＢＥ）が適切であること、等が明らかにさ
れており、また、元素周期表におけるｍｂ族元素あるい
はｍｂ族元素の導入によってこの結晶層のｎ型伝導度の
制御も可能である。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、従来の製造技術においては、上記したような
ｎ型伝導性を示すＩＩ −ＶＩ族化合物半遵体結晶層で
あるＺ ｎ ＳｘＳ ｅ□−Ｘ結晶層を有機金属気相エ
ピタキシー法及び分子線エピタキシー法によって半導体
基板結晶上に容易に成長させることができる反面、ｐ型
伝導度の制御として、Ｎ、Ｐ、ＡｓなどのＶ族元素を不
純物として導入することが試みられているが、低抵抗の
ｐ型伝導性を示す気相成長による製造技術は、未だに開
発されていないのが現状である。
ｎ型伝導性を示すＩＩ −ＶＩ族化合物半遵体結晶層で
あるＺ ｎ ＳｘＳ ｅ□−Ｘ結晶層を有機金属気相エ
ピタキシー法及び分子線エピタキシー法によって半導体
基板結晶上に容易に成長させることができる反面、ｐ型
伝導度の制御として、Ｎ、Ｐ、ＡｓなどのＶ族元素を不
純物として導入することが試みられているが、低抵抗の
ｐ型伝導性を示す気相成長による製造技術は、未だに開
発されていないのが現状である。
本発明者は、上記の事情に鑑みて種々研究した結果、ｐ
型不純物の導入に際して、Ｉｆ −ＶＩ族半導体結晶層
の母体構成元素であるｍｂ族元素に対するＶＩｂ族元素
の気相比の所定範囲の設定条件の下で、Ｉａ族元素及び
それらの化合物を導入することによってｐ型伝導度の制
御が実現可能になることを見出し、本発明の発光素子及
びその製造法を提唱するに至ったものである。
型不純物の導入に際して、Ｉｆ −ＶＩ族半導体結晶層
の母体構成元素であるｍｂ族元素に対するＶＩｂ族元素
の気相比の所定範囲の設定条件の下で、Ｉａ族元素及び
それらの化合物を導入することによってｐ型伝導度の制
御が実現可能になることを見出し、本発明の発光素子及
びその製造法を提唱するに至ったものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
上記した問題点を解決するために、本発明は。
半導体基板結晶上に、低抵抗のｐ型伝導性を有するＩＩ
−ＶＩ族半導体結晶層を気相成長させてなる構成を物と
しての特定発明とし、この特定発明に対する製造手段と
して、半導体基板結晶上に、低抵抗のｐ型伝導性を有す
るｎ−ｖｉ族半導体結晶層を気相成長させるにあたり、
前記ＩＩ −ＶＩ族半導体結晶層の母体構成元素である
ｍｂ族元素に対するｍｂ族元素の気相比が１〜１００の
設定条件の下で、 Ｉａ族元素及びそれらの化合物を
不純物として導入することを特徴としてなるものである
。
−ＶＩ族半導体結晶層を気相成長させてなる構成を物と
しての特定発明とし、この特定発明に対する製造手段と
して、半導体基板結晶上に、低抵抗のｐ型伝導性を有す
るｎ−ｖｉ族半導体結晶層を気相成長させるにあたり、
前記ＩＩ −ＶＩ族半導体結晶層の母体構成元素である
ｍｂ族元素に対するｍｂ族元素の気相比が１〜１００の
設定条件の下で、 Ｉａ族元素及びそれらの化合物を
不純物として導入することを特徴としてなるものである
。
（作 用）
すなわち、本発明は、上記したように、半導体基板結晶
上に、低抵抗のｐ型伝導性を有するｎ −■族半導体結
晶層を気相成長させるとともに、前記１ｌ−ＶＩ族半導
体結晶層を気相成長させるに際して、その母体構成元素
であるｍｂ族元素に対するｍｂ族元素の気相比が１〜１
００の設定条件の下で。
上に、低抵抗のｐ型伝導性を有するｎ −■族半導体結
晶層を気相成長させるとともに、前記１ｌ−ＶＩ族半導
体結晶層を気相成長させるに際して、その母体構成元素
であるｍｂ族元素に対するｍｂ族元素の気相比が１〜１
００の設定条件の下で。
ｌａ族元素及びそれらの化合物を不純物として導入する
ようにしたことから、例えば母体構成元素としてのｍｂ
族元素に亜鉛（Ｚ ｎ）を、ｍｂ族元素にセレン（Ｓｓ
）及び硫黄（Ｓ）を用い、かつ不純物としてのＩａ族元
素としてリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）または
カリウム（Ｋ）及びそれらの化合物を導入するようにす
れば、低抵抗のｐ型伝導性を示すＺｎ５ｘＳｅ、−ｘエ
ピタキシャル結晶層を再現性良く成長させることができ
、これによって、ｎ型伝導性を示すＺｎＳｘＳｅ１−ｘ
とで構成されるｐ−ｎ型接合を有する青色発光ダイオー
ド並びにＩ ｎｘＧａｙＡＩ、−ｘ−ｙＰ及びＣｕＡＩ
ｙＧ ａｌ、ｙ （ＳｚＳ ｅ□−ｚ） 、などの材料
と組合せた可視短波長半導体レーザの量産化を図ること
ができるとともに、高温で動作する電子デバイスを実現
化することが可能になる。
ようにしたことから、例えば母体構成元素としてのｍｂ
族元素に亜鉛（Ｚ ｎ）を、ｍｂ族元素にセレン（Ｓｓ
）及び硫黄（Ｓ）を用い、かつ不純物としてのＩａ族元
素としてリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）または
カリウム（Ｋ）及びそれらの化合物を導入するようにす
れば、低抵抗のｐ型伝導性を示すＺｎ５ｘＳｅ、−ｘエ
ピタキシャル結晶層を再現性良く成長させることができ
、これによって、ｎ型伝導性を示すＺｎＳｘＳｅ１−ｘ
とで構成されるｐ−ｎ型接合を有する青色発光ダイオー
ド並びにＩ ｎｘＧａｙＡＩ、−ｘ−ｙＰ及びＣｕＡＩ
ｙＧ ａｌ、ｙ （ＳｚＳ ｅ□−ｚ） 、などの材料
と組合せた可視短波長半導体レーザの量産化を図ること
ができるとともに、高温で動作する電子デバイスを実現
化することが可能になる。
（実 施 例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明に係る青色発光ダイオードや可視短波長
半４体レーザなどの発光素子を製造するに用いられる有
機金属気相エピタキシー装置による第１実施例を示すも
のであり、図中゛１はＩＩ −ＶＩ族半導体結晶層の母
体構成元素であるＩＩｂ族元素としての亜鉛の供給ボン
ベ、２及び３は同じく■−ＶＩ族半導体結晶層の母体構
成元素であるｖｉｂ族元素としてのセレン及び硫黄の供
給ボンベ、４は不純物として導入されるＩａ族元素とし
てのリチウムまたはナトリウムあるいはカリウム及びそ
れらの化合物の供給ボンベで、これらの各供給ボンベ１
，２．３及び４から母体構成元素及び不純物元素を石英
管からなる反応炉５に選択的に供給し、これによって、
加熱用高周波コイル６で加熱制御される反応炉５内にグ
ラファイト製の支持用サセプタ７を介して支持された半
導体基板結晶８上に。
半４体レーザなどの発光素子を製造するに用いられる有
機金属気相エピタキシー装置による第１実施例を示すも
のであり、図中゛１はＩＩ −ＶＩ族半導体結晶層の母
体構成元素であるＩＩｂ族元素としての亜鉛の供給ボン
ベ、２及び３は同じく■−ＶＩ族半導体結晶層の母体構
成元素であるｖｉｂ族元素としてのセレン及び硫黄の供
給ボンベ、４は不純物として導入されるＩａ族元素とし
てのリチウムまたはナトリウムあるいはカリウム及びそ
れらの化合物の供給ボンベで、これらの各供給ボンベ１
，２．３及び４から母体構成元素及び不純物元素を石英
管からなる反応炉５に選択的に供給し、これによって、
加熱用高周波コイル６で加熱制御される反応炉５内にグ
ラファイト製の支持用サセプタ７を介して支持された半
導体基板結晶８上に。
ｎ−ＶＩ族半導体結晶層を気相成長させてなる構成を有
するものである。
するものである。
また、第２図は本発明に係る分子線エピタキシー装置に
よる第２実施例を示すものであり１図中１１は抵抗加熱
型ルツボ、１２は液体窒素シュラウドで、この液体窒素
シュラウド１２の中心部にモリブデン製支持台１４によ
り支持された半導体基板結晶１３上に、シャッタ１５を
介してＩｆ−ＶＩ族半導体結晶層を気相成長させてなる
構成を有するものである。
よる第２実施例を示すものであり１図中１１は抵抗加熱
型ルツボ、１２は液体窒素シュラウドで、この液体窒素
シュラウド１２の中心部にモリブデン製支持台１４によ
り支持された半導体基板結晶１３上に、シャッタ１５を
介してＩｆ−ＶＩ族半導体結晶層を気相成長させてなる
構成を有するものである。
次に、上記した各装置による発光素子の製造過程を具体
的に説明する。
的に説明する。
具体例１：
母体原料としてジメチル亜鉛及びジエチルセレンを、ｐ
型不純物として窒化リチウムを用い、水素ガスをキャリ
アガスとして、これらをそれぞれＩ Ｘ １ ０−
’ｍｏｌｅ／ｗｉｎ、 ２ Ｘ １ ０−’ｍｏｌ
ｅ／ｗｉｎ、 ３ ×１０−”ｍｏｌｅ／ｗｉｎの流量
で、第１図に示す反応炉５に導入した。この結果、４５
０℃に加熱したグラファイト製支持用サセプタ７に設置
したＧ ａ Ａ ｓ基板結晶８上に、１時間につき１μ
ｍのＺｎ５ｅ結晶がエピタキシャル成長した。このエピ
タキシャル結晶のキャリア濃度は、８ 、８ Ｘ １０
１７ｃｍ−”で、抵抗率は、０．１９Ω・ｃｍであった
。
型不純物として窒化リチウムを用い、水素ガスをキャリ
アガスとして、これらをそれぞれＩ Ｘ １ ０−
’ｍｏｌｅ／ｗｉｎ、 ２ Ｘ １ ０−’ｍｏｌ
ｅ／ｗｉｎ、 ３ ×１０−”ｍｏｌｅ／ｗｉｎの流量
で、第１図に示す反応炉５に導入した。この結果、４５
０℃に加熱したグラファイト製支持用サセプタ７に設置
したＧ ａ Ａ ｓ基板結晶８上に、１時間につき１μ
ｍのＺｎ５ｅ結晶がエピタキシャル成長した。このエピ
タキシャル結晶のキャリア濃度は、８ 、８ Ｘ １０
１７ｃｍ−”で、抵抗率は、０．１９Ω・ｃｍであった
。
具体例２：
母体原料としてジメチル亜鉛、ジエチルセレン及びエチ
ル硫黄を、また、ｐ型不純物としてセレン化リチウムを
用い、水素ガスをキャリアガスとして、これらをそれぞ
れＩ Ｘ １０”−’ｍｏｌｅ／ｓｉｎ、２Ｘ １０−
’ｍｏｌｅ／ｗｉｎ、５ Ｘ Ｉ Ｑ−’ｍｏｌｅ／＋
ｍｉｎさらに３Ｘ １０−”ｍｏｌｅ／＋＋ｉｎの流量
で、Ｇ ａ Ａ ｓ基板結晶８上に、ｐ型のＺ ｎ Ｓ
ｘＳ ｅ、−ｘ Ｃｘ’＝ ０ 、０８）を成長させた
。このときのキャリア濃度は、５．９×１（）ｔＧＣｌ
ｍ−３で、抵抗率は、０．５Ω”Ｑｍであった。
ル硫黄を、また、ｐ型不純物としてセレン化リチウムを
用い、水素ガスをキャリアガスとして、これらをそれぞ
れＩ Ｘ １０”−’ｍｏｌｅ／ｓｉｎ、２Ｘ １０−
’ｍｏｌｅ／ｗｉｎ、５ Ｘ Ｉ Ｑ−’ｍｏｌｅ／＋
ｍｉｎさらに３Ｘ １０−”ｍｏｌｅ／＋＋ｉｎの流量
で、Ｇ ａ Ａ ｓ基板結晶８上に、ｐ型のＺ ｎ Ｓ
ｘＳ ｅ、−ｘ Ｃｘ’＝ ０ 、０８）を成長させた
。このときのキャリア濃度は、５．９×１（）ｔＧＣｌ
ｍ−３で、抵抗率は、０．５Ω”Ｑｍであった。
具体例３：
母体原料として亜鉛、硫黄及びセレンを、また。
ｐ型不純物として窒化リチウムを用い、第２図に示すよ
うな分子線エピタキシー装置において、それぞれの原料
を３００℃、３１０℃、２００℃。
うな分子線エピタキシー装置において、それぞれの原料
を３００℃、３１０℃、２００℃。
４７０℃に保持して、抵抗加熱型ルツボ１１により蒸発
させ、３００℃に加熱したモリブデン製の支持台１４上
に固定したＧａＡｓ基板結晶１３上に堆積させたところ
、１時間に０．５μｍの速度でＺｎＳｘＳｅ１−ｘ Ｃ
ｘ”ｉｏ、０８）結晶がエピタキシャル成長した。この
ときの成長層のキャリア濃度は、４ 、５ Ｘ １０”
ｃ＋ｍ−３で、抵抗率は、０．８Ω・ｃｍであった。
させ、３００℃に加熱したモリブデン製の支持台１４上
に固定したＧａＡｓ基板結晶１３上に堆積させたところ
、１時間に０．５μｍの速度でＺｎＳｘＳｅ１−ｘ Ｃ
ｘ”ｉｏ、０８）結晶がエピタキシャル成長した。この
ときの成長層のキャリア濃度は、４ 、５ Ｘ １０”
ｃ＋ｍ−３で、抵抗率は、０．８Ω・ｃｍであった。
なお、本発明は、上記の実施例に限定されないものであ
り、本発明の要旨を変えない範囲で種々変更実施可能な
ことは勿論である。
り、本発明の要旨を変えない範囲で種々変更実施可能な
ことは勿論である。
［５！明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、半導
体基板結晶上に、低抵抗のｐ型伝導性を有するＩｆ−Ｖ
Ｉ族半導体結晶層を気相成長させるとともに、前記ＩＩ
−ＶＩ族半導体結晶層を気相成長させるに際して、その
母体構成元素であるＩＩｂ族元素に対するＶＩｂ族元素
の気相比が１〜１００の設定条件の下で、Ｉａ族元素及
びそれらの化合物を不純物として導入するようにしたこ
とから、低抵抗のｐ型伝導性を示すｎ−ＶＩ族半導体結
晶層を再現性良く気相成長させることができ、これによ
って、ｎ型伝導性を示すＩＩ−ＶＩ族半導体結晶層とで
構成される可視短波長半導体レーザの量産化を図ること
ができるとともに、従来実現できなかったトランジスタ
などの高温で動作可能な電子デバイスが実現化すること
ができるというすぐれた効果を有する発光素子及びその
製造法を提供することができるものである。
体基板結晶上に、低抵抗のｐ型伝導性を有するＩｆ−Ｖ
Ｉ族半導体結晶層を気相成長させるとともに、前記ＩＩ
−ＶＩ族半導体結晶層を気相成長させるに際して、その
母体構成元素であるＩＩｂ族元素に対するＶＩｂ族元素
の気相比が１〜１００の設定条件の下で、Ｉａ族元素及
びそれらの化合物を不純物として導入するようにしたこ
とから、低抵抗のｐ型伝導性を示すｎ−ＶＩ族半導体結
晶層を再現性良く気相成長させることができ、これによ
って、ｎ型伝導性を示すＩＩ−ＶＩ族半導体結晶層とで
構成される可視短波長半導体レーザの量産化を図ること
ができるとともに、従来実現できなかったトランジスタ
などの高温で動作可能な電子デバイスが実現化すること
ができるというすぐれた効果を有する発光素子及びその
製造法を提供することができるものである。
第１図は本発明に係る発光素子を製造するに用いられる
有機金属気相エピタキシー装置による第１実施例を示す
概略的説明図、第２図は本発明に係る分子線エピタキシ
ー装置による第２実施例を示す概略的説明図である。 １・・・ＩＩｂ族元素供給ボンベ。 ２．３・・・ＶＩｂ族元素供給ボンベ、４・・・不純物
供給ボンベ。 ５・・・反応炉、 ６・・・加熱用高周波コイル、 ７・・・支持用サセプタ、 ８・・・半導体基板結晶。 第２図
有機金属気相エピタキシー装置による第１実施例を示す
概略的説明図、第２図は本発明に係る分子線エピタキシ
ー装置による第２実施例を示す概略的説明図である。 １・・・ＩＩｂ族元素供給ボンベ。 ２．３・・・ＶＩｂ族元素供給ボンベ、４・・・不純物
供給ボンベ。 ５・・・反応炉、 ６・・・加熱用高周波コイル、 ７・・・支持用サセプタ、 ８・・・半導体基板結晶。 第２図
Claims (3)
- （１）半導体基板結晶上に、低抵抗のｐ型伝導性を有す
るII−VI族半導体結晶層を気相成長させたことを特徴と
する発光素子。 - （２）半導体基板結晶上に、低抵抗のｐ型伝導性を有す
るII−VI族半導体結晶層を気相成長させるにあたり、前
記II−VI族半導体結晶層の母体構成元素であるIIｂ族元
素に対するVIｂ族元素の気相比が１〜１００の設定条件
の下で、 I ａ族元素及びそれらの化合物を不純物とし
て導入することを特徴とする発光素子の製造法。 - （３）前記母体構成元素としてのIIｂ族元素に亜鉛（Ｚ
ｎ）を、VIｂ族元素にセレン（Ｓｅ）及び硫黄（Ｓ）を
用い、かつ不純物としての I ａ族元素としてリチウム
（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）またはカリウム（Ｋ）及
びそれらの化合物を導入することを特徴とする特許請求
の範囲第２項に記載の発光素子の製造法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071567A JPS63271982A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 発光素子及びその製造法 |
| US07/173,067 US5068204A (en) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Method of manufacturing a light emitting element |
| GB888807134A GB8807134D0 (en) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Light emitting element & manufacturing method thereof |
| DE3810245A DE3810245A1 (de) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Lichtemittierendes element und verfahren zu seiner herstellung |
| FR8804025A FR2613136A1 (fr) | 1987-03-27 | 1988-03-28 | Element electroluminescent et son procede de fabrication |
| GB08807312A GB2204731A (en) | 1987-03-27 | 1988-03-28 | Light emitting element and method of manufacture |
| US07/639,306 US5140385A (en) | 1987-03-27 | 1991-01-04 | Light emitting element and method of manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071567A JPS63271982A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 発光素子及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63271982A true JPS63271982A (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=13464413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62071567A Pending JPS63271982A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 発光素子及びその製造法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63271982A (ja) |
| GB (1) | GB8807134D0 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184373A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-07-29 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62071567A patent/JPS63271982A/ja active Pending
-
1988
- 1988-03-25 GB GB888807134A patent/GB8807134D0/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184373A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-07-29 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8807134D0 (en) | 1988-04-27 |
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