JPH11281688A - 定電流源および抵抗測定装置 - Google Patents
定電流源および抵抗測定装置Info
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- JPH11281688A JPH11281688A JP10377498A JP10377498A JPH11281688A JP H11281688 A JPH11281688 A JP H11281688A JP 10377498 A JP10377498 A JP 10377498A JP 10377498 A JP10377498 A JP 10377498A JP H11281688 A JPH11281688 A JP H11281688A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 最高出力電圧を所定電圧以下に制限しつつ負
荷条件の変動に影響されずに定電流を供給可能な定電流
源を提供する。 【解決手段】 負荷回路２に出力された出力電流に応じ
た帰還電圧ＶFBと基準電圧ＶR との差電圧を増幅するこ
とにより出力電流を定電流に制御する誤差増幅回路１１
と、誤差増幅回路１１の出力電圧を分圧することにより
最高出力電圧を第１の所定電圧に制限するための分圧回
路１７とを備えた定電流源３において、誤差増幅回路１
１の出力電圧が少なくとも第１の所定電圧よりも高電圧
である第２の所定電圧を超えたときに誤差増幅回路１１
の出力電圧を第２の所定電圧以下に制限する電圧制限回
路１３，１４を備え、分圧回路１７は、電圧制限回路１
３，１４の出力電圧を分圧することにより最高出力電圧
を第１の所定電圧に制限する。
荷条件の変動に影響されずに定電流を供給可能な定電流
源を提供する。 【解決手段】 負荷回路２に出力された出力電流に応じ
た帰還電圧ＶFBと基準電圧ＶR との差電圧を増幅するこ
とにより出力電流を定電流に制御する誤差増幅回路１１
と、誤差増幅回路１１の出力電圧を分圧することにより
最高出力電圧を第１の所定電圧に制限するための分圧回
路１７とを備えた定電流源３において、誤差増幅回路１
１の出力電圧が少なくとも第１の所定電圧よりも高電圧
である第２の所定電圧を超えたときに誤差増幅回路１１
の出力電圧を第２の所定電圧以下に制限する電圧制限回
路１３，１４を備え、分圧回路１７は、電圧制限回路１
３，１４の出力電圧を分圧することにより最高出力電圧
を第１の所定電圧に制限する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、負荷開放時などに
おける最高出力電圧を所定電圧に制限する定電流源、お
よび、この定電流源を用いて測定対象抵抗体の抵抗値を
測定する抵抗測定装置に関するものである。
おける最高出力電圧を所定電圧に制限する定電流源、お
よび、この定電流源を用いて測定対象抵抗体の抵抗値を
測定する抵抗測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コネクタやリレーの接点には、通常、酸
化皮膜が生じており、この酸化皮膜がこれらの接点の接
触抵抗を大きくする要因となっている。このような接点
の接触抵抗を４端子法で測定する場合、例えば、測定用
電流を供給するための電流供給用プローブが開放されて
いるときにおける両プローブ間電圧（以下、「開放電
圧」という）が例えば５Ｖ程度の高電圧であるとすれ
ば、電流供給用プローブをコネクタなどの接点に接続し
た瞬間に、その接点の酸化皮膜が電圧破壊を起こすこと
がある。かかる場合には、酸化皮膜が形成されている常
態のときよりも低抵抗値に測定される結果、誤測定を招
いてしまう。このため、酸化皮膜が形成されている状態
における接点の真の接触抵抗の値を測定するためには、
開放電圧が低電圧に制限された抵抗測定装置で抵抗値測
定を行う必要がある。因みに、ＩＥＣ−５１２−２で
は、接点の接触抵抗を測定する場合、開放電圧を２０ｍ
Ｖ以下に制限すべきであると規定している。
化皮膜が生じており、この酸化皮膜がこれらの接点の接
触抵抗を大きくする要因となっている。このような接点
の接触抵抗を４端子法で測定する場合、例えば、測定用
電流を供給するための電流供給用プローブが開放されて
いるときにおける両プローブ間電圧（以下、「開放電
圧」という）が例えば５Ｖ程度の高電圧であるとすれ
ば、電流供給用プローブをコネクタなどの接点に接続し
た瞬間に、その接点の酸化皮膜が電圧破壊を起こすこと
がある。かかる場合には、酸化皮膜が形成されている常
態のときよりも低抵抗値に測定される結果、誤測定を招
いてしまう。このため、酸化皮膜が形成されている状態
における接点の真の接触抵抗の値を測定するためには、
開放電圧が低電圧に制限された抵抗測定装置で抵抗値測
定を行う必要がある。因みに、ＩＥＣ−５１２−２で
は、接点の接触抵抗を測定する場合、開放電圧を２０ｍ
Ｖ以下に制限すべきであると規定している。
【０００３】このような開放電圧を２０ｍＶ程度の低電
圧に制限した抵抗測定装置として、出願人は、図５に示
す低抵抗計５１を既に開発している。この低抵抗計５１
は、接点の接触抵抗などの測定対象抵抗体２に測定用電
流として交流定電流を供給するための定電流供給部５２
と、測定対象抵抗体２に測定用電流を導通させている状
態において測定対象抵抗体２の端子間に発生する両端電
圧に基づいて測定対象抵抗体２の抵抗値を測定する抵抗
値測定部４とを備えている。
圧に制限した抵抗測定装置として、出願人は、図５に示
す低抵抗計５１を既に開発している。この低抵抗計５１
は、接点の接触抵抗などの測定対象抵抗体２に測定用電
流として交流定電流を供給するための定電流供給部５２
と、測定対象抵抗体２に測定用電流を導通させている状
態において測定対象抵抗体２の端子間に発生する両端電
圧に基づいて測定対象抵抗体２の抵抗値を測定する抵抗
値測定部４とを備えている。
【０００４】ここで、定電流供給部５２は、基準電圧と
して電圧値がＶR で周波数が例えば１ｋＨｚの基準電圧
信号を発生する基準電圧発生回路１０と、基準電圧ＶR
および帰還電圧ＶFBの差電圧を増幅する誤差増幅回路１
１と、誤差増幅回路１１の出力電圧を分圧する分圧回路
５３と、利得が１倍のバッファアンプ２１と、抵抗値が
Ｒ3 であって出力電流ＩOUT の電流値を検出するための
抵抗２２と、利得がＫ倍であって抵抗２２の両端に生じ
た電圧を差動増幅することにより帰還電圧ＶFBを生成す
る差動増幅回路２５と、出力電流ＩOUT の直流成分を遮
断して交流成分のみを導通させるコンデンサ２３と、帰
還電圧ＶFBの直流成分を遮断して交流成分のみを導通さ
せるコンデンサ２４とを備えている。なお、分圧回路５
３は、抵抗値Ｒ1 の抵抗５４および抵抗値Ｒ2 の抵抗５
５で構成されている。この場合、分圧回路５３の分圧比
（Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ））は、１／２５０に設定されて
いる。
して電圧値がＶR で周波数が例えば１ｋＨｚの基準電圧
信号を発生する基準電圧発生回路１０と、基準電圧ＶR
および帰還電圧ＶFBの差電圧を増幅する誤差増幅回路１
１と、誤差増幅回路１１の出力電圧を分圧する分圧回路
５３と、利得が１倍のバッファアンプ２１と、抵抗値が
Ｒ3 であって出力電流ＩOUT の電流値を検出するための
抵抗２２と、利得がＫ倍であって抵抗２２の両端に生じ
た電圧を差動増幅することにより帰還電圧ＶFBを生成す
る差動増幅回路２５と、出力電流ＩOUT の直流成分を遮
断して交流成分のみを導通させるコンデンサ２３と、帰
還電圧ＶFBの直流成分を遮断して交流成分のみを導通さ
せるコンデンサ２４とを備えている。なお、分圧回路５
３は、抵抗値Ｒ1 の抵抗５４および抵抗値Ｒ2 の抵抗５
５で構成されている。この場合、分圧回路５３の分圧比
（Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ））は、１／２５０に設定されて
いる。
【０００５】この低抵抗計５１では、電流供給用のプロ
ーブＰ１，Ｐ２が測定対象抵抗体２に接続されていない
状態においては、帰還電圧ＶFBが０Ｖであるため、誤差
増幅回路１１の出力電圧の振幅値は電源電圧の電圧値で
ある５Ｖに飽和する。この場合、誤差増幅回路１１の出
力電圧が分圧回路５３によって１／２５０に分圧される
ため、両プローブＰ１，Ｐ２の開放電圧の振幅は２０ｍ
Ｖ以下に制限される。一方、両プローブＰ１，Ｐ２を測
定対象抵抗体２に接続した状態では、誤差増幅回路１１
が基準電圧ＶR と帰還電圧ＶFBとの差電圧を０Ｖにする
ことにより、出力電流ＩOUT の電流値ＩO は、下記の
式で表される値に制御される。 ＩO ＝ＶR ／（Ｋ・Ｒ3 ）・・・・・式
ーブＰ１，Ｐ２が測定対象抵抗体２に接続されていない
状態においては、帰還電圧ＶFBが０Ｖであるため、誤差
増幅回路１１の出力電圧の振幅値は電源電圧の電圧値で
ある５Ｖに飽和する。この場合、誤差増幅回路１１の出
力電圧が分圧回路５３によって１／２５０に分圧される
ため、両プローブＰ１，Ｐ２の開放電圧の振幅は２０ｍ
Ｖ以下に制限される。一方、両プローブＰ１，Ｐ２を測
定対象抵抗体２に接続した状態では、誤差増幅回路１１
が基準電圧ＶR と帰還電圧ＶFBとの差電圧を０Ｖにする
ことにより、出力電流ＩOUT の電流値ＩO は、下記の
式で表される値に制御される。 ＩO ＝ＶR ／（Ｋ・Ｒ3 ）・・・・・式
【０００６】この状態で、測定対象抵抗体２に電圧検出
用のプローブＰ３，Ｐ４を接続すると、抵抗値測定部４
が、測定対象抵抗体２の両端に発生する電圧を測定する
と共に、この測定値を電流値ＩO で除算することによ
り、測定対象抵抗体２の抵抗値を測定する。このよう
に、この低抵抗計５１では、開放電圧を２０ｍＶ以下に
制限することにより、測定対象抵抗体２内の接点に生じ
た酸化被膜を破壊することなく、測定対象抵抗体２の抵
抗値を測定することができる。
用のプローブＰ３，Ｐ４を接続すると、抵抗値測定部４
が、測定対象抵抗体２の両端に発生する電圧を測定する
と共に、この測定値を電流値ＩO で除算することによ
り、測定対象抵抗体２の抵抗値を測定する。このよう
に、この低抵抗計５１では、開放電圧を２０ｍＶ以下に
制限することにより、測定対象抵抗体２内の接点に生じ
た酸化被膜を破壊することなく、測定対象抵抗体２の抵
抗値を測定することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この出願人
が既に開発した低抵抗計５１には、プローブＰ１，Ｐ２
の配線抵抗値が異なったときなどに、測定値の精度が低
下することがあり、これを改善すべきとの要請がある。
具体的には、出力電流ＩOUT の電流値ＩO を上記の式
で表される値に制御するためには、誤差増幅回路１１の
利得は無限大であることが前提となる。しかし、実際に
は、誤差増幅回路１１の発振を防止する必要などがある
ために、その利得を有限の値にせざるを得ない。この場
合、誤差増幅回路１１の利得をＡ0 、測定対象抵抗体２
の抵抗値をＲX とすると、下記の式が成立する。 （ＶR −Ｋ・Ｒ3 ・ＩO ）Ａ0 ・Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）＝（Ｒ3 ＋ＲX ）ＩO ・・・・・・・・式 この式を変形すると、下記の式が成立する。 ＩO ＝｛（Ａ0 ・Ｒ2 ）／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）｝ＶR ／［ＲX ＋Ｒ3 ｛１＋（Ａ0 ・Ｋ・Ｒ2 ）／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）｝］・・・式 式によれば、定電流供給部５２は、図３に示す理想電
圧源４２と内部抵抗４３とを有する定電圧電源回路４１
と等価となる。この場合、理想電圧源４２の電圧値Ｅお
よび内部抵抗４３の抵抗値Ｒ0 は、式に基づいて、下
記の式および式のようにそれぞれ表される。 Ｅ＝｛（Ａ0 ・Ｒ2 ）／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）｝ＶR ・・・・・・・式 Ｒ0 ＝Ｒ3 ｛１＋（Ａ0 ・Ｋ・Ｒ2 ）／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）｝・・式 さらに、定電圧電源回路４１は、図４に示す理想電流源
４５と内部抵抗４３とを有する定電流電源回路４４と等
価となる。この場合、理想電流源４５の電流値Ｉは、
式の電圧値Ｅを式の抵抗値Ｒ0 で除算することにより
求まる。また、内部抵抗４３の抵抗値は、定電圧電源回
路４１における内部抵抗４３の抵抗値と等しく、かつ、
上記の式は、近似的に、下記の式で表される。 Ｒ0 ＝（Ｒ3 ・Ａ0 ・Ｋ）・Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）・・・・・式
が既に開発した低抵抗計５１には、プローブＰ１，Ｐ２
の配線抵抗値が異なったときなどに、測定値の精度が低
下することがあり、これを改善すべきとの要請がある。
具体的には、出力電流ＩOUT の電流値ＩO を上記の式
で表される値に制御するためには、誤差増幅回路１１の
利得は無限大であることが前提となる。しかし、実際に
は、誤差増幅回路１１の発振を防止する必要などがある
ために、その利得を有限の値にせざるを得ない。この場
合、誤差増幅回路１１の利得をＡ0 、測定対象抵抗体２
の抵抗値をＲX とすると、下記の式が成立する。 （ＶR −Ｋ・Ｒ3 ・ＩO ）Ａ0 ・Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）＝（Ｒ3 ＋ＲX ）ＩO ・・・・・・・・式 この式を変形すると、下記の式が成立する。 ＩO ＝｛（Ａ0 ・Ｒ2 ）／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）｝ＶR ／［ＲX ＋Ｒ3 ｛１＋（Ａ0 ・Ｋ・Ｒ2 ）／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）｝］・・・式 式によれば、定電流供給部５２は、図３に示す理想電
圧源４２と内部抵抗４３とを有する定電圧電源回路４１
と等価となる。この場合、理想電圧源４２の電圧値Ｅお
よび内部抵抗４３の抵抗値Ｒ0 は、式に基づいて、下
記の式および式のようにそれぞれ表される。 Ｅ＝｛（Ａ0 ・Ｒ2 ）／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）｝ＶR ・・・・・・・式 Ｒ0 ＝Ｒ3 ｛１＋（Ａ0 ・Ｋ・Ｒ2 ）／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）｝・・式 さらに、定電圧電源回路４１は、図４に示す理想電流源
４５と内部抵抗４３とを有する定電流電源回路４４と等
価となる。この場合、理想電流源４５の電流値Ｉは、
式の電圧値Ｅを式の抵抗値Ｒ0 で除算することにより
求まる。また、内部抵抗４３の抵抗値は、定電圧電源回
路４１における内部抵抗４３の抵抗値と等しく、かつ、
上記の式は、近似的に、下記の式で表される。 Ｒ0 ＝（Ｒ3 ・Ａ0 ・Ｋ）・Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）・・・・・式
【０００８】ここで、定電流供給部５２は、定電流源と
して機能させるためには、理想的には、定電流電源回路
４４における内部抵抗４３の抵抗値Ｒ0 が無限大である
必要がある。ところが、定電流供給部５２では開放電圧
を２０ｍＶ以下に制限するために分圧回路５３を設けて
いるために、上記の式に示したように、内部抵抗４３
の抵抗値である定電流電源回路４４の等価出力抵抗は、
その分圧比（Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）の値が小さくなれ
ば、それに応じて低下する。この結果、定電流電源回路
４４の出力抵抗が低抵抗値であると、例えば、プローブ
Ｐ１，Ｐ２の配線長が変わることによってその配線抵抗
値が異なったり、プローブＰ１，Ｐ２を測定対象抵抗体
２に接続したときの接触圧によって接触抵抗が変動した
りしたときには、定電流電源回路４４から測定対象抵抗
体２に供給される出力電流ＩOUT の電流値ＩO が変動し
てしまう。一方、測定値演算部４による抵抗値演算で
は、定電流であることを前提とした電流値ＩO で測定対
象抵抗体２の両端電圧を除算するため、電流値ＩO が変
動した場合には、抵抗値演算に誤差を生じさせてしま
う。このため、この低抵抗計５１には、負荷条件の変動
などに起因して、測定対象抵抗体２の抵抗値を常に精度
良く測定することが困難となることがあり、この改善が
望まれている。
して機能させるためには、理想的には、定電流電源回路
４４における内部抵抗４３の抵抗値Ｒ0 が無限大である
必要がある。ところが、定電流供給部５２では開放電圧
を２０ｍＶ以下に制限するために分圧回路５３を設けて
いるために、上記の式に示したように、内部抵抗４３
の抵抗値である定電流電源回路４４の等価出力抵抗は、
その分圧比（Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）の値が小さくなれ
ば、それに応じて低下する。この結果、定電流電源回路
４４の出力抵抗が低抵抗値であると、例えば、プローブ
Ｐ１，Ｐ２の配線長が変わることによってその配線抵抗
値が異なったり、プローブＰ１，Ｐ２を測定対象抵抗体
２に接続したときの接触圧によって接触抵抗が変動した
りしたときには、定電流電源回路４４から測定対象抵抗
体２に供給される出力電流ＩOUT の電流値ＩO が変動し
てしまう。一方、測定値演算部４による抵抗値演算で
は、定電流であることを前提とした電流値ＩO で測定対
象抵抗体２の両端電圧を除算するため、電流値ＩO が変
動した場合には、抵抗値演算に誤差を生じさせてしま
う。このため、この低抵抗計５１には、負荷条件の変動
などに起因して、測定対象抵抗体２の抵抗値を常に精度
良く測定することが困難となることがあり、この改善が
望まれている。
【０００９】本発明は、かかる改善点に鑑みてなされた
ものであり、最高出力電圧を所定電圧以下に制限しつつ
負荷条件の変動に影響されずに定電流を供給可能な定電
流源を提供すること、および、より高精度の抵抗測定を
可能な抵抗測定装置を提供することを主目的とする。
ものであり、最高出力電圧を所定電圧以下に制限しつつ
負荷条件の変動に影響されずに定電流を供給可能な定電
流源を提供すること、および、より高精度の抵抗測定を
可能な抵抗測定装置を提供することを主目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
請求項１記載の定電流源は、負荷回路に出力された出力
電流に応じた帰還電圧と基準電圧との差電圧を増幅する
ことにより出力電流を定電流に制御する誤差増幅回路
と、誤差増幅回路の出力電圧を分圧することにより最高
出力電圧を第１の所定電圧に制限するための分圧回路と
を備えた定電流源において、誤差増幅回路の出力電圧が
少なくとも第１の所定電圧よりも高電圧である第２の所
定電圧を超えたときに誤差増幅回路の出力電圧を第２の
所定電圧以下に制限する電圧制限回路を備え、分圧回路
は、電圧制限回路の出力電圧を分圧することにより最高
出力電圧を第１の所定電圧に制限することを特徴とす
る。
請求項１記載の定電流源は、負荷回路に出力された出力
電流に応じた帰還電圧と基準電圧との差電圧を増幅する
ことにより出力電流を定電流に制御する誤差増幅回路
と、誤差増幅回路の出力電圧を分圧することにより最高
出力電圧を第１の所定電圧に制限するための分圧回路と
を備えた定電流源において、誤差増幅回路の出力電圧が
少なくとも第１の所定電圧よりも高電圧である第２の所
定電圧を超えたときに誤差増幅回路の出力電圧を第２の
所定電圧以下に制限する電圧制限回路を備え、分圧回路
は、電圧制限回路の出力電圧を分圧することにより最高
出力電圧を第１の所定電圧に制限することを特徴とす
る。
【００１１】この定電流源では、例えば、誤差増幅回路
と分圧回路との間に電圧制限回路を配設する。この場
合、例えば負荷開放状態の際には、電圧制限回路は、誤
差増幅回路の出力電圧が第２の所定電圧を超えようとす
ると、誤差増幅回路の出力電圧を、その最高出力電圧
（例えば電源電圧）よりも低い第２の所定電圧に制限す
る。次いで、分圧回路が、第２の所定電圧に制限された
誤差増幅回路の出力電圧を分圧することにより、最高出
力電圧を第１の所定電圧に制限する。この場合、誤差増
幅回路の最高出力電圧を分圧回路のみで分圧する定電流
供給部５２とは異なり、この定電流源では、分圧回路
は、第２の所定電圧に一旦制限した誤差増幅回路の出力
電圧を分圧する。このため、分圧回路の分圧比の値を大
きくしたとしても、定電流源の最高出力電圧を第１の所
定電圧に制限することが可能となる。このため、上記の
式で示したように、定電流源の出力抵抗値を分圧比の
値に応じて大きくすることができる。この結果、出力抵
抗が無限大である理想的な定電流源に近似させることが
可能となる。一方、低抵抗の負荷が接続されている状態
のときには、誤差増幅回路の出力電圧が、第２の所定電
圧よりも十分に低電圧になるため、電圧制限回路が誤差
増幅回路の出力電圧を制限することなく、誤差増幅回路
による定電流制御動作が行われる。このため、負荷条件
の変動に影響されずに定電流を供給することが可能とな
る。
と分圧回路との間に電圧制限回路を配設する。この場
合、例えば負荷開放状態の際には、電圧制限回路は、誤
差増幅回路の出力電圧が第２の所定電圧を超えようとす
ると、誤差増幅回路の出力電圧を、その最高出力電圧
（例えば電源電圧）よりも低い第２の所定電圧に制限す
る。次いで、分圧回路が、第２の所定電圧に制限された
誤差増幅回路の出力電圧を分圧することにより、最高出
力電圧を第１の所定電圧に制限する。この場合、誤差増
幅回路の最高出力電圧を分圧回路のみで分圧する定電流
供給部５２とは異なり、この定電流源では、分圧回路
は、第２の所定電圧に一旦制限した誤差増幅回路の出力
電圧を分圧する。このため、分圧回路の分圧比の値を大
きくしたとしても、定電流源の最高出力電圧を第１の所
定電圧に制限することが可能となる。このため、上記の
式で示したように、定電流源の出力抵抗値を分圧比の
値に応じて大きくすることができる。この結果、出力抵
抗が無限大である理想的な定電流源に近似させることが
可能となる。一方、低抵抗の負荷が接続されている状態
のときには、誤差増幅回路の出力電圧が、第２の所定電
圧よりも十分に低電圧になるため、電圧制限回路が誤差
増幅回路の出力電圧を制限することなく、誤差増幅回路
による定電流制御動作が行われる。このため、負荷条件
の変動に影響されずに定電流を供給することが可能とな
る。
【００１２】請求項２記載の定電流電源装置は、請求項
１記載の定電流源において、電圧制限回路は、第２の所
定電圧を定めるための基準電圧発生器と、演算増幅器お
よびダイオードを備えて構成されると共に誤差増幅回路
の出力電圧を基準電圧発生器の基準電圧以下に制限する
理想ダイオード回路とを備えていることを特徴とする。
１記載の定電流源において、電圧制限回路は、第２の所
定電圧を定めるための基準電圧発生器と、演算増幅器お
よびダイオードを備えて構成されると共に誤差増幅回路
の出力電圧を基準電圧発生器の基準電圧以下に制限する
理想ダイオード回路とを備えていることを特徴とする。
【００１３】例えば、電圧制限回路をツェナーダイオー
ドで構成することにより、誤差増幅回路の最高出力電圧
を第２の所定電圧以下に制限することもできる。この場
合、ツェナーダイオードの製造ばらつきにより、定電流
源によって第２の所定電圧にばらつきが生じ、これによ
り、第１の所定電圧がばらつくこともある。一方、この
定電流源では、負荷開放状態などのときには、理想ダイ
オード回路が、誤差増幅回路の最高出力電圧を基準電圧
発生器の基準電圧以下に制限する。このため、低電流源
の最高出力電圧を高い精度で第１の所定電圧に制限する
ことが可能となる。
ドで構成することにより、誤差増幅回路の最高出力電圧
を第２の所定電圧以下に制限することもできる。この場
合、ツェナーダイオードの製造ばらつきにより、定電流
源によって第２の所定電圧にばらつきが生じ、これによ
り、第１の所定電圧がばらつくこともある。一方、この
定電流源では、負荷開放状態などのときには、理想ダイ
オード回路が、誤差増幅回路の最高出力電圧を基準電圧
発生器の基準電圧以下に制限する。このため、低電流源
の最高出力電圧を高い精度で第１の所定電圧に制限する
ことが可能となる。
【００１４】請求項３記載の抵抗測定装置は、請求項１
または２記載の定電流源を備え、請求項１または２記載
の定電流源を備え、定電流源の出力電流を供給すること
により測定対象抵抗体の抵抗値を測定することを特徴と
する。
または２記載の定電流源を備え、請求項１または２記載
の定電流源を備え、定電流源の出力電流を供給すること
により測定対象抵抗体の抵抗値を測定することを特徴と
する。
【００１５】この抵抗測定装置では、例えば、コネクタ
やリレーの接点などの測定対象抵抗体の抵抗値を測定す
る場合、まず、上記した定電流源を電流供給用プローブ
によって測定対象に接続し、その定電流源の出力電流を
測定対象に供給する。次いで、測定対象抵抗体の両端電
圧を測定し、測定した両端電圧に基づいて測定対象の抵
抗値を測定する。この場合、定電流源の出力電圧が第１
の所定電圧（例えば、２０ｍＶ）に制限されるため、測
定対象抵抗体としての接点の表面に形成された酸化被膜
を破壊することなく測定することが可能となる。また、
この定電流源は、出力抵抗が無限大である理想的な定電
流源に近似しているため、負荷条件の変動に影響されず
に定電流を供給することができる結果、電流供給用プロ
ーブの配線抵抗やプローブ接続時の接触抵抗の変動に影
響されることなく、常に精度良く測定対象の抵抗値を測
定することが可能となる。
やリレーの接点などの測定対象抵抗体の抵抗値を測定す
る場合、まず、上記した定電流源を電流供給用プローブ
によって測定対象に接続し、その定電流源の出力電流を
測定対象に供給する。次いで、測定対象抵抗体の両端電
圧を測定し、測定した両端電圧に基づいて測定対象の抵
抗値を測定する。この場合、定電流源の出力電圧が第１
の所定電圧（例えば、２０ｍＶ）に制限されるため、測
定対象抵抗体としての接点の表面に形成された酸化被膜
を破壊することなく測定することが可能となる。また、
この定電流源は、出力抵抗が無限大である理想的な定電
流源に近似しているため、負荷条件の変動に影響されず
に定電流を供給することができる結果、電流供給用プロ
ーブの配線抵抗やプローブ接続時の接触抵抗の変動に影
響されることなく、常に精度良く測定対象の抵抗値を測
定することが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係る定電流源および抵抗測定装置を交流低抵抗計１
に適用した実施の形態について説明する。なお、出願人
が既に開発している低抵抗計５１と同一の構成要素につ
いては同一の符号を付して重複説明を省略する。
明に係る定電流源および抵抗測定装置を交流低抵抗計１
に適用した実施の形態について説明する。なお、出願人
が既に開発している低抵抗計５１と同一の構成要素につ
いては同一の符号を付して重複説明を省略する。
【００１７】交流低抵抗計１は、図１に示すように、本
発明における定電流源に相当する定電流供給部３、およ
び抵抗値測定部４を備えている。定電流供給部３は、基
準電圧発生回路１０、演算増幅器で構成された誤差増幅
回路１１、抵抗１２、理想ダイオード回路１３，１４、
基準電圧発生器１５，１６、分圧回路１７、バッファア
ンプ２１、抵抗２２、コンデンサ２３，２４および差動
増幅回路２５を備えている。
発明における定電流源に相当する定電流供給部３、およ
び抵抗値測定部４を備えている。定電流供給部３は、基
準電圧発生回路１０、演算増幅器で構成された誤差増幅
回路１１、抵抗１２、理想ダイオード回路１３，１４、
基準電圧発生器１５，１６、分圧回路１７、バッファア
ンプ２１、抵抗２２、コンデンサ２３，２４および差動
増幅回路２５を備えている。
【００１８】ここで、抵抗１２は、抵抗値がＲ13であっ
て、誤差増幅回路１１の出力電流を制限すると共に、後
述するように、理想ダイオード回路１３，１４と相俟っ
て理想ダイオードとして機能する。理想ダイオード回路
１３は、演算増幅器３１およびダイオード３２で構成さ
れ、理想ダイオード回路１４は、演算増幅器３３および
ダイオード３４で構成されている。また、基準電圧発生
器１５は、＋５００ｍＶの基準電圧を生成して演算増幅
器３１のプラス入力部に出力する。一方、基準電圧発生
器１６は、−５００ｍＶの基準電圧を生成して演算増幅
器３３のプラス入力部に出力する。分圧回路１７は、抵
抗値がＲ11の抵抗３５および抵抗値がＲ12の抵抗３６で
構成され、その分圧比（Ｒ12／（Ｒ11＋Ｒ12））が１／
２５に設定されている。
て、誤差増幅回路１１の出力電流を制限すると共に、後
述するように、理想ダイオード回路１３，１４と相俟っ
て理想ダイオードとして機能する。理想ダイオード回路
１３は、演算増幅器３１およびダイオード３２で構成さ
れ、理想ダイオード回路１４は、演算増幅器３３および
ダイオード３４で構成されている。また、基準電圧発生
器１５は、＋５００ｍＶの基準電圧を生成して演算増幅
器３１のプラス入力部に出力する。一方、基準電圧発生
器１６は、−５００ｍＶの基準電圧を生成して演算増幅
器３３のプラス入力部に出力する。分圧回路１７は、抵
抗値がＲ11の抵抗３５および抵抗値がＲ12の抵抗３６で
構成され、その分圧比（Ｒ12／（Ｒ11＋Ｒ12））が１／
２５に設定されている。
【００１９】次に、この交流低抵抗計１による測定動作
について説明する。
について説明する。
【００２０】最初に、プローブＰ１，Ｐ２が測定対象抵
抗体２に接続されていない状態において交流低抵抗計１
の各部に±５Ｖの電源が供給されると、出力電流ＩOUT
が０Ａであるため、帰還電圧ＶFBは、０Ｖとなる。この
場合、誤差増幅回路１１の出力電圧Ｖ1 は電源電圧まで
飽和し、その際の出力電圧の電圧波形Ｗ１は、図２に示
すように、プラス側およびマイナス側のピーク電圧が＋
５Ｖおよび−５Ｖに制限される。この場合、演算増幅器
３１のマイナス入力部の入力電圧Ｖ2 が＋５００ｍＶを
超えるときには、演算増幅器３１のプラス入力部におけ
る電圧よりも高電圧になるため、演算増幅器３１の出力
電圧が負電圧になる。このため、誤差増幅回路１１の出
力電流が、抵抗１２およびダイオード３２を介して演算
増幅器３１に流れ込む。この際に、誤差増幅回路１１の
出力電流が抵抗１２を流れることによって電圧降下が生
じる結果、電圧Ｖ2 は演算増幅器３１のプラス入力部に
おける電圧と同じ電圧である＋５００ｍＶに制限され
る。一方、演算増幅器３３のマイナス入力部の入力電圧
Ｖ2 が−５００ｍＶを下回るときには、演算増幅器３３
のプラス入力部における電圧よりも低電圧になるため、
演算増幅器３３の出力電圧が正電圧になる。このため、
演算増幅器３３の出力電流が、ダイオード３４および抵
抗１２を介して誤差増幅回路１１に流れ込む。この際
に、電圧Ｖ2 は演算増幅器３３のプラス入力部における
電圧と同じ電圧である−５００ｍＶに制限される。この
結果、電圧Ｖ2 の電圧波形Ｗ２は、図２に示すように、
振幅が±５００ｍＶに制限された台形波状となる。この
場合、基準電圧発生器１５，１６の出力電圧が正確に安
定化されているため、電圧波形Ｗ２の瞬時最高電圧は正
確に±５００ｍＶに制限される。
抗体２に接続されていない状態において交流低抵抗計１
の各部に±５Ｖの電源が供給されると、出力電流ＩOUT
が０Ａであるため、帰還電圧ＶFBは、０Ｖとなる。この
場合、誤差増幅回路１１の出力電圧Ｖ1 は電源電圧まで
飽和し、その際の出力電圧の電圧波形Ｗ１は、図２に示
すように、プラス側およびマイナス側のピーク電圧が＋
５Ｖおよび−５Ｖに制限される。この場合、演算増幅器
３１のマイナス入力部の入力電圧Ｖ2 が＋５００ｍＶを
超えるときには、演算増幅器３１のプラス入力部におけ
る電圧よりも高電圧になるため、演算増幅器３１の出力
電圧が負電圧になる。このため、誤差増幅回路１１の出
力電流が、抵抗１２およびダイオード３２を介して演算
増幅器３１に流れ込む。この際に、誤差増幅回路１１の
出力電流が抵抗１２を流れることによって電圧降下が生
じる結果、電圧Ｖ2 は演算増幅器３１のプラス入力部に
おける電圧と同じ電圧である＋５００ｍＶに制限され
る。一方、演算増幅器３３のマイナス入力部の入力電圧
Ｖ2 が−５００ｍＶを下回るときには、演算増幅器３３
のプラス入力部における電圧よりも低電圧になるため、
演算増幅器３３の出力電圧が正電圧になる。このため、
演算増幅器３３の出力電流が、ダイオード３４および抵
抗１２を介して誤差増幅回路１１に流れ込む。この際
に、電圧Ｖ2 は演算増幅器３３のプラス入力部における
電圧と同じ電圧である−５００ｍＶに制限される。この
結果、電圧Ｖ2 の電圧波形Ｗ２は、図２に示すように、
振幅が±５００ｍＶに制限された台形波状となる。この
場合、基準電圧発生器１５，１６の出力電圧が正確に安
定化されているため、電圧波形Ｗ２の瞬時最高電圧は正
確に±５００ｍＶに制限される。
【００２１】次いで、分圧回路１７が、±５００ｍＶに
制限された電圧Ｖ2 を１／２５に分圧した±２０ｍＶの
分圧電圧をバッファアンプ２１に出力し、バッファアン
プ２１が抵抗２２およびコンデンサ２３を介してプロー
ブＰ１に分圧電圧を出力する。ここで、プローブＰ１，
Ｐ２間の電圧Ｖ3 の電圧波形Ｗ３は、バッファアンプ２
１の利得が１倍であり、かつ抵抗２２が低抵抗値である
ため、図２に示すように、振幅が±２０ｍＶに精度よく
制限される。次いで、プローブＰ１，Ｐ２を測定対象抵
抗体２に接続する。この場合、電圧Ｖ3 の振幅が±２０
ｍＶと低電圧に制限されているため、測定対象抵抗体２
内の接点における酸化被膜の電圧破壊が有効に防止され
る。
制限された電圧Ｖ2 を１／２５に分圧した±２０ｍＶの
分圧電圧をバッファアンプ２１に出力し、バッファアン
プ２１が抵抗２２およびコンデンサ２３を介してプロー
ブＰ１に分圧電圧を出力する。ここで、プローブＰ１，
Ｐ２間の電圧Ｖ3 の電圧波形Ｗ３は、バッファアンプ２
１の利得が１倍であり、かつ抵抗２２が低抵抗値である
ため、図２に示すように、振幅が±２０ｍＶに精度よく
制限される。次いで、プローブＰ１，Ｐ２を測定対象抵
抗体２に接続する。この場合、電圧Ｖ3 の振幅が±２０
ｍＶと低電圧に制限されているため、測定対象抵抗体２
内の接点における酸化被膜の電圧破壊が有効に防止され
る。
【００２２】次に、プローブＰ１，Ｐ２を測定対象抵抗
体２に接続した後の動作について説明する。
体２に接続した後の動作について説明する。
【００２３】この際には、測定対象抵抗体２が低抵抗値
であるため、誤差増幅回路１１の出力電圧Ｖ1 は±５０
０ｍＶ以下に制限されている。このため、演算増幅器３
１，３３のマイナス入力部における電圧Ｖ2 が±５００
ｍＶ以下であるため、理想ダイオード回路１３，１４は
非作動状態となり、この際には、下記の式が成立す
る。 （ＶR −Ｋ・Ｒ3 ・ＩO ）Ａ0 ・Ｒ12／（Ｒ11＋Ｒ12＋Ｒ13）＝（Ｒ3 ＋ＲX ）ＩO ・・・・・式 ここで、抵抗値Ｒ13は、実際には１００Ω程度の低抵抗
であって、数ｋΩ以上の抵抗値であるＲ11，Ｒ12に比べ
て十分小さいため、式においてＲ13を無視することが
できる。したがって、上記の式は下記の式に近似さ
れる。 （ＶR −Ｋ・Ｒ3 ・ＩO ）Ａ0 ・Ｒ12／（Ｒ11＋Ｒ12）＝（Ｒ3 ＋ＲX ）ＩO ・・・・・・・・式
であるため、誤差増幅回路１１の出力電圧Ｖ1 は±５０
０ｍＶ以下に制限されている。このため、演算増幅器３
１，３３のマイナス入力部における電圧Ｖ2 が±５００
ｍＶ以下であるため、理想ダイオード回路１３，１４は
非作動状態となり、この際には、下記の式が成立す
る。 （ＶR −Ｋ・Ｒ3 ・ＩO ）Ａ0 ・Ｒ12／（Ｒ11＋Ｒ12＋Ｒ13）＝（Ｒ3 ＋ＲX ）ＩO ・・・・・式 ここで、抵抗値Ｒ13は、実際には１００Ω程度の低抵抗
であって、数ｋΩ以上の抵抗値であるＲ11，Ｒ12に比べ
て十分小さいため、式においてＲ13を無視することが
できる。したがって、上記の式は下記の式に近似さ
れる。 （ＶR −Ｋ・Ｒ3 ・ＩO ）Ａ0 ・Ｒ12／（Ｒ11＋Ｒ12）＝（Ｒ3 ＋ＲX ）ＩO ・・・・・・・・式
【００２４】ここで、式は、前述した式における分
圧比（Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ））を分圧比（Ｒ12／（Ｒ11
＋Ｒ12））に置き換えた式に他ならない。したがって、
定電流供給部３を図３に示す定電圧電源回路４１、およ
び図４に示す定電流電源回路４４に置換した場合、内部
抵抗４３の抵抗値Ｒ0 は、前述した式において分圧比
（Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ））を分圧比（Ｒ12／（Ｒ11＋Ｒ
12））に置き換えることにより、下記の式で表され
る。 Ｒ0 ＝Ｒ3 ｛１＋（Ａ0 ・Ｋ・Ｒ12）／（Ｒ11＋Ｒ12）｝・・式
圧比（Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ））を分圧比（Ｒ12／（Ｒ11
＋Ｒ12））に置き換えた式に他ならない。したがって、
定電流供給部３を図３に示す定電圧電源回路４１、およ
び図４に示す定電流電源回路４４に置換した場合、内部
抵抗４３の抵抗値Ｒ0 は、前述した式において分圧比
（Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ））を分圧比（Ｒ12／（Ｒ11＋Ｒ
12））に置き換えることにより、下記の式で表され
る。 Ｒ0 ＝Ｒ3 ｛１＋（Ａ0 ・Ｋ・Ｒ12）／（Ｒ11＋Ｒ12）｝・・式
【００２５】この場合、分圧比（Ｒ12／（Ｒ11＋Ｒ1
2））は、値（１／２５）であって、低抵抗計５１の定
電流供給部５２における分圧回路５３の分圧比（１／２
５０）と比べて１０倍大きく設定されている。また、値
（（Ａ0 ・Ｋ・Ｒ12）／（Ｒ11＋Ｒ12））が値１よりも
十分に大きいため、式に示す内部抵抗４３の抵抗値Ｒ
0は、低抵抗計５１の定電流供給部５２における内部抵
抗と比べて、およそ１０倍ほど大きくなっている。した
がって、定電流供給部３が理想電流源に近似するため、
プローブＰ１，Ｐ２の配線抵抗や、両プローブＰ１，Ｐ
２の接触抵抗が変動したとしても、これに影響されるこ
となく、出力電流ＩOUT は、常に一定値の電流値ＩO に
制御される。
2））は、値（１／２５）であって、低抵抗計５１の定
電流供給部５２における分圧回路５３の分圧比（１／２
５０）と比べて１０倍大きく設定されている。また、値
（（Ａ0 ・Ｋ・Ｒ12）／（Ｒ11＋Ｒ12））が値１よりも
十分に大きいため、式に示す内部抵抗４３の抵抗値Ｒ
0は、低抵抗計５１の定電流供給部５２における内部抵
抗と比べて、およそ１０倍ほど大きくなっている。した
がって、定電流供給部３が理想電流源に近似するため、
プローブＰ１，Ｐ２の配線抵抗や、両プローブＰ１，Ｐ
２の接触抵抗が変動したとしても、これに影響されるこ
となく、出力電流ＩOUT は、常に一定値の電流値ＩO に
制御される。
【００２６】この状態で、測定対象抵抗体２にプローブ
Ｐ３，Ｐ４を接続すると、抵抗値測定部４が、測定対象
抵抗体２の両端に発生する両端電圧を測定すると共に、
この測定値を出力電流ＩOUT の電流値ＩO で除算するこ
とにより測定対象抵抗体２の抵抗値を測定する。この場
合、出力電流ＩOUT の電流値ＩO が常に一定であるた
め、測定対象抵抗体２の抵抗値を常に精度良く測定する
ことができる。
Ｐ３，Ｐ４を接続すると、抵抗値測定部４が、測定対象
抵抗体２の両端に発生する両端電圧を測定すると共に、
この測定値を出力電流ＩOUT の電流値ＩO で除算するこ
とにより測定対象抵抗体２の抵抗値を測定する。この場
合、出力電流ＩOUT の電流値ＩO が常に一定であるた
め、測定対象抵抗体２の抵抗値を常に精度良く測定する
ことができる。
【００２７】なお、本発明は、上記した発明の実施の形
態に限定されず、その構成を適宜変更することができ
る。例えば、本実施形態では、理想ダイオード回路と基
準電圧発生器とで電圧制限回路を構成しているが、本発
明は、これに限定されず、例えば、第１の所定電圧に高
い精度が要求されないときにはツェナーダイオードで電
圧制限回路を構成してもよい。また、本実施形態では、
本発明に係る定電流源を交流低抵抗計１における定電流
供給部３に適用する例について説明したが、本発明は、
これに限定されず、一般の定電流源に適用が可能であ
る。さらに、本発明における分圧回路の分圧比は、本発
明の実施の形態に示した値に限定されず、適宜変更する
ことができ、本発明における電圧制限回路によって制限
される電圧値も適宜変更することができる。また、交流
定電流を供給する電流源に限らず、直流定電流を供給す
る電流源にも適用できるのは勿論である。
態に限定されず、その構成を適宜変更することができ
る。例えば、本実施形態では、理想ダイオード回路と基
準電圧発生器とで電圧制限回路を構成しているが、本発
明は、これに限定されず、例えば、第１の所定電圧に高
い精度が要求されないときにはツェナーダイオードで電
圧制限回路を構成してもよい。また、本実施形態では、
本発明に係る定電流源を交流低抵抗計１における定電流
供給部３に適用する例について説明したが、本発明は、
これに限定されず、一般の定電流源に適用が可能であ
る。さらに、本発明における分圧回路の分圧比は、本発
明の実施の形態に示した値に限定されず、適宜変更する
ことができ、本発明における電圧制限回路によって制限
される電圧値も適宜変更することができる。また、交流
定電流を供給する電流源に限らず、直流定電流を供給す
る電流源にも適用できるのは勿論である。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の定電流源
によれば、電圧制限回路が誤差増幅回路の出力電圧を第
２の所定電圧以下に制限することにより、分圧回路にお
ける分圧比の値を大きくすることができ、これにより、
定電流源の出力抵抗を大きくすることができる結果、負
荷条件の変動に影響されずに負荷回路に対して常に定電
流を供給することができる。
によれば、電圧制限回路が誤差増幅回路の出力電圧を第
２の所定電圧以下に制限することにより、分圧回路にお
ける分圧比の値を大きくすることができ、これにより、
定電流源の出力抵抗を大きくすることができる結果、負
荷条件の変動に影響されずに負荷回路に対して常に定電
流を供給することができる。
【００２９】また、請求項２記載の定電流源によれば、
演算増幅器およびダイオードで構成された理想ダイオー
ド回路と基準電圧生成回路とで電圧制限回路を構成する
ことにより、電圧制限回路をツェナーダイオードなどで
構成する場合と比べて、最高出力電圧を高い精度で第１
の所定電圧に維持することができる。
演算増幅器およびダイオードで構成された理想ダイオー
ド回路と基準電圧生成回路とで電圧制限回路を構成する
ことにより、電圧制限回路をツェナーダイオードなどで
構成する場合と比べて、最高出力電圧を高い精度で第１
の所定電圧に維持することができる。
【００３０】さらに、請求項３記載の抵抗測定装置によ
れば、請求項１または２記載の定電流源から出力される
出力電流を測定対象抵抗体に供給することにより、電流
供給用プローブの配線抵抗や接触抵抗の変動に影響され
ることなく、常に精度良く測定対象抵抗体の抵抗値を測
定することができる。
れば、請求項１または２記載の定電流源から出力される
出力電流を測定対象抵抗体に供給することにより、電流
供給用プローブの配線抵抗や接触抵抗の変動に影響され
ることなく、常に精度良く測定対象抵抗体の抵抗値を測
定することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る交流低抵抗計１の回
路図である。
路図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る交流低抵抗計の各部
における電圧の電圧波形図である。
における電圧の電圧波形図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る交流低抵抗計１の定
電流供給部３および出願人が既に開発している交流低抵
抗計５１の定電流供給部５２についての等価的な定電圧
電源回路の回路図である。
電流供給部３および出願人が既に開発している交流低抵
抗計５１の定電流供給部５２についての等価的な定電圧
電源回路の回路図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る交流低抵抗計１の定
電流供給部３および出願人が既に開発している交流低抵
抗計５１の定電流供給部５２についての等価的な定電流
電源回路の回路図である。
電流供給部３および出願人が既に開発している交流低抵
抗計５１の定電流供給部５２についての等価的な定電流
電源回路の回路図である。
【図５】出願人が既に開発している抵抗測定装置５１の
回路図である。
回路図である。
１ 交流低抵抗計 ２ 測定対象抵抗体 ３ 定電流供給部 １１ 誤差増幅回路 １２ 抵抗 １３ 理想ダイオード回路 １４ 理想ダイオード回路 １５ 基準電圧発生器 １６ 基準電圧発生器 １７ 分圧回路 ３１ 演算増幅器 ３２ ダイオード ３３ 演算増幅器 ３４ ダイオード ＩOUT 出力電流 ＶR 基準電圧 ＶFB 帰還電圧 Ｖ2 電圧
Claims (3)
- 【請求項１】 負荷回路に出力された出力電流に応じた
帰還電圧と基準電圧との差電圧を増幅することにより当
該出力電流を定電流に制御する誤差増幅回路と、当該誤
差増幅回路の出力電圧を分圧することにより最高出力電
圧を第１の所定電圧に制限するための分圧回路とを備え
た定電流源において、 前記誤差増幅回路の出力電圧が少なくとも前記第１の所
定電圧よりも高電圧である第２の所定電圧を超えたとき
に当該誤差増幅回路の出力電圧を当該第２の所定電圧以
下に制限する電圧制限回路を備え、前記分圧回路は、前
記電圧制限回路の出力電圧を分圧することにより前記最
高出力電圧を前記第１の所定電圧に制限することを特徴
とする定電流源。 - 【請求項２】 前記電圧制限回路は、前記第２の所定電
圧を定めるための基準電圧発生器と、演算増幅器および
ダイオードを備えて構成されると共に前記誤差増幅回路
の出力電圧を前記基準電圧発生器の基準電圧以下に制限
する理想ダイオード回路とを備えていることを特徴とす
る請求項１記載の定電流源。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の定電流源を備
え、当該定電流源の出力電流を供給することにより測定
対象抵抗体の抵抗値を測定することを特徴とする抵抗測
定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10377498A JPH11281688A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 定電流源および抵抗測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10377498A JPH11281688A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 定電流源および抵抗測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11281688A true JPH11281688A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=14362803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10377498A Pending JPH11281688A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 定電流源および抵抗測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11281688A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007040860A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Arufakusu Kk | サージ電流抑制回路 |
| JP2011221778A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Hioki Ee Corp | 交流定電流出力装置 |
| JP2013117420A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Hioki Ee Corp | 測定装置 |
| CN108508955A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-09-07 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 一种基于差动放大器和反馈缓冲器的精密恒流源 |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP10377498A patent/JPH11281688A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007040860A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Arufakusu Kk | サージ電流抑制回路 |
| JP4697948B2 (ja) * | 2005-08-04 | 2011-06-08 | アルファクス株式会社 | サージ電流抑制回路 |
| JP2011221778A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Hioki Ee Corp | 交流定電流出力装置 |
| JP2013117420A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Hioki Ee Corp | 測定装置 |
| CN108508955A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-09-07 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 一种基于差动放大器和反馈缓冲器的精密恒流源 |
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