JPS61151481A - サイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量測定方法 - Google Patents
サイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量測定方法Info
- Publication number
- JPS61151481A JPS61151481A JP27293784A JP27293784A JPS61151481A JP S61151481 A JPS61151481 A JP S61151481A JP 27293784 A JP27293784 A JP 27293784A JP 27293784 A JP27293784 A JP 27293784A JP S61151481 A JPS61151481 A JP S61151481A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はサイリスタの誤動作を検出してそのサイリスタ
のｄｖ ／ ｄｔ耐量を測定するサイリフタのｄｖ ／
ｄｔ耐量測定方法に関するものである。
のｄｖ ／ ｄｔ耐量を測定するサイリフタのｄｖ ／
ｄｔ耐量測定方法に関するものである。
第６図はサイリスタの層構成を示す説明図であシ、図中
Ｒ６、はショート・エミッタ用の抵抗である。第６図に
示すサイリスタのアノードＡとカノードＸとの間に１第
７図に示すような一定の傾斜の立上シをもつ電圧ｖＬ（
以下、ランプ電圧と称する）管印加すると、サイリスタ
の中央のＰＮ接合が示す接合容量の充電電流がサイリス
タに流れ、ゲートＧとカンードにとの間に第７図に示す
電圧ＶＱｆが発生する。そして、ランプ電圧ｖｔ、の傾
斜を変化させると電圧Ｖ。、のビーク電圧値が増減し、
七扛がトランジスタのベース・エミッタ順方向電圧ｖ１
．（通常、約［１Ｌ７ｖ）ｔｌ−越えると、ゲートＧを
外部から制御していないＦＣ′ｄｂかかわらずサイリス
タは点弧する。このときのランプ電圧ｖＬの単位時間当
シの電圧変化量ｄｖ ／ ｄｔは、サイリスタの誤動作
耐量を示すものであり、ａｖ／ａｔ耐量あるいに順方向
臨界電圧上昇率と呼ばれている。
Ｒ６、はショート・エミッタ用の抵抗である。第６図に
示すサイリスタのアノードＡとカノードＸとの間に１第
７図に示すような一定の傾斜の立上シをもつ電圧ｖＬ（
以下、ランプ電圧と称する）管印加すると、サイリスタ
の中央のＰＮ接合が示す接合容量の充電電流がサイリス
タに流れ、ゲートＧとカンードにとの間に第７図に示す
電圧ＶＱｆが発生する。そして、ランプ電圧ｖｔ、の傾
斜を変化させると電圧Ｖ。、のビーク電圧値が増減し、
七扛がトランジスタのベース・エミッタ順方向電圧ｖ１
．（通常、約［１Ｌ７ｖ）ｔｌ−越えると、ゲートＧを
外部から制御していないＦＣ′ｄｂかかわらずサイリス
タは点弧する。このときのランプ電圧ｖＬの単位時間当
シの電圧変化量ｄｖ ／ ｄｔは、サイリスタの誤動作
耐量を示すものであり、ａｖ／ａｔ耐量あるいに順方向
臨界電圧上昇率と呼ばれている。
サイリスタのｄｖ／ａｔ耐ｉを測定するためには、サイ
リスタに傾斜の異なるランプ電圧パルス’ｅ順次印加し
てゆき、サイリスタが誤動作するランプ電圧の傾斜、す
なわちｄｖ／ａｔ値を見つけ出すことが必要である。こ
のためサイリスタが誤動作したかどうかを検出する手段
が必要となるが、この誤動作検出手段としては、例えば
、特公昭５４−３３４８号公報に示さｎているように１
サイリスク両端電圧の観測波形の変化からサイリスタが
誤動作し九時点を検出する方法がある。
リスタに傾斜の異なるランプ電圧パルス’ｅ順次印加し
てゆき、サイリスタが誤動作するランプ電圧の傾斜、す
なわちｄｖ／ａｔ値を見つけ出すことが必要である。こ
のためサイリスタが誤動作したかどうかを検出する手段
が必要となるが、この誤動作検出手段としては、例えば
、特公昭５４−３３４８号公報に示さｎているように１
サイリスク両端電圧の観測波形の変化からサイリスタが
誤動作し九時点を検出する方法がある。
しかしながら上述測定方法では、サイリスタが誤動作す
る前後の両端電圧が不安定であることから、特に高電圧
の測定において精度が低い上に安定性に欠け、また波形
観測による誤動作検出なので自動化しにくいという問題
点があっ友。
る前後の両端電圧が不安定であることから、特に高電圧
の測定において精度が低い上に安定性に欠け、また波形
観測による誤動作検出なので自動化しにくいという問題
点があっ友。
本発明は上記のような問題点を解消する几めになされた
もので、特に高電圧でのサイリスタのｃＬｖ／ｄｔ耐量
をも精度よく、かつ安定に測定できると共に、測定の自
動化に好適なサイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量測定方法を提
供することを目的とする。
もので、特に高電圧でのサイリスタのｃＬｖ／ｄｔ耐量
をも精度よく、かつ安定に測定できると共に、測定の自
動化に好適なサイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量測定方法を提
供することを目的とする。
本発明回路は、誤動作検出手段として光結合素子を用い
たもので、その受光ｍを、測定対象であるサイリスタに
直列接続された負荷抵抗に直列に接続し、同受光部から
誤動作検出情報を得るようにしたものである。
たもので、その受光ｍを、測定対象であるサイリスタに
直列接続された負荷抵抗に直列に接続し、同受光部から
誤動作検出情報を得るようにしたものである。
以下第１図〜第５図を参照して本発明の詳細な説明する
。第１図は本発明によるサイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量測
定方法を実現する一実施例回路図で、光結合素子として
光結合トランジスタを用いた場合全例示したものである
。この第１図において、１は測定対象であるサイリスタ
で、このサイリスタ１の７ノードＡには負荷抵抗ＲＬと
光結合素子６の発光部である発光タイオードＤ、が直列
に接続さｎ、七ｎらを介してさらにランプ電圧発生器２
が接続されている。また、上記サイリスタ１のゲートＧ
とカンードにとの間には抵抗１（ａｔが接続さｎｌかつ
カンードには接地さｎている。−万、光結合素子３の受
光部である受光トランジスタＱ。
。第１図は本発明によるサイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量測
定方法を実現する一実施例回路図で、光結合素子として
光結合トランジスタを用いた場合全例示したものである
。この第１図において、１は測定対象であるサイリスタ
で、このサイリスタ１の７ノードＡには負荷抵抗ＲＬと
光結合素子６の発光部である発光タイオードＤ、が直列
に接続さｎ、七ｎらを介してさらにランプ電圧発生器２
が接続されている。また、上記サイリスタ１のゲートＧ
とカンードにとの間には抵抗１（ａｔが接続さｎｌかつ
カンードには接地さｎている。−万、光結合素子３の受
光部である受光トランジスタＱ。
のエミッタは接地さｎ、コレクタは抵抗Ｒ，を介して電
源Ｅ、に接続さｎている。
源Ｅ、に接続さｎている。
第１図の回路構成において、サイリスタ１のｄｖ／ｄｔ
耐素測定耐久測定うに行なわれる。まず、ランプ電圧発
生器２によってランプ電圧パルスＶ。を周期的に発生さ
せ、サイリスタ１に印加する。このとき第２図に示すよ
うにランプ電圧パルスＶ。を、その傾斜が緩やかなもの
から急なものへと変化させてゆく。その結果、ついに＃
：ｔサイリスタ１が点弧してしまうが、サイリスタ１が
点弧するとその特性上インピーダンスが急減する次めオ
ン電流が流ｎ、そのアノード・カンード間電圧Ｖ□は第
２図のような変化を示す。また、サイリスタ１にオン電
流が流扛ることによって発光ダイオードＤ、からは光を
発するが、この光で受光トランジスタＱ。
耐素測定耐久測定うに行なわれる。まず、ランプ電圧発
生器２によってランプ電圧パルスＶ。を周期的に発生さ
せ、サイリスタ１に印加する。このとき第２図に示すよ
うにランプ電圧パルスＶ。を、その傾斜が緩やかなもの
から急なものへと変化させてゆく。その結果、ついに＃
：ｔサイリスタ１が点弧してしまうが、サイリスタ１が
点弧するとその特性上インピーダンスが急減する次めオ
ン電流が流ｎ、そのアノード・カンード間電圧Ｖ□は第
２図のような変化を示す。また、サイリスタ１にオン電
流が流扛ることによって発光ダイオードＤ、からは光を
発するが、この光で受光トランジスタＱ。
Ｌオン状態とな勺、その出力電圧Ｖ、は図４に示す如＜
ｇ＋からＯｖへ変化する。
ｇ＋からＯｖへ変化する。
本発明はこのときの出力電圧Ｖ、の変化をサイリスタ１
の誤動作検出情報として用いるものである。
の誤動作検出情報として用いるものである。
サイリスタ１のａｖ ／ ｄｔ Ｉｔ ：ｔは、上記誤
動作が検出さｊ、た時点でのランプ電圧パルスＶ。の傾
斜が示−ｒ即位時間当りの電圧変化量（Ｖ？ ／ ｔｒ
）で示される。
動作が検出さｊ、た時点でのランプ電圧パルスＶ。の傾
斜が示−ｒ即位時間当りの電圧変化量（Ｖ？ ／ ｔｒ
）で示される。
ここで、サイリスタ１の上記誤動作はその両端電圧ｖＡ
Ｋの変化からも検出さｎるが、点弧寸前の”ＡＩは非常
に不安定である九め検出情報として確実でない。ま友、
一般にサイリスタのｄｖ／ａｔ耐ｔはランプ電圧パルス
（ｖｏ）の最高到達電圧（Ｖ、）に依存し、その電圧値
は重要な測定条件であシ、従ってこの最高到達電圧（Ｖ
？）を変化させてｄｖ ／ ｄｔ耐′ｉｋを測定するこ
とが多い。そこで、高電圧のｄｖ／ａｔ耐量測定におい
て、を圧Ｖ□の変化からサイリスタ１の誤動作を検出す
ることを考えたときＫ、電圧Ｖバが高電圧であるからそ
の検出情報を論理回路レベルの情報として扱うことは難
しい。しかし本発明では、サイリスタ１０オン電流から
誤動作検出情報を得るためその情報の取扱いは簡単。
Ｋの変化からも検出さｎるが、点弧寸前の”ＡＩは非常
に不安定である九め検出情報として確実でない。ま友、
一般にサイリスタのｄｖ／ａｔ耐ｔはランプ電圧パルス
（ｖｏ）の最高到達電圧（Ｖ、）に依存し、その電圧値
は重要な測定条件であシ、従ってこの最高到達電圧（Ｖ
？）を変化させてｄｖ ／ ｄｔ耐′ｉｋを測定するこ
とが多い。そこで、高電圧のｄｖ／ａｔ耐量測定におい
て、を圧Ｖ□の変化からサイリスタ１の誤動作を検出す
ることを考えたときＫ、電圧Ｖバが高電圧であるからそ
の検出情報を論理回路レベルの情報として扱うことは難
しい。しかし本発明では、サイリスタ１０オン電流から
誤動作検出情報を得るためその情報の取扱いは簡単。
確実であり、ま次光結合で上記情報を伝達していること
から、ｄｖ／ａｔ耐量の測定１圧にかかわらず測定系と
電気的に分離さ′ｒした状態で論理回路レベルの検出電
圧が得らｎことになる０この結果、高電圧のｃｌｖ／ｄ
ｔ’耐量測定においても安定例、かつ８展長〈その測定
を行うことができる。また、誤動作の検出情報が論理回
路レベルの信号として得らｎるためｄｖ／ｉ耐量測定の
自動化に好適である。
から、ｄｖ／ａｔ耐量の測定１圧にかかわらず測定系と
電気的に分離さ′ｒした状態で論理回路レベルの検出電
圧が得らｎことになる０この結果、高電圧のｃｌｖ／ｄ
ｔ’耐量測定においても安定例、かつ８展長〈その測定
を行うことができる。また、誤動作の検出情報が論理回
路レベルの信号として得らｎるためｄｖ／ｉ耐量測定の
自動化に好適である。
なお、ランプ電圧発生器２は種々の構成例が考えらする
が、その−例を第５図に示す。第３図はトランジスタと
容量との組合せによって構成したランプ電圧発生器２の
例を示す回路図である０すなわち、パルス発生器４が発
生する信号を、抵抗Ｒｏを介してトランジスタＱ、。の
エミッタ・ペース間に印加し、トランジスタＱ。のコレ
クタ電流で容量Ｃｏを充電して端子ｖｌｌｌＫ出力ラン
プ亀う圧を得るものである。このランプ電圧発生器２に
おいて、出力ラング電圧の周期はパルス発生器４によっ
て決まり、立上りの傾斜はパルス発生器４の出力パルス
振幅と８０の抵抗値およびＣ６の容量値によって変化し
、さらに最高到達電圧（Ｖ、）は１源Ｅ。とほぼ等しく
なる。従って、これらの値’ｔｆ化させることによって
所望のランプ電圧パルス（ｖｏ）を発生させることがで
きる。
が、その−例を第５図に示す。第３図はトランジスタと
容量との組合せによって構成したランプ電圧発生器２の
例を示す回路図である０すなわち、パルス発生器４が発
生する信号を、抵抗Ｒｏを介してトランジスタＱ、。の
エミッタ・ペース間に印加し、トランジスタＱ。のコレ
クタ電流で容量Ｃｏを充電して端子ｖｌｌｌＫ出力ラン
プ亀う圧を得るものである。このランプ電圧発生器２に
おいて、出力ラング電圧の周期はパルス発生器４によっ
て決まり、立上りの傾斜はパルス発生器４の出力パルス
振幅と８０の抵抗値およびＣ６の容量値によって変化し
、さらに最高到達電圧（Ｖ、）は１源Ｅ。とほぼ等しく
なる。従って、これらの値’ｔｆ化させることによって
所望のランプ電圧パルス（ｖｏ）を発生させることがで
きる。
第１図に説明を戻すと、同図において、負荷抵抗Ｒ５は
サイリスタ１が点弧したときにそのオン電流を制限する
ためのものであり、その抵抗値は印加するランプ電圧の
最高到達電圧（Ｖ、）とサイリスタ１の電流容量もしく
はランプ電圧発生器２の最大出力を流によって決まる。
サイリスタ１が点弧したときにそのオン電流を制限する
ためのものであり、その抵抗値は印加するランプ電圧の
最高到達電圧（Ｖ、）とサイリスタ１の電流容量もしく
はランプ電圧発生器２の最大出力を流によって決まる。
この抵抗ＲＬの存在のためにランプ電圧発生器２の出力
電圧Ｖ。が示すｄｖ／ｄｔと実際にサイリスタ１に加わ
るｄｖ ／ ａｔとに差を生じ、測定誤差となる場合が
ある。この誤差の大きさに、抵抗ＲＬとサイリスタ１の
オフ時インピーダンスとの比によって決まる。測定誤差
が生じるような場合には、第４図に示すように、抵抗Ｒ
Ｌと発光ダイオードＤ、との直列回路と並列に容量ＣＬ
全接続した構成をとることで問題が解消さ扛る。
電圧Ｖ。が示すｄｖ／ｄｔと実際にサイリスタ１に加わ
るｄｖ ／ ａｔとに差を生じ、測定誤差となる場合が
ある。この誤差の大きさに、抵抗ＲＬとサイリスタ１の
オフ時インピーダンスとの比によって決まる。測定誤差
が生じるような場合には、第４図に示すように、抵抗Ｒ
Ｌと発光ダイオードＤ、との直列回路と並列に容量ＣＬ
全接続した構成をとることで問題が解消さ扛る。
第４図において、容１ｋｃｔ、の値をサイリスタ１のオ
フ時インピーダンスに対して充分に低いインピーダンス
となるように設定すれば、測定誤差は無視できることに
なるから精度良（ｄｖ／ａｔ耐ｉを測定でき、かつ安定
した誤動作検出情報を取出せることに°変わジはない。
フ時インピーダンスに対して充分に低いインピーダンス
となるように設定すれば、測定誤差は無視できることに
なるから精度良（ｄｖ／ａｔ耐ｉを測定でき、かつ安定
した誤動作検出情報を取出せることに°変わジはない。
第５図は本発明を実現するの他の実施例回路図であり、
ここでは、サイリスタ１のアノードＡを接地し、カソー
ドにの官位を下降させてａｖ／ａｔ耐量を測定する場合
を示したものである。第５図の回路構成は、ランプ電圧
発生器２および負荷抵抗ＲＬ、発光タイオードＤ、の位
置と、発生するランプ電圧の極性とが第１図に示した実
施例と異なるが、ａｖｌａｔｉｔｔｉＬを測定する手順
は第１図に示し之実施例と同様である。第５図の実施例
では第１図の場合と異なってランプｔ、圧が負極性とな
るが、サイリスタ１の誤動作検出情報としての受光トラ
ンジスタＱ１．の出力１．圧Ｖ、のｔ圧しベルは第１図
の場合と同じになり、安定かつ正確にａｖｌａｔｉｔｔ
ｉＬを測定できる。
ここでは、サイリスタ１のアノードＡを接地し、カソー
ドにの官位を下降させてａｖ／ａｔ耐量を測定する場合
を示したものである。第５図の回路構成は、ランプ電圧
発生器２および負荷抵抗ＲＬ、発光タイオードＤ、の位
置と、発生するランプ電圧の極性とが第１図に示した実
施例と異なるが、ａｖｌａｔｉｔｔｉＬを測定する手順
は第１図に示し之実施例と同様である。第５図の実施例
では第１図の場合と異なってランプｔ、圧が負極性とな
るが、サイリスタ１の誤動作検出情報としての受光トラ
ンジスタＱ１．の出力１．圧Ｖ、のｔ圧しベルは第１図
の場合と同じになり、安定かつ正確にａｖｌａｔｉｔｔ
ｉＬを測定できる。
なお、上述実施例でに、光結合素子として光結合トラン
ジスタを用いた場合について説明したが、例えは光結合
サイリスタなど、他の光結合素子を用いても上述実施例
と同様の効果が得らｒることはいう１でもない。
ジスタを用いた場合について説明したが、例えは光結合
サイリスタなど、他の光結合素子を用いても上述実施例
と同様の効果が得らｒることはいう１でもない。
以上述べたように本発明によれは、特に高電圧でのサイ
リスタのｄｖ／ｄｔ耐量測定においても、その誤動作検
出情報を確実に取出せるため、より高￥ｉｌｆ度で安定
な測定を行うことができる。また、その誤動作検出情報
は、ランプ電圧の最高到達電圧や極性Ｋかかわらす、測
定系とは分離さｆ′Ｌ九電圧電圧レベルらｎる九め、ｄ
ｖ／ａｔ耐量測定の自動化に好適するなどの効果がある
。
リスタのｄｖ／ｄｔ耐量測定においても、その誤動作検
出情報を確実に取出せるため、より高￥ｉｌｆ度で安定
な測定を行うことができる。また、その誤動作検出情報
は、ランプ電圧の最高到達電圧や極性Ｋかかわらす、測
定系とは分離さｆ′Ｌ九電圧電圧レベルらｎる九め、ｄ
ｖ／ａｔ耐量測定の自動化に好適するなどの効果がある
。
第１図は本発明を実現する一実施例回路図、第２図は第
１図に示した回路の各ｓ電圧波形図、第３図は第１図中
のランプ電圧発生器の一例を示す回路図、第４図は第１
図中の要部回路の他の例を示す図、第５図は本発明ｔｌ
−実現する他の実施例回路図、第６図はサイリスタの層
構成を示す図、第７図はランプ電圧とサイリスタのゲー
ト・カンード間亀圧の波形図である。 １・・・サイリスク、２・・・ラング１．圧発生器、３
・・・光結合素子、Ｄ、・・・発光ダイオード、 Ｑ
ｌ・・−受光トランジスタ％ ＲＬ＋＋ ＲＱＫ＋
Ｒ＋・・・抵抗％ Ｌ・・・直流電源ｏ
、−へ第１図
第２図 第３図 第斗図 第５図 ７４６図 第″７詔
１図に示した回路の各ｓ電圧波形図、第３図は第１図中
のランプ電圧発生器の一例を示す回路図、第４図は第１
図中の要部回路の他の例を示す図、第５図は本発明ｔｌ
−実現する他の実施例回路図、第６図はサイリスタの層
構成を示す図、第７図はランプ電圧とサイリスタのゲー
ト・カンード間亀圧の波形図である。 １・・・サイリスク、２・・・ラング１．圧発生器、３
・・・光結合素子、Ｄ、・・・発光ダイオード、 Ｑ
ｌ・・−受光トランジスタ％ ＲＬ＋＋ ＲＱＫ＋
Ｒ＋・・・抵抗％ Ｌ・・・直流電源ｏ
、−へ第１図
第２図 第３図 第斗図 第５図 ７４６図 第″７詔
Claims (1)
- サイリスタに直列接続された負荷抵抗と、上記サイリス
タの誤動作を検出する誤動作検出手段と、任意に設定し
た傾斜のランプ電圧を周期的に発生して上記サイリスタ
と負荷抵抗の直列回路に印加するランプ電圧発生器とか
らなり、上記誤動作検出手段により上記サイリスタの誤
動作を検出してそのサイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量を測定
する方法において、上記誤動作検出手段は発光部が上記
負荷抵抗に直列接続された光結合素子であることを特徴
とするサイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59272937A JPH0664120B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | サイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59272937A JPH0664120B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | サイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151481A true JPS61151481A (ja) | 1986-07-10 |
| JPH0664120B2 JPH0664120B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=17520840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59272937A Expired - Lifetime JPH0664120B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | サイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664120B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007267436A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 半導体電力変換装置及びその試験方法 |
| CN101984532A (zh) * | 2010-10-12 | 2011-03-09 | 中国电力科学研究院 | 一种新型晶闸管dv/dt保护方法 |
| CN110308312A (zh) * | 2019-08-08 | 2019-10-08 | 南京芯长征科技有限公司 | 能实现高压测试中高压隔离的方法及装置 |
| CN112415356A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-02-26 | 阳光电源股份有限公司 | 一种晶闸管关断特性测试装置和测试方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5015037A (ja) * | 1973-06-15 | 1975-02-17 | ||
| JPS5348479A (en) * | 1976-10-15 | 1978-05-01 | Hitachi Ltd | Dv/dt rating measuring circuit of thyristor |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP59272937A patent/JPH0664120B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5015037A (ja) * | 1973-06-15 | 1975-02-17 | ||
| JPS5348479A (en) * | 1976-10-15 | 1978-05-01 | Hitachi Ltd | Dv/dt rating measuring circuit of thyristor |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007267436A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 半導体電力変換装置及びその試験方法 |
| CN101984532A (zh) * | 2010-10-12 | 2011-03-09 | 中国电力科学研究院 | 一种新型晶闸管dv/dt保护方法 |
| CN110308312A (zh) * | 2019-08-08 | 2019-10-08 | 南京芯长征科技有限公司 | 能实现高压测试中高压隔离的方法及装置 |
| CN110308312B (zh) * | 2019-08-08 | 2021-04-23 | 南京芯长征科技有限公司 | 能实现高压测试中高压隔离的方法及装置 |
| CN112415356A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-02-26 | 阳光电源股份有限公司 | 一种晶闸管关断特性测试装置和测试方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0664120B2 (ja) | 1994-08-22 |
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