JP3727894B2 - 電界放出型電子源 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電界放出型電子源に関し、より詳細には、陽極と平面状の電子放出部位を有する陰極との間に高電界が生成される電界放出型電子源に関する。
【0002】
【従来の技術】
高発光効率で低消費電力化が期待できる表示装置として、電界放出型電子源を用いた冷陰極表示装置(FED)の開発が進められている。
【0003】
冷陰極表示装置(以下、単に表示装置ということがある。)は、電界放出型電子源(以下、単に電子源ということがある。)の陰極で生成した電子を真空中で加速して蛍光体に衝突させ、蛍光体を励起して発光させるものであり、この点においてブラウン管(CRT)と類似する。但し、ブラウン管が熱陰極から発生する熱電子を電磁界で偏向させて蛍光面を走査する方式であるのに対して、冷陰極表示装置は陰極(冷陰極)から電界放出によって放出された電子を蛍光面に当てるものであり、走査は各陰極のスイッチングにより行う方式である点において両者は相違する。
【0004】
この冷陰極表示装置に用いられる電界放出型電子源には種々の方式がある。
【0005】
スピント型電子源は、研究の歴史も長く現在最も完成度の高い技術と考えられる代表的なものであり、シリコンやモリブデン等で作製された円錐状の陰極(チップ)とこれを取り囲むゲートの間に電圧を印加して、陰極の先鋭な先端部分から電子を放出させる方式である。この場合、陰極の先鋭な先端部分に電界が集中して高電界が生成されるため、陰極とゲートとの間には数十V程度の比較的低い電圧を印加することで電子の良好な放出を実現できる。
【0006】
しかしながら、上記スピント型電子源を用いた表示装置は、電子放出箇所が陰極の先鋭な先端部分、言い換えれば、点であるため、大電流を取り出すことができない。また、スピント型電子源は、製造方法が複雑であり、特に円錐状の陰極を精度良く形成することは必ずしも容易ではないため、1つの画素を複数の微小なスピント型電子源(陰極)で構成してスピント型電子源間の特性バラツキを相殺して平均化したり、陰極の下部に抵抗層を挿入する等の工夫が行われているが、均一な特性を有する大画面の表示装置を得るには未だ多くの課題を残している。
【0007】
上記スピント型電子源と構造上比較的に近いものとして、最近では、カーボンナノチューブ、ダイアモンド、ダイアモンドライクカーボン等の炭素材料で膜状の陰極を形成し、この陰極の近傍に陰極を取り囲むようにゲートを配置した表示装置が開発されている。
【0008】
陰極としてダイアモンド薄膜を用いた表示装置の例(特開平10−40805号公報)について図1を参照して説明する。図1は、表示装置の1画素に対応する部分のみを示す。なお、後述する実施例を含む以下の各図においても、特に断らない限り、表示装置の1画素に対応する部分のみを示す。また、図1において、各部材には異なる模様を付しているが、これは各部材の識別の便宜上付したものであり、各部材の材質や断面等を表示するものではない。なお、後述する実施例を含む以下の各図においても同様である。
【0009】
表示装置1は、背面板2上にダイアモンド薄膜からなる陰極3aが形成され、また陰極3aを取り囲んで背面板2上に絶縁層3bが形成されている。絶縁層3b上にはゲート3cが形成される。これにより、ゲート3cが陰極3aを取り囲んで露出させた形態の電子源3が得られる。電子源3と対向して、背面板2と平行に前面板4が配置される。前面板4の電子源3に向けた面上に蛍光面5が形成され、蛍光面5上に陽極6が形成される。陽極6とゲート3cとの間にスペーサ7が設けられ、陽極6と陰極3aとが所定間隔l離間した状態で保持される。これらの各部材は図示しないフリットで封着され、内部空間aは真空に保たれる。
【0010】
上記のように構成した表示装置1は、陰極3aの電子放出箇所が平面状であるため上記スピント型電子源の場合に比べて大電流を取り出すことができる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の表示装置1は、陰極3aと陽極6との間に印加した電圧で電子放出を行わせる駆動方法において、電子源3の陰極3aの全表面から電子を良好に放出させるには、上記スピント型電子源の場合に比べて高い電圧を陰極3aと陽極6との間に印加して、陰極3a付近に高い電界を生成する必要がある。なお、このためには、スペーサ7の高さを小さくして陰極3aと陽極6との間隔lを小さくすることが好ましく、また、スペーサ7の高さを小さくすることは、表示装置1の製造のし易さやコスト面からも好ましい。
【0012】
より端的な例として、上記の表示装置1に変えて、カーボンナノチューブを陰極とした表示装置の場合について説明する。この場合、良好な電子の引き出しを行うとともに、蛍光面に到達する電子のエネルギーを大きくして良好な発光効率を得るためには、例えば陰極と陽極との間の間隔が1mmのとき、陰極と陽極との間に8kVの電圧を印加して陰極付近の電界をおよそ8V/μmの高い値とすることが必要である。このとき、陰極と陽極との間に印加した高い電圧そのものによって陰極からの電子の引き出しが実現されているため、陰極とゲートとの間に電圧を印加しても電子の放出(引き出し)をON、OFF制御できない。この電子の放出のON、OFF制御を陽極のスイッチング操作で行うことは現実的ではないため、結局、ゲートによって電子の放出のON、OFFを行うことができる程度に陰極と陽極との間の印加電圧を低下させて、電子の引出し性能や蛍光面の発光効率を犠牲にせざるを得ないことになる。
【0013】
また、上記の表示装置1はゲート3cが陰極3aを取り囲んで露出させた形態となっているため、平面状の陰極3aの各部位とゲート3cとの間の間隔が各部位によって差があり(図1中、間隔をl1、l2で例示した。)、例えば大きな間隔l1となっている陰極3aの中央の部位(放出サイト)からの電子の放出をゲート3cによって制御することが難しく、このため、電子放出特性が陰極3aの各部位によってばらつくことを避けることができない。なお、この場合、例えば図2に示す表示装置1aのように、陰極3aの中央の部位に開口8を形成すると、言い換えれば、ゲート3cの開口9の中心の直下に陰極3aを形成しない構造とすると、エッジ効果により陰極3aのエッジ部位(図2中、矢印eで示す。)での電子の放出が顕著となり、電子の放出をゲート3cによって制御することがやはり難しい。
【0014】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、電子の放出を良好に制御することができ、また、平面状の陰極表面から均一に電子を放出させることができる電界放出型電子源を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の電界放出型電子源では、次に述べる各手段を講じたものである。
請求項1記載の発明では、高電圧が印加された陽極に衝突させる電子を放出するための平面状の電子放出部位を有する陰極と、該陰極から離間して配設され、該陰極を該陽極に向けて露出させるように形成されたゲートとを有する電界放出型電子源において、該陰極の平面状の電子放出部位は開口部を有するとともに、該開口部に相対して前記陰極のゲートに向けた反対側に、前記開口部とは絶縁層を挟んで、または前記開口部とは空間で離間して前記陽極に向けて露出されるように近接して配設され、前記ゲートの電位とともに前記陰極の電位よりも低い電位が印加されて前記陰極近傍に生成される電界を緩和する制御電極をさらに有することを特徴としている。
ここで、平面状の電子放出部位を有する陰極とは、少なくともスピント型陰極のような電子の放出部位が点状であるもの以外の陰極を指し、ダイヤモンド等の薄膜で形成された陰極に限らず、例えば、無数のカーボンナノチューブが立設された陰極等のように小さな面あるいは点が集合して、いわば1つの平面状の一定の電子の放出面積をもつものも含む。また、制御電極を陰極に近接して配設するとは、陰極とゲートとの距離(間隔)よりも陰極と制御電極との距離が小さくなる位置に制御電極を配設することをいう。なお、陰極と制御電極とは空間または絶縁体等によって絶縁される。
【0016】
上記発明によれば、陽極との間の電位差(電圧)によって陰極近傍に生成される電界をゲートの電位とともに、その電位を陰極の電位より低くした制御電極によって緩和することで電子の放出程度を良好に制御することができ、また、制御電極によって陰極の全面近傍の電界を均一に緩和することで平面状の陰極表面から均一に電子を放出させることができる。特に、陰極と陽極との間に印加する高電圧によって生成した高電界によって陰極からの電子の放出が行われる場合は、電子放出のON、OFF制御を制御電極によって行うことができ、また、このとき、電子放出の閾値電圧の小さい材料を用いて陰極を形成したものであっても確実に電子放出のON、OFF制御を行うことができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
本発明に係る電界放出型電子源の好適な実施の形態(以下、本実施の形態例という。)について、図を参照して、以下に説明する。
【0023】
まず、本実施の形態例に係る電界放出型電子源およびその駆動方法について、図3〜図6を参照して説明する。
【0024】
本実施の形態例に係る電界放出型電子源(以下、他の実施例の場合も含め、単に電子源という。)10は、背面板12と、陰極14と、ゲート16と、制御電極18とを有する。
【0025】
電子源10は、背面板12上に制御電極18が形成され、制御電極18を取り囲んで背面板12上に、制御電極18の厚みT1よりも大きい厚みT2を有する絶縁層20が形成される。絶縁層20上に、制御電極18を露出させる絶縁層20の円形の開口22に連通した開口24を有するストライプ状(図3参照)の薄膜からなる陰極14が制御電極18に近接して形成される。したがって、陰極14は、制御電極18を上方に向けて露出させた状態にある。陰極14を取り囲んで、絶縁層20上に、陰極14の厚みT3よりも大きい厚みT4を有する絶縁層26が形成される。絶縁層26は、円形の開口28が上方に向けて広がるテーパ状に形成される。絶縁層26上に、制御電極18および陰極14を露出させる円形の開口30を有するゲート16が形成される。
【0026】
ここで、厚みT1〜T4は、電界条件、陰極14の材質等に応じて適宜所望の値に設定することができ、例えば、1〜30μm程度である。
【0027】
上記のように構成した電子源10を含む冷陰極表示装置(以下、単に表示装置という。)32は、前記した従来例と同様に、前面板34、蛍光面36、陽極38およびスペーサ40等を有する。
【0028】
なお、1つの電子源10で構成された1画素分のみを図3に示し、複数の画素について図5に示した。
【0029】
図5では、それぞれストライプ状に形成されて平行に配置された陰極14およびゲート16が空間的に交差する複数の交差箇所Cに、それぞれ電子源10が配置されており、各交差箇所C、言い換えれば各電子源10の1つずつがそれぞれ1つの画素に対応する。
【0030】
陰極表示装置32の各部材の材料について以下説明する。
【0031】
ゲート16および制御電極18の材料は、特に限定するものではないが、例えば、ニッケル、モリブデン、白金、タングステン、クロム、アルミニウム等の金属、あるいは導電性のシリコン等の導電性材料を使用することができる。
【0032】
陰極14の材料は、特に限定するものではないが、例えば、カーボンナノチューブ、ダイアモンド、ダイアモンドライクカーボン(DLC)、グラファイト等の炭素材料を使用することができる。
【0033】
絶縁層20、26は、特に限定するものではないが、例えば、Al2O3、CeO2、ZrO2、MgO、Y2O3、SiO2等の薄膜またはガラス成分を含む厚膜等で形成することができる。
【0034】
蛍光面36の材料は、例えば、CRT用のP22の蛍光体(Y2O2S:Eu(赤)、ZnS:Cu,Al(緑)、ZnS:Ag(青)等)等を使用することができる。
【0035】
陽極38は、例えば、アルミニウムを材料として用いて蛍光面36上にメタルバックとして形成される。
【0036】
なお、電子源10において、陰極は、開口のない平板状に形成してもよい。また、制御電極は、陰極と同一平面上に絶縁体等を介して陰極を取り囲むように設けてもよく、あるいは、陰極の上方であってゲートの下方に設けてもよい。
【0037】
電子源10の駆動方法について、図6を参照して説明する。
【0038】
陰極14を例えば0Vの固定電位とする。そして、陽極38を例えば5〜10kVの固定電位とするような電圧を陰極14および陽極38間に印加して、陰極14から電子を放出する(図6中▲1▼)。この5〜10kVの電圧は、上記したP22のような高電圧タイプの蛍光体を用いた場合において、印加電圧と電子の放出効率、言い換えれば発光効率とが比例関係にある領域であり、大きな発光効率を得るのに望ましい大きな電圧レベルである。この場合、陰極14からの電子の放出は、ゲート16によってではなく陽極38によって(陰極14と陽極38との間に印加した電圧によって)行われる。このため、ゲート16は、例えば陰極14と同じ0Vの電位にしておく。また、制御電極18も陰極14と同じ0Vの電位にしておく。
【0039】
陰極14から放出された(引き出された)電子は、加速されて蛍光面38に衝突し、蛍光体を励起して発光させる。
【0040】
つぎに、蛍光面38の発光を停止するには、ゲート16および制御電極18の電位を0Vよりも低い同一の電位E1とする(図6中▲2▼)。このゲート16および制御電極18の電位の制御は、共通の電源(制御回路)を用いて行うことができる。これにより、陰極14近傍の高い電界が緩和され、陰極14からの電子の放出が停止する。この場合、電界条件によっては、制御電極18の電位のみをE1としてもよい。また、必要に応じてゲート16の電位のみをE1としてもよい。
【0041】
一方、ゲート16および制御電極18の電位を0Vよりも低く、かつ電位E1よりも高い電位E2とすると(図6中▲4▼)、電界の緩和状態が適度に調整されて、陰極14からの電子の放出状態(放出量)を調整、制御することができる。また、このとき、ゲート16から遠い位置にあり、かつこの場合、開口24が形成されてエッジ状となっている陰極14の中央部位の電子の放出状態を制御電極18によって制御できるため、陰極14の全面から均一に電子を放出させることができる。この場合、電界条件によっては、制御電極18の電位のみをE2としてもよい。
【0042】
つぎに、電子源10の変形例について、図7を参照して説明する。
【0043】
変形例の電子源10aは、基本的な構成は電子源10と同様である。したがって、電子源10aについて、電子源10と同一の構成要素には電子源10と同一の参照符号を付すとともに重複する説明を省略する。
【0044】
電子源10aは、制御電極18が絶縁層20の下に形成されている点が電子源10と相違する。
【0045】
上記のように構成した電子源10aは、制御電極18と陰極14とが導通するおそれが少なく、また、電子源10aの製造が容易である。なお、この場合、制御電極18と陰極14との間に絶縁層20が介在しているため、駆動方法としては、陰極14近傍の電界を緩和するには、電子源10の場合よりもより小さい電位レベルに制御電極18の電位を設定する。
【0046】
つぎに、1画素を構成する電子源10の変形例について、図8を参照して説明する。
【0047】
図8では、図5と同様に、それぞれストライプ状に形成されて平行に配置された陰極14およびゲート16が空間的に交差して複数の交差箇所Cが設けられ、1つの交差箇所Cが1つの画素に対応する。但し、この場合、1つの交差箇所Cに設けられた1つの電子源10bは、ゲート16には9つの開口が形成されて各開口のそれぞれに陰極14および制御電極30aが設けられている。
【0048】
上記のように構成した電子源10bは、陰極14の電子を放出する部位が9つの小さな円に分割されているため、各電子を放出する部位およびゲート16の寸法ばらつきがあったとしても1画素分全体としては相殺されて平均化され、電子の放出が均一に行われる。また、9つの各電子を放出する部位の中央の箇所とゲート16との離間間隔が図3の電子源10よりもはるかに小さいため、電子を放出する部位の中央の箇所とその周囲の箇所とで電子の放出状態に差がない。
【0049】
なお、この場合、電子源10bを9つの微小な電子源の集合体とみてもよい。
【0050】
【発明の効果】
本発明に係る電界放出型電子源によれば、高電圧が印加された陽極に衝突させる電子を放出するための平面状の電子放出部位を有する陰極と、陰極から離間して配設され、陰極を取り囲んで陰極を陽極に向けて露出させるように形成されたゲートとを有する電界放出型電子源において、陰極の平面状の電子放出部位は開口部を有するとともに、開口部に相対して陰極のゲートに向けた反対側に、開口部とは絶縁層を挟んで、または開口部とは空間で離間して陽極に向けて露出させるように近接して配設され、ゲートの電位とともに陰極の電位よりも低い電位が印加されて陰極近傍に生成される電界を緩和する制御電極をさらに有するため、電子の放出程度を良好に制御することができ、また、平面状の陰極表面から均一に電子を放出させることができる。特に、陰極と陽極との間に印加する高電圧によって生成した高電界によって陰極からの電子の放出が行われる場合は、電子放出のON、OFF制御を制御電極によって行うことができ、また、このとき、電子放出の閾値電圧の小さい材料を用いて陰極を形成したものであっても確実に電子放出のON、OFF制御を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 ダイアモンドによって陰極を形成した従来の電子源を含む表示装置の概略構成を示す図である。
【図2】 図1の表示装置の変形例である。
【図3】 本実施の形態例の1つの電子源の平面図である。
【図4】 図3の電子源を含む表示装置を、図3中IV−IV線上断面で示した図である。
【図5】 本実施の形態例の複数の電子源の平面図である。
【図6】 本実施の形態例の電子源の駆動方法を説明するための図である。
【図7】 変形例の電子源を含む表示装置の断面構成を示す図である。
【図8】 図5とは異なる複数の電子源の平面図である。
【符号の説明】
10、10a、10b 電子源
12 背面板
14 陰極
16 ゲート
18、30a 制御電極
20、26 絶縁層
32 表示装置
34 前面板
36 蛍光面
38 陽極
40 スペーサ
Claims (1)
- 高電圧が印加された陽極に衝突させる電子を放出するための平面状の電子放出部位を有する陰極と、該陰極から離間して配設され、該陰極を該陽極に向けて露出させるように形成されたゲートとを有する電界放出型電子源において、
該陰極の平面状の電子放出部位は開口部を有するとともに、
該開口部に相対して前記陰極のゲートに向けた反対側に、前記開口部とは絶縁層を挟んで、または前記開口部とは空間で離間して前記陽極に向けて露出されるように近接して配設され、前記ゲートの電位とともに前記陰極の電位よりも低い電位が印加されて前記陰極近傍に生成される電界を緩和する制御電極をさらに有することを特徴とする電界放出型電子源。
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