JP2000182550A - 電子銃および電子銃を用いる照明装置または電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子銃および電子銃を用いる照明装置または電子ビーム露光装置Info
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- H01J3/02—Electron guns
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広照射領域を一様な強度分布の電子線を照射
できると共に、安定で制御性の優れた電子銃および電子
銃を用いる電子ビーム照射装置または電子ビーム露光装
置を提供する。 【解決手段】 電子源から放出された電子ビームが、電
子源、ウエネルト電極および第１の加速電極が作る電界
分布により集束される第１のクロスオーバからさらに放
出され、後段の加速電極が作る電界分布により加速・集
束され、後段の加速電極の後方の位置に形成される第２
のクロスオーバ特性を、後段の電界分布を変える手段を
設けることにより調整し、電子銃の動作制御を可能とす
る。
できると共に、安定で制御性の優れた電子銃および電子
銃を用いる電子ビーム照射装置または電子ビーム露光装
置を提供する。 【解決手段】 電子源から放出された電子ビームが、電
子源、ウエネルト電極および第１の加速電極が作る電界
分布により集束される第１のクロスオーバからさらに放
出され、後段の加速電極が作る電界分布により加速・集
束され、後段の加速電極の後方の位置に形成される第２
のクロスオーバ特性を、後段の電界分布を変える手段を
設けることにより調整し、電子銃の動作制御を可能とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造のリソグラフィ工程において用いられる電子銃、およ
び電子銃を用いた照明装置または電子ビーム露光装置に
関する。
造のリソグラフィ工程において用いられる電子銃、およ
び電子銃を用いた照明装置または電子ビーム露光装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体メモリデバイス製造の量産プロセ
スにおいては、高い生産性を持つ光ステッパが用いられ
てきたが、線幅が０．２μｍ以下の１Ｇ、４ＧＤＲＡＭ
以降のメモリデバイスの生産においては、光露光方式に
代わる露光技術の１つとして、解像度が高く、かつ生産
性の優れた電子ビーム露光法が期待されている。
スにおいては、高い生産性を持つ光ステッパが用いられ
てきたが、線幅が０．２μｍ以下の１Ｇ、４ＧＤＲＡＭ
以降のメモリデバイスの生産においては、光露光方式に
代わる露光技術の１つとして、解像度が高く、かつ生産
性の優れた電子ビーム露光法が期待されている。
【０００３】従来の電子ビーム露光方式は、単一ビーム
のガウシアン方式と可変成形方式が中心であった。これ
らの電子ビーム露光方式は、生産性が低いことから、マ
スク描画や超ＬＳＩの研究開発、または少量生産のＡＳ
ＩＣデバイス等の限られた領域に用いられてきた。電子
ビーム露光法の量産化への課題は、生産性を如何にして
向上させるかであり、近年、この課題解決の１つの方法
として、図４（ａ）、（ｂ）に示すような部分一括転写
方式が提案されている。この方式は、メモリ回路パター
ンの繰り返し部分を数μｍ領域に分割し、セル化するこ
とにより、露光のショット回数が低減できることから、
生産性を向上させることが出来るようになった。
のガウシアン方式と可変成形方式が中心であった。これ
らの電子ビーム露光方式は、生産性が低いことから、マ
スク描画や超ＬＳＩの研究開発、または少量生産のＡＳ
ＩＣデバイス等の限られた領域に用いられてきた。電子
ビーム露光法の量産化への課題は、生産性を如何にして
向上させるかであり、近年、この課題解決の１つの方法
として、図４（ａ）、（ｂ）に示すような部分一括転写
方式が提案されている。この方式は、メモリ回路パター
ンの繰り返し部分を数μｍ領域に分割し、セル化するこ
とにより、露光のショット回数が低減できることから、
生産性を向上させることが出来るようになった。
【０００４】一方、露光装置において生産性と同時に重
要なのが露光の線幅精度であり、この性能を確保するた
め露光領域の照射強度の一様性を全露光領域において１
％以下にすることが要求されている。上記の部分一括露
光方式の一括露光面積は、約５μｍ平方前後であり、ま
た投影レンズの集束半角はレンズ収差による解像条件か
ら数ｍ radに設定されることから、一様照明に要求さ
れる条件として、電子銃のクロスオーバ径と照射ビーム
の取出し半角の積で定義されるエミッタンスをεとし
て、ε＞露光領域×レンズの集束半角≒１０μｍ ra
d、のものが用いられていた。また、露光電子ビームの
エネルギーは５０ｋｅＶ程度であり、図４（ａ）に示す
ような３極電子銃構造の電子銃が用いられ、そして、電
子銃から放射される電子ビームの中から一様性の高い照
射電子ビームを得るため、図４（ｂ）に示すように、数
１０ｍ radに放射する放射電子ビームの中から特性の
良い数ｍ radの領域のビームを照射ビームとして利用
していた。
要なのが露光の線幅精度であり、この性能を確保するた
め露光領域の照射強度の一様性を全露光領域において１
％以下にすることが要求されている。上記の部分一括露
光方式の一括露光面積は、約５μｍ平方前後であり、ま
た投影レンズの集束半角はレンズ収差による解像条件か
ら数ｍ radに設定されることから、一様照明に要求さ
れる条件として、電子銃のクロスオーバ径と照射ビーム
の取出し半角の積で定義されるエミッタンスをεとし
て、ε＞露光領域×レンズの集束半角≒１０μｍ ra
d、のものが用いられていた。また、露光電子ビームの
エネルギーは５０ｋｅＶ程度であり、図４（ａ）に示す
ような３極電子銃構造の電子銃が用いられ、そして、電
子銃から放射される電子ビームの中から一様性の高い照
射電子ビームを得るため、図４（ｂ）に示すように、数
１０ｍ radに放射する放射電子ビームの中から特性の
良い数ｍ radの領域のビームを照射ビームとして利用
していた。
【０００５】近年、露光領域をさらに大きくして生産性
を向上させる方式として、例えば、電子ビーム散乱マス
クを用いた電子ビーム転写露光方式であるＳＣＡＬＰＥ
Ｌ方式（S.D.Berger et al. "Projection electron bea
m lithography: A new approach." J. Vac. Sci. Techn
ology B9, 2996, (1991)）が、提案されている。この方
式は、従来の可変成形方式や部分一括転写露光方式に比
べて露光面積が２５００倍以上も大きく出来ることか
ら、クーロン効果による電子−電子相互作用の影響を低
減できるため、ビーム電流を１桁以上高くすることが可
能であり、優れた生産性が期待出来る。ＳＣＡＬＰＥＬ
の露光方式において要求される電子銃のエミッタンスの
条件は、露光領域を２５０μｍ平方、電子ビームの集束
半角を２ｍradとすると、エミッタンスε＞７００μｍ
・ｍ radとなり、従来の電子銃に比べて、１００倍前
後の大きいエミッタンス特性を持った電子銃が必要とな
る。
を向上させる方式として、例えば、電子ビーム散乱マス
クを用いた電子ビーム転写露光方式であるＳＣＡＬＰＥ
Ｌ方式（S.D.Berger et al. "Projection electron bea
m lithography: A new approach." J. Vac. Sci. Techn
ology B9, 2996, (1991)）が、提案されている。この方
式は、従来の可変成形方式や部分一括転写露光方式に比
べて露光面積が２５００倍以上も大きく出来ることか
ら、クーロン効果による電子−電子相互作用の影響を低
減できるため、ビーム電流を１桁以上高くすることが可
能であり、優れた生産性が期待出来る。ＳＣＡＬＰＥＬ
の露光方式において要求される電子銃のエミッタンスの
条件は、露光領域を２５０μｍ平方、電子ビームの集束
半角を２ｍradとすると、エミッタンスε＞７００μｍ
・ｍ radとなり、従来の電子銃に比べて、１００倍前
後の大きいエミッタンス特性を持った電子銃が必要とな
る。
【０００６】また、露光領域をさらに広げて、生産性を
向上させる方式として、円弧状ビームを用いるＥＢマス
ク転写露光装置（特開平１０−１３５１０２）が提案さ
れている。この露光方式の特徴は、光軸を中心とする２
つの円弧で挟まれた円弧状のビームを用いることによ
り、投影レンズの像面湾曲収差を低減させることにより
露光領域を拡大していることである。この方式の場合、
電子銃のエミッタンスの条件は、円形状に照射した電子
ビームの中から露光領域として円弧状ビームを切り出し
て照射する時、例えば円弧の長さを３ｍｍ、円弧の幅を
０．１ｍｍ、集束半角を１〜２ｍ radとすると、前述
のＳＣＡＬＰＥＬ方式よりもさらに約５倍以上大きなエ
ミッタンスが必要となる。
向上させる方式として、円弧状ビームを用いるＥＢマス
ク転写露光装置（特開平１０−１３５１０２）が提案さ
れている。この露光方式の特徴は、光軸を中心とする２
つの円弧で挟まれた円弧状のビームを用いることによ
り、投影レンズの像面湾曲収差を低減させることにより
露光領域を拡大していることである。この方式の場合、
電子銃のエミッタンスの条件は、円形状に照射した電子
ビームの中から露光領域として円弧状ビームを切り出し
て照射する時、例えば円弧の長さを３ｍｍ、円弧の幅を
０．１ｍｍ、集束半角を１〜２ｍ radとすると、前述
のＳＣＡＬＰＥＬ方式よりもさらに約５倍以上大きなエ
ミッタンスが必要となる。
【０００７】円弧状ビームを形成する場合、電子銃から
放出する面状の電子ビームの中から一部を円弧状ビーム
として取出した場合、電子銃からの放射電子ビームの利
用効率が、１／１０００程度と極めて低くなり、熱問題
や電子銃電源の負荷の問題から安定な電子ビームを得る
ことは極めて難しかった。
放出する面状の電子ビームの中から一部を円弧状ビーム
として取出した場合、電子銃からの放射電子ビームの利
用効率が、１／１０００程度と極めて低くなり、熱問題
や電子銃電源の負荷の問題から安定な電子ビームを得る
ことは極めて難しかった。
【０００８】図５は電子ビーム露光装置に要求される電
子銃の輝度とエミッタンスの関係を示す図である。輝度
Ｂは、それぞれの露光方式で決まる露光領域の電流密度
Ｊ（Ａ／ｃｍ２）と集束半角α（ｒａｄｉａｎ）から、
Ｂ＝Ｊ／πα２（Ａ／ｃｍ２ｓｒ）で決まる数値を示し
たものである。ここで面状ビーム転写装置とは、従来の
部分一括転写装置の露光面積５μｍ平方に対し数１００
μｍ平方の矩形の露光領域を有する方式を意味し、円弧
状ビーム方式に対し面状ビーム方式と称している。これ
には前述のＳＣＡＬＰＥＬ方式も含まれる。
子銃の輝度とエミッタンスの関係を示す図である。輝度
Ｂは、それぞれの露光方式で決まる露光領域の電流密度
Ｊ（Ａ／ｃｍ２）と集束半角α（ｒａｄｉａｎ）から、
Ｂ＝Ｊ／πα２（Ａ／ｃｍ２ｓｒ）で決まる数値を示し
たものである。ここで面状ビーム転写装置とは、従来の
部分一括転写装置の露光面積５μｍ平方に対し数１００
μｍ平方の矩形の露光領域を有する方式を意味し、円弧
状ビーム方式に対し面状ビーム方式と称している。これ
には前述のＳＣＡＬＰＥＬ方式も含まれる。
【０００９】図５に示す装置はいずれも生産性を高める
ため露光面積を広げるものであるが、照射領域を均一に
照射できる電子銃を得ることは難しく、その程度はエミ
ッタンスが大きくなる程厳しくなる。
ため露光面積を広げるものであるが、照射領域を均一に
照射できる電子銃を得ることは難しく、その程度はエミ
ッタンスが大きくなる程厳しくなる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】生産性の高い電子ビー
ム露光方式では、エミッタンスの大きなことが要求され
るだけでなく、図５の中の円弧状ビーム転写装置の例に
示す様に、使用する円弧状ビームの大きさを１〜３ｍｍ
に、また、集束半角を１〜２ｍ radと変えた場合、そ
の条件に添って、輝度とエミッタンス条件を選択できる
電子銃が必要となる。
ム露光方式では、エミッタンスの大きなことが要求され
るだけでなく、図５の中の円弧状ビーム転写装置の例に
示す様に、使用する円弧状ビームの大きさを１〜３ｍｍ
に、また、集束半角を１〜２ｍ radと変えた場合、そ
の条件に添って、輝度とエミッタンス条件を選択できる
電子銃が必要となる。
【００１１】また、散乱型ＥＢマスクを用いた電子ビー
ム転写露光方式では、電子ビームがＥＢマスク基板を透
過する際の電子散乱の影響を低減するため、電子ビーム
のエネルギーを約１００ｋｅＶ以上に高めることが必要
となり、従来の３極構造の電子銃では、高圧放電を押さ
えることが難しく、安定な電子ビームを得ることが難し
かった。この電子銃の放電対策として、一般に多段加速
型の電子銃が用いられるが、例えば第１の加速電極の後
方に、第１のクロスオーバに続く第２のクロスオーバを
形成する電界を作る第２加速電極が設けられる場合、従
来の加速電極の構成及び電圧設定の方法では、第１の加
速電極の電圧の調整で、第１のクロスオーバと第２のク
ロスオーバの特性が、同時に変化するため、高エミッタ
ンス特性を必要とする電子銃、あるいはそのような電子
銃を用いた照明装置においては、制御性が悪く、調整を
難しくしていた。
ム転写露光方式では、電子ビームがＥＢマスク基板を透
過する際の電子散乱の影響を低減するため、電子ビーム
のエネルギーを約１００ｋｅＶ以上に高めることが必要
となり、従来の３極構造の電子銃では、高圧放電を押さ
えることが難しく、安定な電子ビームを得ることが難し
かった。この電子銃の放電対策として、一般に多段加速
型の電子銃が用いられるが、例えば第１の加速電極の後
方に、第１のクロスオーバに続く第２のクロスオーバを
形成する電界を作る第２加速電極が設けられる場合、従
来の加速電極の構成及び電圧設定の方法では、第１の加
速電極の電圧の調整で、第１のクロスオーバと第２のク
ロスオーバの特性が、同時に変化するため、高エミッタ
ンス特性を必要とする電子銃、あるいはそのような電子
銃を用いた照明装置においては、制御性が悪く、調整を
難しくしていた。
【００１２】本発明の目的は、高スループット電子ビー
ム露光装置の条件として必要な、広露光面積、大照射電
流、優れた照射電流の均一性並びに制御性の優れた高エ
ミッタンス特性を備え、かつ高電圧に対しても安定に動
作し、実用的に優れた電子銃、およびそのような電子銃
を用いた照明装置、電子ビーム露光装置を提供すること
である。
ム露光装置の条件として必要な、広露光面積、大照射電
流、優れた照射電流の均一性並びに制御性の優れた高エ
ミッタンス特性を備え、かつ高電圧に対しても安定に動
作し、実用的に優れた電子銃、およびそのような電子銃
を用いた照明装置、電子ビーム露光装置を提供すること
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の電子銃は、いず
れかの加速電極が作る電界分布を変更することにより、
電子銃の最後尾に形成されるクロスオーバの特性を制御
する最終クロスオーバ特性制御手段を有する。
れかの加速電極が作る電界分布を変更することにより、
電子銃の最後尾に形成されるクロスオーバの特性を制御
する最終クロスオーバ特性制御手段を有する。
【００１４】最終クロスオーバ特性制御手段は、電子
源、ウエネルト電極および第１の加速電極が作る電界分
布により電子源から放出される電子ビームが加速・集束
されて形成される第１のクロスオーバからさらに放出さ
れ、第１の加速電極より後方に位置する少くとも１つの
加速電極が作る電界分布により加速・集束され、少なく
とも一つの加速電極の後方に形成されるいずれかのクロ
スオーバの特性を制御することにより最終のクロスオー
バの特性を制御してもよい。
源、ウエネルト電極および第１の加速電極が作る電界分
布により電子源から放出される電子ビームが加速・集束
されて形成される第１のクロスオーバからさらに放出さ
れ、第１の加速電極より後方に位置する少くとも１つの
加速電極が作る電界分布により加速・集束され、少なく
とも一つの加速電極の後方に形成されるいずれかのクロ
スオーバの特性を制御することにより最終のクロスオー
バの特性を制御してもよい。
【００１５】最終クロスオーバ特性制御手段は、少くと
も１つの加速電極のうちいずれかの加速電極の設置位置
を変更制御する加速制御電極位置制御手段であってもよ
い。いずれかの加速電極は電子銃の最後尾に位置する加
速電極であってもよい。
も１つの加速電極のうちいずれかの加速電極の設置位置
を変更制御する加速制御電極位置制御手段であってもよ
い。いずれかの加速電極は電子銃の最後尾に位置する加
速電極であってもよい。
【００１６】最終クロスオーバ特性制御手段は、少くと
も１つの加速電極のうちいずれかの加速電極の前方に位
置し、その加速電極の作る電界分布を補正する加速補正
電極および加速補正電極に対する供給電圧を制御する加
速補正電圧制御手段であってもよい。上のいずれかの加
速電極は電子銃の最後尾に位置する加速電極であっても
よい。
も１つの加速電極のうちいずれかの加速電極の前方に位
置し、その加速電極の作る電界分布を補正する加速補正
電極および加速補正電極に対する供給電圧を制御する加
速補正電圧制御手段であってもよい。上のいずれかの加
速電極は電子銃の最後尾に位置する加速電極であっても
よい。
【００１７】加速補正電極とその後方の加速電極との距
離は、加速補正電極とその前方の加速電極との距離より
も小さくてもよい。
離は、加速補正電極とその前方の加速電極との距離より
も小さくてもよい。
【００１８】加速補正電極に電源供給する高圧電源は、
電子源および第１の加速電圧の高圧電源と独立に設けら
れてもよい。
電子源および第１の加速電圧の高圧電源と独立に設けら
れてもよい。
【００１９】電子源は、中央部が凹み、周縁部が盛り上
がったリング状の電子放出面を有する熱電子源であり、
電子放出面から放出される電子ビームが形成するクロス
オーバの角度電流分布はリング状を示していてもよい。
がったリング状の電子放出面を有する熱電子源であり、
電子放出面から放出される電子ビームが形成するクロス
オーバの角度電流分布はリング状を示していてもよい。
【００２０】電子源は、平面状または球面状の電子放出
面を有していてもよい。
面を有していてもよい。
【００２１】前述のいずれかの加速電極は第１の加速電
極の後方に設けられた第２の加速電極であってもよい。
極の後方に設けられた第２の加速電極であってもよい。
【００２２】本発明は前述のような電子銃を用いる照明
装置または電子ビーム露光装置を含む。
装置または電子ビーム露光装置を含む。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】図１は本発明の電子銃の１つの実施の形態
を示し、図１（ａ）は電子銃の構成例を、図１（ｂ）は
図１（ａ）に示す電子銃の第２のクロスオーバＣＯ２の
角度電流分布を示している。
を示し、図１（ａ）は電子銃の構成例を、図１（ｂ）は
図１（ａ）に示す電子銃の第２のクロスオーバＣＯ２の
角度電流分布を示している。
【００２５】図１（ａ）に示す電子銃４３は、電子放出
面の周縁部が凹んだ中央部のまわりに盛り上り、円形の
リング形状をしたＬａＢ６電子源１と、ウエネルト電極
２と、第１の加速電極３ａと、位置が可変な第２の加速
電極３ｂと、第２の加速電極の設置位置を調整する加速
電極位置制御ユニット２０およびアパーチャ４ｃで構成
されている。電子源１の電子放出面の電流密度は、リン
グ状の表面が高い電界強度を形成することから、高角度
領域に大きなリング状ピークを持つ角度電流分布が得ら
れる。電子源１、ウエネルト電極２、第１の加速電極３
ａによって形成される前段の電界分布Ｆ１は、位置ＺＣ
１にクロスオーバＣＯ１を形成する。クロスオーバＣＯ
１では、リング状電子源の電子放出面から放射した電子
ビームの角度電流分布の特性が、リング状のピークを持
つように電界分布Ｆ１が調節される。
面の周縁部が凹んだ中央部のまわりに盛り上り、円形の
リング形状をしたＬａＢ６電子源１と、ウエネルト電極
２と、第１の加速電極３ａと、位置が可変な第２の加速
電極３ｂと、第２の加速電極の設置位置を調整する加速
電極位置制御ユニット２０およびアパーチャ４ｃで構成
されている。電子源１の電子放出面の電流密度は、リン
グ状の表面が高い電界強度を形成することから、高角度
領域に大きなリング状ピークを持つ角度電流分布が得ら
れる。電子源１、ウエネルト電極２、第１の加速電極３
ａによって形成される前段の電界分布Ｆ１は、位置ＺＣ
１にクロスオーバＣＯ１を形成する。クロスオーバＣＯ
１では、リング状電子源の電子放出面から放射した電子
ビームの角度電流分布の特性が、リング状のピークを持
つように電界分布Ｆ１が調節される。
【００２６】クロスオーバＣＯ１を発した電子ビームＥ
Ｂは第２の加速電極３ｂによって形成される後段の電界
分布Ｆ２によって、第２の加速電極３ｂの後方の位置Ｚ
Ｃ２にクロスオーバＣＯ２を形成する。クロスオーバＣ
Ｏ２の角度電流分布は、電極位置制御ユニット２０によ
り、第２の加速電極３ｂの位置をＡ１、Ａ２、Ａｎと変
えることによって電界分布Ｆ２が変化し、それに伴い、
図１（ｂ）に示すようにクロスオーバＣＯ２のリング状
ビームのピークの放射角が変化する。このことから、第
２加速電極３ｂの位置を変えることにより、第２クロス
オーバＣＯ２の放射特性すなわち角度電流分布特性を調
節することが出来る。
Ｂは第２の加速電極３ｂによって形成される後段の電界
分布Ｆ２によって、第２の加速電極３ｂの後方の位置Ｚ
Ｃ２にクロスオーバＣＯ２を形成する。クロスオーバＣ
Ｏ２の角度電流分布は、電極位置制御ユニット２０によ
り、第２の加速電極３ｂの位置をＡ１、Ａ２、Ａｎと変
えることによって電界分布Ｆ２が変化し、それに伴い、
図１（ｂ）に示すようにクロスオーバＣＯ２のリング状
ビームのピークの放射角が変化する。このことから、第
２加速電極３ｂの位置を変えることにより、第２クロス
オーバＣＯ２の放射特性すなわち角度電流分布特性を調
節することが出来る。
【００２７】この場合、第２の加速電極３ｂの位置を電
子源１側にシフトすることにより電界分布Ｆ２の強度は
大きくなることから加速レンズの凸レンズ作用が大きく
なり、これにより、クロスオーバ位置ＺＣ２は電子源側
にシフトすると同時にリング状ピークは高角度側にシフ
トする。従って、第１の加速電極３ａの電圧と電子銃の
加速電圧を固定した状態で、すなわち電界分布Ｆ１に変
更を与えることなくクロスオーバＣＯ２の角度電流分布
とクロスオーバ位置ＺＣ２を調節し、クロスオーバＣＯ
２の特性を調整することが可能となる。
子源１側にシフトすることにより電界分布Ｆ２の強度は
大きくなることから加速レンズの凸レンズ作用が大きく
なり、これにより、クロスオーバ位置ＺＣ２は電子源側
にシフトすると同時にリング状ピークは高角度側にシフ
トする。従って、第１の加速電極３ａの電圧と電子銃の
加速電圧を固定した状態で、すなわち電界分布Ｆ１に変
更を与えることなくクロスオーバＣＯ２の角度電流分布
とクロスオーバ位置ＺＣ２を調節し、クロスオーバＣＯ
２の特性を調整することが可能となる。
【００２８】クロスオーバＣＯ１、ＣＯ２の特性として
は、角度電流分布の特性だけでなく、クロスオーバの形
成位置ＺＣ１、ＺＣ２と輝度特性も同時に可変とするこ
とから、これらの調整は電子ビーム露光装置の照射条件
および露光条件に条件に合わせて行うことになる。ここ
では、電子銃４３の加速電圧１００ｋＶ、電子源１とし
て、外形０．７ｍｍφ、内径０．５ｍｍφのリング状電
子放出面を持つ（１００）面のＬａＢ６を用いた場合、
クロスオーバＣＯ２から放射する電子ビームのリング状
ピークの放射角（半角）は、１０ｍ radから３０ｍ r
adの特性を持ち、また、クロスオーバ径は、１００μｍ
から２００μｍの特性が得られることから、リング状に
照射するビームを円形状に照射したと仮定したビームと
して要求されるエミッタンスに換算すると、１０００μ
ｍ ｍ rad〜６０００μｍ ｍradの範囲で選択が可能
となる。この時の電子銃の輝度（第２のクロスオーバの
輝度）は、１×１０４Ａ／ｃｍ２ｓｒ前後で変化するこ
とから、図５に示した円弧状ビーム転写装置に必要な輝
度とエミッタンス条件に必要な範囲の特性を得ることが
できる。また、円弧状ビームを用いていることから、面
状ビームの電子銃と異なり、中間の電極で遮蔽される電
子ビームの量が少なく、照射ビームの利用効率が向上す
る。
は、角度電流分布の特性だけでなく、クロスオーバの形
成位置ＺＣ１、ＺＣ２と輝度特性も同時に可変とするこ
とから、これらの調整は電子ビーム露光装置の照射条件
および露光条件に条件に合わせて行うことになる。ここ
では、電子銃４３の加速電圧１００ｋＶ、電子源１とし
て、外形０．７ｍｍφ、内径０．５ｍｍφのリング状電
子放出面を持つ（１００）面のＬａＢ６を用いた場合、
クロスオーバＣＯ２から放射する電子ビームのリング状
ピークの放射角（半角）は、１０ｍ radから３０ｍ r
adの特性を持ち、また、クロスオーバ径は、１００μｍ
から２００μｍの特性が得られることから、リング状に
照射するビームを円形状に照射したと仮定したビームと
して要求されるエミッタンスに換算すると、１０００μ
ｍ ｍ rad〜６０００μｍ ｍradの範囲で選択が可能
となる。この時の電子銃の輝度（第２のクロスオーバの
輝度）は、１×１０４Ａ／ｃｍ２ｓｒ前後で変化するこ
とから、図５に示した円弧状ビーム転写装置に必要な輝
度とエミッタンス条件に必要な範囲の特性を得ることが
できる。また、円弧状ビームを用いていることから、面
状ビームの電子銃と異なり、中間の電極で遮蔽される電
子ビームの量が少なく、照射ビームの利用効率が向上す
る。
【００２９】図２は本発明の電子銃の今１つの実施の形
態を示したもので、図２（ａ）は電子銃の構成を、また
図２（ｂ）は角度電流分布を示している。
態を示したもので、図２（ａ）は電子銃の構成を、また
図２（ｂ）は角度電流分布を示している。
【００３０】図２（ａ）に示す電子銃４６は、リング状
の電子放出面を持つ電子源１、ウエネルト電極２、第１
の加速電極３ａ、第２の加速電極３ｂ、アパーチャ４ｃ
と、第１の加速電極３ａと第２の加速電極３ｂの間に加
速補正電極３ｃを設けている。図１（ａ）と同様な電子
源１から放射された電子ビームＥＢは、電子源１、ウエ
ネルト電極２、第１の加速電極３ａで作る電界分布Ｆ１
によって高角度領域にリング状のピークを持つ角度電流
分布が得られる。クロスオーバＣＯ１を発した電子ビー
ムＥＢは第２の加速電極３ｂで作られる後段の電界分布
Ｆ２によって、ＺＣ２の位置にクロスオーバＣＯ２を形
成する。ここでは、加速レンズ内に設けられた加速補正
電極３ｃに印加する電圧を補正電圧制御ユニット２１で
制御することにより、後段の電界分布Ｆ２，Ｆ３を調整
し、クロスオーバＣＯ２の角度電流分布を制御する例を
示している。
の電子放出面を持つ電子源１、ウエネルト電極２、第１
の加速電極３ａ、第２の加速電極３ｂ、アパーチャ４ｃ
と、第１の加速電極３ａと第２の加速電極３ｂの間に加
速補正電極３ｃを設けている。図１（ａ）と同様な電子
源１から放射された電子ビームＥＢは、電子源１、ウエ
ネルト電極２、第１の加速電極３ａで作る電界分布Ｆ１
によって高角度領域にリング状のピークを持つ角度電流
分布が得られる。クロスオーバＣＯ１を発した電子ビー
ムＥＢは第２の加速電極３ｂで作られる後段の電界分布
Ｆ２によって、ＺＣ２の位置にクロスオーバＣＯ２を形
成する。ここでは、加速レンズ内に設けられた加速補正
電極３ｃに印加する電圧を補正電圧制御ユニット２１で
制御することにより、後段の電界分布Ｆ２，Ｆ３を調整
し、クロスオーバＣＯ２の角度電流分布を制御する例を
示している。
【００３１】図２（ｂ）は、加速補正電極３ｃに印加す
る電圧をＣＶ１、ＣＶ２、ＣＶ３と変えた時の角度電流
分布の例であり、加速補正電極３ｃに印加する電圧は、
電子銃４６の加速電圧を例えば１００ｋＶにした場合、
０〜−３０ｋＶの範囲で変化させることにより、リング
状ビームの放射角度を１０ｍ radから３０ｍ radと大
きく変えることが出来る。これは、加速補正電極３ｃに
負の電圧を印加することにより、後段の電界分布Ｆ２の
強度が緩和されることによる。また、加速補正電極３ｃ
に印加する電圧は、負の値だけでなく、正の電圧を補正
電圧としても類似の効果が得られる。
る電圧をＣＶ１、ＣＶ２、ＣＶ３と変えた時の角度電流
分布の例であり、加速補正電極３ｃに印加する電圧は、
電子銃４６の加速電圧を例えば１００ｋＶにした場合、
０〜−３０ｋＶの範囲で変化させることにより、リング
状ビームの放射角度を１０ｍ radから３０ｍ radと大
きく変えることが出来る。これは、加速補正電極３ｃに
負の電圧を印加することにより、後段の電界分布Ｆ２の
強度が緩和されることによる。また、加速補正電極３ｃ
に印加する電圧は、負の値だけでなく、正の電圧を補正
電圧としても類似の効果が得られる。
【００３２】加速補正電極３ｃを用いる補正手段は、加
速補正電極３ｃと第１の加速電極３ａの距離Ｄ３と加速
補正電極３ｃと第２の加速電極３ｂとの距離Ｄ４の関係
をＤ３＞Ｄ４と設定することにより、電界分布Ｆ２の影
響を支配的とすることができる。このことは、加速補正
電極３ｃの補正電圧を第２加速電極３ｂの電圧（接地電
圧）に近い電圧で制御することを可能にする。さらに、
補正電圧を電子銃の高圧電源と切り離して供給すること
により、電子銃の高圧電源の負担を軽くすることが出
来、制御性と安定性に優れた電子銃、および電子銃を用
いた照明装置を得ることが出来る。
速補正電極３ｃと第１の加速電極３ａの距離Ｄ３と加速
補正電極３ｃと第２の加速電極３ｂとの距離Ｄ４の関係
をＤ３＞Ｄ４と設定することにより、電界分布Ｆ２の影
響を支配的とすることができる。このことは、加速補正
電極３ｃの補正電圧を第２加速電極３ｂの電圧（接地電
圧）に近い電圧で制御することを可能にする。さらに、
補正電圧を電子銃の高圧電源と切り離して供給すること
により、電子銃の高圧電源の負担を軽くすることが出
来、制御性と安定性に優れた電子銃、および電子銃を用
いた照明装置を得ることが出来る。
【００３３】上の２つの実施形態の例は、第１、第２の
加速電極を有する２段加速の電子銃の場合を示したが、
２段以上の多段加速電子銃にも本発明を適用することが
できる。その時は、第２の加速電極３ｂは、電界分布を
可変とすることを目的とした加速電極としてもよく、ま
た、電子銃を構成する最終段の加速電極としてもよい。
加速電極を有する２段加速の電子銃の場合を示したが、
２段以上の多段加速電子銃にも本発明を適用することが
できる。その時は、第２の加速電極３ｂは、電界分布を
可変とすることを目的とした加速電極としてもよく、ま
た、電子銃を構成する最終段の加速電極としてもよい。
【００３４】また、上の例では、電子源１に電子放出面
がリング形状の熱電子源を用いたが、これに限る事はな
く、電子放出面が平面状または球面状の電子源を用い、
高角度領域に放射特性を持つ電子銃においても同様の効
果を得る事が出来る。
がリング形状の熱電子源を用いたが、これに限る事はな
く、電子放出面が平面状または球面状の電子源を用い、
高角度領域に放射特性を持つ電子銃においても同様の効
果を得る事が出来る。
【００３５】以上説明したように、本発明の電子銃で
は、第１のクロスオーバと第２のクロスオーバを独立に
調整することが出来ることから、電子ビーム露光装置の
露光条件に合わせて、電子銃の輝度とエミッタンスを設
定することが可能となる。
は、第１のクロスオーバと第２のクロスオーバを独立に
調整することが出来ることから、電子ビーム露光装置の
露光条件に合わせて、電子銃の輝度とエミッタンスを設
定することが可能となる。
【００３６】図３は、本発明の電子銃を円弧状ビームを
使用するＥＢマスク転写露光装置に用いた時の例であ
る。図に示すＥＢマスク転写露光装置は、電子銃４３を
含む照明装置４４と投影系４５から構成されている。電
子銃４３で形成されたクロスオーバＣＯ２の放射特性
は、図１（ｂ）に示す様なリング状ピークを持つ角度電
流分布をしており、第１照明レンズ５ａと第２照明レン
ズ５ｂを用いて、ＥＢマスク９の上に照射される。この
時、ＥＢマスク９に照射されるビームは、円弧形状スリ
ット４ｄにより、円弧状ビームに成形される。ＥＢマス
ク９を透過した電子ビームは、第１投影レンズ６ａ、第
２投影レンズ６ｂの磁界型レンズにより構成される投影
系４５により、ウエハ１０上にＥＢマスク像が転写され
る。アパーチャ４ｅは、ＥＢマスク９に電子散乱型のマ
スクを用いて像のコントラストを形成する際のアパーチ
ャであり、ＥＢマスク９に透過型マスクを用いる場合
は、特に必要としない。ＥＢマスク９上に描かれたパタ
ーンは、ＥＢマスクステージ１２とステージ１１を繰り
返し走査することで、ウエハの全面露光を行う。ウエハ
面上に照射する円弧ビームの円弧半径と集束半角は、露
光に求められる解像性能に応じて設定するが、スループ
ットを上げるために露光領域をさらに広げる場合は、図
５に示すの電子銃の輝度とエミッタンスのグラフと後段
の電界分布Ｆ２の関係に基づいて、加速電極位置制御ユ
ニット２０を用いて制御する。
使用するＥＢマスク転写露光装置に用いた時の例であ
る。図に示すＥＢマスク転写露光装置は、電子銃４３を
含む照明装置４４と投影系４５から構成されている。電
子銃４３で形成されたクロスオーバＣＯ２の放射特性
は、図１（ｂ）に示す様なリング状ピークを持つ角度電
流分布をしており、第１照明レンズ５ａと第２照明レン
ズ５ｂを用いて、ＥＢマスク９の上に照射される。この
時、ＥＢマスク９に照射されるビームは、円弧形状スリ
ット４ｄにより、円弧状ビームに成形される。ＥＢマス
ク９を透過した電子ビームは、第１投影レンズ６ａ、第
２投影レンズ６ｂの磁界型レンズにより構成される投影
系４５により、ウエハ１０上にＥＢマスク像が転写され
る。アパーチャ４ｅは、ＥＢマスク９に電子散乱型のマ
スクを用いて像のコントラストを形成する際のアパーチ
ャであり、ＥＢマスク９に透過型マスクを用いる場合
は、特に必要としない。ＥＢマスク９上に描かれたパタ
ーンは、ＥＢマスクステージ１２とステージ１１を繰り
返し走査することで、ウエハの全面露光を行う。ウエハ
面上に照射する円弧ビームの円弧半径と集束半角は、露
光に求められる解像性能に応じて設定するが、スループ
ットを上げるために露光領域をさらに広げる場合は、図
５に示すの電子銃の輝度とエミッタンスのグラフと後段
の電界分布Ｆ２の関係に基づいて、加速電極位置制御ユ
ニット２０を用いて制御する。
【００３７】電子銃４３を長時間使用した場合、電子源
１からの電子放出強度が、電子源１の形状変化や温度変
化に伴って変化することがある。この場合、ウエネルト
電圧を変えることによって放出電流の安定化が出来る
が、電界分布Ｆ１の変化により、第１のクロスオーバの
特性が変化する。しかし、ウエネルト電圧の変化と第２
のクロスオーバ特性の変化の関係を予め実験または計算
で求めておくことによって、後段の電界分布Ｆ２を電極
位置制御ユニット２０を用いて制御することにより、第
２のクロスオーバの特性を一定にすることが可能とな
る。 すなわち制御データとしては、ウエネルト電圧を
変えた時の第２のクロスオーバの角度電流分布のリング
状ピーク位置のデータと、電界分布Ｆ２を決めている第
２加速電極３ｂの位置を変えたときの第２のクロスオー
バの角度電流分布のリング状ピーク位置のデータとを持
つことで、ウエネルト電圧の変化に伴う第２クロスオー
バの角度電流分布のリング状ピーク位置の変化分を電界
分布Ｆ２の調節によって補正することができる。
１からの電子放出強度が、電子源１の形状変化や温度変
化に伴って変化することがある。この場合、ウエネルト
電圧を変えることによって放出電流の安定化が出来る
が、電界分布Ｆ１の変化により、第１のクロスオーバの
特性が変化する。しかし、ウエネルト電圧の変化と第２
のクロスオーバ特性の変化の関係を予め実験または計算
で求めておくことによって、後段の電界分布Ｆ２を電極
位置制御ユニット２０を用いて制御することにより、第
２のクロスオーバの特性を一定にすることが可能とな
る。 すなわち制御データとしては、ウエネルト電圧を
変えた時の第２のクロスオーバの角度電流分布のリング
状ピーク位置のデータと、電界分布Ｆ２を決めている第
２加速電極３ｂの位置を変えたときの第２のクロスオー
バの角度電流分布のリング状ピーク位置のデータとを持
つことで、ウエネルト電圧の変化に伴う第２クロスオー
バの角度電流分布のリング状ピーク位置の変化分を電界
分布Ｆ２の調節によって補正することができる。
【００３８】これまでの説明では、電子源１としてリン
グ状の電子放出面からなる熱電子源を用いてきたが、本
発明は電子源の形状に制約されることはなく、電子源１
の電子放出表面が平面または球面からなる電子銃におい
ても、また多段加速型の電子銃においても、さらにこれ
らの電子銃を用いた照明装置または電子ビーム露光装置
においても有効であることは明らかである。
グ状の電子放出面からなる熱電子源を用いてきたが、本
発明は電子源の形状に制約されることはなく、電子源１
の電子放出表面が平面または球面からなる電子銃におい
ても、また多段加速型の電子銃においても、さらにこれ
らの電子銃を用いた照明装置または電子ビーム露光装置
においても有効であることは明らかである。
【００３９】
【発明の効果】本発明には次のような効果がある。
【００４０】電子銃の第１のクロスオーバの条件を変え
ずに第２のクロスオーバの特性を独立に調整できること
により、電子銃、および照明装置または電子ビーム露光
装置の調整に自由度が増し、調整が容易に行えるように
なる。また、露光領域のサイズや露光ビームの集束半角
の条件に合わせて、電子銃のエミッタンス条件の最適設
定を可能としたことにより、露光領域の照射ビームの一
様性が向上する。一方、電子銃にリング状の電子放出面
を持つ熱電子源を用いることにより、円弧状ビームを用
いる露光法で用いる電子銃の電子放射の利用効率が向上
する。そして、ＥＢマスクを用いた電子ビーム露光装置
に要求される、高エネルギーで高エミッタンスの電子ビ
ーム特性を備え、さらに、安定で制御性の優れた電子銃
とその電子銃を用いた照明装置を用いることで、線幅精
度の優れた電子ビーム露光装置を実現する事が出来る。
ずに第２のクロスオーバの特性を独立に調整できること
により、電子銃、および照明装置または電子ビーム露光
装置の調整に自由度が増し、調整が容易に行えるように
なる。また、露光領域のサイズや露光ビームの集束半角
の条件に合わせて、電子銃のエミッタンス条件の最適設
定を可能としたことにより、露光領域の照射ビームの一
様性が向上する。一方、電子銃にリング状の電子放出面
を持つ熱電子源を用いることにより、円弧状ビームを用
いる露光法で用いる電子銃の電子放射の利用効率が向上
する。そして、ＥＢマスクを用いた電子ビーム露光装置
に要求される、高エネルギーで高エミッタンスの電子ビ
ーム特性を備え、さらに、安定で制御性の優れた電子銃
とその電子銃を用いた照明装置を用いることで、線幅精
度の優れた電子ビーム露光装置を実現する事が出来る。
【図１】リング状電子源を用いた電子銃の実施の形態の
一例を示す説明図である。
一例を示す説明図である。
【図２】リング状電子源を用いた電子銃の実施の形態の
第２の例を示す説明図である。
第２の例を示す説明図である。
【図３】円弧状ビームを用いたＥＢマスク転写装置の説
明図である。
明図である。
【図４】部分一括転写方式の露光装置の説明図である。
【図５】電子ビーム露光装置に要求される電子銃の輝度
とエミッタンス特性を示す図である。
とエミッタンス特性を示す図である。
１ 電子源 ２ ウエネルト電極 ３ 接地電極 ３ａ 第１加速電極 ３ｂ 第２加速電極 ３ｃ 加速補正電極 ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｅ アパーチャ ４ｄ 円弧形状スリット ５ａ 第１照明レンズ ５ｂ 第２照明レンズ ６ 投影レンズ ６ａ 第１投影レンズ ６ｂ 第２投影レンズ ７，８ 偏向器 ９ ＥＢマスク １０ ウエハ １１ ステージ １２ マスクステージ ２０ 加速電極位置制御ユニット ２１ 補正電圧制御ユニット ４０，４３，４６ 電子銃 ４１，４４，４７ 照明装置 ４２，４５ 投影系 ＥＢ 電子ビーム ＣＯ１ 第１のクロスオーバ ＣＯ２ 第２のクロスオーバ ＺＣ１ 第１のクロスオーバ位置 ＺＣ２ 第２のクロスオーバ位置
Claims (13)
- 【請求項１】 電子源、ウエネルト電極および少くとも
１つ以上の加速電極を有する電子銃において、いずれか
の加速電極が作る電界分布を変更することにより、電子
銃の最後尾に形成されるクロスオーバの特性を制御する
最終クロスオーバ特性制御手段を有することを特徴とす
る電子銃。 - 【請求項２】 前記最終クロスオーバ特性制御手段は、
電子源、ウエネルト電極および第１の加速電極が作る電
界分布により電子源から放出される電子ビームが加速・
集束されて形成される第１のクロスオーバからさらに放
出され、第１の加速電極より後方に位置する少くとも１
つの加速電極が作る電界分布により加速・集束され、前
記少くとも１つの加速電極の後方の位置に形成されるい
ずれかのクロスオーバの特性を制御することにより、最
終のクロスオーバの特性を制御する請求項１に記載の電
子銃。 - 【請求項３】 前記最終クロスオーバ特性制御手段は、
前記少くとも１つの加速電極のうちいずれかの加速電極
の設置位置を変更制御する加速電極位置制御手段である
請求項２に記載の電子銃。 - 【請求項４】 前記いずれかの加速電極は電子銃の最後
尾に位置する加速電極である請求項３に記載の電子銃。 - 【請求項５】 前記最終クロスオーバ特性制御手段は、
前記少くとも１つの加速電極のうちいずれかの加速電極
の前方に位置し、該加速電極の作る電界分布を補正する
加速補正電極および、該加速補正電極に対する供給電圧
を制御する加速補正電圧制御手段である請求項２に記載
の電子銃。 - 【請求項６】 前記いずれかの加速電極は電子銃の最後
尾に位置する加速電極である請求項５に記載の電子銃。 - 【請求項７】 前記加速補正電極とその後方の加速電極
との距離は、該加速補正電極とその前方の加速電極との
距離よりも小さい請求項５または６に記載の電子銃。 - 【請求項８】 前記加速補正電極に電源供給する高圧電
源は、前記電子源および第１の加速電圧の高圧電源と独
立に設けられる請求項５または６に記載の電子銃。 - 【請求項９】 前記電子源は、中央部が凹み、周縁部が
盛り上がったリング状の電子放出面を有する熱電子源で
あり、該電子放出面から放出される電子ビームが形成す
るクロスオーバの角度電流分布はリング状を示す請求項
１ないし８のいずれか１項に記載の電子銃。 - 【請求項１０】 前記電子源は、平面状または球面状の
電子放出面を有する請求項１ないし８のいずれか１項に
記載の電子銃。 - 【請求項１１】 前記少くとも１つの加速電極は第１の
加速電極の後方に設けられた第２の加速電極である請求
項１ないし９のいずれか１項に記載の電子銃。 - 【請求項１２】 請求項１ないし１１のいずれか１項に
記載の電子銃を用いる照明装置。 - 【請求項１３】 請求項１ないし１１のいずれか１項に
記載の電子銃を用いる電子ビーム露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10361040A JP2000182550A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 電子銃および電子銃を用いる照明装置または電子ビーム露光装置 |
| US09/461,835 US6670620B1 (en) | 1998-12-18 | 1999-12-16 | Electron gun, illumination apparatus using the electron gun, and electron beam exposure apparatus using the illumination apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10361040A JP2000182550A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 電子銃および電子銃を用いる照明装置または電子ビーム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000182550A true JP2000182550A (ja) | 2000-06-30 |
| JP2000182550A5 JP2000182550A5 (ja) | 2006-04-27 |
Family
ID=18471943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10361040A Abandoned JP2000182550A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 電子銃および電子銃を用いる照明装置または電子ビーム露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6670620B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000182550A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1199739A2 (en) * | 2000-10-20 | 2002-04-24 | eLith LLC | A device and method for suppressing space charge induced abberations in charged-particle projection lithography systems |
| JP2015204450A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置、及び電子ビームの収束半角調整方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4113032B2 (ja) * | 2003-04-21 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 電子銃及び電子ビーム露光装置 |
| US7110500B2 (en) * | 2003-09-12 | 2006-09-19 | Leek Paul H | Multiple energy x-ray source and inspection apparatus employing same |
| CN101946306B (zh) * | 2007-12-21 | 2012-08-22 | 康奈尔研究基金会有限公司 | 使用放射性薄膜的自供电光刻方法和装置 |
| US8581526B1 (en) * | 2010-08-28 | 2013-11-12 | Jefferson Science Associates, Llc | Unbalanced field RF electron gun |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2599591B2 (ja) | 1987-04-28 | 1997-04-09 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子特性測定装置 |
| EP0289278B1 (en) | 1987-04-28 | 1994-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | A multi-electron-beam pattern drawing apparatus |
| EP0289279B1 (en) | 1987-04-28 | 1994-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | A multi-electron-beam pattern drawing apparatus |
| US4896945A (en) | 1987-12-14 | 1990-01-30 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Liquid crystal cell array and method for driving the same |
| US5633507A (en) * | 1995-09-19 | 1997-05-27 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography system with low brightness |
| JP3369379B2 (ja) | 1995-11-16 | 2003-01-20 | 日本電信電話株式会社 | 荷電粒子照射装置 |
| JPH10106926A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-24 | Nikon Corp | 荷電粒子線リソグラフィ装置、荷電粒子線リソグラフィ装置の評価方法およびパターン形成方法 |
| JP3728031B2 (ja) | 1996-10-25 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光用マスク |
| US6232040B1 (en) * | 1999-05-06 | 2001-05-15 | Agere Systems, Inc. | Method of electron beam exposure utilizing emitter with conductive mesh grid |
-
1998
- 1998-12-18 JP JP10361040A patent/JP2000182550A/ja not_active Abandoned
-
1999
- 1999-12-16 US US09/461,835 patent/US6670620B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1199739A2 (en) * | 2000-10-20 | 2002-04-24 | eLith LLC | A device and method for suppressing space charge induced abberations in charged-particle projection lithography systems |
| EP1199739A3 (en) * | 2000-10-20 | 2007-03-28 | eLith LLC | A device and method for suppressing space charge induced abberations in charged-particle projection lithography systems |
| JP2015204450A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置、及び電子ビームの収束半角調整方法 |
| US9336980B2 (en) | 2014-04-16 | 2016-05-10 | Nuflare Technology, Inc. | Electron beam writing apparatus, and method for adjusting convergence half angle of electron beam |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6670620B1 (en) | 2003-12-30 |
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