JP3734530B2 - 平面冷陰極電子エミッタおよび電界放出素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は一般的に冷陰極電子放出素子(cold cathode emission devices)に関し、特にダイアモンド物質を用いた電子エミッタ(electron emitter)および低仕事関数(work function)物質を用いた同様のエミッタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
冷陰極電子エミッタは、主に電界放出素子(field emission device)を含み、これは、先端表面における電界を高めて十分に電子を引き出す(draw off)即ち放出するために、元来非常に鋭い先端を必要とするものであった。一般的に、抽出電極(extraction electrode)は先端を含む面内に形成され、この先端を完全に包囲して、チップと抽出電極との間に抽出電位を与えるように配置される。これらの素子に伴う主要な問題は、非常に鋭い先端の製造が難しいことである。更に、一旦チップを製造すると、電界放出素子を動作させるに連れて、チップが劣化する即ち粒子(particle)を失う傾向がある。
【０００３】
これらの問題を解決するために、エミッタに低仕事関数物質を利用しようとする動きがある。ダイアモンド・エミッタを利用する場合のように、場合によっては、合理的な電位の印加で必要とする電子放出量を確保しつつ、エミッタを事実上平面構造とすることもできる。かかる構造の例は、"Electron Device Employing a Low/Negative Electron Affinity Electron Source"と題され、本願と同一譲受人に譲渡された米国特許第５，２８３，５０１号に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
これら低仕事関数素子においても、抽出格子電流(extraction grid current)が多すぎるという問題が存在する。鋭い先端を用いる場合、放出は自動的にエミッタの中央で行われので、電子流が陽極／スクリーンに衝突する前に、それを合焦させればよい。平面エミッタを用いる場合、電界内のどこででもその表面から電子を放出し得るので、結果的に放出電子の大部分が直接抽出電極に流れる。抽出電極に電流が流れると、素子の効率および動作特性を大きく低下させることになる。
【０００５】
したがって、上述の従来技術の欠陥の少なくともいくつかを克服する平面冷陰極放出素子が必要とされている。
【０００６】
本発明の目的の１つは、電子放出制御のためにパターニングされた金属を用いた新規で改良された冷陰極電子エミッタを提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的は、抽出電極電流を大幅に低減した、新規で改良された冷陰極電子エミッタを提供することである。
【０００８】
本発明の更に他の目的は、誘電体したがって素子のブレークダウン(breakdown)を低下させる新規で改良された冷陰極電子エミッタを提供することである。
【０００９】
本発明の更に他の目的は、周囲の誘電体への電子注入を減少或いは解消する新規で改良された冷陰極電子エミッタを提供することである。
【００１０】
本発明の更に他の目的は、動作特性および効率を改善した、新規で改良された冷陰極電子エミッタを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述のおよびその他の問題の解決、および上述のおよびその他の目的の実現は、比較的平面な表面を有する基板と、この基板表面上に支持され、電子を放出する低仕事関数電子放出物質とを含む、平面冷陰極電子エミッタによって達成される。電子放出物質層上に接触導電層を配置し、それを貫通する開口を規定する。接触導電層上に絶縁層を配置し、実質的に接点導電層の開口の延長上にありかつ周辺が整合された開口を規定する。更に、絶縁層上に導電ゲート層を配置する。接触導電層は、実質的に開口の中央で放出が生じるように、電界電位(field potential)を形成する。
【００１２】
【実施例】
ここで図１を参照すると、電界放出素子１２に組み込まれた平面冷陰極電子エミッタ１０の実施例を示す、部分的側面概略図が示されている。エミッタ１０は、ダイアモンド等のような低仕事関数物質層１４を有する基板１３を含む。絶縁層１５を層１４上に付着し、それを貫通する開口１７を規定する。一般的に、絶縁層１５は二酸化シリコンのような酸化物で形成される。導電層１８を絶縁層１５上に堆積(deposite)し、電界放出素子１２の抽出ゲート(extraction gate)を形成する。光学的に透明な目視スクリーン構造体２０は、陰極ルミネセンス物質層(cathodoluminescent material layer)のような物質層２２および導電陽極層２３が付着された透明スクリーン２１を含む。
【００１３】
層１４（陰極）に対して十分な正電圧を陽極２３に印加すると、層１４から電子が放出され、陽極２３と層１４との間の電界によって加速され、陽極２３に衝突し、結果的に層２２から光子（光）が放出される。層１４上に誘電体即ち絶縁層１５および導電ゲート層１８を配置すると、ゲート層１８の電圧を変調することによって、層１４の表面における電界を制御することができる。したがって、ゲート層１８は電子放出を制御し、トライオード型(triode type)の素子が形成される。典型的に、陽極／陰極バイアスによる電界は、層１４から電子を放出させるのに必要なバイアスよりも小さい。
【００１４】
トライオード素子のコンピュータ解析によって、放出プロセスは少なくとも指数関数的に熱電子的(thermionic)であり、フォーラ−ノルドハイム(Fowler-Nordheim)に近似することが示される。これは、表面電界への依存性において単一の指数関数よりも更に鋭い(steep)ものである。したがって、層１４の表面に沿った空間電界強度特性に小さな変化があると、空間電子放出率(spatial electron emission rates)に大きな変化が生じることになる。
【００１５】
開口１７の直径Ｄ、絶縁層１５の厚さｈ＝Ｄとした図１の構造では、図２に示すように、層１４の表面電界はゲート（層１８）の縁で最大となり、開口１７の中心で落ち込む(slump)。図２を参照すると、図１の構造における空間電界強度ε対位置Ｐの関係がグラフで示されており、開口１７の縁で電界強度の破壊(break)が生じている。図示した具体的な実施例では、開口１７の中心における電界強度量の落ち込みは約３％である。電界は層１８の縁で最大となり、放出電流を層１８に集中させ、放出される電子の殆どを層１８に集めるため、その結果ゲート電流が高くなると共に電界放出素子１２の動作は非効率的となる。
【００１６】
図１の構造における別の問題は、層１８をダイアモンドで形成する場合、一般的に二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の絶縁層１５と直接接触することである。Capacitance-Voltage Measurements on Metal-SiO2-Diamond Structures Fabricated with (100)- and (111)- Oriented Substrates", IEEE Transactions on Electron Devices,Vol. 38, No, 3 （１９９１年３月）においてGeis et al.によって指摘されたように、ダイアモンドはＳｉＯ2内に効果的に電子を注入することができる。ＭＯＳＦＥＴやＥＰＲＯＭにおいて熱電子の信頼性問題によって示されたように、ある時間にわたる電荷の注入は、誘電体が結果的に破壊される（通電する）原因となる。したがって、図１の電界放出素子１２には、固有の信頼性問題がある。
【００１７】
次に図３を参照すると、本発明による電界放出素子３２内に組み込まれた平面冷陰極電子エミッタ３０の実施例の部分的側面概略図が示されている。エミッタ３０は、例えば、ダイアモンド、ダイアモンド状炭素物質、非結晶性ダイアモンド状炭素物質、窒化アルミニウム物質等のような、表面仕事関数が約１．０電子ボルト未満の電界放出物質のような、低仕事関数物質層３４が表面に配置された基板３３を含む（本開示では、「配置(disposed)」という用語は、蒸着(vapor deposition)、エピタキシャル成長またはその他の成長、或いはその他の形成による、層の形成を意味する）。また、層３４は、例えば、金属または安定物質(ballast material)およびダイアモンド等の二重層(bilayer)のような複数の層を付着したり、金属、安定物質およびダイアモンドの三重層(trilayer)等でも形成可能であることは理解されよう。
【００１８】
金属、高濃度にドープされた半導体物質等のような導電接触層３５を層３４の表面に配置する。接触層３５をパターニングしてそれを貫通する開口３７を規定する。絶縁層３８を層３５上に配置し、それを貫通する開口３９を規定する。一般的に、絶縁層３８は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）のような酸化物で形成される。導電層４０を絶縁層３８上に配置し、電界放出素子３２の抽出ゲートを形成する。導電層４０をパターニングしてそれを貫通する開口４１を規定する。層３５を貫通する開口３７、層３８を貫通する開口３９、および層４０を貫通する開口４１は、実質的に同一の広がりを有し(coextensive)、層３４，３８，４０を貫通する１つの連続開口を形成するように周囲が整合されている。場合によっては、開口３７，３９，４１の縁は、パターニング、エッチング等の誤差のために、周囲が僅かにずれることがあるが、かかる誤差は「実質的」同一の範時に属するものとする。本実施例では、開口３７，３９，４１も断面が円形であり同心状に整合されているが、特定用途では他の形状も採用可能であることは理解されよう。
【００１９】
光学的に透明な目視スクリーン構造体４２は、透明スクリーン４３を含み、その上に陰極ルミネセンス物質層のような物質層４４と導電陽極層４５とが形成されている。場合によっては、層４４を導電性物質で形成するか、或いは層４４に導電性物質を含ませることによって、電荷を表面から遠ざけるように導く陽極として作用させる。また、場合によっては、陰極ルミネセンス物質層が良く導電しないため、付加導電物性質層を設けることもある。本実施例では、層４５は透明でなければならず（例えばＩＴＯ等）、透明スクリーン４３の表面に付着され、更に陰極ルミネセンス物質層４４が層４５の表面に付着される。この構成によって、速度の低い電子が層４５を通過して層４４に到達する必要がなくなるので、スクリーン・バイアスを低くすることが可能となる（約＜３ｋｖ）。
【００２０】
図３の具体的な構造では、全体的に図４に示すように、開口３７，３９，４１の直径および絶縁層３８の厚さがｈの場合、層３４の表面電界はゲート（層４０）の中央で最大となり、開口３７の縁でゼロに低下する。図４は、図３の構造における、垂直方向の空間電界強度と位置Ｐとの関係を表わすグラフである。
【００２１】
本発明の具体的実施例では、層３４をダイアモンド状炭素で形成し、接触層３５を金属で形成し、絶縁層３８を二酸化シリコン（ＳｉＯ2）で形成する。絶縁層３８の厚さをｈ＝Ｄとし、接触層３５の厚さをｈの２０％とした場合、図４に示すように、層３４の表面に軸対称放物線状電界分布(centered parabolic field distribution)が得られる。したがって、平面冷陰極電子エミッタ３０の放出電流は、開口３７，３９，４１によって形成される開口の中心に集中する。この新たな電界プロファイルが形成される理由は、接触層３５のために垂直方向電界分布が層３４表面上の開口３７の縁でゼロとなることを認識することによって、最も容易に理解されよう。
【００２２】
接触層３５の厚さを変化させることによって、電界特性の形状が変化する。即ち、接触層３５を厚くするに連れて、電界特性のピークが先鋭化し、接触層３５を薄くするに連れて、平面的な電界特性になるが、軸対称の形状は変わらない。また、接触層３５を厚くすると、表面層３４が遮蔽されるので、電界ピーク値も減少する。絶縁層３８の厚さｈ、接触層３５の厚さ、および開口３７の直径Ｄに対する通常の合理的な値は、Ｄ＝ｈ＝１ミクロン、接触層３５の厚さは０．２ミクロン、そしてゲート（層４０）の厚さは０．２ミクロンである。
【００２３】
図５を参照すると、トライオード型電界放出素子５０（図３の電界放出素子３２に類似する）を模した半断面図が、コンピュータ・シミュレーションによって描かれている。このコンピュータ・シミュレーションでは、表面５１が、導電層５２、誘電体層５３およびその上に配置されたゲート層５４から成り、これらを貫通する開口５５が規定されたエミッタとして機能する。シミュレーション境界(simulation boundary)５６（光学的に透明な目視スクリーン構造体４２を表わす）が、表面５１から約４ミクロンに位置付けられる。層５２，５３，５４の半分が、それを貫通して規定された開口５５の半分と共に示されている。シミュレーション境界５６の上にある数字(legend)は、開口５５の中心からの距離をミクロンで示すものである。一群の線５７は等電位線であり、一群の破線５８は電子の経路、即ちシミュレーション境界５６への軌道を示す。
【００２４】
図３の電界放出素子３２の別の特徴が、図５のコンピュータ・シミュレーションに描かれている。このシミュレーションは、接触層(contact layer)３５（層５２）の存在に起因する電子軌道の変更即ち合焦(focusing)を示している。接触層３５がないと、電子の軌道は発散し、ゲート開口４１を出て拡散する（図示せず）。接触層３５の縁における垂直方向電界は接触層３５によってゼロにされているので、接触層３５の合焦効果は、電界遅延(field retardation)による電界線の歪み(warping)によるものである。
【００２５】
図３の電界放出素子３２の他の特徴は、接触層３５がダイアモンド層３４と絶縁層３８（二酸化シリコンＳｉＯ2で形成される）との間に挟持され、ダイアモンドから二酸化シリコンへの電子の注入を防止することである。電子の誘電体への直接注入を防止することによって、注入によって引き起こされる信頼性の問題を解消することができる。
【００２６】
次に図６を参照すると、本発明による電界放出素子６２に組み込まれた平面冷陰極電子エミッタ６０の他の実施例の部分的側面概略図が示されている。エミッタ６０は基板６３を含み、この基板６３の表面に金属、高濃度にドープされた半導体物質等のような導電性物質層６２が配置されている。層３４について上述したものと同様の、低仕事関数物質層６４を層６２の表面に配置する。導電接触層６５を層６４の表面に配置し、それを貫通する開口を規定する。層６５上に絶縁層６８を配置し、それを貫通する開口を規定する。絶縁層６８上に導電層７０を配置し、電界放出素子６２の抽出ゲートを形成し、それを貫通する開口を規定するようにパターニングを行う。層６５、層６８および層７０を貫通する開口は実質的に同一の広がりを有し、層６５，６８，７０によって完全に包囲された１つの連続開口７１を形成するように、同軸状に周辺が整合されている。光学的に透明な目視スクリーン構造体７２は透明スクリーン７３を含み、その上に、陰極ルミネセンス物質層のような物質層７４と導電層７５とが形成されている。本実施例では、層７５が層７４（陽極接点を形成する）を被覆している。
【００２７】
電子エミッタ６０の接触層６５は、実質的に上述の図３の電子エミッタ３０の層３５のように動作する。導電層６２を付加したために、低仕事関数物質層６４との接触が強化され、導電性したがって電子放出の改善が図られる。
【００２８】
次に図７を参照すると、本発明による平面画像表示装置１００の実施例の部分的側面概略図が示されている。実質的に光学的に透明な目視スクリーン構造体は、透明スクリーン１０１を含み、その上に陰極ルミネセンス物質層のような物質のエネルギ変換層１１１と導電陽極層１１０とが付着されている。この具体的実施例では、導電陽極層１１０上に間空(interspace)絶縁層１０２を配置する。間空絶縁層には、これを貫通する間空開口１０３が規定されており、この開口が間空領域を規定する。間空開口は全体的に円形の断面で形成され、間空絶縁層１０２によって包囲されている。
【００２９】
複数の電子エミッタを電子放出基板１０４によって規定する。この電子放出基板１０４には、導電層１０５と、電子を放出する電子放出物質層１０６とが配置されている。導電接触層１０７を電子放出物質層１０６の表面上に配置し、それを貫通する開口を規定する。基板絶縁層１０８を接触層１０７上に配置し、接触層１０７を貫通する開口と同一の広がりを有しかつ同軸状に整合された開口を規定する。導電ゲート層１０９を基板絶縁層１０８上に配置し、接触層１０７を貫通する開口と同一の広がりを有しかつ同軸状に整合され、ゲート層１０９を貫通する開口を規定する。層１０７，１０８，１０９を貫通する個々の開口は合体して連続放出開口１４２を形成する。図７に示す実施例では、放出開口１４２が間空開口１０３の延長上にあり、間空開口１０３と実質的に一致するように、電子エミッタ１４０の導電ゲート層１０７を間空絶縁層１０２上に配置する。また、絶縁空間１４３が導電ゲート層１０９を部分的に分離することにより、導電ゲート層１０９を全体的にリング状の部分に分割し、各リング状部分が基板開口１４２の円周を実質的に囲むようにする。同様に、絶縁空間１４４によって層１０５，１０６，１０７を別個のリングに分離する。個々の電子エミッタを制御するために、種々のリング状部分の行または列を電気的に接続する。
【００３０】
再び図７を参照すると、多数の電気ポテンシャル源１６２，１６４，１６６が図示されており、各々画像表示装置の１つ以上の素子に動作可能に接続されている。この説明のために例としてのみあげれば、電気ポテンシャル源１６２，１６４，１６６の各々は、接地電位のような基準電位に動作可能に接続することができる。しかし、これは動作の限定を意味する訳ではない。第１電気ポテンシャル源１６２は、導電ゲート層１０９と基準電位との間に動作可能に接続される。第２電気ポテンシャル源１６４は、導電陽極１１０と基準電位との間に動作可能に接続される。第３電気ポテンシャル源１６６は、電子放出物質層１０６を挟持する導電層１０５／１０７と基準電位との間に動作可能に接続される。
【００３１】
上述の画像表示装置の動作の間、電子放出物質層１０６から放出される電子は、基板開口１４２および間空開口１０３の領域を横切り、陽極ルミネセンス層１１１に入射し、ここで電子が光子の放出を励起する。電気ポテンシャル源１６２は電気ポテンシャル源１６６と共に、電子の放出を制御するように機能する。電気ポテンシャル源１６４は、引力ポテンシャル(attractive potential)を発生して、間空開口１０３内に必要十分な電界を形成すると共に、放出された電子を捕獲する。画素アレイの所望部分に電気ポテンシャル源１６２，１６６を選択的に印加し、電子放出物質層１０６の連携する部分からの電子放出を制御可能とする。このように電子放出を制御することによって、面板(faceplate)１０１を通じて観察可能な所望の画像または複数の画像を得ることができる。
【００３２】
本発明による平面画像表示装置１００’の別の実施例の部分的側面概略図を図８に示す。図８では、図７において既に記載した構造には同様の参照番号を付け、全ての番号にダッシュを付加して、異なる実施例であることを示す。図８に詳細に示されているように、間空絶縁層１０２’は、積層された複数の絶縁層１５０’−１５３’から成り、これらの内いくつかの表面には、例としてのみあげれば、モリブデン、アルミニウム、チタン、ニッケル、またはタングステンのような導電層１５４’−１５６’がそれぞれ配置されている。したがって、個々の導電層１５４’−１５６’は、隣接する絶縁層１５０’−１５３’間に挟持されている。図８は４層の絶縁層を含み、その間に３層の導電層が挟持されているが、これ以下または以上のかかる導電層および／または絶縁層を用いて間空絶縁層１０２を実現することは予測できる。更に、絶縁層１５０’−１５３’のいくつかまたは全ては、導電層をその上に配置せずに形成することも予測できる。
【００３３】
また、図８には、導電層、ここでは代表例として導電層１５４’と基準電位との間に動作可能に接続された、電圧源のような電気ポテンシャル源１６８’も示されている。電気ポテンシャル源１６８’は、間空開口１０３’内の電界に所望の変更を加え、エネルギ変換層１１１’に移動中の放出電子の軌道に影響を与えるように選択される。望ましければ、図示していない他の電気ポテンシャル源を、他の導電層１５５’，１５６’において同様に用いることもできる。
【００３４】
次に図９を参照すると、本発明による電界放出素子３２’に組み込まれる平面冷陰極電子エミッタ３０’の更に他の実施例の部分的側面概略図が示されている。図９の構造は図３の構造に類似しており、同様の構成要素は同様の番号で表し、全ての番号にダッシュを付けることによって異なる実施例であることを示す。エミッタ３０’は基板３３’を含み、その表面上に低仕事関数物質層３４’が配置されている。先に説明したように、層３４’は、基板上に金属および／または安定物質およびダイアモンド等の複数の層を配することによって、形成することができる。
【００３５】
導電接触層３５’を層３４’の表面上に配置する。接触層３５’をパターニングして、それを貫通する開口３７’を規定する。絶縁層３８’を層３５’上に配置し、それを貫通する開口３９’を規定する。導電層４０’を絶縁層３８’上に配置し、電界放出素子３２’の抽出ゲートを形成する。導電層４０’をパターニングして、それを貫通する開口４１’を規定する。層３５’を貫通する開口３７’、層３８’を貫通する開口３９’、および層４０’を貫通する開口４１’は実質的に同一の広がりを有し、周囲を整合して１つの連続開口を形成する。
【００３６】
図９には開口３７’，３９’，４１’の一方の縁しか示されていないが、他方の縁も「遠くに(far away)」存在するので、互いの電界分布を変えることはない。開口３７’，３９’，４１’は大きな円形断面を有してもよいが、これらを細長チャンネル等としてもよい。事実上分離している開口３７’，３９’，４１’の縁によって、比較的大きな形成（例えば、リソグラフィ／パターニングによる）を可能とすると共に、構造の製造を比較的容易にする。
【００３７】
光学的に透明な目視スクリーン構造体４２’は透明スクリーン４３’を含み、その上に、陰極ルミネセンス物質層のような物質層４４’と透明導電陽極層４５’とが形成されている。本実施例では、層４５’を透明スクリーン４３’の表面上に配し、陰極ルミネセンス物質層４４’を層４５’の表面上に配することにより、スクリーン・バイアスの低下が可能となる。
【００３８】
図９の構造に対する電界分布のシミュレーションを図１０のグラフに示す。ここでは、垂直方向空間電界強度εと図９の構造における位置Ｐとの関係をプロットした。層３４’の表面における電界分布によって、層４０’（ゲート）の縁から遠いところで電子放出が生じる。軌道シミュレーションが示すのは、軌道は分散する、即ち合焦しないが、放出電子はゲートには達しない(miss)ということである。これに類似する実施例において放出電子を合焦するには、例えば、図８に示した構造に似た構造では、１層以上の導電層１５４’−１５６’を利用すればよい。
【００３９】
以上、電子放出制御にパターニングされた金属を用いる、新たな改良された冷陰極電子エミッタが開示された。この新たな改良された冷陰極電子エミッタの新規な構造のために、周囲の誘電体への電子注入は減少または解消され、抽出電極電流は大幅に低減される。また、周囲の誘電体への電子注入を減少することによって、誘電体即ち素子のブレークダウンを大幅に低下させ、素子の信頼性を格段に向上させることになる。また、前記新たな改良された冷陰極電子エミッタの新規な構造は、動作特性および効率も向上させるものである。先の利点に加えて、前記新たな改良された冷陰極電子エミッタは、遠隔に配置された陽極において電子ビームを自動的に合焦する機能を組み込むことにより、表示装置等におけるエミッタの使用を改善することができる。結果的に、電子放出層と陰極ルミネセンス層との間に別個の支持用スペーサを用いない、構造的に堅牢(sound)な画像表示装置が開示された。
【図面の簡単な説明】
【図１】平面電界放出表示装置の実施例を表わす部分的側面概略図。
【図２】図１の構造における空間電界強度対位置の関係を示すグラフ。
【図３】本発明による平面電界放出表示装置の一実施例を表わす部分的側面概略図。
【図４】図３の構造における空間電界強度対位置の関係を示すグラフ。
【図５】図３の構造の断面の半分をコンピュータ・シミュレーションで簡略化して示すグラフ。
【図６】本発明による平面電界放出表示装置の他の実施例を表わす部分的側面概略図。
【図７】本発明による平面電界放出表示装置を縮小し大幅に簡素化して示す部分的側面概略図。
【図８】本発明による他の平面電界放出表示装置を縮小し大幅に簡素化して示す部分的側面概略図。
【図９】本発明による平面電界放出表示装置の更に他の実施例を表わす部分的側面概略図。
【図１０】図９の構造に対する電界強度のシミュレーション結果を示すグラフ。
【符号の説明】
１０，３０，３０’ 平面冷陰極電子エミッタ
１２，３２，６２ 電界放出素子
１３，３３，３３’，６３ 基板
１４，３４，３４’，６４ 低仕事関数物質層
１５，３８，３８’，６８，１５０’−１５３’ 絶縁層
１７，３７，３７’，３９，３９’，４１，４１’，５５ 開口
１８，４０，４０’，５２ 導電層
２０，４２，４２’ 目視スクリーン構造体
２２，４４，４４’ 陰極ルミネセンス物質層
２３，４５，４５’，１１０ 導電陽極層
３５，３５’，６５，１０７ 導電接触層
４０，７０，１０５，１５４’−１５６’ 導電層
４３，４３’，７３，１０１ 透明スクリーン
５０ トライオード型電界放出素子
５３ 誘電体層
５４ ゲート層
７１ 連続開口
１０１ 面板
１０２，１０２’ 間空絶縁層
１０３ 間空開口
１０４ 電子放出基板
１０６ 電子放出物質層
１０８ 基板絶縁層
１０９ 導電ゲート層
１１１ エネルギ変換層
１４０ 電子エミッタ
１４２ 連続放出開口
１４３ 絶縁空間
１６２，１６４，１６６，１６８’ 電気ポテンシャル源
【産業上の利用分野】
本発明は一般的に冷陰極電子放出素子(cold cathode emission devices)に関し、特にダイアモンド物質を用いた電子エミッタ(electron emitter)および低仕事関数(work function)物質を用いた同様のエミッタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
冷陰極電子エミッタは、主に電界放出素子(field emission device)を含み、これは、先端表面における電界を高めて十分に電子を引き出す(draw off)即ち放出するために、元来非常に鋭い先端を必要とするものであった。一般的に、抽出電極(extraction electrode)は先端を含む面内に形成され、この先端を完全に包囲して、チップと抽出電極との間に抽出電位を与えるように配置される。これらの素子に伴う主要な問題は、非常に鋭い先端の製造が難しいことである。更に、一旦チップを製造すると、電界放出素子を動作させるに連れて、チップが劣化する即ち粒子(particle)を失う傾向がある。
【０００３】
これらの問題を解決するために、エミッタに低仕事関数物質を利用しようとする動きがある。ダイアモンド・エミッタを利用する場合のように、場合によっては、合理的な電位の印加で必要とする電子放出量を確保しつつ、エミッタを事実上平面構造とすることもできる。かかる構造の例は、"Electron Device Employing a Low/Negative Electron Affinity Electron Source"と題され、本願と同一譲受人に譲渡された米国特許第５，２８３，５０１号に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
これら低仕事関数素子においても、抽出格子電流(extraction grid current)が多すぎるという問題が存在する。鋭い先端を用いる場合、放出は自動的にエミッタの中央で行われので、電子流が陽極／スクリーンに衝突する前に、それを合焦させればよい。平面エミッタを用いる場合、電界内のどこででもその表面から電子を放出し得るので、結果的に放出電子の大部分が直接抽出電極に流れる。抽出電極に電流が流れると、素子の効率および動作特性を大きく低下させることになる。
【０００５】
したがって、上述の従来技術の欠陥の少なくともいくつかを克服する平面冷陰極放出素子が必要とされている。
【０００６】
本発明の目的の１つは、電子放出制御のためにパターニングされた金属を用いた新規で改良された冷陰極電子エミッタを提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的は、抽出電極電流を大幅に低減した、新規で改良された冷陰極電子エミッタを提供することである。
【０００８】
本発明の更に他の目的は、誘電体したがって素子のブレークダウン(breakdown)を低下させる新規で改良された冷陰極電子エミッタを提供することである。
【０００９】
本発明の更に他の目的は、周囲の誘電体への電子注入を減少或いは解消する新規で改良された冷陰極電子エミッタを提供することである。
【００１０】
本発明の更に他の目的は、動作特性および効率を改善した、新規で改良された冷陰極電子エミッタを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述のおよびその他の問題の解決、および上述のおよびその他の目的の実現は、比較的平面な表面を有する基板と、この基板表面上に支持され、電子を放出する低仕事関数電子放出物質とを含む、平面冷陰極電子エミッタによって達成される。電子放出物質層上に接触導電層を配置し、それを貫通する開口を規定する。接触導電層上に絶縁層を配置し、実質的に接点導電層の開口の延長上にありかつ周辺が整合された開口を規定する。更に、絶縁層上に導電ゲート層を配置する。接触導電層は、実質的に開口の中央で放出が生じるように、電界電位(field potential)を形成する。
【００１２】
【実施例】
ここで図１を参照すると、電界放出素子１２に組み込まれた平面冷陰極電子エミッタ１０の実施例を示す、部分的側面概略図が示されている。エミッタ１０は、ダイアモンド等のような低仕事関数物質層１４を有する基板１３を含む。絶縁層１５を層１４上に付着し、それを貫通する開口１７を規定する。一般的に、絶縁層１５は二酸化シリコンのような酸化物で形成される。導電層１８を絶縁層１５上に堆積(deposite)し、電界放出素子１２の抽出ゲート(extraction gate)を形成する。光学的に透明な目視スクリーン構造体２０は、陰極ルミネセンス物質層(cathodoluminescent material layer)のような物質層２２および導電陽極層２３が付着された透明スクリーン２１を含む。
【００１３】
層１４（陰極）に対して十分な正電圧を陽極２３に印加すると、層１４から電子が放出され、陽極２３と層１４との間の電界によって加速され、陽極２３に衝突し、結果的に層２２から光子（光）が放出される。層１４上に誘電体即ち絶縁層１５および導電ゲート層１８を配置すると、ゲート層１８の電圧を変調することによって、層１４の表面における電界を制御することができる。したがって、ゲート層１８は電子放出を制御し、トライオード型(triode type)の素子が形成される。典型的に、陽極／陰極バイアスによる電界は、層１４から電子を放出させるのに必要なバイアスよりも小さい。
【００１４】
トライオード素子のコンピュータ解析によって、放出プロセスは少なくとも指数関数的に熱電子的(thermionic)であり、フォーラ−ノルドハイム(Fowler-Nordheim)に近似することが示される。これは、表面電界への依存性において単一の指数関数よりも更に鋭い(steep)ものである。したがって、層１４の表面に沿った空間電界強度特性に小さな変化があると、空間電子放出率(spatial electron emission rates)に大きな変化が生じることになる。
【００１５】
開口１７の直径Ｄ、絶縁層１５の厚さｈ＝Ｄとした図１の構造では、図２に示すように、層１４の表面電界はゲート（層１８）の縁で最大となり、開口１７の中心で落ち込む(slump)。図２を参照すると、図１の構造における空間電界強度ε対位置Ｐの関係がグラフで示されており、開口１７の縁で電界強度の破壊(break)が生じている。図示した具体的な実施例では、開口１７の中心における電界強度量の落ち込みは約３％である。電界は層１８の縁で最大となり、放出電流を層１８に集中させ、放出される電子の殆どを層１８に集めるため、その結果ゲート電流が高くなると共に電界放出素子１２の動作は非効率的となる。
【００１６】
図１の構造における別の問題は、層１８をダイアモンドで形成する場合、一般的に二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の絶縁層１５と直接接触することである。Capacitance-Voltage Measurements on Metal-SiO2-Diamond Structures Fabricated with (100)- and (111)- Oriented Substrates", IEEE Transactions on Electron Devices,Vol. 38, No, 3 （１９９１年３月）においてGeis et al.によって指摘されたように、ダイアモンドはＳｉＯ2内に効果的に電子を注入することができる。ＭＯＳＦＥＴやＥＰＲＯＭにおいて熱電子の信頼性問題によって示されたように、ある時間にわたる電荷の注入は、誘電体が結果的に破壊される（通電する）原因となる。したがって、図１の電界放出素子１２には、固有の信頼性問題がある。
【００１７】
次に図３を参照すると、本発明による電界放出素子３２内に組み込まれた平面冷陰極電子エミッタ３０の実施例の部分的側面概略図が示されている。エミッタ３０は、例えば、ダイアモンド、ダイアモンド状炭素物質、非結晶性ダイアモンド状炭素物質、窒化アルミニウム物質等のような、表面仕事関数が約１．０電子ボルト未満の電界放出物質のような、低仕事関数物質層３４が表面に配置された基板３３を含む（本開示では、「配置(disposed)」という用語は、蒸着(vapor deposition)、エピタキシャル成長またはその他の成長、或いはその他の形成による、層の形成を意味する）。また、層３４は、例えば、金属または安定物質(ballast material)およびダイアモンド等の二重層(bilayer)のような複数の層を付着したり、金属、安定物質およびダイアモンドの三重層(trilayer)等でも形成可能であることは理解されよう。
【００１８】
金属、高濃度にドープされた半導体物質等のような導電接触層３５を層３４の表面に配置する。接触層３５をパターニングしてそれを貫通する開口３７を規定する。絶縁層３８を層３５上に配置し、それを貫通する開口３９を規定する。一般的に、絶縁層３８は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）のような酸化物で形成される。導電層４０を絶縁層３８上に配置し、電界放出素子３２の抽出ゲートを形成する。導電層４０をパターニングしてそれを貫通する開口４１を規定する。層３５を貫通する開口３７、層３８を貫通する開口３９、および層４０を貫通する開口４１は、実質的に同一の広がりを有し(coextensive)、層３４，３８，４０を貫通する１つの連続開口を形成するように周囲が整合されている。場合によっては、開口３７，３９，４１の縁は、パターニング、エッチング等の誤差のために、周囲が僅かにずれることがあるが、かかる誤差は「実質的」同一の範時に属するものとする。本実施例では、開口３７，３９，４１も断面が円形であり同心状に整合されているが、特定用途では他の形状も採用可能であることは理解されよう。
【００１９】
光学的に透明な目視スクリーン構造体４２は、透明スクリーン４３を含み、その上に陰極ルミネセンス物質層のような物質層４４と導電陽極層４５とが形成されている。場合によっては、層４４を導電性物質で形成するか、或いは層４４に導電性物質を含ませることによって、電荷を表面から遠ざけるように導く陽極として作用させる。また、場合によっては、陰極ルミネセンス物質層が良く導電しないため、付加導電物性質層を設けることもある。本実施例では、層４５は透明でなければならず（例えばＩＴＯ等）、透明スクリーン４３の表面に付着され、更に陰極ルミネセンス物質層４４が層４５の表面に付着される。この構成によって、速度の低い電子が層４５を通過して層４４に到達する必要がなくなるので、スクリーン・バイアスを低くすることが可能となる（約＜３ｋｖ）。
【００２０】
図３の具体的な構造では、全体的に図４に示すように、開口３７，３９，４１の直径および絶縁層３８の厚さがｈの場合、層３４の表面電界はゲート（層４０）の中央で最大となり、開口３７の縁でゼロに低下する。図４は、図３の構造における、垂直方向の空間電界強度と位置Ｐとの関係を表わすグラフである。
【００２１】
本発明の具体的実施例では、層３４をダイアモンド状炭素で形成し、接触層３５を金属で形成し、絶縁層３８を二酸化シリコン（ＳｉＯ2）で形成する。絶縁層３８の厚さをｈ＝Ｄとし、接触層３５の厚さをｈの２０％とした場合、図４に示すように、層３４の表面に軸対称放物線状電界分布(centered parabolic field distribution)が得られる。したがって、平面冷陰極電子エミッタ３０の放出電流は、開口３７，３９，４１によって形成される開口の中心に集中する。この新たな電界プロファイルが形成される理由は、接触層３５のために垂直方向電界分布が層３４表面上の開口３７の縁でゼロとなることを認識することによって、最も容易に理解されよう。
【００２２】
接触層３５の厚さを変化させることによって、電界特性の形状が変化する。即ち、接触層３５を厚くするに連れて、電界特性のピークが先鋭化し、接触層３５を薄くするに連れて、平面的な電界特性になるが、軸対称の形状は変わらない。また、接触層３５を厚くすると、表面層３４が遮蔽されるので、電界ピーク値も減少する。絶縁層３８の厚さｈ、接触層３５の厚さ、および開口３７の直径Ｄに対する通常の合理的な値は、Ｄ＝ｈ＝１ミクロン、接触層３５の厚さは０．２ミクロン、そしてゲート（層４０）の厚さは０．２ミクロンである。
【００２３】
図５を参照すると、トライオード型電界放出素子５０（図３の電界放出素子３２に類似する）を模した半断面図が、コンピュータ・シミュレーションによって描かれている。このコンピュータ・シミュレーションでは、表面５１が、導電層５２、誘電体層５３およびその上に配置されたゲート層５４から成り、これらを貫通する開口５５が規定されたエミッタとして機能する。シミュレーション境界(simulation boundary)５６（光学的に透明な目視スクリーン構造体４２を表わす）が、表面５１から約４ミクロンに位置付けられる。層５２，５３，５４の半分が、それを貫通して規定された開口５５の半分と共に示されている。シミュレーション境界５６の上にある数字(legend)は、開口５５の中心からの距離をミクロンで示すものである。一群の線５７は等電位線であり、一群の破線５８は電子の経路、即ちシミュレーション境界５６への軌道を示す。
【００２４】
図３の電界放出素子３２の別の特徴が、図５のコンピュータ・シミュレーションに描かれている。このシミュレーションは、接触層(contact layer)３５（層５２）の存在に起因する電子軌道の変更即ち合焦(focusing)を示している。接触層３５がないと、電子の軌道は発散し、ゲート開口４１を出て拡散する（図示せず）。接触層３５の縁における垂直方向電界は接触層３５によってゼロにされているので、接触層３５の合焦効果は、電界遅延(field retardation)による電界線の歪み(warping)によるものである。
【００２５】
図３の電界放出素子３２の他の特徴は、接触層３５がダイアモンド層３４と絶縁層３８（二酸化シリコンＳｉＯ2で形成される）との間に挟持され、ダイアモンドから二酸化シリコンへの電子の注入を防止することである。電子の誘電体への直接注入を防止することによって、注入によって引き起こされる信頼性の問題を解消することができる。
【００２６】
次に図６を参照すると、本発明による電界放出素子６２に組み込まれた平面冷陰極電子エミッタ６０の他の実施例の部分的側面概略図が示されている。エミッタ６０は基板６３を含み、この基板６３の表面に金属、高濃度にドープされた半導体物質等のような導電性物質層６２が配置されている。層３４について上述したものと同様の、低仕事関数物質層６４を層６２の表面に配置する。導電接触層６５を層６４の表面に配置し、それを貫通する開口を規定する。層６５上に絶縁層６８を配置し、それを貫通する開口を規定する。絶縁層６８上に導電層７０を配置し、電界放出素子６２の抽出ゲートを形成し、それを貫通する開口を規定するようにパターニングを行う。層６５、層６８および層７０を貫通する開口は実質的に同一の広がりを有し、層６５，６８，７０によって完全に包囲された１つの連続開口７１を形成するように、同軸状に周辺が整合されている。光学的に透明な目視スクリーン構造体７２は透明スクリーン７３を含み、その上に、陰極ルミネセンス物質層のような物質層７４と導電層７５とが形成されている。本実施例では、層７５が層７４（陽極接点を形成する）を被覆している。
【００２７】
電子エミッタ６０の接触層６５は、実質的に上述の図３の電子エミッタ３０の層３５のように動作する。導電層６２を付加したために、低仕事関数物質層６４との接触が強化され、導電性したがって電子放出の改善が図られる。
【００２８】
次に図７を参照すると、本発明による平面画像表示装置１００の実施例の部分的側面概略図が示されている。実質的に光学的に透明な目視スクリーン構造体は、透明スクリーン１０１を含み、その上に陰極ルミネセンス物質層のような物質のエネルギ変換層１１１と導電陽極層１１０とが付着されている。この具体的実施例では、導電陽極層１１０上に間空(interspace)絶縁層１０２を配置する。間空絶縁層には、これを貫通する間空開口１０３が規定されており、この開口が間空領域を規定する。間空開口は全体的に円形の断面で形成され、間空絶縁層１０２によって包囲されている。
【００２９】
複数の電子エミッタを電子放出基板１０４によって規定する。この電子放出基板１０４には、導電層１０５と、電子を放出する電子放出物質層１０６とが配置されている。導電接触層１０７を電子放出物質層１０６の表面上に配置し、それを貫通する開口を規定する。基板絶縁層１０８を接触層１０７上に配置し、接触層１０７を貫通する開口と同一の広がりを有しかつ同軸状に整合された開口を規定する。導電ゲート層１０９を基板絶縁層１０８上に配置し、接触層１０７を貫通する開口と同一の広がりを有しかつ同軸状に整合され、ゲート層１０９を貫通する開口を規定する。層１０７，１０８，１０９を貫通する個々の開口は合体して連続放出開口１４２を形成する。図７に示す実施例では、放出開口１４２が間空開口１０３の延長上にあり、間空開口１０３と実質的に一致するように、電子エミッタ１４０の導電ゲート層１０７を間空絶縁層１０２上に配置する。また、絶縁空間１４３が導電ゲート層１０９を部分的に分離することにより、導電ゲート層１０９を全体的にリング状の部分に分割し、各リング状部分が基板開口１４２の円周を実質的に囲むようにする。同様に、絶縁空間１４４によって層１０５，１０６，１０７を別個のリングに分離する。個々の電子エミッタを制御するために、種々のリング状部分の行または列を電気的に接続する。
【００３０】
再び図７を参照すると、多数の電気ポテンシャル源１６２，１６４，１６６が図示されており、各々画像表示装置の１つ以上の素子に動作可能に接続されている。この説明のために例としてのみあげれば、電気ポテンシャル源１６２，１６４，１６６の各々は、接地電位のような基準電位に動作可能に接続することができる。しかし、これは動作の限定を意味する訳ではない。第１電気ポテンシャル源１６２は、導電ゲート層１０９と基準電位との間に動作可能に接続される。第２電気ポテンシャル源１６４は、導電陽極１１０と基準電位との間に動作可能に接続される。第３電気ポテンシャル源１６６は、電子放出物質層１０６を挟持する導電層１０５／１０７と基準電位との間に動作可能に接続される。
【００３１】
上述の画像表示装置の動作の間、電子放出物質層１０６から放出される電子は、基板開口１４２および間空開口１０３の領域を横切り、陽極ルミネセンス層１１１に入射し、ここで電子が光子の放出を励起する。電気ポテンシャル源１６２は電気ポテンシャル源１６６と共に、電子の放出を制御するように機能する。電気ポテンシャル源１６４は、引力ポテンシャル(attractive potential)を発生して、間空開口１０３内に必要十分な電界を形成すると共に、放出された電子を捕獲する。画素アレイの所望部分に電気ポテンシャル源１６２，１６６を選択的に印加し、電子放出物質層１０６の連携する部分からの電子放出を制御可能とする。このように電子放出を制御することによって、面板(faceplate)１０１を通じて観察可能な所望の画像または複数の画像を得ることができる。
【００３２】
本発明による平面画像表示装置１００’の別の実施例の部分的側面概略図を図８に示す。図８では、図７において既に記載した構造には同様の参照番号を付け、全ての番号にダッシュを付加して、異なる実施例であることを示す。図８に詳細に示されているように、間空絶縁層１０２’は、積層された複数の絶縁層１５０’−１５３’から成り、これらの内いくつかの表面には、例としてのみあげれば、モリブデン、アルミニウム、チタン、ニッケル、またはタングステンのような導電層１５４’−１５６’がそれぞれ配置されている。したがって、個々の導電層１５４’−１５６’は、隣接する絶縁層１５０’−１５３’間に挟持されている。図８は４層の絶縁層を含み、その間に３層の導電層が挟持されているが、これ以下または以上のかかる導電層および／または絶縁層を用いて間空絶縁層１０２を実現することは予測できる。更に、絶縁層１５０’−１５３’のいくつかまたは全ては、導電層をその上に配置せずに形成することも予測できる。
【００３３】
また、図８には、導電層、ここでは代表例として導電層１５４’と基準電位との間に動作可能に接続された、電圧源のような電気ポテンシャル源１６８’も示されている。電気ポテンシャル源１６８’は、間空開口１０３’内の電界に所望の変更を加え、エネルギ変換層１１１’に移動中の放出電子の軌道に影響を与えるように選択される。望ましければ、図示していない他の電気ポテンシャル源を、他の導電層１５５’，１５６’において同様に用いることもできる。
【００３４】
次に図９を参照すると、本発明による電界放出素子３２’に組み込まれる平面冷陰極電子エミッタ３０’の更に他の実施例の部分的側面概略図が示されている。図９の構造は図３の構造に類似しており、同様の構成要素は同様の番号で表し、全ての番号にダッシュを付けることによって異なる実施例であることを示す。エミッタ３０’は基板３３’を含み、その表面上に低仕事関数物質層３４’が配置されている。先に説明したように、層３４’は、基板上に金属および／または安定物質およびダイアモンド等の複数の層を配することによって、形成することができる。
【００３５】
導電接触層３５’を層３４’の表面上に配置する。接触層３５’をパターニングして、それを貫通する開口３７’を規定する。絶縁層３８’を層３５’上に配置し、それを貫通する開口３９’を規定する。導電層４０’を絶縁層３８’上に配置し、電界放出素子３２’の抽出ゲートを形成する。導電層４０’をパターニングして、それを貫通する開口４１’を規定する。層３５’を貫通する開口３７’、層３８’を貫通する開口３９’、および層４０’を貫通する開口４１’は実質的に同一の広がりを有し、周囲を整合して１つの連続開口を形成する。
【００３６】
図９には開口３７’，３９’，４１’の一方の縁しか示されていないが、他方の縁も「遠くに(far away)」存在するので、互いの電界分布を変えることはない。開口３７’，３９’，４１’は大きな円形断面を有してもよいが、これらを細長チャンネル等としてもよい。事実上分離している開口３７’，３９’，４１’の縁によって、比較的大きな形成（例えば、リソグラフィ／パターニングによる）を可能とすると共に、構造の製造を比較的容易にする。
【００３７】
光学的に透明な目視スクリーン構造体４２’は透明スクリーン４３’を含み、その上に、陰極ルミネセンス物質層のような物質層４４’と透明導電陽極層４５’とが形成されている。本実施例では、層４５’を透明スクリーン４３’の表面上に配し、陰極ルミネセンス物質層４４’を層４５’の表面上に配することにより、スクリーン・バイアスの低下が可能となる。
【００３８】
図９の構造に対する電界分布のシミュレーションを図１０のグラフに示す。ここでは、垂直方向空間電界強度εと図９の構造における位置Ｐとの関係をプロットした。層３４’の表面における電界分布によって、層４０’（ゲート）の縁から遠いところで電子放出が生じる。軌道シミュレーションが示すのは、軌道は分散する、即ち合焦しないが、放出電子はゲートには達しない(miss)ということである。これに類似する実施例において放出電子を合焦するには、例えば、図８に示した構造に似た構造では、１層以上の導電層１５４’−１５６’を利用すればよい。
【００３９】
以上、電子放出制御にパターニングされた金属を用いる、新たな改良された冷陰極電子エミッタが開示された。この新たな改良された冷陰極電子エミッタの新規な構造のために、周囲の誘電体への電子注入は減少または解消され、抽出電極電流は大幅に低減される。また、周囲の誘電体への電子注入を減少することによって、誘電体即ち素子のブレークダウンを大幅に低下させ、素子の信頼性を格段に向上させることになる。また、前記新たな改良された冷陰極電子エミッタの新規な構造は、動作特性および効率も向上させるものである。先の利点に加えて、前記新たな改良された冷陰極電子エミッタは、遠隔に配置された陽極において電子ビームを自動的に合焦する機能を組み込むことにより、表示装置等におけるエミッタの使用を改善することができる。結果的に、電子放出層と陰極ルミネセンス層との間に別個の支持用スペーサを用いない、構造的に堅牢(sound)な画像表示装置が開示された。
【図面の簡単な説明】
【図１】平面電界放出表示装置の実施例を表わす部分的側面概略図。
【図２】図１の構造における空間電界強度対位置の関係を示すグラフ。
【図３】本発明による平面電界放出表示装置の一実施例を表わす部分的側面概略図。
【図４】図３の構造における空間電界強度対位置の関係を示すグラフ。
【図５】図３の構造の断面の半分をコンピュータ・シミュレーションで簡略化して示すグラフ。
【図６】本発明による平面電界放出表示装置の他の実施例を表わす部分的側面概略図。
【図７】本発明による平面電界放出表示装置を縮小し大幅に簡素化して示す部分的側面概略図。
【図８】本発明による他の平面電界放出表示装置を縮小し大幅に簡素化して示す部分的側面概略図。
【図９】本発明による平面電界放出表示装置の更に他の実施例を表わす部分的側面概略図。
【図１０】図９の構造に対する電界強度のシミュレーション結果を示すグラフ。
【符号の説明】
１０，３０，３０’ 平面冷陰極電子エミッタ
１２，３２，６２ 電界放出素子
１３，３３，３３’，６３ 基板
１４，３４，３４’，６４ 低仕事関数物質層
１５，３８，３８’，６８，１５０’−１５３’ 絶縁層
１７，３７，３７’，３９，３９’，４１，４１’，５５ 開口
１８，４０，４０’，５２ 導電層
２０，４２，４２’ 目視スクリーン構造体
２２，４４，４４’ 陰極ルミネセンス物質層
２３，４５，４５’，１１０ 導電陽極層
３５，３５’，６５，１０７ 導電接触層
４０，７０，１０５，１５４’−１５６’ 導電層
４３，４３’，７３，１０１ 透明スクリーン
５０ トライオード型電界放出素子
５３ 誘電体層
５４ ゲート層
７１ 連続開口
１０１ 面板
１０２，１０２’ 間空絶縁層
１０３ 間空開口
１０４ 電子放出基板
１０６ 電子放出物質層
１０８ 基板絶縁層
１０９ 導電ゲート層
１１１ エネルギ変換層
１４０ 電子エミッタ
１４２ 連続放出開口
１４３ 絶縁空間
１６２，１６４，１６６，１６８’ 電気ポテンシャル源
Claims (3)
- 平面冷陰極電子エミッタ（３０）であって：
比較的平坦な表面を有する基板（３３）；
前記基板上に支持され、電子を放出するための比較的平坦な表面を有する電子放出物質層（３４）；
前記電子放出物質層（３４）上に配置され、開口（３７）が規定された接触導電層（３５）；
前記接触導電層（３５）上に配置され、前記接触導電層（３５）内の前記開口（３７）と実質的に周囲が整合された開口（３９）が規定された絶縁層（３８）；および
前記絶縁層（３８）上に配置されかつ前記接触導電層（３５）および前記絶縁層（３８）の前記開口（３７，３９）と実質的に周囲が整合された開口（４１）が規定された導電ゲート層（４０）；
を具備することを特徴とする平面冷陰極電子エミッタ（３０）。 - 電界放出素子（３２）であって：
電子エミッタ（３０）であって、
電子を放出するための比較的平坦な表面を有する電子放出物質層（３４）、
前記電子放出物質層（３４）上に配置され、開口（３７）が規定された導電接触層（３５）、
前記導電接触層（３５）の上側に位置する関係で配置され、実質的に前記接触導電層の開口と同一の広がりを有しかつ前記開口と周囲が整合された開口（３９）が規定された絶縁層（３８）、および
前記絶縁層（３８）上に配置される導電ゲート層（４０）であって、前記導電層および前記絶縁層における前記開口と実質的に同一の広がりを有しかつ前記開口と周囲が整合された開口（４１）が規定された導電ゲート層（４０）、
を含む前記電子エミッタ（３０）；ならびに
前記電子エミッタ（３０）と離間された関係で配置され、主面を有し、透明面板（４３）と該透明面板（４３）に形成された陰極ルミネセンス物質層（４４）とを含む、光学的に透明な面板構造体（４２）であって、前記光学的に透明な面板構造体（４２）の主面は前記導電接触層（３５）と前記絶縁層（３８）と前記導電ゲート層（４０）とを貫通して規定された開口（３７，３９，４１）の上側に位置し、前記電子放出物質層（３４）から放出された電子は前記導電接触層（３５）によって前記光学的に透明な面板構造体（４２）の前記主面上に集束される前記面板構造体；
を具備することを特徴とする電界放出素子。 - 電界放出素子（１００）であって：
主面を有し、透明面板（１０１）、陰極ルミネセンス物質（１１１）および導電陽極（１１０）を含む光学的に透明な面板構造体；
前記面板構造体の前記主面上に配置され、開口（１０３）が規定され、該開口（１０３）が間空領域を規定する、間空絶縁層（１０２）；
電子エミッタ（１４０）であって、
電子を放出するための比較的平坦な表面を有する電子放出物質層（１０６）、
前記電子放出物質層（１０６）上に配置された導電接触層（１０７）、
前記導電接触層（１０７）の上側に位置付けられる関係で配置された絶縁層（１０８）、
前記絶縁層（１０８）上に配置された導電ゲート層（１０９）、
を含み、前記電子エミッタは、前記導電接触層（１０７）、前記絶縁層（１０８）、および前記導電ゲート層（１０９）を貫通して規定された少なくとも１つの開口（１４２）を有する電子エミッタ（１４０）；
を具備し、
前記電子エミッタ（１４０）は、前記導電ゲート層（１０９）が前記導電陽極（１１０）と前記電子放出層（１０６）との間に介在するように、前記間空絶縁層（１０２）上に配置され、
前記電子エミッタ（１４０）を貫通して規定された開口（１４２）が前記間空絶縁層（１０２）を貫通して規定された開口（１０３）と実質的に周囲が整合されるように配置され、かつ
前記電子放出物質層（１０６）によって放出された電子が前記導電接触層（１０７）によって前記導電陽極（１１０）上に集束されて、前記陰極ルミネセンス物質（１１１）からの光子の放出を励起する、
ことを特徴とする電界放出素子。
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