JP3369379B2 - 荷電粒子照射装置 - Google Patents
荷電粒子照射装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料面上に微細な
回路パタン等を描画する電子ビーム露光装置等の荷電粒
子照射装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来の荷電粒子照射装置の一例として、
ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・
テクノロジー、Ｂ１１巻、２３４６ページ、１９９３年
（K. Hattori, R. Yosikawa, H. Wada, H. Kusakabe,
T. Yamaguti, S. Magoshi, A. Miyagaki, S. Yamasaki,
T. Takigawa, M. Kanoh, S. Nisimura, H. Housai and
S. Hashimoto, J. Vac. Sci. Technol. B11, 2346 (199
3））に記載されている荷電粒子照射装置を図５に示
す。図５において、２０１はランタン・ヘキサボライド
（ＬａＢ6）からなる熱電子放出エミッタ、２０２はウ
ェネルト、２０３は陽極、２０４は２つの磁界レンズで
構成された照射レンズ、２０５はビーム制限アパーチ
ャ、２０６は電子ビーム、２０７は第１クロスオーバ、
２０８は第２クロスオーバである。上記エミッタ２０１
を基準にして、ウェネルト２０２には負の電圧が、陽極
２０３にはビームを加速するための正の電圧（加速電
圧）が印加される。本例では加速電圧を５０ｋＶとして
いる。上記印加条件下ではエミッタ２０１の直下に第１
クロスオーバ２０７が形成される。第１クロスオーバ２
０７から出た電子ビーム２０６は、照射レンズ２０４に
よってビーム制限アパーチャ２０５上に集束する。この
集束点が第１クロスオーバ２０７の投影像である第２ク
ロスオーバ２０８である。 【０００３】上記装置はキャラクター・プロジェクショ
ン電子ビーム露光装置、および可変成形電子ビーム露光
装置の照射系として用いられている。このタイプの電子
光学系では、試料面（図５には記載せず）での電子ビー
ムの開き角αと第２クロスオーバ２０８の直径は比例関
係になる。電子ビーム開き角αが大きすぎると、球面収
差により露光装置のビーム解像度が劣化する。また、電
子ビームの開き角αが小さすぎると、クーロン効果によ
るビームぼけのため露光装置のビーム解像度が劣化す
る。このため電子ビーム開き角αには最適な値（通常、
１〜１０ｍｒａｄ）が存在する。上記荷電粒子照射装置
においては、電子ビーム開き角αを最適な値に設定する
よう、ビーム制限アパーチャ２０５の直径および第２ク
ロスオーバ２０８の直径を最適な値（通常、５０〜２０
０μｍ）に設定する。第１クロスオーバの直径は５０μ
ｍ程度であるため、照射レンズ２０４の倍率（第２クロ
スオーバ２０８の直径／第１クロスオーバ２０７の直
径）は、約１〜４倍の範囲に設定されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】上記の従来の荷電粒子
照射装置を、加速電圧１００ｋＶ以上の電子ビーム露光
装置の照射系に適用しようとすると、エミッタ２０１お
よびウェネルト２０２からの放電を防ぐため、ウェネル
ト２０２と陽極２０３との距離ｄ1を長くする必要があ
る。また、加速電圧の増大にともなって、照射レンズ２
０４を構成する磁界レンズの集束力を強くする必要があ
るため、照射レンズ２０４の集束磁界が存在する領域を
長くする必要がある。上記理由により図５のｄ2、ｄ3、
ｄ4が大きくなり、その結果、第１クロスオーバ２０７
と第２クロスオーバ２０８との距離Ｌが長くなる。例え
ば加速電圧１００ｋＶで照射レンズ倍率１の場合は、ｄ
1＝３０ｍｍ、ｄ2＝１３０ｍｍ、ｄ3＝２００ｍｍ、ｄ4
＝１３０ｍｍ程度となり、第１クロスオーバ２０７と第
２クロスオーバ２０８との距離Ｌが４６０ｍｍ程度と長
くなる。このため、従来の荷電粒子照射装置を加速電圧
１００ｋＶ以上の電子ビーム露光装置に組み込んだ場合
は、装置の高さが著しく高くなり（例えばＬ＝４６０ｍ
ｍの場合に装置の高さは３〜４ｍになる）、建物への設
置が困難になるという問題があった。 【０００５】本発明は、第１クロスオーバと第２クロス
オーバとの間の距離を大幅に短縮し、建物への設置に支
障がない高さの高加速電圧電子ビーム露光装置に搭載で
きる、荷電粒子照射装置を得ることを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的は、荷電粒子照
射装置を、荷電粒子発生源と引き出し電極と陽極とによ
り構成し、上記荷電粒子源と上記引き出し電極との距離
を０．５ｍｍ以上４ｍｍ以下とし、上記引き出し電極電
圧Ｖ１と上記陽極電圧Ｖ２との比Ｖ２／Ｖ１を８〜１４
間の値とし、引き出し電極の厚みｂと、引き出し電極上
面と陽極上面との距離ｃとを、ｂ＝Ｌ／（４．９Ｍ−
０．１３）とｃ＝（０．５８Ｍ＋１．７）Ｌ／（４．９
Ｍ−０．１３）を満足する値の±１０％の範囲内の値に
設定することにより、短いレンズ界領域で効率よく電子
をビーム制限アパーチャ上に集束でき、達成することが
できる。 【０００７】 【発明の実施の形態】荷電粒子発生源と引き出し電極と
陽極とから構成される電子ビーム照射装置の例を図１に
示す。図において、３０１はランタン・ヘキサボライド
（ＬａＢ6）等からなる熱電子放出エミッタ、３０２は
ウェネルトである。上記エミッタ３０１とウェネルト３
０２とで荷電粒子発生源を構成している。３０３は引き
出し電極、３０４は陽極、３０５はビーム制限アパーチ
ャ、３０６は電子ビーム、３０７は第１クロスオーバ、
３０８は第２クロスオーバ、３０９は光軸である。エミ
ッタ３０１を基準にして、引き出し電極３０３にはＶ1
の電圧が印加され、陽極３０４およびビーム制限アパー
チャ３０５にはＶ2の電圧が印加されている。Ｖ2が加速
電圧に対応する。 【０００８】引き出し電極３０３と陽極３０４との間に
形成される加速電界にレンズ作用を持たせ、そのレンズ
倍率Ｍ（第２クロスオーバ３０８の直径／第１クロスオ
ーバ３０７の直径）を１〜４にするためには、陽極電圧
Ｖ2と引き出し電極電圧Ｖ1との比を約８以上にする必要
がある。すなわち、 Ｖ2／Ｖ1≧８ （１） とする必要があり、またエミッタ３０１から放出される
電子ビーム３０６の電流を５００μＡ程度の適正な値に
するためには、ウェネルト３０２と引き出し電極３０３
との間の電界を３×１０6Ｖ／ｍ程度にする必要があ
る。すなわち、 Ｖ1／ａ＝３×１０6Ｖ／ｍ （２） とする必要がある。ここでａはウェネルト３０２と引き
出し電極３０３との距離であり、式（１）と式（２）と
から、ａは次式で表わされる。 【０００９】 ａ≦Ｖ2／（２．４×１０7） （３） 一方、エミッタ３０１付近における真空排気の容易性と
いう観点からは、ａは大きい方が望ましい。 【００１０】本発明では、所望の加速電圧Ｖ2に対して
まず式（３）を満たす範囲でなるべく大きい値にａを定
め、つぎに式（２）にしたがってＶ1を定めている。例
えば加速電圧Ｖ2＝１００ｋＶに対してａを３ｍｍとし
Ｖ1を９ｋＶに選ぶと、式（１）、式（３）の条件を満
足しかつ真空排気にも問題を生じない。Ｖ2＝１００ｋ
Ｖ、ａ＝３ｍｍ、Ｖ1＝９ｋＶの条件下における、引き
出し電極３０３の厚みｂ、引き出し電極３０３上面と陽
極３０５上面間の距離ｃ、第１クロスオーバ３０７と第
２クロスオーバ３０８間の距離Ｌ、加速電界が作るレン
ズの倍率Ｍの関係を図２に示す。上記関係はニュークリ
ア・インストルメンツ・アンド・メソッド・イン・フィ
ジックスのＡ３６３巻、４８ページ、１９９５年（K. S
aito and Y. Uno; Nuclear Instruments and Methods i
n Physics Research）に掲載されている電子軌道追跡プ
ログラムを用いて計算した。図２から、ｂ、ｃはＬとＭ
によりつぎのように近似できる。 【００１１】 ｂ＝Ｌ／（４．９Ｍ−０．１３） （４） ｃ＝(0.58Ｍ＋1.7)Ｌ／(4.9Ｍ−0.13) （５） 上記関係はａ≦４ｍｍ、８≦Ｖ2／Ｖ1≦１４の範囲で、
任意の加速電圧Ｖ2に対してほぼ成り立つことが、同様
の電子軌道計算により明らかになった。 【００１２】本発明は、エミッタ、ウェネルト、引き出
し電極、陽極から構成される電子ビーム照射装置におい
て、ａ≦４ｍｍ、８≦Ｖ2／Ｖ1≦１４という条件下で
は、所望のＬ、Ｍを実現する電極構造は式（４）、式
（５）によって一義的に定まることに着目し、ｂおよび
ｃの値を上記関係を満足するように設定することによ
り、第１クロスオーバ３０７と第２クロスオーバ３０８
間の距離Ｌを短くするものである。 【００１３】 【実施例】つぎに本発明の実施例を図面とともに説明す
る。図３は本発明による荷電粒子照射装置の一実施例を
示す図、図４は上記実施例の光学特性を示す図である。
図３において、本実施例は加速電圧１００ｋＶの電子ビ
ーム露光装置の照射系に適用するためのものであって、
１０１はランタン・ヘキサボライド（ＬａＢ6）等から
なる熱電子放出エミッタ、１０２はウェネルト、１０３
は引き出し電極、１０４は陽極、１０５はビーム制限ア
パーチャ、１０６は電子ビーム、１０７は第１クロスオ
ーバ、１０８は第２クロスオーバ、１０９は等電位線で
ある。電子ビーム１０６の軌道および等電位線１０９
は、ニュークリア・インストルメンツ・アンド・メソッ
ド・イン・フィジックス、Ａ３６３巻４８ページ、１９
９５年（K. Saito and Uno: Nuclear Instruments and
Methods in Physics Research）に掲載されている電子
軌道追跡プログラムで計算したものである。 【００１４】エミッタ１０１を基準にして、ウェネルト
１０２には−０．７８ｋＶ、引き出し電極１０３には
８．５ｋＶ、陽極１０４およびビーム制限アパーチャ１
０５には１００ｋＶの電圧が印加されている。ウェネル
ト１０２と引き出し電極１０３の間の電界を約３×１０
6Ｖ／ｍにするように、ウェネルト１０２と引き出し電
極１０３間の距離ａを３ｍｍとしている。引き出し電極
１０３と陽極１０４が作る加速電界にレンズ作用をもた
せ、第１クロスオーバ１０７から出た電子ビーム１０６
をビーム制限アパーチャ１０５上に集束させている。本
実施例では、レンズ倍率Ｍ（第２クロスオーバ１０８の
直径／第１クロスオーバ１０７の直径）＝１．１の条件
下で、第２クロスオーバ１０８と第１クロスオーバ１０
７間の距離Ｌを９６ｍｍ（従来装置の約１／５）に短縮
するため、式（４）および式（５）に基づいて、引き出
し電極１０３厚みｂを１８ｍｍ、引き出し電極１０３上
面と陽極１０５上面間の距離ｃを４２ｍｍに設定してい
る。 【００１５】ウェネルト１０２の電圧を変化させた場合
における倍率Ｍと引き出し電極１０３の電圧の変化を図
４に示す。ウェネルト１０２の電圧を変化させても、Ｌ
＝９６ｍｍになるように引き出し電極１０３の電圧を調
整している。ウェネルト１０２を変化させると倍率Ｍが
所望の値から±１０％変化する。このことから、製作誤
差やその他の理由で、ｂおよびｃが式（４）、式（５）
で求まる値より±１０％異なった値になった場合でも、
ウェネルト１０２や引き出し電極１０３の電圧を調整す
ることで、倍率Ｍを所望の値に設定できることがわか
る。 【００１６】上記のように本実施例では、引き出し電極
１０３と陽極１０４が作る加速電界にレンズ作用をもた
せ、これらの電極の厚みおよび配置を式（４）、式
（５）に基づいて定めているので、第２クロスオーバ１
０８と第１クロスオーバ１０７間の距離Ｌを従来装置に
比べて１／５に短縮できる。 【００１７】加速電圧が１００ｋＶの場合を例にして、
上記のように本発明を説明してきたが、加速電圧が１０
０ｋＶ以外の場合でも、ａ≦４ｍｍ、８≦陽極電圧／引
き出し電極電圧≦１４の条件下であれば本発明は成立す
る。また、倍率Ｍが１．１の場合を例に本発明を説明し
たが、Ｍが１．１以外の場合でも成立し、荷電粒子とし
ては例示した電子以外に、ガリウムイオン等の荷電粒子
を照射する場合でも本発明は成り立つ。また、引き出し
電極１０３の厚みｂや、引き出し電極１０３上面と陽極
１０４上面間の距離ｃが、式（４）および式（５）によ
り求められる値と一致する場合を例に本発明を説明して
きたが、ｂやｃが上記の値より±１０％程度ずれている
場合でも本発明は成立する。 【００１８】なお、ウェネルトと引き出し電極との距離
ａの値を０に近づけても本発明は成立するが、ａが小さ
くなるとこれらの間に放電を生じやすくなるため、放電
が起こりにくい０．５ｍｍを下限とし、ａの値は０．５
ｍｍ以上とする。 【００１９】 【発明の効果】上記のように本発明による荷電粒子照射
装置は、荷電粒子を発生する荷電粒子源と、上記荷電粒
子を加速・集束するための引き出し電極および陽極から
構成され、上記荷電粒子発生源の直下に形成される第１
クロスオーバと、該第１クロスオーバの投影像である第
２クロスオーバとの距離がＬで、投影倍率がＭである荷
電粒子照射装置において、上記荷電粒子源と上記引き出
し電極との距離を０．５ｍｍ以上４ｍｍ以下に設定し、
上記引き出し電極の電圧Ｖ1と上記陽極の電圧Ｖ2との比
Ｖ2／Ｖ1を８〜１４の範囲のある値に設定し、上記引き
出し電極の厚みｂと、上記引き出し電極上面および上記
陽極上面の距離ｃとが、ｂ＝Ｌ／（４．９Ｍ−０．１
３）とｃ＝（０．５８Ｍ＋１．７）Ｌ／（４．９Ｍ−
０．１３）を、ほぼ満足する値に設定することによっ
て、上記第２クロスオーバと上記第１クロスオーバ間の
距離を、従来装置に比べ大幅に短縮できるため、本発明
による荷電粒子照射装置を搭載した高加速電圧電子ビー
ム露光装置等の高さを、建物内に設置するのに支障がな
い高さまで低くすることができる。
回路パタン等を描画する電子ビーム露光装置等の荷電粒
子照射装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来の荷電粒子照射装置の一例として、
ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・
テクノロジー、Ｂ１１巻、２３４６ページ、１９９３年
（K. Hattori, R. Yosikawa, H. Wada, H. Kusakabe,
T. Yamaguti, S. Magoshi, A. Miyagaki, S. Yamasaki,
T. Takigawa, M. Kanoh, S. Nisimura, H. Housai and
S. Hashimoto, J. Vac. Sci. Technol. B11, 2346 (199
3））に記載されている荷電粒子照射装置を図５に示
す。図５において、２０１はランタン・ヘキサボライド
（ＬａＢ6）からなる熱電子放出エミッタ、２０２はウ
ェネルト、２０３は陽極、２０４は２つの磁界レンズで
構成された照射レンズ、２０５はビーム制限アパーチ
ャ、２０６は電子ビーム、２０７は第１クロスオーバ、
２０８は第２クロスオーバである。上記エミッタ２０１
を基準にして、ウェネルト２０２には負の電圧が、陽極
２０３にはビームを加速するための正の電圧（加速電
圧）が印加される。本例では加速電圧を５０ｋＶとして
いる。上記印加条件下ではエミッタ２０１の直下に第１
クロスオーバ２０７が形成される。第１クロスオーバ２
０７から出た電子ビーム２０６は、照射レンズ２０４に
よってビーム制限アパーチャ２０５上に集束する。この
集束点が第１クロスオーバ２０７の投影像である第２ク
ロスオーバ２０８である。 【０００３】上記装置はキャラクター・プロジェクショ
ン電子ビーム露光装置、および可変成形電子ビーム露光
装置の照射系として用いられている。このタイプの電子
光学系では、試料面（図５には記載せず）での電子ビー
ムの開き角αと第２クロスオーバ２０８の直径は比例関
係になる。電子ビーム開き角αが大きすぎると、球面収
差により露光装置のビーム解像度が劣化する。また、電
子ビームの開き角αが小さすぎると、クーロン効果によ
るビームぼけのため露光装置のビーム解像度が劣化す
る。このため電子ビーム開き角αには最適な値（通常、
１〜１０ｍｒａｄ）が存在する。上記荷電粒子照射装置
においては、電子ビーム開き角αを最適な値に設定する
よう、ビーム制限アパーチャ２０５の直径および第２ク
ロスオーバ２０８の直径を最適な値（通常、５０〜２０
０μｍ）に設定する。第１クロスオーバの直径は５０μ
ｍ程度であるため、照射レンズ２０４の倍率（第２クロ
スオーバ２０８の直径／第１クロスオーバ２０７の直
径）は、約１〜４倍の範囲に設定されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】上記の従来の荷電粒子
照射装置を、加速電圧１００ｋＶ以上の電子ビーム露光
装置の照射系に適用しようとすると、エミッタ２０１お
よびウェネルト２０２からの放電を防ぐため、ウェネル
ト２０２と陽極２０３との距離ｄ1を長くする必要があ
る。また、加速電圧の増大にともなって、照射レンズ２
０４を構成する磁界レンズの集束力を強くする必要があ
るため、照射レンズ２０４の集束磁界が存在する領域を
長くする必要がある。上記理由により図５のｄ2、ｄ3、
ｄ4が大きくなり、その結果、第１クロスオーバ２０７
と第２クロスオーバ２０８との距離Ｌが長くなる。例え
ば加速電圧１００ｋＶで照射レンズ倍率１の場合は、ｄ
1＝３０ｍｍ、ｄ2＝１３０ｍｍ、ｄ3＝２００ｍｍ、ｄ4
＝１３０ｍｍ程度となり、第１クロスオーバ２０７と第
２クロスオーバ２０８との距離Ｌが４６０ｍｍ程度と長
くなる。このため、従来の荷電粒子照射装置を加速電圧
１００ｋＶ以上の電子ビーム露光装置に組み込んだ場合
は、装置の高さが著しく高くなり（例えばＬ＝４６０ｍ
ｍの場合に装置の高さは３〜４ｍになる）、建物への設
置が困難になるという問題があった。 【０００５】本発明は、第１クロスオーバと第２クロス
オーバとの間の距離を大幅に短縮し、建物への設置に支
障がない高さの高加速電圧電子ビーム露光装置に搭載で
きる、荷電粒子照射装置を得ることを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的は、荷電粒子照
射装置を、荷電粒子発生源と引き出し電極と陽極とによ
り構成し、上記荷電粒子源と上記引き出し電極との距離
を０．５ｍｍ以上４ｍｍ以下とし、上記引き出し電極電
圧Ｖ１と上記陽極電圧Ｖ２との比Ｖ２／Ｖ１を８〜１４
間の値とし、引き出し電極の厚みｂと、引き出し電極上
面と陽極上面との距離ｃとを、ｂ＝Ｌ／（４．９Ｍ−
０．１３）とｃ＝（０．５８Ｍ＋１．７）Ｌ／（４．９
Ｍ−０．１３）を満足する値の±１０％の範囲内の値に
設定することにより、短いレンズ界領域で効率よく電子
をビーム制限アパーチャ上に集束でき、達成することが
できる。 【０００７】 【発明の実施の形態】荷電粒子発生源と引き出し電極と
陽極とから構成される電子ビーム照射装置の例を図１に
示す。図において、３０１はランタン・ヘキサボライド
（ＬａＢ6）等からなる熱電子放出エミッタ、３０２は
ウェネルトである。上記エミッタ３０１とウェネルト３
０２とで荷電粒子発生源を構成している。３０３は引き
出し電極、３０４は陽極、３０５はビーム制限アパーチ
ャ、３０６は電子ビーム、３０７は第１クロスオーバ、
３０８は第２クロスオーバ、３０９は光軸である。エミ
ッタ３０１を基準にして、引き出し電極３０３にはＶ1
の電圧が印加され、陽極３０４およびビーム制限アパー
チャ３０５にはＶ2の電圧が印加されている。Ｖ2が加速
電圧に対応する。 【０００８】引き出し電極３０３と陽極３０４との間に
形成される加速電界にレンズ作用を持たせ、そのレンズ
倍率Ｍ（第２クロスオーバ３０８の直径／第１クロスオ
ーバ３０７の直径）を１〜４にするためには、陽極電圧
Ｖ2と引き出し電極電圧Ｖ1との比を約８以上にする必要
がある。すなわち、 Ｖ2／Ｖ1≧８ （１） とする必要があり、またエミッタ３０１から放出される
電子ビーム３０６の電流を５００μＡ程度の適正な値に
するためには、ウェネルト３０２と引き出し電極３０３
との間の電界を３×１０6Ｖ／ｍ程度にする必要があ
る。すなわち、 Ｖ1／ａ＝３×１０6Ｖ／ｍ （２） とする必要がある。ここでａはウェネルト３０２と引き
出し電極３０３との距離であり、式（１）と式（２）と
から、ａは次式で表わされる。 【０００９】 ａ≦Ｖ2／（２．４×１０7） （３） 一方、エミッタ３０１付近における真空排気の容易性と
いう観点からは、ａは大きい方が望ましい。 【００１０】本発明では、所望の加速電圧Ｖ2に対して
まず式（３）を満たす範囲でなるべく大きい値にａを定
め、つぎに式（２）にしたがってＶ1を定めている。例
えば加速電圧Ｖ2＝１００ｋＶに対してａを３ｍｍとし
Ｖ1を９ｋＶに選ぶと、式（１）、式（３）の条件を満
足しかつ真空排気にも問題を生じない。Ｖ2＝１００ｋ
Ｖ、ａ＝３ｍｍ、Ｖ1＝９ｋＶの条件下における、引き
出し電極３０３の厚みｂ、引き出し電極３０３上面と陽
極３０５上面間の距離ｃ、第１クロスオーバ３０７と第
２クロスオーバ３０８間の距離Ｌ、加速電界が作るレン
ズの倍率Ｍの関係を図２に示す。上記関係はニュークリ
ア・インストルメンツ・アンド・メソッド・イン・フィ
ジックスのＡ３６３巻、４８ページ、１９９５年（K. S
aito and Y. Uno; Nuclear Instruments and Methods i
n Physics Research）に掲載されている電子軌道追跡プ
ログラムを用いて計算した。図２から、ｂ、ｃはＬとＭ
によりつぎのように近似できる。 【００１１】 ｂ＝Ｌ／（４．９Ｍ−０．１３） （４） ｃ＝(0.58Ｍ＋1.7)Ｌ／(4.9Ｍ−0.13) （５） 上記関係はａ≦４ｍｍ、８≦Ｖ2／Ｖ1≦１４の範囲で、
任意の加速電圧Ｖ2に対してほぼ成り立つことが、同様
の電子軌道計算により明らかになった。 【００１２】本発明は、エミッタ、ウェネルト、引き出
し電極、陽極から構成される電子ビーム照射装置におい
て、ａ≦４ｍｍ、８≦Ｖ2／Ｖ1≦１４という条件下で
は、所望のＬ、Ｍを実現する電極構造は式（４）、式
（５）によって一義的に定まることに着目し、ｂおよび
ｃの値を上記関係を満足するように設定することによ
り、第１クロスオーバ３０７と第２クロスオーバ３０８
間の距離Ｌを短くするものである。 【００１３】 【実施例】つぎに本発明の実施例を図面とともに説明す
る。図３は本発明による荷電粒子照射装置の一実施例を
示す図、図４は上記実施例の光学特性を示す図である。
図３において、本実施例は加速電圧１００ｋＶの電子ビ
ーム露光装置の照射系に適用するためのものであって、
１０１はランタン・ヘキサボライド（ＬａＢ6）等から
なる熱電子放出エミッタ、１０２はウェネルト、１０３
は引き出し電極、１０４は陽極、１０５はビーム制限ア
パーチャ、１０６は電子ビーム、１０７は第１クロスオ
ーバ、１０８は第２クロスオーバ、１０９は等電位線で
ある。電子ビーム１０６の軌道および等電位線１０９
は、ニュークリア・インストルメンツ・アンド・メソッ
ド・イン・フィジックス、Ａ３６３巻４８ページ、１９
９５年（K. Saito and Uno: Nuclear Instruments and
Methods in Physics Research）に掲載されている電子
軌道追跡プログラムで計算したものである。 【００１４】エミッタ１０１を基準にして、ウェネルト
１０２には−０．７８ｋＶ、引き出し電極１０３には
８．５ｋＶ、陽極１０４およびビーム制限アパーチャ１
０５には１００ｋＶの電圧が印加されている。ウェネル
ト１０２と引き出し電極１０３の間の電界を約３×１０
6Ｖ／ｍにするように、ウェネルト１０２と引き出し電
極１０３間の距離ａを３ｍｍとしている。引き出し電極
１０３と陽極１０４が作る加速電界にレンズ作用をもた
せ、第１クロスオーバ１０７から出た電子ビーム１０６
をビーム制限アパーチャ１０５上に集束させている。本
実施例では、レンズ倍率Ｍ（第２クロスオーバ１０８の
直径／第１クロスオーバ１０７の直径）＝１．１の条件
下で、第２クロスオーバ１０８と第１クロスオーバ１０
７間の距離Ｌを９６ｍｍ（従来装置の約１／５）に短縮
するため、式（４）および式（５）に基づいて、引き出
し電極１０３厚みｂを１８ｍｍ、引き出し電極１０３上
面と陽極１０５上面間の距離ｃを４２ｍｍに設定してい
る。 【００１５】ウェネルト１０２の電圧を変化させた場合
における倍率Ｍと引き出し電極１０３の電圧の変化を図
４に示す。ウェネルト１０２の電圧を変化させても、Ｌ
＝９６ｍｍになるように引き出し電極１０３の電圧を調
整している。ウェネルト１０２を変化させると倍率Ｍが
所望の値から±１０％変化する。このことから、製作誤
差やその他の理由で、ｂおよびｃが式（４）、式（５）
で求まる値より±１０％異なった値になった場合でも、
ウェネルト１０２や引き出し電極１０３の電圧を調整す
ることで、倍率Ｍを所望の値に設定できることがわか
る。 【００１６】上記のように本実施例では、引き出し電極
１０３と陽極１０４が作る加速電界にレンズ作用をもた
せ、これらの電極の厚みおよび配置を式（４）、式
（５）に基づいて定めているので、第２クロスオーバ１
０８と第１クロスオーバ１０７間の距離Ｌを従来装置に
比べて１／５に短縮できる。 【００１７】加速電圧が１００ｋＶの場合を例にして、
上記のように本発明を説明してきたが、加速電圧が１０
０ｋＶ以外の場合でも、ａ≦４ｍｍ、８≦陽極電圧／引
き出し電極電圧≦１４の条件下であれば本発明は成立す
る。また、倍率Ｍが１．１の場合を例に本発明を説明し
たが、Ｍが１．１以外の場合でも成立し、荷電粒子とし
ては例示した電子以外に、ガリウムイオン等の荷電粒子
を照射する場合でも本発明は成り立つ。また、引き出し
電極１０３の厚みｂや、引き出し電極１０３上面と陽極
１０４上面間の距離ｃが、式（４）および式（５）によ
り求められる値と一致する場合を例に本発明を説明して
きたが、ｂやｃが上記の値より±１０％程度ずれている
場合でも本発明は成立する。 【００１８】なお、ウェネルトと引き出し電極との距離
ａの値を０に近づけても本発明は成立するが、ａが小さ
くなるとこれらの間に放電を生じやすくなるため、放電
が起こりにくい０．５ｍｍを下限とし、ａの値は０．５
ｍｍ以上とする。 【００１９】 【発明の効果】上記のように本発明による荷電粒子照射
装置は、荷電粒子を発生する荷電粒子源と、上記荷電粒
子を加速・集束するための引き出し電極および陽極から
構成され、上記荷電粒子発生源の直下に形成される第１
クロスオーバと、該第１クロスオーバの投影像である第
２クロスオーバとの距離がＬで、投影倍率がＭである荷
電粒子照射装置において、上記荷電粒子源と上記引き出
し電極との距離を０．５ｍｍ以上４ｍｍ以下に設定し、
上記引き出し電極の電圧Ｖ1と上記陽極の電圧Ｖ2との比
Ｖ2／Ｖ1を８〜１４の範囲のある値に設定し、上記引き
出し電極の厚みｂと、上記引き出し電極上面および上記
陽極上面の距離ｃとが、ｂ＝Ｌ／（４．９Ｍ−０．１
３）とｃ＝（０．５８Ｍ＋１．７）Ｌ／（４．９Ｍ−
０．１３）を、ほぼ満足する値に設定することによっ
て、上記第２クロスオーバと上記第１クロスオーバ間の
距離を、従来装置に比べ大幅に短縮できるため、本発明
による荷電粒子照射装置を搭載した高加速電圧電子ビー
ム露光装置等の高さを、建物内に設置するのに支障がな
い高さまで低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による荷電粒子照射装置の原理を説明す
る図面である。 【図２】上記荷電粒子照射装置におけるｃ／ｂ、Ｌ／ｂ
の倍率Ｍに対する依存性を示す図である。 【図３】本発明による荷電粒子照射装置の一実施例を示
す図で、（ａ）は全体構成を示す図、（ｂ）はエミッタ
近傍の拡大図である。 【図４】上記実施例における光学特性を示す図である。 【図５】従来の荷電粒子照射装置を示す図である。 【符号の説明】 １０１、３０１ エミッタ １０２、３０２ ウェネルト １０３、３０３ 引き出し電極 １０４、３０４ 陽極 １０７、３０７ 第１クロスオーバ １０８、３０８ 第２クロスオーバ
る図面である。 【図２】上記荷電粒子照射装置におけるｃ／ｂ、Ｌ／ｂ
の倍率Ｍに対する依存性を示す図である。 【図３】本発明による荷電粒子照射装置の一実施例を示
す図で、（ａ）は全体構成を示す図、（ｂ）はエミッタ
近傍の拡大図である。 【図４】上記実施例における光学特性を示す図である。 【図５】従来の荷電粒子照射装置を示す図である。 【符号の説明】 １０１、３０１ エミッタ １０２、３０２ ウェネルト １０３、３０３ 引き出し電極 １０４、３０４ 陽極 １０７、３０７ 第１クロスオーバ １０８、３０８ 第２クロスオーバ
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(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 37/305
H01L 21/027
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】荷電粒子を発生する荷電粒子源と、上記荷
電粒子を加速・集束するための引き出し電極および陽極
から構成され、上記荷電粒子発生源の直下に形成される
第１クロスオーバと、該第１クロスオーバの投影像であ
る第２クロスオーバとの距離がＬで、投影倍率がＭであ
る荷電粒子照射装置において、上記荷電粒子源と上記引
き出し電極との距離を０．５ｍｍ以上４ｍｍ以下に設定
し、上記引き出し電極の電圧Ｖ１と上記陽極の電圧Ｖ２
との比Ｖ２／Ｖ１を８〜１４の範囲のある値に設定し、
上記引き出し電極の厚みｂと、上記引き出し電極上面お
よび上記陽極上面の距離ｃとを、 ｂ＝Ｌ／（４．９Ｍ−０．１３） ｃ＝（０．５８Ｍ＋１．７）Ｌ／（４．９Ｍ−０．１３） を満足する値の±１０％の範囲内の値に設定したことを
特徴とする荷電粒子照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29797695A JP3369379B2 (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | 荷電粒子照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29797695A JP3369379B2 (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | 荷電粒子照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139185A JPH09139185A (ja) | 1997-05-27 |
| JP3369379B2 true JP3369379B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=17853537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29797695A Expired - Fee Related JP3369379B2 (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | 荷電粒子照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3369379B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000182550A (ja) | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Canon Inc | 電子銃および電子銃を用いる照明装置または電子ビーム露光装置 |
-
1995
- 1995-11-16 JP JP29797695A patent/JP3369379B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09139185A (ja) | 1997-05-27 |
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