JPH0664987B2 - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
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- JPH0664987B2 JPH0664987B2 JP60256813A JP25681385A JPH0664987B2 JP H0664987 B2 JPH0664987 B2 JP H0664987B2 JP 60256813 A JP60256813 A JP 60256813A JP 25681385 A JP25681385 A JP 25681385A JP H0664987 B2 JPH0664987 B2 JP H0664987B2
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- cathode ray
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/84—Arrangements for removing or diverting unwanted particles, e.g. for negative ions or fringing electrons; Arrangements for velocity or mass selection
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 この発明は、真空外囲器と当該真空外囲器内にカソード
とターゲット板とを具え、前記カソードがその主要な表
面に少なくとも１つの電子放射領域を有する半導体基体
を具え、その第１グリッドが前記カソードと前記ターゲ
ット板間に位置して前記カソードにより放射される電子
を通過させる開口部を有する陰極線管に関わるものであ
る。
とターゲット板とを具え、前記カソードがその主要な表
面に少なくとも１つの電子放射領域を有する半導体基体
を具え、その第１グリッドが前記カソードと前記ターゲ
ット板間に位置して前記カソードにより放射される電子
を通過させる開口部を有する陰極線管に関わるものであ
る。
画像記録装置では、陰極線管は撮像管でターゲツト板は
光感度のある例えは光導電層である。画像再生装置で
は、陰極線管は受像管でターゲツト板は螢光材料の層ま
たは線または点のパターンである。かかる装置はまた電
子リソグラフイまたは電子顕微鏡用に設計されてもよ
い。
光感度のある例えは光導電層である。画像再生装置で
は、陰極線管は受像管でターゲツト板は螢光材料の層ま
たは線または点のパターンである。かかる装置はまた電
子リソグラフイまたは電子顕微鏡用に設計されてもよ
い。
オランダ国特許出願第7905470号は公報に公開され、い
わゆる“冷陰極”を備えた陰極線管を開示している。こ
のカソードの動作は、pn接合が逆方向にバイアスされ、
荷電キヤリアのなだれ増倍が発生する方法での半導体基
体からの電子の放射に基づいている。この場合ある電子
は電子の仕事関数を越えるに必要な運動エネルギーを得
ることができる。これらの電子はそれで半導体基体の主
要面で解放されかくて電子電流となる。
わゆる“冷陰極”を備えた陰極線管を開示している。こ
のカソードの動作は、pn接合が逆方向にバイアスされ、
荷電キヤリアのなだれ増倍が発生する方法での半導体基
体からの電子の放射に基づいている。この場合ある電子
は電子の仕事関数を越えるに必要な運動エネルギーを得
ることができる。これらの電子はそれで半導体基体の主
要面で解放されかくて電子電流となる。
残留ガスが常に真空外囲器内にあるから、負ならびに正
イオンが電子電流により残留ガスから発生する。負イオ
ンはターゲツト板の方に加速される。
イオンが電子電流により残留ガスから発生する。負イオ
ンはターゲツト板の方に加速される。
静電偏向の場合、負イオンはターゲツト板の小領域をた
たき、ターゲツト板を傷めたりその動作に悪影響を及ぼ
す。この有害な効果をさまたげるためにイオン トラツ
プが用いられる。負イオン用イオン トラツプは例えば
アメリカ国特許第2,913,612号明細書に公知である。
たき、ターゲツト板を傷めたりその動作に悪影響を及ぼ
す。この有害な効果をさまたげるためにイオン トラツ
プが用いられる。負イオン用イオン トラツプは例えば
アメリカ国特許第2,913,612号明細書に公知である。
正イオンの一部は管のなかでの有力な加速用とフオーカ
ス用の電界の影響でカソードの方に動く。もし特段の手
段がとられなければその１部は半導体をたたきそれを傷
める。
ス用の電界の影響でカソードの方に動く。もし特段の手
段がとられなければその１部は半導体をたたきそれを傷
める。
この損傷は電子仕事関数を削減した材料、例えば現存す
るセシウムの層をスパツタで次第に剥離させる。この材
料が再分布されまたは完全に消失するとカソードの放射
特性は変化する。この層が存在しない（または前述のス
パツタ機構で完全に剥離される）と半導体基体の主要な
表面もおかされる。放射pn接合がその主要な表面に平行
に延在し、ｎ形表面帯によつてそれから分離される、オ
ランダ国特許出願第7905470号明細書に記載のような電
荷キヤリアのなだれ増倍に基づく半導体カソードの場合
には、この漸次のスパツタによりこの表面帯は完全に消
失しそれでカソードはもはや動作しなくなる。1979年７
月31日に公報で公開された同一出願人のオランダ国特許
出願第7800987号明細書に記載されたと同じ形の冷陰極
の場合は、pn接合が半導体基体の主要な表面で露出され
てしまう。電子管に存在する正イオンの上述の損傷効果
により、例えば主要な表面でpn接合が露出される面が変
化を受ける。これは不安定な放射動作を導く。
るセシウムの層をスパツタで次第に剥離させる。この材
料が再分布されまたは完全に消失するとカソードの放射
特性は変化する。この層が存在しない（または前述のス
パツタ機構で完全に剥離される）と半導体基体の主要な
表面もおかされる。放射pn接合がその主要な表面に平行
に延在し、ｎ形表面帯によつてそれから分離される、オ
ランダ国特許出願第7905470号明細書に記載のような電
荷キヤリアのなだれ増倍に基づく半導体カソードの場合
には、この漸次のスパツタによりこの表面帯は完全に消
失しそれでカソードはもはや動作しなくなる。1979年７
月31日に公報で公開された同一出願人のオランダ国特許
出願第7800987号明細書に記載されたと同じ形の冷陰極
の場合は、pn接合が半導体基体の主要な表面で露出され
てしまう。電子管に存在する正イオンの上述の損傷効果
により、例えば主要な表面でpn接合が露出される面が変
化を受ける。これは不安定な放射動作を導く。
半導体カソードにおいてpn接合が正方向で動作する陰極
線管の第２の形（いわゆる負の電子親和力のカソードま
たはNEAカソード）では、放射動作はスパツタが再び起
こるという事実にまた影響される。この場合はまた電子
仕事関数を削減する材料の層はスパツタによつて第１に
次第に剥離される。次にカソードのｎ形表面帯はカソー
ドがもはや動作しなくなるまで傷められる。同じ問題が
他の半導体カソード、例えば英国特許出願第8133501号
や第8133502号明細書記載の半導体カソードにも生じ
る。
線管の第２の形（いわゆる負の電子親和力のカソードま
たはNEAカソード）では、放射動作はスパツタが再び起
こるという事実にまた影響される。この場合はまた電子
仕事関数を削減する材料の層はスパツタによつて第１に
次第に剥離される。次にカソードのｎ形表面帯はカソー
ドがもはや動作しなくなるまで傷められる。同じ問題が
他の半導体カソード、例えば英国特許出願第8133501号
や第8133502号明細書記載の半導体カソードにも生じ
る。
以上述べたような工程で半導体カソードから成る陰極線
管の寿命は著しく短縮される。
管の寿命は著しく短縮される。
本発明の目的は、冒頭にのべたような装置で、正イオン
が前記スクリーングリツドによつてその大部分が収集さ
れて、これらの欠点が全くまたは部分的に排除される陰
極線管を提供せんとするものである。
が前記スクリーングリツドによつてその大部分が収集さ
れて、これらの欠点が全くまたは部分的に排除される陰
極線管を提供せんとするものである。
この目的を達成するため本発明陰極線管は、前記カソー
ドにより放射される電子を通過させるスクリーングリッ
ドが前記第１グリッドと前記ターゲット板間に位置し、
その電子放射領域が前記スクリーングリッドの前記開口
部の直径より大きな内直径を有する実質的に環状であ
り、前記スクリーングリッドの開口部が前記第１グリッ
ドの開口部よりさらに小さいことを特徴とするものであ
る。
ドにより放射される電子を通過させるスクリーングリッ
ドが前記第１グリッドと前記ターゲット板間に位置し、
その電子放射領域が前記スクリーングリッドの前記開口
部の直径より大きな内直径を有する実質的に環状であ
り、前記スクリーングリッドの開口部が前記第１グリッ
ドの開口部よりさらに小さいことを特徴とするものであ
る。
本発明は、この方法によればスクリーングリツドを越え
た管部分で発生する正イオンのほんのわずかのみがカソ
ードをたたくという事実の認識に基づいている。さらに
放射部分が適切に選択された幾何学的形態を有する半導
体カソードでは、スクリーングリツドを通過したイオン
がこの放射部分をたたくことはなく、カソードとスクリ
ーングリツド間で発生したイオンの１部のみがそれも低
いエネルギーで前記スパツタ効果に寄与する。かかる実
施態様では、電子レンズを越えて発生する高いエネルギ
ーイオンの影響は実質的に全く無視される。
た管部分で発生する正イオンのほんのわずかのみがカソ
ードをたたくという事実の認識に基づいている。さらに
放射部分が適切に選択された幾何学的形態を有する半導
体カソードでは、スクリーングリツドを通過したイオン
がこの放射部分をたたくことはなく、カソードとスクリ
ーングリツド間で発生したイオンの１部のみがそれも低
いエネルギーで前記スパツタ効果に寄与する。かかる実
施態様では、電子レンズを越えて発生する高いエネルギ
ーイオンの影響は実質的に全く無視される。
かかる半導体カソードはさらに、電子がある与えられた
角度の回りの拡がりの小さい円形のクロスオーバから実
質的に放射され、電子光学的観点からすぐれているよう
に有利に製作することができる。電子が今や円錐体の表
面に沿つて効率的に移動するという事実から電子輝度は
球面収差を有するレンズで左程削減されない。
角度の回りの拡がりの小さい円形のクロスオーバから実
質的に放射され、電子光学的観点からすぐれているよう
に有利に製作することができる。電子が今や円錐体の表
面に沿つて効率的に移動するという事実から電子輝度は
球面収差を有するレンズで左程削減されない。
好適には、半導体カソードは前記オランダ国特許出願第
7905470号明細書に記載された種類のこの目的のために
使用されるが、例えばNEAカソードまたは前記オランダ
国特許出願第7800987号明細書または英国特許出願第813
3501号や第8133502号明細書記載のカソードのような他
の半導体カソードもまた使用可能である。
7905470号明細書に記載された種類のこの目的のために
使用されるが、例えばNEAカソードまたは前記オランダ
国特許出願第7800987号明細書または英国特許出願第813
3501号や第8133502号明細書記載のカソードのような他
の半導体カソードもまた使用可能である。
以下実施態様と図面を参照し本発明をより詳細に説明す
る。
る。
図面にはスケールが入れてないが、明確化のため断面特
に厚み方向の大きさは誇張されている。同じ導電形の半
導体区域は同じ方向のハツチがつけられ、図面で対応す
る部分には同一の参照番号がつけられている。
に厚み方向の大きさは誇張されている。同じ導電形の半
導体区域は同じ方向のハツチがつけられ、図面で対応す
る部分には同一の参照番号がつけられている。
第１図は、真空外囲器２にカソード３、この例では半導
体カソードを有する陰極線管１の一部を示しており、そ
の電子放射は逆方向バイアスされたpn接合における電子
のなだれ増倍の手段で得られる。陰極線管はさらに第１
のグリツド４とスクリーングリツド５を具え、それらは
正規の電圧に接続されると電子光学的観点からは正のレ
ンズを形成する。陰極線管１の図示されていない部分に
はターゲツト板があり、さらに一般的手段がカソード３
で発生する電子ビーム６を偏向するのに使用される。電
子放射領域は参照番号13で第１図に線図的に示されてい
る。
体カソードを有する陰極線管１の一部を示しており、そ
の電子放射は逆方向バイアスされたpn接合における電子
のなだれ増倍の手段で得られる。陰極線管はさらに第１
のグリツド４とスクリーングリツド５を具え、それらは
正規の電圧に接続されると電子光学的観点からは正のレ
ンズを形成する。陰極線管１の図示されていない部分に
はターゲツト板があり、さらに一般的手段がカソード３
で発生する電子ビーム６を偏向するのに使用される。電
子放射領域は参照番号13で第１図に線図的に示されてい
る。
半導体カソード３のこの実施態様では電子は環状パター
ンに従つて発生する。このためカソード３はシリコンの
ｐ形基板８を有する半導体基体７を具え（第２図参
照）、それにはｎ形領域9,10が形成され、それは深いｎ
形層９と実際の放射領域の面に薄いｎ形層10とからなつ
ている。この領域でｐ形基板８とｎ形領域9,10間pn接合
のブレークダウンを削減するために、基板のアクセプタ
濃度はイオン注入により形成されるｐ形領域11で局部的
に増加されている。それで電子放射は環状帯13で起り、
その環状帯は絶縁層12がなく、そこにはセシウムのよう
な電子仕事関数を削減する材料33の１原子層をさらに備
えた電子放射面がある。前もつて電極14がこの絶縁層12
例えば酸化シリコン上に、放射電子をそらせるために備
えられてもよいし、このような電極はまた正イオンまた
は偏向電子により衝撃される時発生する帯電効果から下
の半導体基体を防護する役割りをする。基板８は例えば
高濃度ドープされたｐ形区域16とメタライゼーシヨン17
の手段で接触がとられ、一方ｎ形領域は図示されていな
い接触メタライゼーシヨンを介して接続される。接触さ
れる領域はすえつけ状態で（第１図参照）例えば壁２の
貫通部材25への接続線24を介して接続される。半導体カ
ソード３のより詳細な記述は、前記オランダ国特許出願
第7905470号明細書を参照されたい。
ンに従つて発生する。このためカソード３はシリコンの
ｐ形基板８を有する半導体基体７を具え（第２図参
照）、それにはｎ形領域9,10が形成され、それは深いｎ
形層９と実際の放射領域の面に薄いｎ形層10とからなつ
ている。この領域でｐ形基板８とｎ形領域9,10間pn接合
のブレークダウンを削減するために、基板のアクセプタ
濃度はイオン注入により形成されるｐ形領域11で局部的
に増加されている。それで電子放射は環状帯13で起り、
その環状帯は絶縁層12がなく、そこにはセシウムのよう
な電子仕事関数を削減する材料33の１原子層をさらに備
えた電子放射面がある。前もつて電極14がこの絶縁層12
例えば酸化シリコン上に、放射電子をそらせるために備
えられてもよいし、このような電極はまた正イオンまた
は偏向電子により衝撃される時発生する帯電効果から下
の半導体基体を防護する役割りをする。基板８は例えば
高濃度ドープされたｐ形区域16とメタライゼーシヨン17
の手段で接触がとられ、一方ｎ形領域は図示されていな
い接触メタライゼーシヨンを介して接続される。接触さ
れる領域はすえつけ状態で（第１図参照）例えば壁２の
貫通部材25への接続線24を介して接続される。半導体カ
ソード３のより詳細な記述は、前記オランダ国特許出願
第7905470号明細書を参照されたい。
カソード３により発生した電子はグリツド４と５により
構成された正の電子レンズにより加速される。動作中グ
リツド４が低いか負の電圧さえ有しスクリーングリツド
５（隔壁）が正の電圧を有する事実から、これらグリツ
ドは電子光学的観点から正のレンズを形成し、それは帯
13で発生する環状電子ビームをクロスオーバ22に集束す
る。スクリーングリツド５（隔壁）の開口部の面にほぼ
位置するこのクロスオーバは例えば電磁気的手段で次に
偏向される実際の電子ビームの実際の電子源として動作
する。
構成された正の電子レンズにより加速される。動作中グ
リツド４が低いか負の電圧さえ有しスクリーングリツド
５（隔壁）が正の電圧を有する事実から、これらグリツ
ドは電子光学的観点から正のレンズを形成し、それは帯
13で発生する環状電子ビームをクロスオーバ22に集束す
る。スクリーングリツド５（隔壁）の開口部の面にほぼ
位置するこのクロスオーバは例えば電磁気的手段で次に
偏向される実際の電子ビームの実際の電子源として動作
する。
クロスオーバ22はスクリーングリツド５の開口部の面で
ある大きさを持つている。この大きさはスクリーングリ
ツド５の開口部の最小直径を決定し、一方最大直径は電
子放射が起こる環状領域13の内径で決定され、その最大
径は本実施態様では約200μｍである。
ある大きさを持つている。この大きさはスクリーングリ
ツド５の開口部の最小直径を決定し、一方最大直径は電
子放射が起こる環状領域13の内径で決定され、その最大
径は本実施態様では約200μｍである。
この実施態様では、グリツド４は0Vの電圧で動作し、一
方265Vの電圧がスクリーングリツド５に印加される。ク
ロスオーバ22は40-50μｍである。スクリーングリツド
５の開口部としては径は例えば100μｍに選ばれる。
方265Vの電圧がスクリーングリツド５に印加される。ク
ロスオーバ22は40-50μｍである。スクリーングリツド
５の開口部としては径は例えば100μｍに選ばれる。
電子の衝突に基いてまたは他の理由で正のイオンが真空
管２で発生すると、正のイオンはカソード３の方へ加速
される。正イオンの大部分は管２の部分18で発生し、有
力な電界により軌道20にそつて加速され、その電界の等
電位線は第１図の左手部分に線19で線図的に示されてい
る。第１図から明らかなように、実質的に表面21の面で
ビーム６中に発生するすべてのイオンはスクリーングリ
ツド５の方へ加速される。ビーム６中の表面21とクロス
オーバ22間で発生するすべての正イオンは管の軸31に平
行に加速され、スクリーングリツド５の開口部を通過
し、実際の放射部分の内側に位置し第２図に破線23で示
される領域でカソード３をたたく。それ故放射動作はそ
れによつて悪影響はされない、しかし、この場合のよう
に、下にある半導体基体を帯電効果から防護する電極14
を備えた半導体カソードを用意するのが好適である。電
極14はそれ故好適には固定のまたは可変電圧に接続され
る。
管２で発生すると、正のイオンはカソード３の方へ加速
される。正イオンの大部分は管２の部分18で発生し、有
力な電界により軌道20にそつて加速され、その電界の等
電位線は第１図の左手部分に線19で線図的に示されてい
る。第１図から明らかなように、実質的に表面21の面で
ビーム６中に発生するすべてのイオンはスクリーングリ
ツド５の方へ加速される。ビーム６中の表面21とクロス
オーバ22間で発生するすべての正イオンは管の軸31に平
行に加速され、スクリーングリツド５の開口部を通過
し、実際の放射部分の内側に位置し第２図に破線23で示
される領域でカソード３をたたく。それ故放射動作はそ
れによつて悪影響はされない、しかし、この場合のよう
に、下にある半導体基体を帯電効果から防護する電極14
を備えた半導体カソードを用意するのが好適である。電
極14はそれ故好適には固定のまたは可変電圧に接続され
る。
ビーム６中の表面32の面で発生する正イオンは第１図か
ら明らかなように、この実施態様のカソード３を領域13
の外側でたたくかカソードを全くたたかない。グリツド
4,5の前記電圧では、約100μｍの距離で発生する小部分
のイオンのみがカソードの放射部分、特にセシウム層を
約40eVでたたくことが見出されており、その結果管で発
生する正イオンの有害な効界はセシウムのスパツタを小
さな範囲に制限し、結晶の損傷はさまたげられる。グリ
ツド4,5の電圧に依存し、前記距離とエネルギはわずか
に変わる。
ら明らかなように、この実施態様のカソード３を領域13
の外側でたたくかカソードを全くたたかない。グリツド
4,5の前記電圧では、約100μｍの距離で発生する小部分
のイオンのみがカソードの放射部分、特にセシウム層を
約40eVでたたくことが見出されており、その結果管で発
生する正イオンの有害な効界はセシウムのスパツタを小
さな範囲に制限し、結晶の損傷はさまたげられる。グリ
ツド4,5の電圧に依存し、前記距離とエネルギはわずか
に変わる。
カソードの感度は放射領域13を複数の分離領域に小分割
することによりなおさらに削減され、これは出願中の優
先権主張オランダ国特許出願第8403538号、同第8501490
号の日本国特許出願明細書にその全容がかかれている通
りである。当該特許出願に記述されている通り、このよ
うな構成はさらにカソードの安定性を支持している。
することによりなおさらに削減され、これは出願中の優
先権主張オランダ国特許出願第8403538号、同第8501490
号の日本国特許出願明細書にその全容がかかれている通
りである。当該特許出願に記述されている通り、このよ
うな構成はさらにカソードの安定性を支持している。
勿論いくつかの変形が当業者にとつて本発明の範囲を逸
脱することなく可能である。例えばすでに述べたNEAカ
ソードまたは英国特許出願第8133501号や第8133502号明
細書に述べたカソードのようないくつかの他の種類の半
導体カソードが選択されてもよい。さらに例えば表示装
置用の円形パターンの代りに１つまたは複数の線形パタ
ーンが領域13として選択されてもよい。
脱することなく可能である。例えばすでに述べたNEAカ
ソードまたは英国特許出願第8133501号や第8133502号明
細書に述べたカソードのようないくつかの他の種類の半
導体カソードが選択されてもよい。さらに例えば表示装
置用の円形パターンの代りに１つまたは複数の線形パタ
ーンが領域13として選択されてもよい。
第１図は、本発明に係わる装置の１部を線図的に示す
図、 第２図は、かかる装置に使用される半導体カソードの１
部断面１部平面を示す図である。 １……陰極線管、２……外囲器 ３……（半導体）カソード ４……第１のグリツド、５……スクリーングリツド ６……電子ビーム、７……半導体基体 ８……ｐ形基板、9,10……ｎ形領域 11……p+領域、12……絶縁層 13……電子放射領域、14……電極 15……導線、16……ｐ形区域 17……メタライゼーシヨン 18……管２の部分、19……電界の等電位線 20……正イオンの移動軌道 21……表面、22……クロスオーバ 23……領域、24……接続線 25……貫通部材、32……ビーム中の表面 33……セシウムの１原子層
図、 第２図は、かかる装置に使用される半導体カソードの１
部断面１部平面を示す図である。 １……陰極線管、２……外囲器 ３……（半導体）カソード ４……第１のグリツド、５……スクリーングリツド ６……電子ビーム、７……半導体基体 ８……ｐ形基板、9,10……ｎ形領域 11……p+領域、12……絶縁層 13……電子放射領域、14……電極 15……導線、16……ｐ形区域 17……メタライゼーシヨン 18……管２の部分、19……電界の等電位線 20……正イオンの移動軌道 21……表面、22……クロスオーバ 23……領域、24……接続線 25……貫通部材、32……ビーム中の表面 33……セシウムの１原子層
Claims (5)
- 【請求項１】真空外囲器と当該真空外囲器内にカソード
とターゲット板とを具え、前記カソードがその主要な表
面に少なくとも１つの電子放射領域を有する半導体基体
を具え、その第１グリッドが前記カソードと前記ターゲ
ット板間に位置して前記カソードにより放射される電子
を通過させる開口部を有する陰極線管において、 前記カソードにより放射される電子を通過させるスクリ
ーングリッドが前記第１グリッドと前記ターゲット板間
に位置し、その電子放射領域が前記スクリーングリッド
の前記開口部の直径より大きな内直径を有する実質的に
環状であり、前記スクリーングリッドの開口部が前記第
１グリッドの開口部よりさらに小さいことを特徴とする
陰極線管。 - 【請求項２】前記電子放射領域がいくつかのサブ領域に
分割され、それらサブ領域が前記スクリーングリッドの
前記開口部の直径より大きな内直径を有する実質的に環
状のパターンに従って均一に分布していることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の陰極線管。 - 【請求項３】前記半導体基体がその主要な表面に接する
ｎ形領域とｐ形領域間にすくなくとも１つのpn接合を有
し、一方、前記pn接合に逆方向に電圧が印加された時、
電子が半導体基体中になだれ増倍によって発生され、そ
の電子は半導体基体から放射され、その表面が少なくと
も１つの開口部が形成される電気的絶縁層を備え、pn接
合が前記主要な表面にほぼ平行なその開口部内にすくな
くとも延在し、pn接合の残余の部分より低いブレークダ
ウン電圧を局部的に有し、より低いブレークダウン電圧
を有するその部分は、ブレークダウン電圧時にpn接合の
空乏帯が表面まで延在することなく、前記発生した電子
を通過させるに十分薄い表面層だけ表面から隔離される
ような厚みと不純物濃度を有する、ｎ形導電層によって
表面から分離されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項に記載の陰極線管。 - 【請求項４】少なくとも１つの電極が前記絶縁層の少な
くとも１部に備えられたことを特徴とする特許請求の範
囲第３項に記載の陰極線管。 - 【請求項５】前記主要な表面が前記絶縁層内の開口部に
電子仕事関数を削減させる材料の層を備えたことを特徴
とする特許請求の範囲第３項または第４項に記載の陰極
線管。
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