JPS61151481A - サイリスタのdv/dt耐量測定方法 - Google Patents
サイリスタのdv/dt耐量測定方法Info
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- JPS61151481A JPS61151481A JP27293784A JP27293784A JPS61151481A JP S61151481 A JPS61151481 A JP S61151481A JP 27293784 A JP27293784 A JP 27293784A JP 27293784 A JP27293784 A JP 27293784A JP S61151481 A JPS61151481 A JP S61151481A
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- light
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はサイリスタの誤動作を検出してそのサイリスタ
のdv / dt耐量を測定するサイリフタのdv /
dt耐量測定方法に関するものである。
のdv / dt耐量を測定するサイリフタのdv /
dt耐量測定方法に関するものである。
第6図はサイリスタの層構成を示す説明図であシ、図中
R6、はショート・エミッタ用の抵抗である。第6図に
示すサイリスタのアノードAとカノードXとの間に1第
7図に示すような一定の傾斜の立上シをもつ電圧vL(
以下、ランプ電圧と称する)管印加すると、サイリスタ
の中央のPN接合が示す接合容量の充電電流がサイリス
タに流れ、ゲートGとカンードにとの間に第7図に示す
電圧VQfが発生する。そして、ランプ電圧vt、の傾
斜を変化させると電圧V。、のビーク電圧値が増減し、
七扛がトランジスタのベース・エミッタ順方向電圧v1
.(通常、約[1L7v)tl−越えると、ゲートGを
外部から制御していないFC′dbかかわらずサイリス
タは点弧する。このときのランプ電圧vLの単位時間当
シの電圧変化量dv / dtは、サイリスタの誤動作
耐量を示すものであり、av/at耐量あるいに順方向
臨界電圧上昇率と呼ばれている。
R6、はショート・エミッタ用の抵抗である。第6図に
示すサイリスタのアノードAとカノードXとの間に1第
7図に示すような一定の傾斜の立上シをもつ電圧vL(
以下、ランプ電圧と称する)管印加すると、サイリスタ
の中央のPN接合が示す接合容量の充電電流がサイリス
タに流れ、ゲートGとカンードにとの間に第7図に示す
電圧VQfが発生する。そして、ランプ電圧vt、の傾
斜を変化させると電圧V。、のビーク電圧値が増減し、
七扛がトランジスタのベース・エミッタ順方向電圧v1
.(通常、約[1L7v)tl−越えると、ゲートGを
外部から制御していないFC′dbかかわらずサイリス
タは点弧する。このときのランプ電圧vLの単位時間当
シの電圧変化量dv / dtは、サイリスタの誤動作
耐量を示すものであり、av/at耐量あるいに順方向
臨界電圧上昇率と呼ばれている。
サイリスタのdv/at耐iを測定するためには、サイ
リスタに傾斜の異なるランプ電圧パルス’e順次印加し
てゆき、サイリスタが誤動作するランプ電圧の傾斜、す
なわちdv/at値を見つけ出すことが必要である。こ
のためサイリスタが誤動作したかどうかを検出する手段
が必要となるが、この誤動作検出手段としては、例えば
、特公昭54−3348号公報に示さnているように1
サイリスク両端電圧の観測波形の変化からサイリスタが
誤動作し九時点を検出する方法がある。
リスタに傾斜の異なるランプ電圧パルス’e順次印加し
てゆき、サイリスタが誤動作するランプ電圧の傾斜、す
なわちdv/at値を見つけ出すことが必要である。こ
のためサイリスタが誤動作したかどうかを検出する手段
が必要となるが、この誤動作検出手段としては、例えば
、特公昭54−3348号公報に示さnているように1
サイリスク両端電圧の観測波形の変化からサイリスタが
誤動作し九時点を検出する方法がある。
しかしながら上述測定方法では、サイリスタが誤動作す
る前後の両端電圧が不安定であることから、特に高電圧
の測定において精度が低い上に安定性に欠け、また波形
観測による誤動作検出なので自動化しにくいという問題
点があっ友。
る前後の両端電圧が不安定であることから、特に高電圧
の測定において精度が低い上に安定性に欠け、また波形
観測による誤動作検出なので自動化しにくいという問題
点があっ友。
本発明は上記のような問題点を解消する几めになされた
もので、特に高電圧でのサイリスタのcLv/dt耐量
をも精度よく、かつ安定に測定できると共に、測定の自
動化に好適なサイリスタのdv/dt耐量測定方法を提
供することを目的とする。
もので、特に高電圧でのサイリスタのcLv/dt耐量
をも精度よく、かつ安定に測定できると共に、測定の自
動化に好適なサイリスタのdv/dt耐量測定方法を提
供することを目的とする。
本発明回路は、誤動作検出手段として光結合素子を用い
たもので、その受光mを、測定対象であるサイリスタに
直列接続された負荷抵抗に直列に接続し、同受光部から
誤動作検出情報を得るようにしたものである。
たもので、その受光mを、測定対象であるサイリスタに
直列接続された負荷抵抗に直列に接続し、同受光部から
誤動作検出情報を得るようにしたものである。
以下第1図〜第5図を参照して本発明の詳細な説明する
。第1図は本発明によるサイリスタのdv/dt耐量測
定方法を実現する一実施例回路図で、光結合素子として
光結合トランジスタを用いた場合全例示したものである
。この第1図において、1は測定対象であるサイリスタ
で、このサイリスタ1の7ノードAには負荷抵抗RLと
光結合素子6の発光部である発光タイオードD、が直列
に接続さn、七nらを介してさらにランプ電圧発生器2
が接続されている。また、上記サイリスタ1のゲートG
とカンードにとの間には抵抗1(atが接続さnlかつ
カンードには接地さnている。−万、光結合素子3の受
光部である受光トランジスタQ。
。第1図は本発明によるサイリスタのdv/dt耐量測
定方法を実現する一実施例回路図で、光結合素子として
光結合トランジスタを用いた場合全例示したものである
。この第1図において、1は測定対象であるサイリスタ
で、このサイリスタ1の7ノードAには負荷抵抗RLと
光結合素子6の発光部である発光タイオードD、が直列
に接続さn、七nらを介してさらにランプ電圧発生器2
が接続されている。また、上記サイリスタ1のゲートG
とカンードにとの間には抵抗1(atが接続さnlかつ
カンードには接地さnている。−万、光結合素子3の受
光部である受光トランジスタQ。
のエミッタは接地さn、コレクタは抵抗R,を介して電
源E、に接続さnている。
源E、に接続さnている。
第1図の回路構成において、サイリスタ1のdv/dt
耐素測定耐久測定うに行なわれる。まず、ランプ電圧発
生器2によってランプ電圧パルスV。を周期的に発生さ
せ、サイリスタ1に印加する。このとき第2図に示すよ
うにランプ電圧パルスV。を、その傾斜が緩やかなもの
から急なものへと変化させてゆく。その結果、ついに#
:tサイリスタ1が点弧してしまうが、サイリスタ1が
点弧するとその特性上インピーダンスが急減する次めオ
ン電流が流n、そのアノード・カンード間電圧V□は第
2図のような変化を示す。また、サイリスタ1にオン電
流が流扛ることによって発光ダイオードD、からは光を
発するが、この光で受光トランジスタQ。
耐素測定耐久測定うに行なわれる。まず、ランプ電圧発
生器2によってランプ電圧パルスV。を周期的に発生さ
せ、サイリスタ1に印加する。このとき第2図に示すよ
うにランプ電圧パルスV。を、その傾斜が緩やかなもの
から急なものへと変化させてゆく。その結果、ついに#
:tサイリスタ1が点弧してしまうが、サイリスタ1が
点弧するとその特性上インピーダンスが急減する次めオ
ン電流が流n、そのアノード・カンード間電圧V□は第
2図のような変化を示す。また、サイリスタ1にオン電
流が流扛ることによって発光ダイオードD、からは光を
発するが、この光で受光トランジスタQ。
Lオン状態とな勺、その出力電圧V、は図4に示す如<
g+からOvへ変化する。
g+からOvへ変化する。
本発明はこのときの出力電圧V、の変化をサイリスタ1
の誤動作検出情報として用いるものである。
の誤動作検出情報として用いるものである。
サイリスタ1のav / dt It :tは、上記誤
動作が検出さj、た時点でのランプ電圧パルスV。の傾
斜が示−r即位時間当りの電圧変化量(V? / tr
)で示される。
動作が検出さj、た時点でのランプ電圧パルスV。の傾
斜が示−r即位時間当りの電圧変化量(V? / tr
)で示される。
ここで、サイリスタ1の上記誤動作はその両端電圧vA
Kの変化からも検出さnるが、点弧寸前の”AIは非常
に不安定である九め検出情報として確実でない。ま友、
一般にサイリスタのdv/at耐tはランプ電圧パルス
(vo)の最高到達電圧(V、)に依存し、その電圧値
は重要な測定条件であシ、従ってこの最高到達電圧(V
?)を変化させてdv / dt耐′ikを測定するこ
とが多い。そこで、高電圧のdv/at耐量測定におい
て、を圧V□の変化からサイリスタ1の誤動作を検出す
ることを考えたときK、電圧Vバが高電圧であるからそ
の検出情報を論理回路レベルの情報として扱うことは難
しい。しかし本発明では、サイリスタ10オン電流から
誤動作検出情報を得るためその情報の取扱いは簡単。
Kの変化からも検出さnるが、点弧寸前の”AIは非常
に不安定である九め検出情報として確実でない。ま友、
一般にサイリスタのdv/at耐tはランプ電圧パルス
(vo)の最高到達電圧(V、)に依存し、その電圧値
は重要な測定条件であシ、従ってこの最高到達電圧(V
?)を変化させてdv / dt耐′ikを測定するこ
とが多い。そこで、高電圧のdv/at耐量測定におい
て、を圧V□の変化からサイリスタ1の誤動作を検出す
ることを考えたときK、電圧Vバが高電圧であるからそ
の検出情報を論理回路レベルの情報として扱うことは難
しい。しかし本発明では、サイリスタ10オン電流から
誤動作検出情報を得るためその情報の取扱いは簡単。
確実であり、ま次光結合で上記情報を伝達していること
から、dv/at耐量の測定1圧にかかわらず測定系と
電気的に分離さ′rした状態で論理回路レベルの検出電
圧が得らnことになる0この結果、高電圧のclv/d
t’耐量測定においても安定例、かつ8展長〈その測定
を行うことができる。また、誤動作の検出情報が論理回
路レベルの信号として得らnるためdv/i耐量測定の
自動化に好適である。
から、dv/at耐量の測定1圧にかかわらず測定系と
電気的に分離さ′rした状態で論理回路レベルの検出電
圧が得らnことになる0この結果、高電圧のclv/d
t’耐量測定においても安定例、かつ8展長〈その測定
を行うことができる。また、誤動作の検出情報が論理回
路レベルの信号として得らnるためdv/i耐量測定の
自動化に好適である。
なお、ランプ電圧発生器2は種々の構成例が考えらする
が、その−例を第5図に示す。第3図はトランジスタと
容量との組合せによって構成したランプ電圧発生器2の
例を示す回路図である0すなわち、パルス発生器4が発
生する信号を、抵抗Roを介してトランジスタQ、。の
エミッタ・ペース間に印加し、トランジスタQ。のコレ
クタ電流で容量Coを充電して端子vlllK出力ラン
プ亀う圧を得るものである。このランプ電圧発生器2に
おいて、出力ラング電圧の周期はパルス発生器4によっ
て決まり、立上りの傾斜はパルス発生器4の出力パルス
振幅と80の抵抗値およびC6の容量値によって変化し
、さらに最高到達電圧(V、)は1源E。とほぼ等しく
なる。従って、これらの値’tf化させることによって
所望のランプ電圧パルス(vo)を発生させることがで
きる。
が、その−例を第5図に示す。第3図はトランジスタと
容量との組合せによって構成したランプ電圧発生器2の
例を示す回路図である0すなわち、パルス発生器4が発
生する信号を、抵抗Roを介してトランジスタQ、。の
エミッタ・ペース間に印加し、トランジスタQ。のコレ
クタ電流で容量Coを充電して端子vlllK出力ラン
プ亀う圧を得るものである。このランプ電圧発生器2に
おいて、出力ラング電圧の周期はパルス発生器4によっ
て決まり、立上りの傾斜はパルス発生器4の出力パルス
振幅と80の抵抗値およびC6の容量値によって変化し
、さらに最高到達電圧(V、)は1源E。とほぼ等しく
なる。従って、これらの値’tf化させることによって
所望のランプ電圧パルス(vo)を発生させることがで
きる。
第1図に説明を戻すと、同図において、負荷抵抗R5は
サイリスタ1が点弧したときにそのオン電流を制限する
ためのものであり、その抵抗値は印加するランプ電圧の
最高到達電圧(V、)とサイリスタ1の電流容量もしく
はランプ電圧発生器2の最大出力を流によって決まる。
サイリスタ1が点弧したときにそのオン電流を制限する
ためのものであり、その抵抗値は印加するランプ電圧の
最高到達電圧(V、)とサイリスタ1の電流容量もしく
はランプ電圧発生器2の最大出力を流によって決まる。
この抵抗RLの存在のためにランプ電圧発生器2の出力
電圧V。が示すdv/dtと実際にサイリスタ1に加わ
るdv / atとに差を生じ、測定誤差となる場合が
ある。この誤差の大きさに、抵抗RLとサイリスタ1の
オフ時インピーダンスとの比によって決まる。測定誤差
が生じるような場合には、第4図に示すように、抵抗R
Lと発光ダイオードD、との直列回路と並列に容量CL
全接続した構成をとることで問題が解消さ扛る。
電圧V。が示すdv/dtと実際にサイリスタ1に加わ
るdv / atとに差を生じ、測定誤差となる場合が
ある。この誤差の大きさに、抵抗RLとサイリスタ1の
オフ時インピーダンスとの比によって決まる。測定誤差
が生じるような場合には、第4図に示すように、抵抗R
Lと発光ダイオードD、との直列回路と並列に容量CL
全接続した構成をとることで問題が解消さ扛る。
第4図において、容1kct、の値をサイリスタ1のオ
フ時インピーダンスに対して充分に低いインピーダンス
となるように設定すれば、測定誤差は無視できることに
なるから精度良(dv/at耐iを測定でき、かつ安定
した誤動作検出情報を取出せることに°変わジはない。
フ時インピーダンスに対して充分に低いインピーダンス
となるように設定すれば、測定誤差は無視できることに
なるから精度良(dv/at耐iを測定でき、かつ安定
した誤動作検出情報を取出せることに°変わジはない。
第5図は本発明を実現するの他の実施例回路図であり、
ここでは、サイリスタ1のアノードAを接地し、カソー
ドにの官位を下降させてav/at耐量を測定する場合
を示したものである。第5図の回路構成は、ランプ電圧
発生器2および負荷抵抗RL、発光タイオードD、の位
置と、発生するランプ電圧の極性とが第1図に示した実
施例と異なるが、avlatittiLを測定する手順
は第1図に示し之実施例と同様である。第5図の実施例
では第1図の場合と異なってランプt、圧が負極性とな
るが、サイリスタ1の誤動作検出情報としての受光トラ
ンジスタQ1.の出力1.圧V、のt圧しベルは第1図
の場合と同じになり、安定かつ正確にavlatitt
iLを測定できる。
ここでは、サイリスタ1のアノードAを接地し、カソー
ドにの官位を下降させてav/at耐量を測定する場合
を示したものである。第5図の回路構成は、ランプ電圧
発生器2および負荷抵抗RL、発光タイオードD、の位
置と、発生するランプ電圧の極性とが第1図に示した実
施例と異なるが、avlatittiLを測定する手順
は第1図に示し之実施例と同様である。第5図の実施例
では第1図の場合と異なってランプt、圧が負極性とな
るが、サイリスタ1の誤動作検出情報としての受光トラ
ンジスタQ1.の出力1.圧V、のt圧しベルは第1図
の場合と同じになり、安定かつ正確にavlatitt
iLを測定できる。
なお、上述実施例でに、光結合素子として光結合トラン
ジスタを用いた場合について説明したが、例えは光結合
サイリスタなど、他の光結合素子を用いても上述実施例
と同様の効果が得らrることはいう1でもない。
ジスタを用いた場合について説明したが、例えは光結合
サイリスタなど、他の光結合素子を用いても上述実施例
と同様の効果が得らrることはいう1でもない。
以上述べたように本発明によれは、特に高電圧でのサイ
リスタのdv/dt耐量測定においても、その誤動作検
出情報を確実に取出せるため、より高¥ilf度で安定
な測定を行うことができる。また、その誤動作検出情報
は、ランプ電圧の最高到達電圧や極性Kかかわらす、測
定系とは分離さf′L九電圧電圧レベルらnる九め、d
v/at耐量測定の自動化に好適するなどの効果がある
。
リスタのdv/dt耐量測定においても、その誤動作検
出情報を確実に取出せるため、より高¥ilf度で安定
な測定を行うことができる。また、その誤動作検出情報
は、ランプ電圧の最高到達電圧や極性Kかかわらす、測
定系とは分離さf′L九電圧電圧レベルらnる九め、d
v/at耐量測定の自動化に好適するなどの効果がある
。
第1図は本発明を実現する一実施例回路図、第2図は第
1図に示した回路の各s電圧波形図、第3図は第1図中
のランプ電圧発生器の一例を示す回路図、第4図は第1
図中の要部回路の他の例を示す図、第5図は本発明tl
−実現する他の実施例回路図、第6図はサイリスタの層
構成を示す図、第7図はランプ電圧とサイリスタのゲー
ト・カンード間亀圧の波形図である。 1・・・サイリスク、2・・・ラング1.圧発生器、3
・・・光結合素子、D、・・・発光ダイオード、 Q
l・・−受光トランジスタ% RL++ RQK+
R+・・・抵抗% L・・・直流電源o
、−へ第1図
第2図 第3図 第斗図 第5図 746図 第″7詔
1図に示した回路の各s電圧波形図、第3図は第1図中
のランプ電圧発生器の一例を示す回路図、第4図は第1
図中の要部回路の他の例を示す図、第5図は本発明tl
−実現する他の実施例回路図、第6図はサイリスタの層
構成を示す図、第7図はランプ電圧とサイリスタのゲー
ト・カンード間亀圧の波形図である。 1・・・サイリスク、2・・・ラング1.圧発生器、3
・・・光結合素子、D、・・・発光ダイオード、 Q
l・・−受光トランジスタ% RL++ RQK+
R+・・・抵抗% L・・・直流電源o
、−へ第1図
第2図 第3図 第斗図 第5図 746図 第″7詔
Claims (1)
- サイリスタに直列接続された負荷抵抗と、上記サイリス
タの誤動作を検出する誤動作検出手段と、任意に設定し
た傾斜のランプ電圧を周期的に発生して上記サイリスタ
と負荷抵抗の直列回路に印加するランプ電圧発生器とか
らなり、上記誤動作検出手段により上記サイリスタの誤
動作を検出してそのサイリスタのdv/dt耐量を測定
する方法において、上記誤動作検出手段は発光部が上記
負荷抵抗に直列接続された光結合素子であることを特徴
とするサイリスタのdv/dt耐量測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59272937A JPH0664120B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | サイリスタのdv/dt耐量測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59272937A JPH0664120B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | サイリスタのdv/dt耐量測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61151481A true JPS61151481A (ja) | 1986-07-10 |
JPH0664120B2 JPH0664120B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=17520840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59272937A Expired - Lifetime JPH0664120B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | サイリスタのdv/dt耐量測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0664120B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007267436A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 半導体電力変換装置及びその試験方法 |
CN101984532A (zh) * | 2010-10-12 | 2011-03-09 | 中国电力科学研究院 | 一种新型晶闸管dv/dt保护方法 |
CN110308312A (zh) * | 2019-08-08 | 2019-10-08 | 南京芯长征科技有限公司 | 能实现高压测试中高压隔离的方法及装置 |
CN112415356A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-02-26 | 阳光电源股份有限公司 | 一种晶闸管关断特性测试装置和测试方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5015037A (ja) * | 1973-06-15 | 1975-02-17 | ||
JPS5348479A (en) * | 1976-10-15 | 1978-05-01 | Hitachi Ltd | Dv/dt rating measuring circuit of thyristor |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP59272937A patent/JPH0664120B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5015037A (ja) * | 1973-06-15 | 1975-02-17 | ||
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CN110308312B (zh) * | 2019-08-08 | 2021-04-23 | 南京芯长征科技有限公司 | 能实现高压测试中高压隔离的方法及装置 |
CN112415356A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-02-26 | 阳光电源股份有限公司 | 一种晶闸管关断特性测试装置和测试方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0664120B2 (ja) | 1994-08-22 |
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