JPS61203547A - 半導体本体を具える装置及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、真空空間又は不活性の保護ガスで充たされた
空間及び電子ビームを生ずるための半導体装置を具え、
第１の陰極が主表面に少なくとも一個の動作状態で電子
を放出する領域を有する半導体本体を具える装置に関す
るものである。

本発明はまたこのような装置で使用する半導体装置に関
するものである。

冒頭に述べた種類の装置は、１９８１年１月１５日に公
開された本願人のオランダ国特許願第７９０５４７０号
から既知である。この特許願はｐｎ接合に逆バイアスを
かけた時電子がなだれ増倍することに基づいて動作する
冷陰極を開示している。ｐｎ接合は放出面の区域にあり
、そこでは降服電圧が低い。このｐｎ接合は降服電圧時
に空乏層が表面迄達せず、発生した電子を透過させるの
に足る十分に薄い表面層を介して表面から分離されるよ
うな厚さとドーピング濃度を有するｎ型導電層により表
面から分離される。

半導体本体内で発生する電子に対する仕事関数を下げる
ため、放出面は一般に、例えば、セシウム又はバリウム
のような仕事関数を下げる材料で被覆する。

このような陰極は一般には記録又は再生の目的で真空管
で用いられるが、オージェスペクトロスコピー、電子顕
微鏡及び電子線ＩＪ　）グラフィー用の装置で用いるこ
ともできる。前述したｐｎ接合に逆バイアスをかける陰
極の他に、例えばＮＢＡ陰極及びフィールドエミブタの
ような種々の他の種類の半導体陰極を用いることもでき
る。

集積化されているこれらの陰極、即ち、半導体装置は、
製造後に、例えば、陰極線管又は他の種類の真空空間の
中に取り付けることができる。この取り付けは注意深く
行われるが、例えば、移動時に軽い酸化が生じ得る。ま
た、このような陰極が取り付けられ終った後にも、表面
層と真空装置内の残留ガスの相互作用のため、この陰極
の電子放出面における酸素原子の濃度が高くなることが
ある。電子放出面に結合された形態又は吸収された形態
で酸素原子が存在すると、放出効率が相当に下がる。

本発明の目的は、このような効率の低下を完全に又は部
分的に除いた装置を提供するにある。

この目的を達成するため、本発明に係る装置は、前記装
置が電子を発生する第２の電子源を有し、これらの電子
が少なくとも電子放出領域の区域で半導体本体の主表面
を叩くことを特徴とする。

このような本発明は、場合によっては結合された形で、
電子放出面での酸素原子の表面濃度は、この表面を電子
でボンバードすることにより相当に下げ得ることを認識
したことに基づいている。

ボンバードメントする時間、ボンバードメントに使用さ
れる電子のエネルギー及び濃度に依存するが、ｐｎ接合
に逆バイアスをかけ、セシウムで被覆したエミッタでは
５０倍も効率が改良される。

上記のボンバードメントは陰極を真空空間内に取り付は
終った後に行ない、取り付けのために移動する際生ずる
効率の低下を除く。また、例えば、真空装置の残留ガス
内に存在する酸素原子の吸着により動作時の効率が低い
陰極もこのようなボンバードメントにより効果的に再生
できる。

このボンバードメントのために発生させられた電子ビー
ム（電子流）は、通常の合焦および制御手段により再生
すべき陰極の方に向けることができる。これらの制御手
段を調整して制御手段が第２の電子源で生じた電子を一
本のビームにまとめ、主として電子放出領域を叩（よう
にすると好適である。

原理的には、第２の電子源として例えば、陰極材料とし
てバリウムまたはストロンチウムを含む熱電子陰極のよ
うな通常の電子源を選ぶこともできる。しかし、こうす
ると使用時に酸化炭素化合物（Ｃｏ　Ｃｏ２）及び水酸
化炭素化合物が解放され、これらの残留生成物が電子放
出面に吸着されたり、単分子セシウム層と化合物を形成
したりして半導体陰極の効率を下げる。

それ故、本発明に係る装置の一実施例は、第２の電子源
のために、装置に第２の陰極を具える半導体装置を設け
、この第２の陰極を具える半導体本体の主表面に少なく
とも一個の動作状態で電子を放出する領域を設けたこと
を特徴とする。

このような装置の好適な一実施例は、第１の陰極の主表
面と第２の陰極の主表面とが互いに対向し、第２の陰極
を作る半導体本体に開口を設けて第１の陰極で発生した
電子を通過させるように構成したことを特徴とする。

絶対値と時間的安定性につき第２の陰極の放出効率にか
かる要求は厳しくないものの、同じ態様でこの第２の陰
極は第１の陰極から放出される電子でボンバードし、放
出効率を復活させることができる。この目的で、所望と
あらば、第１の陰極に特にその目的で作った電子放出領
域を付加し、これは別にスイッチオンするなり、異なる
動作状態で電子を放出するようにすることができる。例
えは、ｐｎ接合に逆バイアスをかける陰極の場合は、そ
のｐｎ接合の降服電圧を一層高くする。

代わりに、両方の陰極を一つの半導体本体に作り、これ
を通常の方法で陰極線管内に取り付けることができる。

この場合、本願人の未公開オランダ国特許願第８４０３
５３７号に記載されている種類のイオントラップを用い
ることができる。

最后に、安定性を一層高くするため、本願人の未公開オ
ランダ国特許願第８４０３５３８号に記載されているよ
うに、いくつかの小さい放出領域を所定のパターンに従
って配置することにより放出を生ずることができる。

二、三の実施例を挙げ、図面につき本発明の詳細な説明
する。

図面は原寸法通りではなく、断面を明瞭にするため、特
に厚さ方向の寸法が著しく誇張されている。同じ導電形
の半導体領域は同じ方向にハツチングを入れである。ま
た各図を通して対応する部分には一般に同じ符号を付し
である。

第１図は一部は断面で、一部は斜視図で本発明に係る装
置１を示す。本例では陰極線管２が真空である。陰極線
管２は電子流を生ずるために第１の陰極２０を具える。

本例では、この第１の陰極は半導体本体２１により構成
され、その主表面２２の領域２３が動作状態において電
子を放出する。陰極２０は陰極線管２の端壁４に取り付
ける。この端壁は貫通部材５を有し、ワイヤ接続体６に
より陰極２０および真空の中にある他の素子、例えば、
加速グリッド、偏向板等を外部に接続できるようになっ
ている。

本発明によれば、装置１はまた第２の電子源を具える。

本例ではこれまた半導体陰極であり、これが発生する第
２の電子流８が第１の半導体陰極２０の主表面２２の電
子放出領域２３を叩く。例えば、電子流３を加速又は合
焦させるための既存のグリッド９をビーム８が制御・合
焦され、主として電子放出領域２３を叩くように電気的
にバイアスする。

半導体陰極４０は半導体本体４１を具え、半導体本体４
１に電子流３を通過させるための開口４２を形成し、ま
た電子放出領域４３を設ける。本例ではこの電子放出領
域４３はリング状で、はぼ完全に開口４２を設ける。本
例では、後述するが、陰極は前記のオランダ国特許願第
７９０５４７０号に記載されているように逆バイアスｐ
ｎ接合形である。電子放出領域４３は半導体本体４１の
主表面４４に設ける。

この主表面は陰極線管２の端壁４に対向する。本例では
、この主表面４４を電子放出領域４３を除いて電気絶縁
層４５で被覆し、その上に加速電極４６を設ける。開口
４２は、投射図的には主表面４４と直角で、電子放出領
域２３と対向する。

オランダ国特許願第８４０３５３７号に十分に述べられ
ているように、第１の陰極２０の電子放出領域２３を、
環状パターンに従って電子が放出され、陰極、第１のグ
リッド及びスクリーングリッドが正の電子レンズを形成
するように選択できる。スクリーングリッド及び電子放
出領域２３の設計と寸法を夫々適当に選択することによ
り（例えば、円形）、電子放出領域２３が陰極２０と第
１のグリッド、例えば、制御グリッド９との間の小さな
領域で発生した陽イオンによるしか叩かれないようにす
る。これらのイオンは比較的エネルギーが低く、放出挙
動が陰極材料、例えば、セシウムの蒸着層５９による陽
イオンのスパッタリングによりほとんど悪影響されない
ようにする。成る状況下では、第２の陰極４０がスクリ
ーングリッドとして働く。

この時は、例えば、下側（即ち、主表面４４と反対側）
を金属化する。また、陰極２０により生ずる電子流が陰
極４０と第２の端壁（図示しない）との間で交わる場合
は、この交差区域に付加的なスクリーングリッド１０を
設ける。

正規の動作状態では、陰極２０の調整は電子放出領域２
３により発生させられた電子流３を生ずるように行う。

陰極線管２に残存する又は動作時に解放された酸素残留
物（分子、原子、又はイオン）は主表面２２に付着して
、これと反応することがある。また半導体陰極２０の取
付は前又は取付は時に既に軽い酸化も生ずる。（化学結
合する場合のように）これらの酸素分子、原子又はイオ
ンが存在すると効率が下がる。

この効率の低下を完全に又は部分的に除去するため、主
表面２２の電子放出領域２３を陰極４０で生じた電子に
より叩く。この時半導体陰極４０は電子ビーム８が得ら
れるようにバイアスする。主表面２２上に存在する酸素
原子又は分子は電子ボンバードにより除去され、半導体
陰極２０は妥当な時間内に効率が元の値迄回復する。こ
の時間はボンバードの強さにも依存するが、回復迄なら
１７２〜２時間、更に改良する場合はこれの約５０倍で
ある。

第２図及び第３図の半導体陰極４０はシリコンの半導体
本体４１を具え、その主表面４４上にいくつかの電子放
出領域４３がある。これらの電子放出領域４３は本例で
は第２図に破線４７で示すように環状パターンに従って
配置されている。実際の電子放出領域４３は、例えば、
酸化シリコンの絶縁層４５内の開口４８の区域に位置す
る。

この半導体装置はｐ形基板５０と、深いｎ形区域５１及
び浅いｎ形区域５２から成るｎ形区域（５１，５２）と
の間にｐｎ接合４９を有する。電子放出領域４３の区域
では、ｐｎ接合４９がイオン注入されたｐ影領域５３と
浅いｎ形区域５２との間にくる。浅いｎ形区域５２の厚
さとドーピングとはｐｎ接合４９の降服電圧時に、ｐｎ
接合４９の空乏層が表面迄は達しないが、降服により電
子が透過できるに足る十分薄い層だけ残して表面から分
離されている。ｐ影領域５３は高ドープするから、開口
４８内ではｐｎ接合の降服電圧が低く、電子放出はほと
んど開口４８の区域にある電子放出領域４３だけで生ず
る。また、この装置に電極４６を設け、所望とあらば、
この電極４６で電子流８を偏向させたり、変調させたり
できる。半導体本体４１は環状パターン４７の内側に開
口４２を有し、陰極２０で発生した電子を通過させる。

ｎ形区域５１に電気接続を施すため、酸化物層４５内に
コンタクト孔５５を設け、コンタクトメタライゼーショ
ン５６ができるようにする。他方ｐ形基板５０の下側は
高ドープｐ形領域５７及びコンタクトメタライゼーショ
ン５８を介して接続できる。開口４８内の主表面４４の
上に、例えば、セシウムの蒸着層５９を形成し、電子に
対する仕事関数を下げる。

これ以上詳細な、第２図及び第３図に示した半導体装置
の構造、動作並びに製造方法については、前記オランダ
国特許願第７９０５４７０号を参照されたい。

また環状パターン４７をいくつかの電子放出領域４３に
分ける利点はオランダ国特許願第８４０３５３８号に十
分に記載されている。

陰極２０を電子ボンバードメントするための電子は熱電
子陰極により得ることもできる。第４図に示す装置１は
半導体陰極２０を有する陰極線管２と通例の電磁偏向手
段１１とを具える。電磁偏向手段１１の代わりに、水平
偏向板１２及び垂直偏向板１３（略図）を用いることも
できる。電子ボンバードメント用の電子流８は今度は第
２の電子源７により供給される。この第２の電子源はホ
ルダ１５に取り付けられた熱電子陰極１４から成る。陰
極１４及び２゜並びに制御グリッド９に適当な電圧を印
加し、電子流８を偏向させ、陰極２０の電子放出面を叩
かせる。

しかし、第２の電子源として半導体陰極を用いることは
種々の利点を有する。先ず、こうすると二酸化炭素又は
水酸化炭素化合物がでない。これらがでるのは熱電子陰
極を用いる時だけである。

また、第２の電子源として半導体陰極を用いると、陰極
２０に由来し、電子放出領域４３を叩く電子流３による
電子ボンバードメントにより陰極４０の効率の低下を除
去できる。必要とあらば、電子流３の強さを高めるため
、半導体本体２１に１個又は複数個の電子放出領域を付
加することができる。これらの付加的電子放出領域は、
例えば、電子放出領域２３を取り囲むようにし、降服電
圧を高くし、これらの付加的領域では正常の動作状態で
は電子が放出されないようにする。

第５図及び第６図に示す半導体本体３０では、第１の陰
極２０と、第２の陰極４Ｇとが一体形成されている。第
１の陰極２０は断面が約１μｍのほぼ円状の電子放出領
域２３を有する。この領域２３を囲んで付加的陰極２０
′がある。この付加的電極は破線２７で示すほぼ円環状
のパターンに従って電子を放出するようにいくつかの電
子放出領域２３′を具える。

環状パターンの直径は約３０μｍであり、電子放出領域
２３′の直径は約１μｍである。

半導体本体３０は陰極２０．２０　’及び４０に共通の
ｎ形基板２６内にｐ影領域１９及び５０を設ける。ｐ影
領域１９内に陰極２０及び２０′を設ける。その構造は
第２図及び第３図の陰極４０の構造とほぼ等しい。こう
して実際の電子放出領域２３．２３’が主表面２２．４
４を被覆する絶縁層２５内の開口２８．２８’の区域に
位置せしめる。

ｐ影領域１９側では、ｐ影領域１９と、深い区域３１゜
３１′及び浅い区域３２．３２　’から成るｎ影領域と
の間にｐｎ接合２肌２９′が形成される。電子放出領域
２３．２３’の区域では、これらのｐｎ接合は浅い区域
３２．３２’と、イオン注入されたｐ影領域３３．３３
’の間に位置し、降服電圧が局所的に低くなる。ｐ影領
域３３．３３’のドーピング濃度は陰極２０′のｐｎ接
合２９′が陰極２０のｐｎ接合よりも降服電圧が高くな
るように選ぶ。この結果、正規の動作時には、電子放出
領域２３が電子を放出し、電子放出領域２３′では電子
が放出されない。一層高いしゃ断電圧を印加すると、陰
極２０′も電子を放出し始め、電子流が一層強くなり、
これをボンバードメント、従って陰極４０の効率を高め
るのに利用できる。

第２の陰極４０は、本例では完全に第１の陰極を取り囲
んでいるが、第２図及び第３図の半導体陰極４０と構造
がほとんど同じである。これ以上の説明は、後者の陰極
の説明を参照すればよい。対応する部分には同じ符号を
用いている。

種々の半導体区域の電気接続のために、絶縁層２５にコ
ンタクト孔３３．５５を設け、これらの孔にｎ影領域３
１．３１　’　、　５１では、夫々、コンタクトメタラ
イゼーション３６．３６　’及び５６を施し、ｐ影領域
１９及び５０では、夫々、コンタクトメタライゼーショ
ン３８及び５８を施す。

第７図は等電位線１６及び電子流８の電子の通路を示す
。このような電圧を第５図及び第６図に示した装置の陰
極並びに第１のグリッド９及び第２のグリッド１０に印
加し、陰極４０から放出された電子流８が陰極２０の電
子放出面を叩き、効率を改良する。これは陰極２０′に
ついても言える。第７図は陰極線管の一部しか、それも
断面の半分（即ち、軸線１７から）しか示していない。

グリッド９及び１０は、夫々約８０μｍ及び約２００μ
ｍに位置し、夫々、０■及び−６００ｖの電圧を有する
。陰極２０及び４０の電圧は、夫々、５００Ｖ及び０■
である。

第８図も同じ構造であるが、今度は陰極２０′により生
ずる電子ビーム３′がグリッド９及び１０により陰極４
０の方へ偏向させられる。今度は陰極２０′及び４０の
電圧は夫々、０■及び５００ｖであり、グリッド９及び
１０の電圧は、夫々、０■及び−１５００Ｖである。

勿論、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、当業者ならば本発明の範囲を逸脱せずに種々修正で
きる。例えば、半導体本体にシリコンを使うことが絶対
に必要というのではなく、例えば、シリコンカーバイド
又はガリウムヒ素のようなＡ”−Ｂｖ化合物等他の半導
体材料を使うこともできる。ｐ影領域１９．５０及びｎ
影領域３１゜３１’、５１はいくつかの区域で電気接続
できる。これは、必要とあらば、これらの領域をサブ領
域に分割できることを示す。こうすると接続導体に高電
圧をかける点で有利である。また、異なる原理に従って
動作する半導体陰極を用いることもできる。例えば、負
の電子親和力の原理に従って動作する陰極（ＮＥＡ陰極
）またはフィールドエミッタである。また、陰極を真空
の空間内に何時も入れねばならないという訳ではなく、
例えば不活性の保護ガスが入っている空間内に置くこと
もできる。

不活性の保護ガスとは、ここでは、上述した電子ボンバ
ードメントの効率改善に全く又はほとんど影響しない気
体のことを意味する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る装置の一部断面、一部斜、視図、 第２図はこのような装置で使用する第２の陰極の略式平
面図、 第３図は第２図の線■−■で切った断面図、第４図は本
発明に係るもう一つの装置の略式断面図、 第５図は第１及び第２の陰極を一体形成した半導体装置
の略式平面図、 第６図は第５図の線Ｖｌ−ＶＩで切った断面図、第７図
及び第８図は本発明に係る装置内でこのような半導体装
置を使用する場合の等電位線及び電子の通路を示す説明
図である。 １・・・装置　　　　　　　２・・・陰極線管３・・・
電子流　　　　　　４・・・端壁５・・・貫通部材（リ
ードスルー） ６・・・ワイヤ接続体　　　７・・・第２の電子源８・
・・第２の電子流　　　９・・・第１のグリッド１０・
・第２のグリッド　　１１・・・電磁偏向手段１２・・
・水平偏向板　　　　１３・・・垂直偏向板１４・・・
熱電子陰極　　　　１５・・・ホルダ１７・・・軸線　
　　　　　　１９・・・ｐ影領域２０・・・第１の陰極
　　　　２１・・・半導体本体２２・・・主表面　　　
　　　２３・・・領域２６・・・ｎ形層板　　　　　２
８・・・開口２９・・・ｐｎ接合　　　　　　３０・・
・半導体本体３１・・・深い区域　　　　　３２・・・
浅い区域３３・・・イオン注入されたｐ影領域 ３５・・・コンタクト孔 ３６・・・コンタクトメタライゼーション３８・・・コ
ンタクトメタライゼーション４０・・・第２の陰極　　
　　４１・・・半導体本体４２・・・開口　　　　　　
　４３・・・電子放出領域４４・・・主表面　　　　　
　４５・・・電気絶縁層４６・・・加速電極 ４７・・・破線（環状パターン） ４８・・・開口　　　　　　　４９・・・ｐｎ接合５０
・・・ｐ形層板　　　　　５１．５２・・・ｎ形区域５
３・・・イオン注入されたｐ影領域 ５５・・・コンタクト孔 ５６・・・コンタクトメタライゼーション５７・・・高
ドープｐ形領域 ５８・・・コンタクトメタライゼーション５９・・・セ
シウムの蒸着層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、真空空間又は不活性の保護ガスで充たされた空間及
   び電子ビームを生ずるための半導体装置を具え、第１の
   陰極が主表面に少なくとも一個の動作状態で電子を放出
   する領域を有する半導体本体を具える装置において、前
   記装置が電子を発生する第２の電子源を有し、これらの
   電子が少なくとも電子放出領域の区域で半導体本体の主
   表面を叩くことを特徴とする半導体本体を具える装置。 ２、装置に制御手段を設け、この制御手段が第２の電子
   源で生じた電子を一本のビームにまとめ、主として電子
   放出領域を叩くようにすることを特徴とする半導体本体
   を具える装置。 ３、第２の電子源のために、装置に第２の陰極を具える
   半導体装置を設け、この第２の陰極が具える半導体本体
   の主表面に少なくとも一個の動作状態で電子を放出する
   領域を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項又
   は第２項記載の半導体本体を具える装置。 ４、第１の陰極の主表面と第２の陰極の主表面とが互い
   に対向し、第２の陰極を作る半導体本体に開口を設けて
   第１の陰極で発生した電子を通過させるように構成した
   ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導体本
   体を具える装置。 ５、主表面に対し直角に投射する視点からは、前記開口
   が第１の陰極の電子放出領域に対向して位置することを
   特徴とする特許請求の範囲第４項記載の半導体本体を具
   える装置。 ６、第２の陰極の主表面で生ずる電子放出が環状パター
   ン又はその一部に従って生ずることを特徴とする特許請
   求の範囲第３項、第４項又は第５項に記載の半導体本体
   を具える装置。 ７、開口をほぼ円形とし、環状パターンに対し同心円と
   なるように置くことを特徴とする特許請求の範囲第６項
   記載の半導体本体を具える装置。 ８、第２の陰極の半導体本体の主表面とは反対側の面に
   金属層を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第４項
   ないし第７項のいずれか一項に記載の半導体本体を具え
   る装置。 ９、第１の陰極と第２の陰極とを同一半導体本体に作っ
   たことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導体
   本体を具える装置。 １０、電子放出が半導体本体の主表面の第２の陰極の区
   域で環状パターン又はその一部に従って生ずることを特
   徴とする特許請求の範囲第９項記載の半導体本体を具え
   る装置。 １１、第１の陰極の電子放出領域が環状パターンに対し
   てほぼ同心円的に位置することを特徴とする特許請求の
   範囲第１０項記載の半導体本体を具える装置。 １２、半導体本体が付加的陰極を有し、装置に制御手段
   を設け、この付加的陰極で発生した電子を一本のビーム
   にまとめ、主として第２の陰極の電子放出領域を叩くよ
   うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１０項又は
   第１１項に記載の半導体本体を具える装置。 １３、付加的陰極の電子放出が第１の陰極の環状パター
   ンとほぼ同心円的に位置する環状パターン又はその一部
   に従って生ずることを特徴とする特許請求の範囲第１２
   項記載の半導体本体を具える装置。 １４、電子放出が生ずる少なくとも一個の表面領域が離
   散した複数個の電子放出領域に分割され、これらの電子
   放出領域の対応する要素が類似の電気接続を有し、共通
   に動作を調整できるように構成したことを特徴とする特
   許請求の範囲前記各項のいずれか一項に記載の半導体本
   体を具える装置。 １５、特許請求の範囲第４項ないし第８項のいずれか一
   項に記載の半導体本体を具える装置で使用するために、
   半導体本体を具備する陰極を具え、動作時にこの陰極で
   環状パターン又はその一部に従って電子放出が生じ、こ
   の環状パターンが半導体本体内の開口を取り囲むことを
   特徴とする半導体装置。 １６、平面図で見て開口がほぼ円形で、環状パターンと
   同心円的に位置することを特徴とする特許請求の範囲第
   １５項記載の半導体装置。 １７、特許請求の範囲第９項ないし第１４項のいずれか
   一項に記載の半導体本体を具える装置で使用するために
   、半導体本体内に少なくとも２個の格別に調整できる半
   導体陰極を設けたことを特徴とする半導体装置。 １８、第１の陰極が半導体本体の主表面で電子放出領域
   を有し、この電子放出領域が、第２の陰極が電子を放出
   する際従う環状パターン又はその一部とほぼ同心円的に
   位置することを特徴とする特許請求の範囲第１７項記載
   の半導体装置。 １９、半導体本体に付加的陰極を設け、この付加的陰極
   の電子放出が第２の陰極の環状パターンとほぼ同心円的
   に位置する環状パターン又はその一部に従って生ずるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１７項記載の半導体装
   置。 ２０、少なくとも一個の電子放出が生ずる領域を各別の
   電子放出領域に分割し、これらの各別の電子放出領域の
   対応する要素の電気接続部を類似なものとし、共通に動
   作を調整できるようにしたことを特徴とする特許請求の
   範囲第１５項ないし第１９項のいずれか一項に記載の半
   導体装置。