NL8600098A - Kathodestraalbuis met ionenval. - Google Patents

Description

* ΕΗΝ 11615 1 N.V. Philips* Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.

Kathodestraalbuis met ionenval.

De uitvinding bevat een inrichting voor het cpnemsn of weergeven van heelden bevattende een kathodestraalbuis met in een geeva-cueerde omhulling een trefplaat en ten minste een kathode die in de gebmikstoestand volgens een ringvormig patroon elektronen emitteert 5 en ten minste een eerste rooster voorzien van een opening cm ter plaatse van een cross-over in een door de kathode gegenereerde elektronenbundel door de kathode geëmitteerde elektronen door te laten.

Bij een inrichting voor het cpnemen van beelden is de kathode-straalhuis een camerabuis en is de trefplaat een fotogevoelige, bijvoor-10 beeld een fotogeleidende laag. Bij een inrichting voor het weergeven van beelden kan de kathodestraalbuis een beeldbuis zijn, terwijl de trefplaat een laag of een patroon van lijnen of punten uit fluorescerend materiaal bevat. Een dergelijke inrichting kan ook ingericht zijn voor elektrcnenlithografische of elektronenmicroscopische toepas-15 singen.

In de Nederlandse Tervisielegging No. 7905470 wordt een katho-destraalhiis getoond voorzien van een zogenaamde "koude kathode". De werking van deze kathode is gebaseerd qp het uittreden van elektronen uit een halfgeleiderlichaam waarin een pn-overgang zodanig in de keer-20 richting wordt bedreven dat lawinevermenigvuldiging van ladingsdragers optreedt. Hierbij kunnen sommige elektronen zoveel kinetische energie verkrijgen als nodig is cm de elektronenuuittreepotentiaal te overschrijden; deze elektronen komen dan vrij aan het hoofdoppervlak van het halfgeleiderlichaam en leveren aldus een elektronenstroom.

25 Omdat in de geëvacueerde omhulling toch altijd restgassen achterblijven, worden door de elektronens troon uit deze restgassen negatieve en positieve ionen vrij genaakt. De negatieve ionen warden in de richting van de trefplaat versneld. In het geval van elektrostatische afbuiging kunnen ze op een klein gebied van de trefplaat 30 vallei en deze beschadigen of zijn werking verstoren. Om deze schadelijke werking te voorkomen warden ionenvallen toegepast. Een ionenval voor negatieve ionen is bijvoorbeeld bekend uit het Amerikaanse Octrooiscfarift No. 2.913.612.

aSiCOfig “.........................................

*·' 4.

PHN 11615 2

Een deel van de positieve ionen begeeft zich onder invloed van in de buis heersende versnellende en focusserende velden in de richting van de kathode. Een gedeelte hiervan zal, indien geen speciale maatregelen worden genomen, de halfgeleider treffen en deze bescha-5 digen.

Dit beschadigen kan een geleidelijk af sputter en inhouden van een eventueel aanwezig laag van elektronenuittreearbeidverlagend materiaal zoals bijvoorbeeld cesium. Door een herverdeling of zelfs geheel verdwijnen van dit materiaal veranderen de emissie-eigenschappen van 10 de kathode. Indien deze laag niet aanwezig is (of door het bovengenoemde sputtermechanisme geheel verwijderd is) kan zelfs het hoofd-'oppervlak van het halfgeleiderlichaam worden aangetast. Bij een half-geleiderkathode, gebaseerd op lawinevermenigvuldiging van ladingsdragers zoals beschreven in de Nederlandse Octrooiaanvrage No. 7905470 waarbij 15 de emitterende pn-overgang evenwijdig aan het hoofdoppervlak verloopt, en daarvan door een dunne n-type qppervlaktezone is gescheiden is het mogelijk dan ten gevolge van dit geleidelijk sputteren deze opper-vlaktezone geheel verdwijnt, zodat de kathode niet langer functioneert. Bij een soortgelijk type koude kathode, zoals beschreven in de op 31 20 juli 1979 ter inzage gelegde Nederlandse Octrooiaanvrage No. 7800987 van Aanvraagster kamt de pn-overgang bloot aan het hoofdoppervlak van het halfgeleiderlichaam. Ten gevolge van de hierboven beschreven beschadigende werking van in de elektronenbuis aanwezige positieve ionen kan bijvoorbeeld de plaats waar de pn-overgang aan het hoofdoppervlak 25 vrij kant veranderen. Dit veroorzaakt een instabiel emissiegedrag.

In het tweede type·:·. kathodestraalbuis, waarbij in de half-geleiderkathode een pn-overgang in de voorwaartsrichting wordt bedreven, de zogenaamde negatieve elektronenaffiniteit-kathode (NEA-kathode), wordt eveneens het emissiegedrag beïnvloed doordat weer af sputteren 30 plaatsvindt. Ook hier wordt eerst de laag van elektronenuittreearbeidver-lagendmateriaal geleidelijk weggesputterd. Vervolgens wordt de pn-type oppervlaktezone van de kathode aangetast totdat de kathode niet langer functioneert. Soortgelijke problemen gelden ten aanzien van andere halfgeleiderkathoden, zoals bijvoorbeeld de halfgeleiderkathoden 35 beschreven in de Britse Octrooiaanvrage No, 8133501 en No. 8133502.

Het blijkt dat door de hierboven genoemde processen de levensduur van met dergelijke halfgeleiderkathoden vervaardigde kathodestraal-buizen aanzielijk wordt verkort.

e s η f* Λ· 0, 3 -y j -y w- ^ & EHN 11615 3 S' *

Een inrichting van de in de aanhef genoemde soort waarbij het ringvormig emiss iepatroon met behulp van een conventionele thermische kathode wordt verkregen is bekend uit het Franse Octrooischrift No* 1.361.143.

5 Ock bij dergelijke conventionele kathoden, bijvoorbeeld met barium als kathodemateriaal kan een soort sputteren plaatsvinden. Weliswaar wordt het verlies aan barium hierbij opgevangen door toevoer van extra barium maar ten gevolge van de inhcmogene aantasting (sputteren) door de positieve ionen wordt de elektronenemissie minder 10 stabiel.

De uitvinding stelt zich ten doel een inrichting van de in de aanhef genoemde soort te verschaffen waarbij deze bezwaren geheel of gedeeltelijk zijn opgeheven doordat een stroom van positieve ionen practisch geheel wordt cpgevangen voor deze de kathode bereikt.

15 Een inrichting volgens de uitvinding heeft daartoe het ken merk dat de inrichting ten minste een extra rooster bevat net binnen een opening voor het doorlaten van de elektronenbundel ter plaatse van een as loodrecht op het emitterend oppervlak die practisch samenvalt met de as van het ringvormig patroon een plaatje dat ten opzichte 20 van deze as practisch loodrecht georiënteerd is.

De uitvinding berust op het inzicht dat door deze maatregel praktisch geen positieve ionen gegenereerd in het buisgedeelte voorbij het extra rooster de kathode treffen. Daarnaast berust zij op het inzicht dat bij halfgeleiderkathoden met een geschikt gekozen geometrie 25 van het emitterend gedeelte slechts een fractie van de ionen gegenereerd tussen de kathode en het eerste rooster, die bovendien een geringe energie bezitten, bijdraagt tot de genoemde sputterende werking.

Het betreffende plaatje is bij voorkeur door een of meer spijltjes met een breedte of diameter van ten hoogste 100 micrometer verbonden 30 met het extra rooster. Hierdoor wordt weliswaar een gedeelte van de elektronenstrocm (ca. 10%) onderschept maar dit heeft practisch geen invloed op de kwaliteit van de afbeelding van de elëktronenhron cp bijvoorbeeld een fosforscherm indien de kathodestraalbuis als weergeef-inrichting wordt gebruikt.

35 Hoewel de afinetingen van de opening in het extra rooster en het plaatje hoofdzakelijk werden bepaald door de plaats van het extra roester in de kathodestraalbuis en de diameter van het ringvormig patroon ligt de diameter van het plaatje in de praktijk bij voorkeur tussen - ) -1 '·. <5 - ' J -·, -j J Ό PHN 11615 4 50 en 500 micrometer. Bij voorkeur wordt deze diameter groter gekozen dan de diameter van de opening in het eerste rooster, zodat practisch geen hoogenergetische ionen deze opening kunnen passeren.

Een voorkeursuitvoering van een inrichting volgens de uit-5 vinding heeft het kenmerk, dat de kathode een halfgeleiderlichaam bevat met aan een hoofdoppervlak ten minste een elektronenemitterend gebied dat in projectie gezien geheel buiten de opening in het eerste rooster ligt. Bij een dergelijke uitvoering is een eventuele invloed van hoogenergetische ionen die voorbij de eléktronenlens worden gegene-10 reerd en toch de roosters passeren practisch geheel verwaarloosbaar.

Een dergelijke halfgeleiderkathode kan bovendien met voordeel zodanig vervaardigd warden dat de elektronen practisch vanuit een cirkel vormige cross-over worden geëmitteerd, net een geringe spreiding rondom een gegeven hoek hetgeen elektronenoptisch 15 voordelig is. Doordat de elektronen zich nu als het ware langs het oppervlak van een kegel bewegen wordt de elektrische helderheid minder verlaagd door lenzen met sferische aberratie.

Bij voorkeur wordt hiervoor een halfgeleiderkathode gebruikt zoals beschreven in de genoemde Octrooiaanvrage No. 7905470 maar 20 ook andere halfgeleiderkathoden zijn mogelijk zoals bijvoorbeeld NEA-kathoden of de kathoden beschreven in de genoemde Octrooiaanvrage No. 7800987 of in de Britse Octrooiaanvragen No. 8133501 en No.

8133502.

De uitvinding zal thans nader worden besproken aan de hand 25 van een uitvoeringsvoorbeeld en de tekening, waarin

Figuur 1 schematisch een deel van een inrichting volgens de uitvinding voorstelt en

Figuur 2 gedeeltelijk in dwarsdoorsnede en gedeeltelijk in bovenaanzicht een halfgeleiderkathode toont voor toepassing in een 30 dergelijke inrichting, terwijl

Figuur 3 een bovenaanzicht van het extra rooster toont.

De figuren zijn niet op schaal getekend waarbij ter wille van de duidelijkheid, in de dwarsdoorsneden in het bijzonder de afmetingen in de dikterichting sterk zijn overdreven. Halfgeleiderzones 35 van hetzelfde geleidingstype zijn in het algemeen in dezelfde richting gearceerd? in de figuren zijn overeenkomstige delen in de regel met dezelfde verwijzingscijfer aangeduid.

Figuur 1 toont een gedeelte van een inrichting 1, in dit 8100098

0- V

PHN 11615 5 voorbeeld een kathodestraalbuis met binnen een cmholling 2 een kathode 3, in dit voorbeeld een halfgeleiderkathode waarin emissie van elektronen wordt verkregen door middel van lawinevermenigvuldiging van elektronen in een gesperde pn-overgang. De kathodestraalbuis bevat verder 5 een eerste rooster 5 en een rooster 4 die, indien aangesloten op de juiste spanningen, elektronen-optisch gezien met de kathode 3 een positieve lens vormen. Het niet getekende deel van de kathodestraal-fcuis 1 is voorzien van een tref plaat, terwijl bovendien de gebruikelijke middelen kunnen worden aangewend cm een in de kathode 3 qpge-10 wekte elektranenbundel 6 af te buigen. De eléktronenemitterende gebieden zijn in Figuur 1 schematisch aangegeven met behulp van de verwij-zingscijfers 13. De inrichting 1 kan ook een pp zichzelf staand deel van een kathodestraalbuis of een elektronenmicroscoop vormen.

In de halfgeleiderkathode 3 worden in dit voorbeeld elëk-15 tronen gegenereerd volgens een ringvormig patroon. Hiertoe bestaat de kathode 3 uit een halfgeleiderlichaam 7 (zie figuur 2) met een p-type substraat 8 van silicium waarin een n-type gebied 5, 10 is aangebracht dat bestaat uit een diepe diffusiezone 9 en een dunne n-type laag 10 ter plaatse van het eigenlijke emissiegebied. Om in dit gebied de doorslag 20 van de pn-overgang tussen het p-type substraat 8 en het n-type gebied 9, 10 te verlagen is plaatselijk de acceptorcancentratie in het substraat verhoogd door middel van een middels ionenimplantatie aangebracht p-type gebied 11. Elektronenemissie vindt derhalve plaats binnen de door de isolerende laag 12 vrijgelaten ringvormige zone 13 waar het eléktro-25 nenemitterend oppervlak bovendien is voorzien van een monoatanaire laag van elektronenuittreepotentiaal verlagend materiaal 33 zoals cesium.

Op deze isolerende laag 12 van bijvoorbeeld siliciumoxyde kan zonodig een elektrode 14 aangebracht worden cm de uitgetreden elektronen te versnellen of af te buigen; een dergelijke elektrode kan ook dienen 30 cm het onderliggende halfgeleiderlichaam te beschermen tegen ladings-effecten die op kunnen treden wanneer het wordt getroffen door positieve ionen of af gebogen elektronen. Het substraat 8 wordt bijvoorbeeld via een hooggedoteerde p-type zone 16 en een metallisatie 17 gecontacteerd terwijl het n-type gebied via een niet-getekende contactmetallisa-35 tie is aangesloten. De te contacteren gebieden zijn in gemonteerde toestand (zie figuur 1) bijvoorbeeld via aansluitdraden 24 verbonden met doorvoeren 25 in de wand 2. Voor een meer gedetailleerde beschrijving van de halfgeleiderkathode 3 zij verwezen naar de genoemde Nederlandse

O j y . 'J ύ O

φ- ·*» ΡΗΝ 11615 6

Octrooiaanvrage No. 7905470.

De door de kathode 3 gegenereerde elektronen worden door de roosters 4 en 5 versneld. Doordat tijdens gebruik het rooster 4 een lage of zelfs negatieve spanning bezit en het rooster 5 (diafragma) 5 een positieve spanning bezit, vormen deze roosters vanuit elektronen-optisch gezichtspunt met de kathode een positieve lens die de ringvontiige elektronenbundel, die in de zone 13 wordt gegenereerd doet convergeren in een cross-over 22. Deze cross-over die zich ongeveer ter plaatse van de opening in het eerste rooster 5 (diafragma) bevindt fungeert 10 als een reële bron voor de eigenlijke elektronenbundel die vervolgens bijvoorbeeld met elektromagnetische middelen wordt afgebogen.

De cross-over 22 heeft er plaatse van de opening in het eerste rooster 5 een zekere afmeting. Deze afmeting bepaalt de minimale diameter van de opening in dit rooster 5, terwijl de maximale diameter 15 bepaald wordt door de binnendiameter van het ringvormige gebied 13 waar elektronenemissie plaatsvindt en die in dit voorbeeld ca. 200 micrometer bedraagt.

In het onderhavige voorbeeld wordt het rooster 4 bedreven op een spanning van 0 Volt terwijl op het rooster 5 een spanning 20 van 265 Volt wordt aangelegd. De cross-over 22 heeft daarbij een diameter van 40 a 50 micrometer. Voor de opening in het eerste rooster 5 wordt dan bijvoorbeeld een diameter van 100 micrometer gekozen.

Indien nu in de vacuümbuis 2 door botsing van elektronen of anderszins positieve ionen worden gegenereerd, worden deze versneld 25 in de richting van de kathode 3. De elektronen, die door de kathode 3 worden gegenereerd bewegen zich hoofdzakelijk langs het oppervlak van de holle bundel 6. Deze bundel wordt in het hoogspanningsgedeelte, waarvan afbuigingselektroden 34 ten dele zijn aangegeven afgebogen, waarbij de cross-over 22 als een punt op de trefplaat wordt afgebeeld 30 en daar bijvoorbeeld een fosforscherm treft.

Hierbij kunnen in het gedeelte 18 .tussen de cross-over 22 en de trefplaat hoogenergetische positieve ionen vrijgemaakt worden.

Een groot gedeelte hiervan zal zich practisch langs de as 31 voortbewegen en, indien geen speciale maatregelen worden getroffen, de 35 kathode 3 treffen. Deze ionen kunnen de metaallaag 14 (of eventueel de oxydelaag 13) treffen, zodat deze door sputteren wordt aangetast.

De genoemde positieve ionen kunnen door de heersende velden ten gevolge van de spanningen op de roosters 4, 5 ook de emitterende gebieden 13 8309098 <*· PHN 11615 7 treffen. De levensduur van een dergelijke halfgeleiderkathode wordt hierdoor aanzienlijk beperkt.

Volgens de uitvinding worden de hoogenergetische positieve ionen cpgevangen door een metalen plaatje 35 dat zich bevindt in een 5 opening 36 in een metalen rooster 37 dat in dit voorbeeld deel uitmaakt van een bus 38. De bus is aan de naar de trefplaat toegekeerde zijde open en loopt in dit voorbeeld taps toe in de richting van de cross-over 22. Aan het tapse uiteinde bevat de bus 38 een opening 39 voor het doorlaten van de elektronenbundel 6. De openingen 36 en 39 hebben 10 in dit voorbeeld een diameter van respectievelijk ca. 3 millimeter en ca. 1 millimeter. Het plaatje 35 is via dunne spijltjes (breedte ca. 50 micrometer) met het rooster 37 verbonden (zie figuur 3) .en heeft in dit voorbeeld een diameter van ca. 300 micrometer. Afhankelijk van de plaats in de bus kan deze diameter variëren maar blijft in 15 de praktijk beperkt tot een gebied van 50 tot 500 micrometer. De spijltjes 40 onderscheppen in het onderhavige voorbeeld ca. 10% van de bundel-strocm maar dit heeft nauwelijks effect cp de kwaliteit van de afbeelding (spot-kwaliteit).

In het voorbeeld van figuur 1 heeft de bus 38 (en dus het 20 rooster 37) een spanning van ca. 1200 V en de hoogspanningselektrode 34 een spanning van ca. 12 kiloVölt. Het blijkt dat bij genoemde spanningen practisch alle hoogenergetische positieve ionen banen langs de as 31 volgen en dus worden cpgevangen door het plaatje 35, dat zich in dit voorbeeld practisch loodrecht cp de as van de· buis bevat, welke as samsn-25 valt met de as van het ringvormig emitterend patroon.

Eventuele positieve ionen die de spleet tussen het rooster 37 en het plaatje 35 passeren worden cpgevangen door het eerste rooster 35. Positieve ionen, gegenereerd in de bundel 6 tussen het rooster 37 en de cross-over 22 worden practisch evenwijdig aan de as 31 van? de 30 huis versneld, passeren de opening in het rooster 5 en treffen de kathode 3 in een gebied dat binnen het eigenlijke emitterende gedeelte ligt en in figuur 2 is aangegeven met behulp van streeplijnen 23.

Het emissiegedrag wordt hierdoor dan ock niet nadelig beïnvloed, wel verdient het de voorkeur cm de halfgeleiderkathode zoals hier te voor-35 zien van een elektrode 15 die het onderliggende halfgeleiderlichaam beschermt tegen ladingseffecten. De elektrode 15 is dan ook bij voorkeur aangesloten op een vaste of vaiabele spanning.

w V v J j \j PBN 11615 8

Positieve ionen gegenereerd ter plaatse van het vlak 32 in de hmdel 6 treffen de kathode 3 in het onderhavige voorbeeld buiten het gebied 13 of in het geheel niet. Bij de genoemde spanningen op de roosters 4, 5, blijkt slechts een klein gedeelte van de ionen, gegene-5 reerd op ca. 100 micrometer het emitterend gedeelte van de kathode in het bijzonder de laag cesium, te treffen met energieën van ca. 40 eV, waarmee de nadelige werking van in de buis gegenereerde positieve ionen beperkt blijft tot een geringe mate van af sputteren van het cesium en kristalbeschadiging wordt voor kernen. Afhankelijk van de spanningen 10 op de roosters 4, 5 kan in de genoemde afstand en energie nog enige variatie optreden.

De gevoeligheid van de kathode kan nog verder worden verlaagd door het emitterend gebied 13 op te delen in een aantal afzonderlijke gebieden. Een dergelijke opbouw bevordert bovendien de stabiliteit 15 van de kathode.

Zoals in de inleiding beschreven kan de uitvinding ook worden toegepast op een vacuürribuis met thermische kathode. Op dezelfde wijze als hierboven beschreven zal een deel van deze kathode geen nadelige invloed van positieve ionen ondergaan hetgeen leidt tot een 20 grotere stabiliteit in de elektronenemissie. Hoewel in dit voorbeeld sprake is van een inrichting waarbij de as van het ringvormig emissie-patroon samenvalt met die van de buis is dit niet strikt noodzakelijk, bijvoorbeeld indien, zoals in het geval van kleurenweergave meerdere kathoden worden gebruikt, waarvan de verschillende ringvormige patro-25 nen 13 assen bezitten die niet met de as van de buis samenvallen.

Uiteraard zijn binnen het kader van de uitvinding voor de vakman diverse variaties mogelijk zonder buiten het kader van de uitvinding te treden. Het plaatje 35 kan bijvoorbeeld met een kleiner aantal spijltjes 40 aan het rooster 37 worden bevestigd, zodat de 30 bundelstrocm in mindere mate wordt onderbroken. Ook kan het plaatje 40 bijvoorbeeld in de opening 39 van de bus 38 worden gemonteerd, zodat het rooster 37 kan vervallen.

Ook kunnen diverse andere typen halfgeleiderkathodes worden gekozen.

35 8300038

Claims (11)

1. Inrichting voor het opnemen of weergeven van beelden bevattende een kathodestraalbuis met in een geëvacueerde omhulling een tref-plaat en ten minste een kathode die in de gebruikstoestand volgens een ringvormig patroon elektronen emitteert en ten minste een eerste 5 rooster voorzien van een opening cm ter plaatse van een cross-over in een door de kathode gegenereerde elektronenbundel door de kathode geëmitteerde elektronen door te laten met het kenmerk, dat de inrichting ten minste een extra rooster bevat met binnen een opening voor het doorlaten van de elektronenbundel ter plaatse van een as 10 loodrecht op het emitterend oppervlak die practisch samenvalt met de as van het ringvormig patroon een plaatje dat ten opzichte van deze as practisch loodrecht georiënteerd is.

2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het plaatje door middel van ten minste een spijltje verbonden is net het 15 extra rooster.

3. inrichting volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de breedte of de diameter van het spijltje ten hoogste 100 micrometer bedraagt.

4. Inrichting volgens één der conclusies V tot en met 3, 20 met het kenmerk, dat het plaatje pracktisch cirkelvormig is net een diameter groter dan de diameter van de opening in het eerste rooster.

5. Inrichting volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat het plaatje een diameter van ten minste 50 micrometer en ten hoogste 500 micrometer bezit.

6. Inrichting volgens één der vorige conclusies, met het ken merk dat de kathode een hal fgeleider lichaam bevat met aan een hoofdcpper-vlak ten minste een elektronen emitterend gebied.

7. Inrichting volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat het eléktrcnen-anitterend gebied in projectie gezien geheel buiten de 30 opening in het eerste rooster ligt.

8. Inrichting volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat het elektrcnenemitterend gebied practisch ringvormig is en een binnendia-meter bezit die groter is dan de diameter van de opening in het eerste rooster.

9. Inrichting volgens conclusie 7, met het kenmark, dat het halfgeleiderlichaam meerdere elektranen-emitterende gebieden bevat die practisch homogeen verdeeld zijn over een ringvormig patroon net een binnendiameter die groter is dan de diameter van de opening in het SCO C v 3 8 ·*>· ~>· PBN 11615 10 eerste rooster.

10. Inrichting volgens conclusie 7, 8 of 9, met het kenmerk, dat het halfgeleiderlichaam ten minste een pn-overgang bevat tussen een aan het hoofdoppervlak grenzend n-type gebied en een p-type gebied, 5 waarbij door het aanleggen van een spanning in de keerrichting over de pn-overgang in het halfgeleiderlichaam door lawinevermenigvuldiging elektronen worden gegenereerd die uit het halfgeleiderlichaam treden en waarbij het oppervlak voorzien is van een elektrisch isolerende laag waarin ten minste een opening is aangebracht en de pn-overgang 10 althans binnen de opening in hoofdzaak evenwijdig aan het hoofdoppervlak loopt en plaatselijk een lagere doorslagspanning dan het overige deel van de pn-overgang vertoont, waarbij het deel met lagere doorslagspanning van het oppervlak is gescheiden door een n-type geleidende laag met een zodanige dikte en dotering dat bij de doorslagspanning de 15 uitputtingszone van de pn-overgang zich niet tot aan het oppervlak uitstrekt doch daarvan gescheiden blijft., door een oppervlaktelaag die voldoende dun is cm de gegenereerde elektronen door te laten.

11. Inrichting volgens één der conclusies 6 tot en net 10, met het kenmerk, dat op althans een gedeelte van de isolerende laag ten 20 minste een elektrode is aangebracht. 25 30 35 8003398