CN110308312B - 能实现高压测试中高压隔离的方法及装置 - Google Patents
能实现高压测试中高压隔离的方法及装置 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种能实现高压测试中高压隔离的方法及装置，所述能实现高压测试中高压隔离的方法，包括能对待测器件进行所需高压测试的高压主回路，所述高压主回路内包括用于控制待测器件测试状态的测试开关管Q2，还包括能控制测试开关管Q2开关状态的驱动主体电路；所述驱动主体电路包括用于接收脉冲信号的放大器以及能将放大后的脉冲信号加载到测试开关管Q2上的光耦隔离驱动电路，所述光耦隔离驱动电路输出的驱动脉冲信号能控制测试开关管Q2的开关状态，且通过光耦隔离驱动电路能使得高压主回路内的高压与驱动主体电路内的电压隔离。本发明能有效实现高压隔离，降低测试成本，安全可靠。
Description
技术领域
本发明涉及一种方法及装置，尤其是一种能实现高压测试中高压隔离的方法及装置，属于高压测试的技术领域。
背景技术
目前，功率半导体器件已经得到广泛的应用，包括家电、汽车、高铁、船舶等等。功率半导体器件生产制备或者使用的过程中都需要对其电性能进行测试。然而，高压(比如几千伏以上)的功率半导体器件对测试设备的要求非常高，不仅需要产生测试所需要的高压母线电压和低压驱动信号，而且还要防止高压母线电压信号对低压驱动信号的影响，甚至对低压驱动信号产生端的损坏。
现有功率半导体器件的测试电路工作时，一般是通过放大器将弱信号放大来驱动开关管的开关，然而此时驱动信号电源端相对于大地处于一个高电位状态。为了实现与高压的隔离，一般是通过一个空心变压器来实现驱动信号电源端和大地之间的隔离的，但要实现非常高的隔离就需要变压器的源边和副边绕组间距增加，这会导致源边和副边耦合降低，因此变压器就会做得很大笨重，从而导致驱动信号电源体积庞大笨重且非常昂贵。
如图1所示，以功率半导体器件的击穿电压测试为例，说明实际测试电路驱动信号端与母线电压端如何连接，以及工作方式，具体地，
图1中，电源VDC1为驱动信号的供电电源，电源VDC2为高压母线电源，电源VDC1和电源VDC2公用地线，且电源VDC2的负极与地线连接；驱动主体部1主要是由一个放大器、电源VDC1和驱动电阻R1构成，实际中可能会是多级放大情况；高压主回路2内的开关管Q2为MOSFET，实际中开关管Q2也可以是IGBT等；电压探头测量待测器件5两端的电压，电流探头6测量待测器件5的电流。
工作方式：
1)、将电路连接好，脉冲信号为置零，电源VDC1调节到需要的电压；
2)、脉冲信号产生电路输出一个连续的正脉冲，经过放大器放大，在经过驱动电阻R1驱动开关管Q2开启，此时开关管Q2导通，电源VDC2施加在待测器件5的两端；
3)、不断调节电源VDC2的电压，直到待测器件5发生击穿，即测试电流开始随母线电压增加迅速增加，最后读取待测器件5发生击穿时的电压值。
由以上工作方式可以看出，当开关管Q2开通以后，开关管Q2的漏极D和源极S连通，由于电源VDC1的负极和开关管Q2的源极S连接，此时电源VDC1的源极与地线之间的电位差为电源VDC2的电压。因此，电源VDC1内部的负极与地线之间必须实现一个高压的隔离。
综上，电源VDC1的负极和开关管Q2的源极S直接连接，没有进行电气隔离，从而导致电路工作过程中驱动主体部1会出现处在高电位的情况，即驱动主体部1的电源VDC1与电源VDC2之间必须具备高压隔离，这对驱动主体部1内的电源要求非常高，从而增加了测试系统的整体成本。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种能实现高压测试中高压隔离的方法及装置，其能有效实现高压隔离，降低测试成本，安全可靠。
按照本发明提供的技术方案，所述能实现高压测试中高压隔离的方法，包括能对待测器件进行所需高压测试的高压主回路，所述高压主回路内包括用于控制待测器件测试状态的测试开关管Q2，还包括能控制测试开关管Q2开关状态的驱动主体电路；
所述驱动主体电路包括用于接收脉冲信号的放大器以及能将放大后的脉冲信号加载到测试开关管Q2上的光耦隔离驱动电路，所述光耦隔离驱动电路输出的驱动脉冲信号能控制测试开关管Q2的开关状态，且通过光耦隔离驱动电路能使得高压主回路内的高压与驱动主体电路内的电压隔离。
所述光耦隔离驱动电路包括开关管Q1、与所述开关管Q1适配连接的发光二极管D1以及能接收发光二极管D1发光信号的感光发电器，所述开关管Q1的第一端与放大器的输出端连接，开关管Q1的第二端通过限流电阻R2与电源VDC3的负极连接，测试开关管Q2的第三端与发光二极管D1的阴极端连接，发光二极管D1的阳极端与电源VDC3的正极端连接；
所述感光发电器与发光二极管D1间通过透光高压绝缘介质体隔离，感光发电器的正极端通过驱动电阻R3与测试开关管Q2的第一端连接，感光发电器的负极端与测试开关管Q2的第二端连接。
所述放大器的正电源端与电源VDC1的正极连接，放大器的负电源端与电源VDC1的负极端连接，电源VDC1的负极端与电源VDC3的负极端连接，测试开关管Q2的第三端与电源VDC2的正极端连接，电源VDC2的负极端接地，测试开关管Q2的第二端还与待测器件的一端连接，待测器件的另一端通过电流探头接地。
所述开关管Q1包括MOSFET器件或IGBT器件，测试开关管Q2为MOSFET器件或IGBT器件，感光发电器包括太阳能电池板。
一种能实现高压测试中高压隔离的装置，包括能对待测器件进行所需高压测试的高压主回路，所述高压主回路内包括用于控制待测器件测试状态的测试开关管Q2，还包括能控制测试开关管Q2开关状态的驱动主体电路；其特征是：
所述驱动主体电路包括用于接收脉冲信号的放大器以及能将放大后的脉冲信号加载到测试开关管Q2上的光耦隔离驱动电路，所述光耦隔离驱动电路输出的驱动脉冲信号能控制测试开关管Q2的开关状态，且通过光耦隔离驱动电路能使得高压主回路内的高压与驱动主体电路内的电压隔离。
所述光耦隔离驱动电路包括开关管Q1、与所述开关管Q1适配连接的发光二极管D1以及能接收发光二极管D1发光信号的感光发电器，所述开关管Q1的第一端与放大器的输出端连接，开关管Q1的第二端通过限流电阻R2与电源VDC3的负极连接，开关管Q2的第三端与发光二极管D1的阴极端连接，发光二极管D1的阳极端与电源VDC3的正极端连接；
所述感光发电器与发光二极管D1间通过透光高压绝缘介质体隔离，感光发电器的正极端通过驱动电阻R3与测试开关管Q2的第一端连接，感光发电器的负极端与测试开关管Q2的第二端连接。
所述放大器的正电源端与电源VDC1的正极连接，放大器的负电源端与电源VDC1的负极端连接，电源VDC1的负极端与电源VDC3的负极端连接，测试开关管Q2的第三端与电源VDC2的正极端连接，电源VDC2的负极端接地，测试开关管Q2的第二端还与待测器件的一端连接，待测器件的另一端通过电流探头接地。
所述放大器的正电源端与电源VDC1的正极连接，放大器的负电源端与电源VDC1的负极端连接，电源VDC1的负极端与电源VDC3的负极端连接，测试开关管Q2的第三端与电源VDC2的正极端连接，电源VDC2的负极端接地，测试开关管Q2的第二端还与待测器件的一端连接，待测器件的另一端通过电流探头接地。
本发明的优点：通过将脉冲信号放大后能驱动发光二极管D1发光，再利用发光二极管D1的发光状态控制感光发电器产生驱动电压，以驱动测试开关管Q2的开关。发光二极管D1和感光发电器之间通过透光绝缘介质体隔离，从而防止驱动主体电路与高压主回路的直接相连，从而避免了驱动主体电路内电源VDC1处于高电位的情况，能有效实现高压隔离，即能降低驱动主体电路中对电源VDC1的要求，降低测试成本，安全可靠。
附图说明
图1为现有高压测试电路的电路原理图。
图2为本发明高压测试电路的电路原理图。
附图标记说明：1-驱动主体部、2-高压主回路、3-透光高压绝缘介质体、4-感光发电器、5-待测器件、6-电流探头、7-驱动主体电路。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
为了能有效实现高压隔离，降低测试成本，本发明包括能对待测器件5进行所需高压测试的高压主回路2，所述高压主回路2内包括用于控制待测器件5测试状态的测试开关管Q2，还包括能控制测试开关管Q2开关状态的驱动主体电路7；
所述驱动主体电路7包括用于接收脉冲信号的放大器以及能将放大后的脉冲信号加载到测试开关管Q2上的光耦隔离驱动电路，所述光耦隔离驱动电路输出的驱动脉冲信号能控制测试开关管Q2的开关状态，且通过光耦隔离驱动电路能使得高压主回路2内的高压与驱动主体电路7内的电压隔离。
具体地，利用高压主回路2能对待测器件5进行高压测试，待测器件5可以为常见的功率半导体器件，如MOSFET器件、IGBT器件等，具体可以根据需要进行确定，此处不再赘述。在高压主回路2内通过测试开关管Q2与待测器件5以及电源VDC2连接，当测试开关管Q2导通时，通过电源VDC2能对待测器件5进行所需的高压测试，测试开关管Q2断开时，无法对待测器件5进行高压测试。
测试开关管Q2的导通状态由驱动主体电路7进行驱动控制。本发明实施例中，驱动主体电路7通过放大器接收脉冲信号，驱动主体电路7内的放大器可以为一个或多个组合形成，放大器的放大倍数可以根据需要进行确定，脉冲信号由脉冲信号产生电路输出，脉冲信号产生电路的具体结构形式，以及脉冲信号的具体情况均可以根据需要进行选择，具体为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。放大器放大后的脉冲信号能通过光耦隔离驱动电路加载到测试开关管Q2的控制端，即能控制测试开关管Q2的开关状态；且通过光耦隔离驱动电路能实现高压驱动主回路2与驱动主体电路7内电压的隔离，即能有效高压高压而格力，降低测试成本。
如图2所示，所述光耦隔离驱动电路包括开关管Q1、与所述开关管Q1适配连接的发光二极管D1以及能接收发光二极管D1发光信号的感光发电器4，所述开关管Q1的第一端与放大器的输出端连接，开关管Q1的第二端通过限流电阻R2与电源VDC3的负极连接，测试开关管Q2的第三端与发光二极管D1的阴极端连接，发光二极管D1的阳极端与电源VDC3的正极端连接；
所述感光发电器4与发光二极管D1间通过透光高压绝缘介质体3隔离，感光发电器4的正极端通过驱动电阻R3与测试开关管Q2的第一端连接，感光发电器4的负极端与测试开关管Q2的第二端连接。
本发明实施例中，所述放大器的正电源端与电源VDC1的正极连接，放大器的负电源端与电源VDC1的负极端连接，电源VDC1的负极端与电源VDC3的负极端连接，测试开关管Q2的第三端与电源VDC2的正极端连接，电源VDC2的负极端接地，测试开关管Q2的第二端还与待测器件5的一端连接，待测器件5的另一端通过电流探头6接地。电源VDC1、电源VDC3为低压电源，电源VDC2为高压电源，电源VDC1、电源VDC2、电源VDC3的具体电源电压根据实际需要进行确定，具体为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。放大器可以采用现有常用的形式，通过放大器能对接收的脉冲信号进行放大，放大后的脉冲信号能驱动发光二极管D1发光，并通过感光发电器4产生相应的电压，感光发电器4产生电压后能控制测试开关管Q2开关状态。
所述开关管Q1包括MOSFET器件或IGBT器件，测试开关管Q2为MOSFET器件或IGBT器件，当开关管Q1为MOSFET器件时，开关管Q1的第一端为MOSFET器件的栅极端，开关管Q1的第二端为MOSFET器件的源极端，开关管Q1的第三端为MOSFET器件的漏极端；当开关管Q1为IGBT器件时，开关管Q1的第一端为IGBT器件的栅极端，开关管Q1的第二端为IGBT器件的发射极端，开关管Q1的第三端为IGBT器件的集电极端。当测试开关管Q2为MOSFET器件时，测试开关管Q2的第一端为MOSFET器件的栅极端，测试开关管Q2的第二端为MOSFET器件的源极端，测试开关管Q2的第三端为MOSFET器件的漏极端；当测试开关管Q2为IGBT器件时，测试开关管Q2的第一端为IGBT器件的栅极端，测试开关管Q2的第二端为IGBT器件的发射极端，测试开关管Q2的第三端为IGBT器件的集电极端。当开关管Q1、测试开关管Q2采用其他形式的开关器件时，开关管Q1、测试开关管Q2相应端脚的情况为本技术领域人员熟知，此处不再赘述。
本发明实施例中，感光发电器4包括太阳能电池板。透光高压绝缘介质体3可以采用玻璃，或其他能实现透光且高压隔离的绝缘介质材料，具体可以根据需要进行选择，此处不再赘述。感光发电器4采用太阳能电池板时，感光发电器4在接收发光二极管D1的发光光线后能产生相应的电压，感光发电器4产生的电压通过驱动电阻R3加载到测试开关管Q2上，当加载到测试开关管Q2的电压满足测试开关管Q2的开通条件时，则能驱动测试开关管Q2导通。太阳能电池板接收发光二极管D1的光线产生电压的过程为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
以对待测器件5进行击穿电压测试为例，对本发明的具体工作过程进行说明。具体地，驱动主体电路7由放大器、开关管Q1、限流电阻R2、发光二极管D2、感光发电器4、透明高压绝缘介质体3以及驱动电阻R3构成；限流电阻R2和开关管Q1组成电流源，用以驱动发光二极管D1；电源VDC1的负极端和电源VDC3的负极端连接一起，电源VDC1、电源VDC2、电源VDC3的地线相连接；高压主回路2由测试开关管Q2、待测器件5以及电源VDC2构成；电源VDC1和电源VDC2通过透明高压绝缘介质体3与高压主回路2隔离。
对待测器件5进行测试时，具体包括如下步骤：
步骤1、脉冲信号端置零，调节电源VDC1到合适的值(即达到对测试开关管Q2的驱动要求)；
步骤2、对驱动主体电路7施加一个持续的脉冲信号，经过放大器放大后驱动发光二极管D1，再通过发光二极管D2控制感光发电器4输出驱动电压，控制测试开关管Q2的开通；
步骤3、测试开关管Q2开通后，电源VDC2的电压施加到待测器件5上，调节电源VDC2的电压值，直到待测器件5发生雪崩击穿，即电流探头6观测的电流明显增加，此时的电源VDC2的电压值即为待测器件5的击穿电压。通过与待测器件5连接的电压探头能测量待测器件5在测试过程中的电压值，电压探头、电流探头6均可采用本技术领域常用的形式，具体为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
由以上可知，发光二极管D1、透明高压绝缘介质体1以及感光发电器4既实现了驱动信号对测试开关管Q2的控制，又实现了驱动主体回路1和高压主回路2之间的电气隔离。
此外，通过调节电源VDC1的值可以控制流经发光二极管D1的电流大小，从而控制发光二极管D2发光的强弱，进而控制感光发电器4输出驱动电压的高低。
综上，能得到本发明的能实现高压测试中高压隔离的装置，具体地，包括能对待测器件5进行所需高压测试的高压主回路2，所述高压主回路2内包括用于控制待测器件5测试状态的测试开关管Q2，还包括能控制测试开关管Q2开关状态的驱动主体电路7；
所述驱动主体电路7包括用于接收脉冲信号的放大器以及能将放大后的脉冲信号加载到测试开关管Q2上的光耦隔离驱动电路，所述光耦隔离驱动电路输出的驱动脉冲信号能控制测试开关管Q2的开关状态，且通过光耦隔离驱动电路能使得高压主回路2内的高压与驱动主体电路7内的电压隔离。
本发明实施例中，高压主回路2、待测器件5、测试开关管Q2、光耦隔离驱动电路的具体连接与配合情况均可以参考上述说明，此处不再赘述。
本发明通过将脉冲信号放大后能驱动发光二极管D1发光，再利用发光二极管D1的发光状态控制感光发电器4产生驱动电压，以驱动测试开关管Q2的开关。发光二极管D1和感光发电器4之间通过透光绝缘介质体3隔离，从而防止驱动主体电路7与高压主回路2的直接相连，从而避免了驱动主体电路7内电源VDC1处于高电位的情况，能有效实现高压隔离，即能降低驱动主体电路7中对电源VDC1的要求，降低测试成本，安全可靠。
Claims (6)
1.一种能实现高压测试中高压隔离的方法，包括能对待测器件(5)进行所需高压测试的高压主回路(2)，所述高压主回路(2)内包括用于控制待测器件(5)测试状态的测试开关管Q2，还包括能控制测试开关管Q2开关状态的驱动主体电路(7)；其特征是：
所述驱动主体电路(7)包括用于接收脉冲信号的放大器以及能将放大后的脉冲信号加载到测试开关管Q2上的光耦隔离驱动电路，所述光耦隔离驱动电路输出的驱动脉冲信号能控制测试开关管Q2的开关状态，且通过光耦隔离驱动电路能使得高压主回路(2)内的高压与驱动主体电路(7)内的电压隔离；
所述光耦隔离驱动电路包括开关管Q1、与所述开关管Q1适配连接的发光二极管D1以及能接收发光二极管D1发光信号的感光发电器(4)，所述开关管Q1的第一端与放大器的输出端连接，开关管Q1的第二端通过限流电阻R2与电源VDC3的负极连接，开关管Q2的第三端与发光二极管D1的阴极端连接，发光二极管D1的阳极端与电源VDC3的正极端连接；
所述感光发电器(4)与发光二极管D1间通过透光高压绝缘介质体(3)隔离，感光发电器(4)的正极端通过驱动电阻R3与测试开关管Q2的第一端连接，感光发电器(4)的负极端与测试开关管Q2的第二端连接。
2.根据权利要求1所述的能实现高压测试中高压隔离的方法，其特征是：所述放大器的正电源端与电源VDC1的正极连接，放大器的负电源端与电源VDC1的负极端连接，电源VDC1的负极端与电源VDC3的负极端连接，测试开关管Q2的第三端与电源VDC2的正极端连接，电源VDC2的负极端接地，测试开关管Q2的第二端还与待测器件(5)的一端连接，待测器件(5)的另一端通过电流探头(6)接地。
3.根据权利要求1或2所述的能实现高压测试中高压隔离的方法，其特征是：所述开关管Q1包括MOSFET器件或IGBT器件，测试开关管Q2为MOSFET器件或IGBT器件，感光发电器(4)包括太阳能电池板。
4.一种能实现高压测试中高压隔离的装置，包括能对待测器件(5)进行所需高压测试的高压主回路(2)，所述高压主回路(2)内包括用于控制待测器件(5)测试状态的测试开关管Q2，还包括能控制测试开关管Q2开关状态的驱动主体电路(7)；其特征是：
所述驱动主体电路(7)包括用于接收脉冲信号的放大器以及能将放大后的脉冲信号加载到测试开关管Q2上的光耦隔离驱动电路，所述光耦隔离驱动电路输出的驱动脉冲信号能控制测试开关管Q2的开关状态，且通过光耦隔离驱动电路能使得高压主回路(2)内的高压与驱动主体电路(7)内的电压隔离；
所述光耦隔离驱动电路包括开关管Q1、与所述开关管Q1适配连接的发光二极管D1以及能接收发光二极管D1发光信号的感光发电器(4)，所述开关管Q1的第一端与放大器的输出端连接，开关管Q1的第二端通过限流电阻R2与电源VDC3的负极连接，测试开关管Q2的第三端与发光二极管D1的阴极端连接，发光二极管D1的阳极端与电源VDC3的正极端连接；
所述感光发电器(4)与发光二极管D1间通过透光高压绝缘介质体(3)隔离，感光发电器(4)的正极端通过驱动电阻R3与测试开关管Q2的第一端连接，感光发电器(4)的负极端与测试开关管Q2的第二端连接。
5.根据权利要求4所述的能实现高压测试中高压隔离的装置，其特征是：所述放大器的正电源端与电源VDC1的正极连接，放大器的负电源端与电源VDC1的负极端连接，电源VDC1的负极端与电源VDC3的负极端连接，测试开关管Q2的第三端与电源VDC2的正极端连接，电源VDC2的负极端接地，测试开关管Q2的第二端还与待测器件(5)的一端连接，待测器件(5)的另一端通过电流探头(6)接地。
6.根据权利要求4或5所述的能实现高压测试中高压隔离的装置，其特征是：所述放大器的正电源端与电源VDC1的正极连接，放大器的负电源端与电源VDC1的负极端连接，电源VDC1的负极端与电源VDC3的负极端连接，测试开关管Q2的第三端与电源VDC2的正极端连接，电源VDC2的负极端接地，测试开关管Q2的第二端还与待测器件(5)的一端连接，待测器件(5)的另一端通过电流探头(6)接地。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151481A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Ltd | サイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量測定方法 |
| CN201611352U (zh) * | 2009-12-30 | 2010-10-20 | 比亚迪股份有限公司 | 一种mosfet的测试电路 |
| CN103728037A (zh) * | 2014-01-07 | 2014-04-16 | 武汉纺织大学 | 大功率led可靠性试验的结温监测电路系统 |
| CN204101651U (zh) * | 2014-08-06 | 2015-01-14 | 苏州士林电机有限公司 | 用于变频器三相桥式逆变回路硬件死区补偿的检测电路 |
| CN206149541U (zh) * | 2016-08-31 | 2017-05-03 | 北京金晟达生物电子科技有限公司 | 一种压控式隔离调光电路 |
| CN109254182A (zh) * | 2018-10-12 | 2019-01-22 | 山东阅芯电子科技有限公司 | 功率器件动态测试的限流保护方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102371225B1 (ko) * | 2015-08-18 | 2022-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 포토커플러를 이용한 절연형 직류전압 측정장치 |
-
2019
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151481A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Ltd | サイリスタのｄｖ／ｄｔ耐量測定方法 |
| CN201611352U (zh) * | 2009-12-30 | 2010-10-20 | 比亚迪股份有限公司 | 一种mosfet的测试电路 |
| CN103728037A (zh) * | 2014-01-07 | 2014-04-16 | 武汉纺织大学 | 大功率led可靠性试验的结温监测电路系统 |
| CN204101651U (zh) * | 2014-08-06 | 2015-01-14 | 苏州士林电机有限公司 | 用于变频器三相桥式逆变回路硬件死区补偿的检测电路 |
| CN206149541U (zh) * | 2016-08-31 | 2017-05-03 | 北京金晟达生物电子科技有限公司 | 一种压控式隔离调光电路 |
| CN109254182A (zh) * | 2018-10-12 | 2019-01-22 | 山东阅芯电子科技有限公司 | 功率器件动态测试的限流保护方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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