JPS63269072A - 電子放出素子特性測定装置 - Google Patents
電子放出素子特性測定装置Info
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- JPS63269072A JPS63269072A JP62103023A JP10302387A JPS63269072A JP S63269072 A JPS63269072 A JP S63269072A JP 62103023 A JP62103023 A JP 62103023A JP 10302387 A JP10302387 A JP 10302387A JP S63269072 A JPS63269072 A JP S63269072A
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 19
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- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
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- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/24—Testing of discharge tubes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電子放出素子、特に複数の電子放出部をもつ電
子放出素子の特性を測定する場合に好適な、電子放出素
子特性測定装置に関する。
子放出素子の特性を測定する場合に好適な、電子放出素
子特性測定装置に関する。
[従来技術]
電子放出素子に関しては、既に、特開昭54−1112
72号公報において、アバランシェ増倍作用により電子
を発生させ半導体表面から飛び出させる形式のものが、
その製造方法およびその応用装置とともに開示されてい
る。また、複数の電子放出部をもつ電子放出素子につい
ても上記公報に開示されている。
72号公報において、アバランシェ増倍作用により電子
を発生させ半導体表面から飛び出させる形式のものが、
その製造方法およびその応用装置とともに開示されてい
る。また、複数の電子放出部をもつ電子放出素子につい
ても上記公報に開示されている。
[発明が解決しようとする問題点]
しかし、これらの電子放出素子の放出電流を測定する装
置、特に動作中に測定する装置がなかった。このため、
ディスプレイ等に応用したときは目視により判断するこ
とはできるが、半導体露光装置に応用した場合は電子放
出素子に不良が発生しても検知できなかった。結局この
不良は製品検査の工程において発見されるわけであるが
、それでは遅すぎる。そして、その間に失われた時間や
不良品は膨大なものとなる。
置、特に動作中に測定する装置がなかった。このため、
ディスプレイ等に応用したときは目視により判断するこ
とはできるが、半導体露光装置に応用した場合は電子放
出素子に不良が発生しても検知できなかった。結局この
不良は製品検査の工程において発見されるわけであるが
、それでは遅すぎる。そして、その間に失われた時間や
不良品は膨大なものとなる。
本発明は、上記問題点を解決するため、電子放出素子の
放出電流を測定する装置特に複数の電子放出部をもつ電
子放出素子の放出電流を動作中に測定する電子放出素子
特性測定装置を提供することを目的とする。
放出電流を測定する装置特に複数の電子放出部をもつ電
子放出素子の放出電流を動作中に測定する電子放出素子
特性測定装置を提供することを目的とする。
すなわち、例えば半導体露光装置に応用したとき電子放
出素子の動作が不良となればこれを直ちに検出し不良品
の発生を防止することができるような、電子放出素子特
性測定装置を提供することを目的とする。
出素子の動作が不良となればこれを直ちに検出し不良品
の発生を防止することができるような、電子放出素子特
性測定装置を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段および作用コ上記目的を
達成するため本発明の電子放出素子特性測定装置は、電
子放出素子を所定周波数の電子流を放出するように駆動
させてこれにより放出された電子流を収集し、そこから
上記所定周波数成分による信号のみを抽出しこれに基づ
き電子放出素子の特性を表示あるいは出力するようにし
ている。
達成するため本発明の電子放出素子特性測定装置は、電
子放出素子を所定周波数の電子流を放出するように駆動
させてこれにより放出された電子流を収集し、そこから
上記所定周波数成分による信号のみを抽出しこれに基づ
き電子放出素子の特性を表示あるいは出力するようにし
ている。
このような本発明は、特に複数の電子放出部を有する電
子放出素子に用いた場合便利なもので、この場合、相互
に異なる周波数で各電子放出部から電子流を放出させ、
該異なる周波数毎に信号成分を抽出することにより、各
電子放出素子の特性を得ることができる。
子放出素子に用いた場合便利なもので、この場合、相互
に異なる周波数で各電子放出部から電子流を放出させ、
該異なる周波数毎に信号成分を抽出することにより、各
電子放出素子の特性を得ることができる。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る電子放出素子特性測定
装置を電子放出素子に組み合せたときの全体構成図であ
る。同図において、1は測定対象である電子放出素子で
おり、電子放出部L−1,1−2゜・・・、1−nをも
っている。2は電子放出素子1を駆動する駆動装置であ
り、電子放出部1−1.1−2.・・・、 l−nに対
応して発振周波数fl、f2+・・・、fnの発振源を
もっている。3は電子放出素子1より放出された電子を
収集する収集装置である。電子放出部1−1゜1−2.
・・・、1−nより放出された電子eは収集装置3に一
括して集められる。収集装置3は、例えば本電子放出素
子をウェハ露光用の電子ビーム装置に使用した場合には
、ウェハ保持用のチャックのウェハとの接触部に、保持
されたウェハと電気的に接するように設けられた電極で
ある。この場合電極は各電子放出部よりウェハに露光さ
れた電子を、クエへを介して収集する。このようにすれ
ば、ウェハ露先に使用している間も、後述する装置によ
り各電子放出部の特性をモニタする事が可能である。6
は電子放出素子1の表面と収集装置3との間に電界を発
生させ電子eの加速を行なう高圧電源である。この電圧
は使用目的や電子放出素子1と収集装置3との距離によ
り異なるが、通常数100Vから数KVの間に設定され
る。4は収集装置3で集められた電子eの中から各電子
放出部l−1゜1−2.・・・、1−nより放出され電
子流に対応する信号を分離・選択する選択装置である。
装置を電子放出素子に組み合せたときの全体構成図であ
る。同図において、1は測定対象である電子放出素子で
おり、電子放出部L−1,1−2゜・・・、1−nをも
っている。2は電子放出素子1を駆動する駆動装置であ
り、電子放出部1−1.1−2.・・・、 l−nに対
応して発振周波数fl、f2+・・・、fnの発振源を
もっている。3は電子放出素子1より放出された電子を
収集する収集装置である。電子放出部1−1゜1−2.
・・・、1−nより放出された電子eは収集装置3に一
括して集められる。収集装置3は、例えば本電子放出素
子をウェハ露光用の電子ビーム装置に使用した場合には
、ウェハ保持用のチャックのウェハとの接触部に、保持
されたウェハと電気的に接するように設けられた電極で
ある。この場合電極は各電子放出部よりウェハに露光さ
れた電子を、クエへを介して収集する。このようにすれ
ば、ウェハ露先に使用している間も、後述する装置によ
り各電子放出部の特性をモニタする事が可能である。6
は電子放出素子1の表面と収集装置3との間に電界を発
生させ電子eの加速を行なう高圧電源である。この電圧
は使用目的や電子放出素子1と収集装置3との距離によ
り異なるが、通常数100Vから数KVの間に設定され
る。4は収集装置3で集められた電子eの中から各電子
放出部l−1゜1−2.・・・、1−nより放出され電
子流に対応する信号を分離・選択する選択装置である。
選択装置4は選択周波数の異なる選択部4−1.4−2
.・・・、4−nより構成されている。選択部4−1.
4−2.・・−,4−nの周波数特性はそれぞれ駆動装
置2の発振源2−1.2−2 、・・・、2−nの発振
周波数成分のみを選択通過させる。5は選択装置4の出
力を表示する表示装置である。
.・・・、4−nより構成されている。選択部4−1.
4−2.・・−,4−nの周波数特性はそれぞれ駆動装
置2の発振源2−1.2−2 、・・・、2−nの発振
周波数成分のみを選択通過させる。5は選択装置4の出
力を表示する表示装置である。
この構成において、電子放出素子1の電子放出部1−1
.1−2.・・・、1−nをそれぞれ異った発振周波数
fl+f2+・・・+fnの発振源をもつ駆動装置2に
より駆動してそれぞれからf、、f2.・・・+fnの
周波数の電子流を放出させ、この電子流を収集装置3に
集めてから選択装置4の選択部4−1.4−2.・・・
、4−nにより上記発振周波数毎に選択し、これら各選
択部の出力を表示装置5に表示することにより、各電子
放出部1−1.1−2.・・−,1−nの放出状態を同
時にかつ分離して測定することができる。この場合、収
集装置3は各電子放出部1−1.1−2.・・・、1−
nに対して共通であるため、収集装置3が測定値に与え
る影響は無視することができる。また、駆動装置2、選
択装置4および表示装置5を予め較正しておけば、相対
値と共に絶対値を読み取ることも可能である。
.1−2.・・・、1−nをそれぞれ異った発振周波数
fl+f2+・・・+fnの発振源をもつ駆動装置2に
より駆動してそれぞれからf、、f2.・・・+fnの
周波数の電子流を放出させ、この電子流を収集装置3に
集めてから選択装置4の選択部4−1.4−2.・・・
、4−nにより上記発振周波数毎に選択し、これら各選
択部の出力を表示装置5に表示することにより、各電子
放出部1−1.1−2.・・−,1−nの放出状態を同
時にかつ分離して測定することができる。この場合、収
集装置3は各電子放出部1−1.1−2.・・・、1−
nに対して共通であるため、収集装置3が測定値に与え
る影響は無視することができる。また、駆動装置2、選
択装置4および表示装置5を予め較正しておけば、相対
値と共に絶対値を読み取ることも可能である。
第2図は駆動装置2の発振源2−1.2−2 、・・・
、2−nの発振周波数f、、f、、・・・+fnと選択
装置4の選択部4−1.4−2.・・・、4−nの周波
数特性との関係を示すグラフである。同図のように、f
l、f2+・・・、fnは相異なる周波数であるが、こ
れらに対応する各選択部4−1.4−2.・・・、4−
nで分離・選択できるように相互の周波数差を設定する
ことが必要である。
、2−nの発振周波数f、、f、、・・・+fnと選択
装置4の選択部4−1.4−2.・・・、4−nの周波
数特性との関係を示すグラフである。同図のように、f
l、f2+・・・、fnは相異なる周波数であるが、こ
れらに対応する各選択部4−1.4−2.・・・、4−
nで分離・選択できるように相互の周波数差を設定する
ことが必要である。
このとき、各部の非線形ひずみによる誤差を回避するた
め、fIrf2.・・・、fnは倍数関係に無いことが
望ましい。実施上の点からは、周波数f、、f2゜・・
・、fnは可聴周波数くらい、すなわち数100)IZ
から数10K)lzが製作しやすい。また、選択装置4
の通過帯域の特性は、発振周波数f1.f、、・・−、
fnの変化が測定値に影響しないようできるだけフラッ
トであることが望ましい。
め、fIrf2.・・・、fnは倍数関係に無いことが
望ましい。実施上の点からは、周波数f、、f2゜・・
・、fnは可聴周波数くらい、すなわち数100)IZ
から数10K)lzが製作しやすい。また、選択装置4
の通過帯域の特性は、発振周波数f1.f、、・・−、
fnの変化が測定値に影響しないようできるだけフラッ
トであることが望ましい。
第3図は第1図の全体構成図の中の電子放出部l−1、
駆動装置2−1、選択装置4−1、表示装置5−1をよ
り詳細に示した回路図である。同図において、電子放出
部1−1はpn構造をもつアバランシェ型電子放出部で
、逆バイアスされたn形層の表面より電子eを放出する
。 2−1−1は電子放出部1−1の駆動電流を制御す
るスイッチである。すなわちスイッチ2−1−1がオン
のときは電子放出部1−1の表面より電子eが放出され
、収集装置3にて収集される。スイッチ2−11がオフ
のときは電子eは放出されない。2−1−2は電子放出
部1−1の動作点を決定する低圧電源であって、通常1
0V〜100V程度に設定される。2−1−3は周波数
f、で発振する発振源であって、その振巾と周波数は可
変であり最適値に設定することができる。2−1−4は
発振源2−1−3の出力を電子放出部1−1に印加する
か否かを選択するスイッチであり、本発明に基いて測定
を行なうときはオンしなければならない。2−1−5は
発振源2−1−3の出力を低圧電源2−1−2に重畳さ
せる入カドランスであり、低圧電源2−1−2と接続さ
れる巻線の直流抵抗は電子放出部1−1に対して十分低
いことが望ましい。7は収集装置3に収集された電子流
の中から周波数f1゜f2.・・・、fn成分を取り出
す出カドランスである。
駆動装置2−1、選択装置4−1、表示装置5−1をよ
り詳細に示した回路図である。同図において、電子放出
部1−1はpn構造をもつアバランシェ型電子放出部で
、逆バイアスされたn形層の表面より電子eを放出する
。 2−1−1は電子放出部1−1の駆動電流を制御す
るスイッチである。すなわちスイッチ2−1−1がオン
のときは電子放出部1−1の表面より電子eが放出され
、収集装置3にて収集される。スイッチ2−11がオフ
のときは電子eは放出されない。2−1−2は電子放出
部1−1の動作点を決定する低圧電源であって、通常1
0V〜100V程度に設定される。2−1−3は周波数
f、で発振する発振源であって、その振巾と周波数は可
変であり最適値に設定することができる。2−1−4は
発振源2−1−3の出力を電子放出部1−1に印加する
か否かを選択するスイッチであり、本発明に基いて測定
を行なうときはオンしなければならない。2−1−5は
発振源2−1−3の出力を低圧電源2−1−2に重畳さ
せる入カドランスであり、低圧電源2−1−2と接続さ
れる巻線の直流抵抗は電子放出部1−1に対して十分低
いことが望ましい。7は収集装置3に収集された電子流
の中から周波数f1゜f2.・・・、fn成分を取り出
す出カドランスである。
第4図は発振源2−1−3の具体例を示す回路図である
。同図において、A11 A2はオペアンプ、DI、D
2はダイオード、R1、R2、R3。
。同図において、A11 A2はオペアンプ、DI、D
2はダイオード、R1、R2、R3。
R4,R,、R,は抵抗器、CI 、C2はコンデンサ
である。抵抗器RI * R8は各々周波数および振巾
を調整できるように可変とする。この回路において発振
周波数fは下式で決定される。
である。抵抗器RI * R8は各々周波数および振巾
を調整できるように可変とする。この回路において発振
周波数fは下式で決定される。
例えばR1−Rz−10にΩ、C、−C、−0,0Lμ
Fとすれば、f J=!r1.59KHzとなる。
Fとすれば、f J=!r1.59KHzとなる。
本回路の設計については、“[(AND BOOK 0
FOPERATIONAL AMPLIFIERCIR
CUIT DESIGN ” 1973McGraw−
Hillの第21章に詳しく述べられている。
FOPERATIONAL AMPLIFIERCIR
CUIT DESIGN ” 1973McGraw−
Hillの第21章に詳しく述べられている。
第5図は第1図の電子放出素子1の任意の電子放出部を
駆動装置2によって駆動したときの駆動電圧とその電子
放出部から放出される電流との関係を示すグラフである
。
駆動装置2によって駆動したときの駆動電圧とその電子
放出部から放出される電流との関係を示すグラフである
。
同図において、51は電子放出特性曲線であり、駆動電
圧がスレッショルド電圧Vth以下のとき放出電流は実
質的に0でありVthを超えると直線的に増加している
0曲線52Aは振巾Aの正弦波(AsLn2πf、t)
を直流電圧v0に重畳して印加した状態を示すeVoは
Vthより大でありかつ振巾Aは2A<Va−Vthの
式を満足する。また、上記振巾Aの正弦波と直流電圧v
0はそれぞれ第3図の発振源2−1−3と低圧電源2−
1−2より供給される。53Aは駆動電圧が曲線52A
に従って変化したときの放出電流を示す。このとき、放
出電流53Aの変化は、駆動電圧52Aの変化に対応し
電子放出特性曲線51の勾配に比例する。放出電流53
Aを選択装置4に通せばこの変化分を取り出すことがで
き、これより電子放出特性曲線51の勾配を測定するこ
とができる。
圧がスレッショルド電圧Vth以下のとき放出電流は実
質的に0でありVthを超えると直線的に増加している
0曲線52Aは振巾Aの正弦波(AsLn2πf、t)
を直流電圧v0に重畳して印加した状態を示すeVoは
Vthより大でありかつ振巾Aは2A<Va−Vthの
式を満足する。また、上記振巾Aの正弦波と直流電圧v
0はそれぞれ第3図の発振源2−1−3と低圧電源2−
1−2より供給される。53Aは駆動電圧が曲線52A
に従って変化したときの放出電流を示す。このとき、放
出電流53Aの変化は、駆動電圧52Aの変化に対応し
電子放出特性曲線51の勾配に比例する。放出電流53
Aを選択装置4に通せばこの変化分を取り出すことがで
き、これより電子放出特性曲線51の勾配を測定するこ
とができる。
52Bおよび53Bはそれぞれ振巾Bの正弦波(Bsf
n 2πfzt)を直流電圧Vthに重畳させた場合の
駆動電圧およびこのときの放出電流を示す。放出電流5
3Bは基本波成分以外に奇数次高調波を含んでいる。従
ってこのように動作点を設定したときは各発振周波数f
l+f2+・・・、11間の関係が奇数倍にならないよ
うに設定しなければならない。
n 2πfzt)を直流電圧Vthに重畳させた場合の
駆動電圧およびこのときの放出電流を示す。放出電流5
3Bは基本波成分以外に奇数次高調波を含んでいる。従
ってこのように動作点を設定したときは各発振周波数f
l+f2+・・・、11間の関係が奇数倍にならないよ
うに設定しなければならない。
第6図は本発明の他の実施例に係る電子放出素子特性測
定装置の構成を示す部分図である。この図に表現されて
いない部分は第1図と同じである。
定装置の構成を示す部分図である。この図に表現されて
いない部分は第1図と同じである。
同図において、8は積分装置であって、選択装置4と表
示装置5の中間に構成され選択装置4の出力を時間積分
してその積分値を出力する。この積分装置8はオペアン
プを用いて容易に実現できる。このように積分装置8を
付加することにより、電子放出素子の放出電流を積分値
として測定することができる。これは電子放出素子を半
導体露光装置に応用したときの使用状態に近い。すなわ
ちここで得られた積分値は電子線レジストに与えられた
電荷量に等しいから、この積分量の測定により電子線レ
ジストの露光状況をモニタリングできる。そして、この
積分量と予め設定した値とを比較することにより露光量
を最適化することが可能となる。
示装置5の中間に構成され選択装置4の出力を時間積分
してその積分値を出力する。この積分装置8はオペアン
プを用いて容易に実現できる。このように積分装置8を
付加することにより、電子放出素子の放出電流を積分値
として測定することができる。これは電子放出素子を半
導体露光装置に応用したときの使用状態に近い。すなわ
ちここで得られた積分値は電子線レジストに与えられた
電荷量に等しいから、この積分量の測定により電子線レ
ジストの露光状況をモニタリングできる。そして、この
積分量と予め設定した値とを比較することにより露光量
を最適化することが可能となる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によって放出電流を測定す
ることより以下の効果を奏する。
ることより以下の効果を奏する。
(1)電子放出素子の不良を即時に検出でき、不良品の
発生を防止できる。
発生を防止できる。
(2)電子放出素子の電子放出素子のばらつきを予め測
定しておくことができ、動作点を最適に設定することに
より放出電流のばらつきを最小にできる。
定しておくことができ、動作点を最適に設定することに
より放出電流のばらつきを最小にできる。
(3)放出電流の積分量を測定することにより、半導体
露光装置に応用したときその露光量を最適化できる。
露光装置に応用したときその露光量を最適化できる。
第1図は、本発明の一実施例に係る電子放出素子特性測
定装置を電子放出素子に組み合わせたときの全体構成図
、 342図は、第1図の装置に用いられる発振源の発振周
波数と選択装置の周波数特性との関係を示すグラフ、 第3図は、第1図中の電子放出部、駆動装置、選択装置
および表示装置の一部をより詳細に示す回路図、 第4図は第1図の装置に用いられる発振源の具体例を示
す回路図、 第5図は、第1図中の任意の電子放出素子の駆動電圧と
放出電流との関係を示すグラフ、そして第6図は、本発
明の他の実施例に係る電子放出素子特性測定装置であっ
て積分装置をもつものの構成を示す部分図である。 1:iii子放出素子、 2:駆動装置、 3:収集装置、 4:選択装置、 5:表示装置、 6:高圧電源、 7:出カドランス、 8:積分装置。 第1図 第2図
定装置を電子放出素子に組み合わせたときの全体構成図
、 342図は、第1図の装置に用いられる発振源の発振周
波数と選択装置の周波数特性との関係を示すグラフ、 第3図は、第1図中の電子放出部、駆動装置、選択装置
および表示装置の一部をより詳細に示す回路図、 第4図は第1図の装置に用いられる発振源の具体例を示
す回路図、 第5図は、第1図中の任意の電子放出素子の駆動電圧と
放出電流との関係を示すグラフ、そして第6図は、本発
明の他の実施例に係る電子放出素子特性測定装置であっ
て積分装置をもつものの構成を示す部分図である。 1:iii子放出素子、 2:駆動装置、 3:収集装置、 4:選択装置、 5:表示装置、 6:高圧電源、 7:出カドランス、 8:積分装置。 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電子放出素子を駆動して所定周波数の電子流を放出
させる素子駆動手段と、該電子放出素子より放出された
電子流を収集する電子収集手段と、該電子収集手段によ
って収集された電子流のうち上記所定周波数成分による
信号を選択し抽出する信号選択手段と、該信号選択手段
の出力に基づき上記電子放出素子の特性を表示しあるい
は出力する測定結果出力手段とを具備することを特徴と
する電子放出素子特性測定装置。 2、前記測定結果出力手段が積分手段を有し、前記信号
選択手段の出力を積分して表示あるいは出力するもので
ある特許請求の範囲第1項記載の電子放出素子特性測定
装置。 3、前記電子放出素子が複数の電子放出部を有するもの
であり、前記素子駆動手段が該複数電子放出部からそれ
ぞれ相互に異なる周波数の電子流を放出させるものであ
り、前記信号選択手段が該周波数毎に信号を選択して抽
出するものである特許請求の範囲第1項記載の電子放出
素子特性測定装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62103023A JP2599591B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 電子放出素子特性測定装置 |
US07/186,963 US4894611A (en) | 1987-04-28 | 1988-04-27 | System for measuring characteristics of electron emitting sources |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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