JPS6327067A - 接着セルを用いるマルチプルセル２端子光電池デバイス - Google Patents
接着セルを用いるマルチプルセル２端子光電池デバイスInfo
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- JPS6327067A JPS6327067A JP62163866A JP16386687A JPS6327067A JP S6327067 A JPS6327067 A JP S6327067A JP 62163866 A JP62163866 A JP 62163866A JP 16386687 A JP16386687 A JP 16386687A JP S6327067 A JPS6327067 A JP S6327067A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
背景
マルチプルセル光電池半導体デバイスはよく知られてい
る。この種の単個結晶質デバイスは１９５５年にアリシ
ナ州トウソンにおけるトランスアクションズ・オン・ザ
・コンフェレンス・オン・ザ・ユース・オン・ソーラ・
エネルギー（Ｔｒａｎｓａｃｔ １ｏｎｓｏｆ ｔｈｅ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ｔｈｅ Ｕ−５ｅ ｏ
ｆ ５ｏｌａｒεｎｅｒｇｙ）にジャクソン（Ｅ、Ｄ、
Ｊａｃｋｓｏｎ） により記載された。
る。この種の単個結晶質デバイスは１９５５年にアリシ
ナ州トウソンにおけるトランスアクションズ・オン・ザ
・コンフェレンス・オン・ザ・ユース・オン・ソーラ・
エネルギー（Ｔｒａｎｓａｃｔ １ｏｎｓｏｆ ｔｈｅ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ｔｈｅ Ｕ−５ｅ ｏ
ｆ ５ｏｌａｒεｎｅｒｇｙ）にジャクソン（Ｅ、Ｄ、
Ｊａｃｋｓｏｎ） により記載された。
典型的にはマルチプルセルデバイスは直列に電気的かつ
光学的に接続した２つまたはそれ以上の太陽電池を使用
する。太陽放射線または他の光エネルーイーは第１セル
に入る。そこで光のスペクトル部分が吸収され、吸収に
応答して電力が生ずる。
光学的に接続した２つまたはそれ以上の太陽電池を使用
する。太陽放射線または他の光エネルーイーは第１セル
に入る。そこで光のスペクトル部分が吸収され、吸収に
応答して電力が生ずる。
第１セルを通過する未吸収光はデバイス中の次のセルに
到達してそこで光スペクトルの他の部分が吸収される。
到達してそこで光スペクトルの他の部分が吸収される。
その過程がデバイス中のそれぞれのセルを通して繰返さ
れる。各セルは、それぞれのセル中で異なるスペクトル
成分を吸収する目的を達成するために、異なる吸収特性
、すなわち光学バンドギャップを有さねばならない。こ
の目的は異なるセル中の異なる半導体材料の使用、一定
セルに対するバンドギャップ調整物質の添加または他の
手段による異なるセル中のバンドギャップの調整により
達成することができる。
れる。各セルは、それぞれのセル中で異なるスペクトル
成分を吸収する目的を達成するために、異なる吸収特性
、すなわち光学バンドギャップを有さねばならない。こ
の目的は異なるセル中の異なる半導体材料の使用、一定
セルに対するバンドギャップ調整物質の添加または他の
手段による異なるセル中のバンドギャップの調整により
達成することができる。
公知のマルチプルセル構造物は２つまたはそれ以上の電
気端子を有する。２端子デバイスでは光吸収により生じ
た電流が直列接続セルのそれぞれを通って流れ、従って
強制的に同一にされる。装置効率を最大にするために各
セルは同一電流（光発生電圧加算）を発生しなければな
らず、その目標は種々のセルの相対光学バンドギャップ
および（または）セルの厚さを適当に選び、それにより
各セル中の吸収および透過光の相対量に影響させること
により達成される。２端子デバイスはデバイス中の各セ
ル間に非ブロツキング接合（ｎｏｎ−ｂｌｏｃｋｉｎｇ
ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を配置することを必要とする。
気端子を有する。２端子デバイスでは光吸収により生じ
た電流が直列接続セルのそれぞれを通って流れ、従って
強制的に同一にされる。装置効率を最大にするために各
セルは同一電流（光発生電圧加算）を発生しなければな
らず、その目標は種々のセルの相対光学バンドギャップ
および（または）セルの厚さを適当に選び、それにより
各セル中の吸収および透過光の相対量に影響させること
により達成される。２端子デバイスはデバイス中の各セ
ル間に非ブロツキング接合（ｎｏｎ−ｂｌｏｃｋｉｎｇ
ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を配置することを必要とする。
対照的に、２つより多い端子を有するデバイスはセル間
にブロッキング（ｂｌｏｃｋｉｎｇ） （すなわち非オ
ームまたは電気的絶縁）接合を有する。これらのデバイ
スはここにそれ以上論議しないが、これはデバイス中の
各セルに接続した電気端子の対を有する。
にブロッキング（ｂｌｏｃｋｉｎｇ） （すなわち非オ
ームまたは電気的絶縁）接合を有する。これらのデバイ
スはここにそれ以上論議しないが、これはデバイス中の
各セルに接続した電気端子の対を有する。
いま説明した薄膜を用いる型のマルチプルセルデバイス
の例は次の米国特許明細書に記載されている。ハナク（
Ｈａｎａｋ）に対する米国特許第４．２７２．６４１号
および第４．３１６．０４９号明細書はサーメットによ
り分離された２つのセルを用いるアモルファスケイ素デ
バイスを開示している。サーメットは例えば金属ケイ化
物の薄いスパッタ層であり、それは光透過性で導電性で
ある。ダラール（Ｄａｌａｌ）に対する米国特許第４．
３７７、７２３号明細書は各セルがアモルファスケイ素
の三層を含み、外層が逆にドープされ比較的広い非ドー
プ層におよぶ２セルデバイスを開示している。セルは直
接接触して配置され、それらの間にトンネル接合が形成
されるか、また゛はセルは光が初めに通るセル中で吸収
されない光に透過性の固体導電性層により分離される。
の例は次の米国特許明細書に記載されている。ハナク（
Ｈａｎａｋ）に対する米国特許第４．２７２．６４１号
および第４．３１６．０４９号明細書はサーメットによ
り分離された２つのセルを用いるアモルファスケイ素デ
バイスを開示している。サーメットは例えば金属ケイ化
物の薄いスパッタ層であり、それは光透過性で導電性で
ある。ダラール（Ｄａｌａｌ）に対する米国特許第４．
３７７、７２３号明細書は各セルがアモルファスケイ素
の三層を含み、外層が逆にドープされ比較的広い非ドー
プ層におよぶ２セルデバイスを開示している。セルは直
接接触して配置され、それらの間にトンネル接合が形成
されるか、また゛はセルは光が初めに通るセル中で吸収
されない光に透過性の固体導電性層により分離される。
間に入り固体層は好ましくはアモルファスケイ素である
。深いセノペすなわち入射光が入る第２の層、のバンド
ギャップはアモルファスケイ素中のゲルマニウムの混在
により狭められる。サト−（Ｓａｔｏ）ほかに対する米
国特許第４．４７９．０２８号明細書はアモルファスま
たは微品質ケイ素から形成された３セルデバイスを開示
している。セルに対する異なるスペクトル吸収性が層お
よびセルの厚さを変え、最も深いセルにゲルマニウムを
加え、最も浅いセルに微品質ケイ素の使用または炭素を
加えることにより達成される。ウイースマン（Ｗｉｅｓ
ｍａｎｎ）に対する米国特許第４，５３６．６０層７号
明細書はアモルファス材料の３層で形成された１つのセ
ルおよび２層多結晶質半導体へテロ接合で形成された第
２セルを有する２セルデバイスを開示している。２つの
セルは導電性の透明酸化物の層、サーメットまたは金属
の非常に薄い層により分離される。ウイースマン（Ｗｉ
ｅｓｍａｎｎ）に対する特許はセルを分離する層を含め
て構−遺物中の層の逐次析出を提案している。
。深いセノペすなわち入射光が入る第２の層、のバンド
ギャップはアモルファスケイ素中のゲルマニウムの混在
により狭められる。サト−（Ｓａｔｏ）ほかに対する米
国特許第４．４７９．０２８号明細書はアモルファスま
たは微品質ケイ素から形成された３セルデバイスを開示
している。セルに対する異なるスペクトル吸収性が層お
よびセルの厚さを変え、最も深いセルにゲルマニウムを
加え、最も浅いセルに微品質ケイ素の使用または炭素を
加えることにより達成される。ウイースマン（Ｗｉｅｓ
ｍａｎｎ）に対する米国特許第４，５３６．６０層７号
明細書はアモルファス材料の３層で形成された１つのセ
ルおよび２層多結晶質半導体へテロ接合で形成された第
２セルを有する２セルデバイスを開示している。２つの
セルは導電性の透明酸化物の層、サーメットまたは金属
の非常に薄い層により分離される。ウイースマン（Ｗｉ
ｅｓｍａｎｎ）に対する特許はセルを分離する層を含め
て構−遺物中の層の逐次析出を提案している。
マルチプルセル薄膜デバイスは高効率光電池性能を達成
する最大の将来性を示す。これらのデバイス中、種々の
材料の使用が利用できるときに光学バンドギャップ（ｏ
ｐｔｉｃａｌ ｂａｎｄ ｇａｐ）選択機会が大きいの
で、異なる材料（例えば１つのセル中に多結晶質■〜■
材料、および他のセル中にアモルファスまたは三成分多
結晶質材料）を含むものが最も有望である。マルチプル
セルデバイスに使用する種々の材料の選択に対する制限
は選ばれる異なる材料に対する調製法の適合性または適
合性のないことである。すなわち、それぞれ異なる材料
で作られたセルの多くの組合せが提案されたが、しかし
、デバイス中の必要な材料の１つを調製する条件が他の
材料の有効性を破壊できるので、これらのデバイスの多
くは作ることができなかった。
する最大の将来性を示す。これらのデバイス中、種々の
材料の使用が利用できるときに光学バンドギャップ（ｏ
ｐｔｉｃａｌ ｂａｎｄ ｇａｐ）選択機会が大きいの
で、異なる材料（例えば１つのセル中に多結晶質■〜■
材料、および他のセル中にアモルファスまたは三成分多
結晶質材料）を含むものが最も有望である。マルチプル
セルデバイスに使用する種々の材料の選択に対する制限
は選ばれる異なる材料に対する調製法の適合性または適
合性のないことである。すなわち、それぞれ異なる材料
で作られたセルの多くの組合せが提案されたが、しかし
、デバイス中の必要な材料の１つを調製する条件が他の
材料の有効性を破壊できるので、これらのデバイスの多
くは作ることができなかった。
例えば、薄膜マルチプルセル構造物は慣習的に層上に層
を順次析出することにより製造された。しかし、その順
次析出する方法は次層の析出が用いる温度、雲囲気、ま
たは反応物のために先に析出した層を損なうときに使用
できない。この制限が、ウイースマン（Ｗｉｅｓｍａｎ
ｎ）により米国特許第４，５３６．６０７号明細書に記
載された若干のデバイスを含めて、提案された多くの好
ましい高効率マルチプルセルデバイスを実際に作ること
を制限した。
を順次析出することにより製造された。しかし、その順
次析出する方法は次層の析出が用いる温度、雲囲気、ま
たは反応物のために先に析出した層を損なうときに使用
できない。この制限が、ウイースマン（Ｗｉｅｓｍａｎ
ｎ）により米国特許第４，５３６．６０７号明細書に記
載された若干のデバイスを含めて、提案された多くの好
ましい高効率マルチプルセルデバイスを実際に作ること
を制限した。
発明の概要
本発明において薄膜マルチプルセル光電池デバイスに使
用する材料の選択におけるプロセス調製適合性の制限が
排除される。本発明により、種々の材料のセルが適当な
基板上に個々に析出される。
用する材料の選択におけるプロセス調製適合性の制限が
排除される。本発明により、種々の材料のセルが適当な
基板上に個々に析出される。
各個々の析出プロセスが最終デバイスのための１つまた
はそれ以上のセルを製造することができる。
はそれ以上のセルを製造することができる。
各個別析出プロセスが終った後、析出したセルが光透過
性導電性接着剤により単個マルチプルセルに接合される
。そのような接着剤は導電性固体、例えば酸化スズ、酸
化スズインジウム、硫化カドミウム、テルル化カドミウ
ム、およびテルル化亜鉛、の粒子を含むエポキシである
ことができる。
性導電性接着剤により単個マルチプルセルに接合される
。そのような接着剤は導電性固体、例えば酸化スズ、酸
化スズインジウム、硫化カドミウム、テルル化カドミウ
ム、およびテルル化亜鉛、の粒子を含むエポキシである
ことができる。
これらの接着剤の少くとも１種が現在市販されている。
接着剤の使用は不適合調製プロセス、例えば電着く伝導
性変性熱処理を含む）、グロー放電および真空蒸着、を
有する材料からのマルチプルデバイスの製造を可能にす
る。本発明によれば、（ｉ）アモルファスケイ素セルお
よび硫化カドミウム／ニセレン化インジウム銅セル；（
ｉｉ）アモルファスケイ素セルおよび硫化カドミウム／
テルル化カドミウム（水銀添加または水銀添加のない）
セル；（ｉｉｉ）硫化カドミウム／ニセレン化インジウ
ム銅セルおよび硫化カドミウム／テルル化カドミウム（
水銀添加または水銀添加のない）セル；（ｉｖ）硫化カ
ドミウム／テルル化カドミウム（水銀添加または水銀添
加のない）セルおよびテルル化カドミウム亜鉛／硫化カ
ドミウムセル；並びに他のセル、を組合せた高効率２端
子マルチプルセルデバイス簡単かつ確実に製造すること
ができる。
性変性熱処理を含む）、グロー放電および真空蒸着、を
有する材料からのマルチプルデバイスの製造を可能にす
る。本発明によれば、（ｉ）アモルファスケイ素セルお
よび硫化カドミウム／ニセレン化インジウム銅セル；（
ｉｉ）アモルファスケイ素セルおよび硫化カドミウム／
テルル化カドミウム（水銀添加または水銀添加のない）
セル；（ｉｉｉ）硫化カドミウム／ニセレン化インジウ
ム銅セルおよび硫化カドミウム／テルル化カドミウム（
水銀添加または水銀添加のない）セル；（ｉｖ）硫化カ
ドミウム／テルル化カドミウム（水銀添加または水銀添
加のない）セルおよびテルル化カドミウム亜鉛／硫化カ
ドミウムセル；並びに他のセル、を組合せた高効率２端
子マルチプルセルデバイス簡単かつ確実に製造すること
ができる。
デバイスは４つまたはそれ以上ではなくて単に２つの端
子を用いるので接触層中の電気的相互接続パターンのカ
ッティングの量が低減され、新規なデバイスを比較的安
価に、懐だ高能率にする。
子を用いるので接触層中の電気的相互接続パターンのカ
ッティングの量が低減され、新規なデバイスを比較的安
価に、懐だ高能率にする。
本発明は図面に関連して記載する次の詳細な説明から一
層明確に理解されるであろう。
層明確に理解されるであろう。
好ましい態様の詳細な説明
第１Ａ図には本発明による２セル光電池デバイス１１が
断面図で略示されている。その図面は単に種々のデバイ
スの態様の例示であり、示される次元、殊に層の厚さは
縮尺で示されていない。デバイス１１は第１セル１３お
よび第２セル１５を電気的かつ光学的な直列接続で含む
。セル１３は入射光が初めにデバイスに入る透明基板１
７、例えばガラス、により１側上を覆われている。基板
１７とセル１３との間に光透過性導電検層１９が配置さ
れ、それに電気端子２１が連結されている。
断面図で略示されている。その図面は単に種々のデバイ
スの態様の例示であり、示される次元、殊に層の厚さは
縮尺で示されていない。デバイス１１は第１セル１３お
よび第２セル１５を電気的かつ光学的な直列接続で含む
。セル１３は入射光が初めにデバイスに入る透明基板１
７、例えばガラス、により１側上を覆われている。基板
１７とセル１３との間に光透過性導電検層１９が配置さ
れ、それに電気端子２１が連結されている。
セル１５はセル１３に類似する構造を有する。
セル１５はその境界の１つに基板２３を有し、セルと基
板との間に導電性層２５が配置されている。
板との間に導電性層２５が配置されている。
電気端子２７が層２５に連結されて第２端子を形成し、
それが端子２１とともにデバイス１１から電気エネルギ
ーを取出すために使用される。基板２３は導電性または
光透過性である必要はない。
それが端子２１とともにデバイス１１から電気エネルギ
ーを取出すために使用される。基板２３は導電性または
光透過性である必要はない。
事実、基板２３は反射性であり、さらに光を吸収してさ
らに電気エネルギーを生ずることができる第２の透過の
ために未吸収光をデバイス中へ逆に反射する鏡面または
テクスチャード面（ｔｅｘｔｕｒｅｄｓｕｒｆａｃｅ）
を有することができる。基板２３は剛性または可撓性金
属シート、ガラスあるいはプラスチックまたは高分子シ
ートであることができ、それらはいずれも反射性コーテ
ィングを有することができる。
らに電気エネルギーを生ずることができる第２の透過の
ために未吸収光をデバイス中へ逆に反射する鏡面または
テクスチャード面（ｔｅｘｔｕｒｅｄｓｕｒｆａｃｅ）
を有することができる。基板２３は剛性または可撓性金
属シート、ガラスあるいはプラスチックまたは高分子シ
ートであることができ、それらはいずれも反射性コーテ
ィングを有することができる。
セル１３とセル１５とは導電性である層２９により接合
されるので光電池電流が端子２１と２７との間に流れる
ことができる。層２９はまた光透過性であり、セル１３
で吸収されないでそれを通過した光は有意な損失なくセ
ル１５へ透過される。
されるので光電池電流が端子２１と２７との間に流れる
ことができる。層２９はまた光透過性であり、セル１３
で吸収されないでそれを通過した光は有意な損失なくセ
ル１５へ透過される。
セル１３と１５とは、好ましくは異なるスペクトル吸収
特性を有する。すなわち、２つのセルは電気エネルギー
への転化に有用な光エネルギーの使用を最大にするよう
に異なるスペクトル範囲の入射光を吸収する。本発明に
おいて、セルのそれぞれの中に異なる材料、または同一
成分でしかし異なる相対量の材料を用いることによりス
ペクトル応答の差異を達成することが好ましい。すなわ
ち、例えばセル１３が高エネルギ一部分の光に応答する
ことができる、すなわち通常プルーセルとして示される
ものであることができ、一方セル１５は低エネルギ一部
分の光に応答することができる、すなわち通常レッドセ
ルとして示されるものであることができる。通常技術的
に理解されるように、セルは狭い光学バンドギャップを
有し、すなわち応答するエネルギーが低いほど入射光の
移動方向に測定してデバイス中へ深く入る。
特性を有する。すなわち、２つのセルは電気エネルギー
への転化に有用な光エネルギーの使用を最大にするよう
に異なるスペクトル範囲の入射光を吸収する。本発明に
おいて、セルのそれぞれの中に異なる材料、または同一
成分でしかし異なる相対量の材料を用いることによりス
ペクトル応答の差異を達成することが好ましい。すなわ
ち、例えばセル１３が高エネルギ一部分の光に応答する
ことができる、すなわち通常プルーセルとして示される
ものであることができ、一方セル１５は低エネルギ一部
分の光に応答することができる、すなわち通常レッドセ
ルとして示されるものであることができる。通常技術的
に理解されるように、セルは狭い光学バンドギャップを
有し、すなわち応答するエネルギーが低いほど入射光の
移動方向に測定してデバイス中へ深く入る。
本発明の好ましい態様の各セルはセル１３中に線３１お
よびセル１５中に線３３により示される−ように少くと
も１つの半導体接合部を含む。好ましいセルはテルル化
カドミウム層とのへテロ接合を有する硫化カドミウムの
層を含む。そのようなセルは電着により導電性層例えば
層１９および２５で被覆された基板例えば１７および２
３上に容易に形成することができる。硫化カドミウムは
好ましくはｎ形であり、テルル化カドミウム層は２５０
〜５（１１）℃、好ましくは約３５０℃における熱処理
によりｐ形に転化してｎ−ｐへテロ接合を形成すること
ができる。電着プロセスはクロガー（Ｋｒｏｇｅｒ）ほ
かに対する米国特許第４．４（１１）．２４４号明細書
に一層十分に記載され、熱処理法はベイツル（Ｂａｓｏ
ｌ）ほかに対する米国特許第４．３８８．４８３号明細
書に記載されている。これらの特許明細書の開示は参照
によりここに加入される。上記へテロ接合セルは約４（
１１）〜約８（１１）ｎｍの波長で強いスペクトル応答
を有し、すなわちブルーセルである。
よびセル１５中に線３３により示される−ように少くと
も１つの半導体接合部を含む。好ましいセルはテルル化
カドミウム層とのへテロ接合を有する硫化カドミウムの
層を含む。そのようなセルは電着により導電性層例えば
層１９および２５で被覆された基板例えば１７および２
３上に容易に形成することができる。硫化カドミウムは
好ましくはｎ形であり、テルル化カドミウム層は２５０
〜５（１１）℃、好ましくは約３５０℃における熱処理
によりｐ形に転化してｎ−ｐへテロ接合を形成すること
ができる。電着プロセスはクロガー（Ｋｒｏｇｅｒ）ほ
かに対する米国特許第４．４（１１）．２４４号明細書
に一層十分に記載され、熱処理法はベイツル（Ｂａｓｏ
ｌ）ほかに対する米国特許第４．３８８．４８３号明細
書に記載されている。これらの特許明細書の開示は参照
によりここに加入される。上記へテロ接合セルは約４（
１１）〜約８（１１）ｎｍの波長で強いスペクトル応答
を有し、すなわちブルーセルである。
約８（１１）ｎｍ以上で応答を与える候補セル、すなわ
ちレッドセル、は硫化カドミウム／ニセレン化インジウ
ム銅セルである。そのようなセルは真空蒸着および凝結
プロセスにより製造することができ、ニセレン化インジ
ウム銅をまず３５０〜５（１１）℃で析出させ、次いで
１５０〜２（１１）℃で硫化カドミウム層を析出させる
。可撓性または剛性金属または高温プラスチックである
ことができる基板は真空蒸着の前に導電性層でコートす
ることができる。これらのプロセスはマイケルソン（Ｍ
ｉｃｋｅｌｓｏｎ）ほかに対する米国特許第４．３３５
．２６６号明細書に一層十分に記載されており、その開
示は参照によりここに加入される。
ちレッドセル、は硫化カドミウム／ニセレン化インジウ
ム銅セルである。そのようなセルは真空蒸着および凝結
プロセスにより製造することができ、ニセレン化インジ
ウム銅をまず３５０〜５（１１）℃で析出させ、次いで
１５０〜２（１１）℃で硫化カドミウム層を析出させる
。可撓性または剛性金属または高温プラスチックである
ことができる基板は真空蒸着の前に導電性層でコートす
ることができる。これらのプロセスはマイケルソン（Ｍ
ｉｃｋｅｌｓｏｎ）ほかに対する米国特許第４．３３５
．２６６号明細書に一層十分に記載されており、その開
示は参照によりここに加入される。
前記説明で明らかなように、含まれる相対的に高い温度
のためにニセレン化インジウム銅セルを電着セル上に析
出させることができない。同様に電気めっき段階中に含
まれる薬品のためにテルル化カドミウムセルをニセレン
化インジウム銅セル上に電着させることは容易でない。
のためにニセレン化インジウム銅セルを電着セル上に析
出させることができない。同様に電気めっき段階中に含
まれる薬品のためにテルル化カドミウムセルをニセレン
化インジウム銅セル上に電着させることは容易でない。
従って、この２セル高効率デバイスをその層それぞれの
逐次析出により製造することができない。
逐次析出により製造することができない。
いま記載したデバイスは本発明により実現することがで
きる。本発明において、セル１３および１５は、先に記
載したものすなわち電着５並びに真空蒸着および凝結を
含めて公知の常法のいずれかにより析出させる。セルを
個々に析出した後（ここに用いる「セル」は１つまたは
それ以上の接合部または接合部の組を含むことができる
）、それらに光透過性、導電性接着剤を適用してセルを
接合することによりそれらをマルチプルセルデバイスに
接合する。接着剤は透明である必要がないが、しかし単
にセル１３を通った光の有意な損失がない透過性である
ことが必要である。接着剤は導電性であってセル１３お
よび１５を電気的に接続し、またセル１３および１５の
それぞれと非閉塞、低抵抗接合を形成しなければならな
い。選ばれる接着剤はセルとトンネル接合または他の低
損失接触を形成することができる。適当な接着剤は導電
性粒子、例えば酸化スズ、酸化スズインジウム、硫化カ
ドミウム、テルル化カドミウム、およびテルル化亜鉛、
を含むエポキシである。光透過性エポキシマトリックス
中に酸化スズインジウムを含む少くとも１種のそのよう
な接着剤はアミコン・コーポレーション（八ｍ１ｃｏｎ
（：ｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、 Ｌｅｘｉｎｇｔｏｎ。
きる。本発明において、セル１３および１５は、先に記
載したものすなわち電着５並びに真空蒸着および凝結を
含めて公知の常法のいずれかにより析出させる。セルを
個々に析出した後（ここに用いる「セル」は１つまたは
それ以上の接合部または接合部の組を含むことができる
）、それらに光透過性、導電性接着剤を適用してセルを
接合することによりそれらをマルチプルセルデバイスに
接合する。接着剤は透明である必要がないが、しかし単
にセル１３を通った光の有意な損失がない透過性である
ことが必要である。接着剤は導電性であってセル１３お
よび１５を電気的に接続し、またセル１３および１５の
それぞれと非閉塞、低抵抗接合を形成しなければならな
い。選ばれる接着剤はセルとトンネル接合または他の低
損失接触を形成することができる。適当な接着剤は導電
性粒子、例えば酸化スズ、酸化スズインジウム、硫化カ
ドミウム、テルル化カドミウム、およびテルル化亜鉛、
を含むエポキシである。光透過性エポキシマトリックス
中に酸化スズインジウムを含む少くとも１種のそのよう
な接着剤はアミコン・コーポレーション（八ｍ１ｃｏｎ
（：ｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、 Ｌｅｘｉｎｇｔｏｎ。
Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ）から市販されている。
本発明は２セルデバイスに限定されず、またテルル化カ
ドミウム／ニセレン化インジウム銅デバイスに限定され
ない。第１Ｂ図には２セルデバイス５１が略断面図で示
される。第１Ａ図のものと同じ要素は同一参照数字を与
えられ、従ってさらに説明する必要はない。デバイス５
１は第１セル５３をセル１５と電気的および光学的に直
列接続で含む。デバイス５１のセル５３は好ましくはア
モルファスおよび（または）微品質ケイ素で作られる。
ドミウム／ニセレン化インジウム銅デバイスに限定され
ない。第１Ｂ図には２セルデバイス５１が略断面図で示
される。第１Ａ図のものと同じ要素は同一参照数字を与
えられ、従ってさらに説明する必要はない。デバイス５
１は第１セル５３をセル１５と電気的および光学的に直
列接続で含む。デバイス５１のセル５３は好ましくはア
モルファスおよび（または）微品質ケイ素で作られる。
セル５３は逆にドープした層５７と５９との間に配置さ
れた比較的厚い真性形の層５５を含む。層５７および５
９の１つはｐ形にドープされ、他はｎ形にドープされ、
ｐ−１−ｎまたはｎ−１−ｐセルを形成する。そのよう
なアモルファスケイ素セルは技術的によく知られ、ガラ
スまたは金属基板上にグロー放電析出プロセスで２（１
１）〜３（１１）℃で析出させることができる。これら
の公知析出法およびセルはカールソン（Ｃａｒｌｓｏｎ
） ほかに対する米国特許第４．０６４，５２１号明
細書に記載されており、その開示は参照によりここに加
入される。
れた比較的厚い真性形の層５５を含む。層５７および５
９の１つはｐ形にドープされ、他はｎ形にドープされ、
ｐ−１−ｎまたはｎ−１−ｐセルを形成する。そのよう
なアモルファスケイ素セルは技術的によく知られ、ガラ
スまたは金属基板上にグロー放電析出プロセスで２（１
１）〜３（１１）℃で析出させることができる。これら
の公知析出法およびセルはカールソン（Ｃａｒｌｓｏｎ
） ほかに対する米国特許第４．０６４，５２１号明
細書に記載されており、その開示は参照によりここに加
入される。
グロー放電の低い析出温度およびプロセス技術は真空蒸
着プロセスと完全には不適合でないけれども、層の逐次
蒸着により硫化カドミウム／ニセレン化インジウム銅セ
ル上にアモルファス／微品質ケイ素セルを作ることは好
ましくない。そのようなセルは、アモルファスケイ素が
ニセレン化インジウム銅析出における水素の発生および
構造を破壊する熱処理温度により著しく劣化されるので
、初めにケイ素セルを析出させることにより逐次構成す
ることはできない。同様に、汚染の可能性のために硫化
カドミウム／ニセレン化インジウム銅セルをアモルファ
スケイ素析出用装置中に置くことは好ましくない。本発
明は、解決法を与え、セルの製造を可能にする。前記の
ようにニセレン化インジウム銅／硫化カドミウムセルを
別に、おそらく真空蒸着および凝結により析出させる。
着プロセスと完全には不適合でないけれども、層の逐次
蒸着により硫化カドミウム／ニセレン化インジウム銅セ
ル上にアモルファス／微品質ケイ素セルを作ることは好
ましくない。そのようなセルは、アモルファスケイ素が
ニセレン化インジウム銅析出における水素の発生および
構造を破壊する熱処理温度により著しく劣化されるので
、初めにケイ素セルを析出させることにより逐次構成す
ることはできない。同様に、汚染の可能性のために硫化
カドミウム／ニセレン化インジウム銅セルをアモルファ
スケイ素析出用装置中に置くことは好ましくない。本発
明は、解決法を与え、セルの製造を可能にする。前記の
ようにニセレン化インジウム銅／硫化カドミウムセルを
別に、おそらく真空蒸着および凝結により析出させる。
アモルファス／微品質ケイ素は別個にグロー放電プロセ
スにより析出させ、これらの２つのセルを前記のように
光透過性導電性接着剤で接合する。テルル化カドミウム
に比べてアモルファスケイ素の広いバンドギャップのた
めに、この態様は第１Ａ図に関して記載した態様よりも
多くの入射光をセル１５に到達させる。従って、この態
様においてブル一応答における若干の犠牲およびレッド
応答における若干の増加がある。スペクトル応答におけ
るこの変化はセル中の層の相対厚さを注意深く選ぶこと
によりある程度変化させることができる。
スにより析出させ、これらの２つのセルを前記のように
光透過性導電性接着剤で接合する。テルル化カドミウム
に比べてアモルファスケイ素の広いバンドギャップのた
めに、この態様は第１Ａ図に関して記載した態様よりも
多くの入射光をセル１５に到達させる。従って、この態
様においてブル一応答における若干の犠牲およびレッド
応答における若干の増加がある。スペクトル応答におけ
るこの変化はセル中の層の相対厚さを注意深く選ぶこと
によりある程度変化させることができる。
他の完全なデバイスおよびセルの組合せを、本発明のこ
の開示で作ることができる。例えばアモルファスケイ素
セルと硫化カドミウム／テルル化カドミウムセルとの組
合せを作ることができるが、しかし本明細書に初めに記
載したものである好ましいデバイスに比べてレッド応答
が犠牲になる。
の開示で作ることができる。例えばアモルファスケイ素
セルと硫化カドミウム／テルル化カドミウムセルとの組
合せを作ることができるが、しかし本明細書に初めに記
載したものである好ましいデバイスに比べてレッド応答
が犠牲になる。
硫化カドミウム／テルル化カドミウムセルのそれぞれの
光学バンドギャップは、望むならばテルル化カドミウム
中に若干の水銀を含めてテルル化カドミウム水銀を形成
することにより低下させることができる。深いセル、カ
ドミウムベースセノペのレッド応答がバンドギャップを
狭くすることにより改良されるので、この変更は上記セ
ルに殊に望ましい。テルル化カドミウム水銀は、テルル
化カドミウムを電着させるように、しかし水銀イオンを
電解液に加えて電着させることができる。ベイツル（Ｂ
ａＳＯｌ）ほかに対する米国特許第４．５４８．６８１
号明細書が参照され、その開示は参照によりここに加入
される。
光学バンドギャップは、望むならばテルル化カドミウム
中に若干の水銀を含めてテルル化カドミウム水銀を形成
することにより低下させることができる。深いセル、カ
ドミウムベースセノペのレッド応答がバンドギャップを
狭くすることにより改良されるので、この変更は上記セ
ルに殊に望ましい。テルル化カドミウム水銀は、テルル
化カドミウムを電着させるように、しかし水銀イオンを
電解液に加えて電着させることができる。ベイツル（Ｂ
ａＳＯｌ）ほかに対する米国特許第４．５４８．６８１
号明細書が参照され、その開示は参照によりここに加入
される。
本発明による３セル光電池デバイス７１は第２図に略断
面で示される。示した構造は光透過性基板７３例えばガ
ラス、および基体７３上に配置された光透過性層７５例
えば酸化スズインジウムを含む。次に１接合部を含む第
１光電池セル７７が層７５上に配置され、セルファの他
側は光透過性導電性接着層７９に接触する。層７９は既
に他の態様について記載した導電性光透過性接着層と同
様である。層７９はそれぞれ１接合部を含むセル８１お
よび８３に結合する。デバイス中の入射光の移動方向に
関して最も深いセルであるセル８３は導電性層８５上に
配置され、それは基板８７上に配置される。前記のよう
に基板８７は光透過性である必要がなく、最も好ましく
は反射性であり、未吸収光をセル８３中へ逆に反射する
。電気端子８９および９１は光発生電気エネルギーをセ
ルから抜出すためにそれぞれ層７５および ８５に接触
している。基板８７がセル８３に対する良好な接触をす
る導電体であれば層８５は基板８７の一体部分であるこ
とができる。
面で示される。示した構造は光透過性基板７３例えばガ
ラス、および基体７３上に配置された光透過性層７５例
えば酸化スズインジウムを含む。次に１接合部を含む第
１光電池セル７７が層７５上に配置され、セルファの他
側は光透過性導電性接着層７９に接触する。層７９は既
に他の態様について記載した導電性光透過性接着層と同
様である。層７９はそれぞれ１接合部を含むセル８１お
よび８３に結合する。デバイス中の入射光の移動方向に
関して最も深いセルであるセル８３は導電性層８５上に
配置され、それは基板８７上に配置される。前記のよう
に基板８７は光透過性である必要がなく、最も好ましく
は反射性であり、未吸収光をセル８３中へ逆に反射する
。電気端子８９および９１は光発生電気エネルギーをセ
ルから抜出すためにそれぞれ層７５および ８５に接触
している。基板８７がセル８３に対する良好な接触をす
る導電体であれば層８５は基板８７の一体部分であるこ
とができる。
デバイス７１上に落ちる光エネルギーの最大利用を達成
するためにセル７７．８１および８３の有効光学バンド
ギャップは順次低下させる。セル８１および８３はそれ
ぞれ硫化カドミウム／テルル化カドミウムおよび硫化カ
ドミウム／テルル化カドミウム水銀の電着層であること
ができる。既にこれらの材料について記載した電着プロ
セスは互いに適合性であるので４層を順次析出させるこ
とができる。セル７７はまた硫化カドミウムおよびテル
ル化カドミウム亜鉛の層として電着させることができる
。テルル化カドミウム亜鉛は亜鉛イオンを添加したテル
ル化カドミウムめっき浴から電着させることができる。
するためにセル７７．８１および８３の有効光学バンド
ギャップは順次低下させる。セル８１および８３はそれ
ぞれ硫化カドミウム／テルル化カドミウムおよび硫化カ
ドミウム／テルル化カドミウム水銀の電着層であること
ができる。既にこれらの材料について記載した電着プロ
セスは互いに適合性であるので４層を順次析出させるこ
とができる。セル７７はまた硫化カドミウムおよびテル
ル化カドミウム亜鉛の層として電着させることができる
。テルル化カドミウム亜鉛は亜鉛イオンを添加したテル
ル化カドミウムめっき浴から電着させることができる。
析出層中の亜鉛の存在は、光学バンドギャップを低下す
る水銀の存在と異なり、光学バンドギャップを増大する
。テルル化カドミウムおよびテルル化カドミウム水銀セ
ルを亜鉛イオンを含有するめっき溶液中に浸すことは、
電解液が先に析出した金属の若干を溶解するかまたはそ
の表面を汚染することができるので好ましくない。さら
に、亜鉛含有材料はテルル化カドミウムおよびテルル化
カドミウム水銀層に許容できない熱処理段階を必要とす
ることができる。
る水銀の存在と異なり、光学バンドギャップを増大する
。テルル化カドミウムおよびテルル化カドミウム水銀セ
ルを亜鉛イオンを含有するめっき溶液中に浸すことは、
電解液が先に析出した金属の若干を溶解するかまたはそ
の表面を汚染することができるので好ましくない。さら
に、亜鉛含有材料はテルル化カドミウムおよびテルル化
カドミウム水銀層に許容できない熱処理段階を必要とす
ることができる。
しかし、新規接着構造を用いることにより所望の３セル
デバイスを製造することができる。
デバイスを製造することができる。
種々の数のセルを含む他のマルチプルセルデバイスを本
発明の方法により製造することができる。
発明の方法により製造することができる。
これらのデバイスのそれぞれにおいて本発明はかなりの
節約をもたらす２端子デバイスを作ることを可能にする
。図面は単に単個デバイスを示すけれども、大部分の用
途において直列および（または）並列相互接続を有する
多くのデバイスを用いると所望の予め選んだ出力電圧お
よび電流が得られるであろう。技術的に知られているよ
うに、これらの相互接続は、一部は半導体を析出する前
にデバイスの反対側上に基板に隣接して配置された導電
性層中に適当なパターンを形成することにより達成され
よう。パターン形成はホトリソグラフィー、レーザース
クライビングなどにより行なわれる。この工程は全製造
コストの比較的大きい要素である。本発明がない場合に
、前記型の、すなわち不適合製造工程を有する２つのセ
ルを有する２セル構造物はよくても４端子デバイスとし
て製造できる。そ′の４端子デバイスはセル毎にそれぞ
れパターン化層に接触する２つの端子を有し、本発明の
２層に比べて４層にパターンを形成することを意味する
。従って、本発明は前記型のマルチプルセルデバイスの
製造コストを実質的に低下する。−層のコト利得が３つ
またはそれ以上のセルを含む新規な２端子デバイスに達
成される。
節約をもたらす２端子デバイスを作ることを可能にする
。図面は単に単個デバイスを示すけれども、大部分の用
途において直列および（または）並列相互接続を有する
多くのデバイスを用いると所望の予め選んだ出力電圧お
よび電流が得られるであろう。技術的に知られているよ
うに、これらの相互接続は、一部は半導体を析出する前
にデバイスの反対側上に基板に隣接して配置された導電
性層中に適当なパターンを形成することにより達成され
よう。パターン形成はホトリソグラフィー、レーザース
クライビングなどにより行なわれる。この工程は全製造
コストの比較的大きい要素である。本発明がない場合に
、前記型の、すなわち不適合製造工程を有する２つのセ
ルを有する２セル構造物はよくても４端子デバイスとし
て製造できる。そ′の４端子デバイスはセル毎にそれぞ
れパターン化層に接触する２つの端子を有し、本発明の
２層に比べて４層にパターンを形成することを意味する
。従って、本発明は前記型のマルチプルセルデバイスの
製造コストを実質的に低下する。−層のコト利得が３つ
またはそれ以上のセルを含む新規な２端子デバイスに達
成される。
本発明は一定の好ましい態様に関して記載された。本発
明の精神内の種々の変形および付加が当業者に浮かぶで
あろう。従って本発明の範囲は単に特許請求の範囲によ
って限定される。
明の精神内の種々の変形および付加が当業者に浮かぶで
あろう。従って本発明の範囲は単に特許請求の範囲によ
って限定される。
第１Ａ図および第１Ｂ図は本発明による２セルデバイス
の略断面側面図であり、第２図は本発明による３セルデ
バイスの略断面側面図である。 １７．２３．７３．８７・・・基板、 １３．１５．５３．７？、８１．８３ ・・・セル、 １９．２５．７５．８５． ・・・導電性層、２９．
７９・・・光透過性導電性接着層。
の略断面側面図であり、第２図は本発明による３セルデ
バイスの略断面側面図である。 １７．２３．７３．８７・・・基板、 １３．１５．５３．７？、８１．８３ ・・・セル、 １９．２５．７５．８５． ・・・導電性層、２９．
７９・・・光透過性導電性接着層。
Claims (36)
- （１）マルチプルセル２端子光電池デバイスの製造方法
であって、第１光透過性基板上に第１エネルギーを越え
るエネルギーを有する光を吸収する薄膜半導体材料の第
１光電池セルを析出させ、第２基板上に第２エネルギー
であって前記第１エネルギーより小さい第２エネルギー
を越えるエネルギーを有する光を吸収する薄膜半導体材
料の第２光電池セルを析出させ、前記セルを前記第１お
よび第２基板の反対側で導電性光透過性接着剤で結合し
、前記デバイスの第１端子として前記第１基板に隣接し
て前記第１セルに対する第１電気接触を確立し、前記第
２基板に隣接して前記第２セルに対する第２電気接触を
確立して前記デバイスの第２電気端子を形成することを
含む方法。 - （２）少くとも前記第１および第２セルの１つの部分を
電着することを含む、特許請求の範囲第（１）項記載の
方法。 - （３）第１および第２セルの１つとしてテルル化カドミ
ウムの層を電着させ、前記テルル化カドミウムの層に接
触して硫化カドミウムの層を電着させることを含む、特
許請求の範囲第（２）項記載の方法。 - （４）第１および第２セルの１つとしてテルル化カドミ
ウム水銀の層を電着させ、前記テルル化カドミウム水銀
の層に接触して硫化カドミウムの層を電着させることを
含む、特許請求の範囲第（２）項記載の方法。 - （５）硫化カドミウムおよびテルル化カドミウム水銀の
電着層が前記第２セルを形成し、前記第１セルとしてテ
ルル化カドミウム亜鉛の層を電着させ、前記テルル化カ
ドミウム亜鉛の層に接触して硫化カドミウムの層を電着
させることを含む、特許請求の範囲第（４）項記載の方
法。 - （６）硫化カドミウムおよびテルル化カドミウムの電着
層が前記第２セルを形成し、前記第１セルとしてテルル
化カドミウム亜鉛の層を電着させ、前記テルル化カドミ
ウム亜鉛の層に接触して硫化カドミウムの層を電着させ
ることを含む、特許請求の範囲第（３）項記載の方法。 - （７）少くとも前記第１および第２セルの１つの部分を
蒸着および凝結により析出させることを含む、特許請求
の範囲第（１）項記載の方法。 - （８）前記第１および第２セルの１つの部分としてニセ
レン化インジウム銅の層を凝結させることを含む、特許
請求の範囲第（７）項記載の方法。 - （９）第１および第２セルの１つの部分として硫化カド
ミウムの層を凝結させることを含む、特許請求の範囲第
（７）項記載の方法。 - （１０）少くとも前記第１および第２セルの１つの部分
をグロー放電で析出させることを含む、特許請求の範囲
第（１）項記載の方法。 - （１１）第１および第２セルの１つの部分としてアモル
ファスケイ素をグロー放電で析出させることを含む、特
許請求の範囲第（１０）項記載の方法。 - （１２）セルを光透過性導電性粒子を含む光透過性エポ
キシ接着剤で結合することを含む、特許請求の範囲第（
１）項記載の方法。 - （１３）前記粒子が酸化スズ、酸化スズインジウム、硫
化カドミウム、テルル化カドミウム、およびテルル化亜
鉛から選ばれる、特許請求の範囲第（１２）項記載の方
法。 - （１４）第１基板がガラスである、特許請求の範囲第（
１）項記載の方法。 - （１５）第１端子を形成するために、前記第１セルを析
出する前に前記ガラス基板上に導電性光透過性層を析出
させることを含む、特許請求の範囲第（１４）項記載の
方法。 - （１６）第２基板が金属であり、前記第２端子を形成す
る、特許請求の範囲第（１）項記載の方法。 - （１７）第２基板が電気絶縁体であり、前記第２端子を
形成するために、前記第２セルを析出する前に前記第２
基板上の導電性層を析出させることを含む、特許請求の
範囲第（１）項記載の方法。 - （１８）第１セルとして硫化カドミウムおよびテルル化
カドミウムの層を電着させ、前記第２セルとして硫化カ
ドミウムおよびニセレン化インジウム銅の層を凝結させ
ることを含む、特許請求の範囲第（１）項記載の方法。 - （１９）第１セルとして硫化カドミウムおよびテルル化
カドミウム水銀の層を電着させ、前記第２セルとして硫
化カドミウムおよびニセレン化インジウム銅の層を凝結
させることを含む、特許請求の範囲第（１）項記載の方
法。 - （２０）第１セルとしてグロー放電でアモルファスケイ
素の第１ドープ層、真性層および第２ドープ層を順次析
出させることを含み、前記第１ドープ層が前記第２ドー
プ層とは逆の導電性型である、特許請求の範囲第（１）
項記載の方法。 - （２１）第２セルとして硫化カドミウムおよびニセレン
化インジウム銅の層を凝結させることを含む、特許請求
の範囲第（２０）項記載の方法。 - （２２）第１光透過性基板上に配置された非単結晶質半
導体材料で形成され、前記第１基板に隣接して前記第１
セルに接続した第１電気端子を有する第１光電池セルで
あって第１エネルギーを越えるエネルギーを有する光を
吸収する第１セル、第２基板上に配置された薄膜多結晶
質半導体材料で形成され、前記第２基板に隣接して前記
第２セルに接続した第２電気端子を有する第２光電池セ
ルであって、第２エネルギーであって第１エネルギーよ
り小さい第２エネルギーを越えるエネルギーを有する光
を吸収する第２セルを含み、前記第１セルおよび第２セ
ルは前記第１基板および第２基板の反対側を導電性光透
過性接着剤により結合されたマルチプルセル２端子光電
池デバイス。 - （２３）第１セルが硫化カドミウムの層および前記硫化
カドミウムの層上に配置されたテルル化カドミウムの層
を含む、特許請求の範囲第（２２）項記載のデバイス。 - （２４）第２セルが硫化カドミウムの層および前記硫化
カドミウムの層上に配置されたニセレン化インジウム銅
の層を含む、特許請求の範囲第（２３）項記載のデバイ
ス。 - （２５）第１セルが硫化カドミウムの層および前記硫化
カドミウムの層上に配置されたテルル化カドミウム水銀
の層を含む、特許請求の範囲第（２２）項記載のデバイ
ス。 - （２６）第２セルが硫化カドミウムの層および前記硫化
カドミウムの層上に配置されたニセレン化インジウム銅
の層を含む、特許請求の範囲第（２５）項記載のデバイ
ス。 - （２７）第２セルが硫化カドミウムの層および前記硫化
カドミウムの層上に配置されたニセレン化インジウム銅
の層を含む、特許請求の範囲第（２２）項記載のデバイ
ス。 - （２８）第１セルがアモルファスケイ素の第１ドープ層
、非ドープ層および第２ドープ層を含み、前記第１ドー
プ層が前記第２ドープ層とは逆の導電性形である、特許
請求の範囲第（２２）項記載のデバイス。 - （２９）第２セルが硫化カドミウムの層および前記硫化
カドミウムの層上に配置されたニセレン化インジウム銅
の層を含む、特許請求の範囲第（２８）項記載のデバイ
ス。 - （３０）第１および第２セルの１つがテルル化カドミウ
ム亜鉛の層を含む、特許請求の範囲第（２２）項記載の
デバイス。 - （３１）光透過性導電性接着剤がエポキシマトリックス
中に配置された導電性粒子を含む、特許請求の範囲第（
２２）項記載のデバイス。 - （３２）導電性粒子が酸化スズ、酸化スズインジウム、
硫化カドミウム、テルル化カドミウム、およびテルル化
亜鉛の１つから選ばれる、特許請求の範囲第（３１）項
記載のデバイス。 - （３３）第２セルが硫化カドミウムの層および前記硫化
カドミウムの層上に配置されたテルル化カドミウムの層
を含む、特許請求の範囲第（２２）項記載のデバイス。 - （３４）第１セルが硫化カドミウムの層および前記硫化
カドミウムの層上に配置されたテルル化カドミウム亜鉛
の層を含む、特許請求の範囲第（３３）項記載のデバイ
ス。 - （３５）第２セルが硫化カドミウムの層および前記硫化
カドミウムの層上に配置されたテルル化カドミウム水銀
の層を含む、特許請求の範囲第（２２）項記載のデバイ
ス。 - （３６）第１セルが硫化カドミウムの層および前記硫化
カドミウムの層上に配置されたテルル化カドミウムの層
を含む、特許請求の範囲第（３５）項記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/879,883 US4686323A (en) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Multiple cell, two terminal photovoltaic device employing conductively adhered cells |
| US879883 | 1986-06-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327067A true JPS6327067A (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=25375081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62163866A Pending JPS6327067A (ja) | 1986-06-30 | 1987-06-30 | 接着セルを用いるマルチプルセル２端子光電池デバイス |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4686323A (ja) |
| EP (1) | EP0251598A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6327067A (ja) |
| AU (1) | AU596849B2 (ja) |
| CA (1) | CA1299714C (ja) |
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