JPS60159663A - 消光比劣化検出方式 - Google Patents
消光比劣化検出方式Info
- Publication number
- JPS60159663A JPS60159663A JP1562984A JP1562984A JPS60159663A JP S60159663 A JPS60159663 A JP S60159663A JP 1562984 A JP1562984 A JP 1562984A JP 1562984 A JP1562984 A JP 1562984A JP S60159663 A JPS60159663 A JP S60159663A
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- Japan
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- laser diode
- low frequency
- bias current
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- low
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）８発明の技術分野
本発明は消光比劣化検出方式に係り、特に光伝送装置の
光送信回路に関するものである。
光送信回路に関するものである。
中）、従来技術と問題点
第１図は従来のレーザーダイオードの駆動回路の一実施
例を−示すブロック図である。
例を−示すブロック図である。
図中、ＬＤはレーザーダイオード、ＤＣは直流バイアス
電流源、ＡＭＰＩ、ＡＭＰ２は夫々増幅器、Ｌはコイル
、ＰＤはフォトダイオード、ＬＰは低域濾波器、ＩＮは
ＰＣＭ信号入力端子、−ＶはフォーダイオードＰＤの電
源電圧である。
電流源、ＡＭＰＩ、ＡＭＰ２は夫々増幅器、Ｌはコイル
、ＰＤはフォトダイオード、ＬＰは低域濾波器、ＩＮは
ＰＣＭ信号入力端子、−ＶはフォーダイオードＰＤの電
源電圧である。
第２図は第１図の動作を説明する図である。
第２図に於いて横軸は時間、縦軸は光出力を表し、折れ
線はレーザーダイオードＬＤの光出力〜電流の関係を示
す特性曲線である。尚第２図には同時に時間と共に入力
電流が変化する状況をも示しである。
線はレーザーダイオードＬＤの光出力〜電流の関係を示
す特性曲線である。尚第２図には同時に時間と共に入力
電流が変化する状況をも示しである。
以下図に従って従来のレーザーダイオードの駆動回路を
説明する。
説明する。
第１図に示す様に入力端子ＩＮに印加したｐｃＭ信号を
増幅器ＡＭＰＩで増幅して適当な振幅にした後、直流バ
イアス電流源ＤＣからコイルＬを経由して供給される直
流バイアス電流１ｏに重畳し、レーザーダイオードＬＤ
を駆動する。此の状況を第２図に示す。
増幅器ＡＭＰＩで増幅して適当な振幅にした後、直流バ
イアス電流源ＤＣからコイルＬを経由して供給される直
流バイアス電流１ｏに重畳し、レーザーダイオードＬＤ
を駆動する。此の状況を第２図に示す。
一方し−ザーダイオードＬＤの光出力の一部をフォトダ
イオードＰＤで受け、増幅器ＡＭＰ２により増幅後低域
濾波器ＬＰに入力する。
イオードＰＤで受け、増幅器ＡＭＰ２により増幅後低域
濾波器ＬＰに入力する。
低域濾波器ＬＰにより光出力の平均値を検出し、光出力
の平均値が一定値となる°様に直流バイアス電流源ＤＣ
にフィードバンクし直流バイアス電流１０を加減する。
の平均値が一定値となる°様に直流バイアス電流源ＤＣ
にフィードバンクし直流バイアス電流１０を加減する。
此の様なフィードパンクはレーザーダイオードＬＤの経
時劣化や温度変動により第２図に示す光出力〜電流の特
性が変化する為に必要な方法である。
時劣化や温度変動により第２図に示す光出力〜電流の特
性が変化する為に必要な方法である。
此の様にパルス波形の光出力が得られるが、普通レーザ
ーダイオードＬＤの光出力〜電流の特性曲線は第２図に
示す様な折れ線特性を持っており、折れ曲がる点の電流
１ｔｈを越すと急速に光出力が増加する。従って此の電
流ｉｔｈより少し小さい点が動作点になる様にバイアス
電流を流して使用する。
ーダイオードＬＤの光出力〜電流の特性曲線は第２図に
示す様な折れ線特性を持っており、折れ曲がる点の電流
１ｔｈを越すと急速に光出力が増加する。従って此の電
流ｉｔｈより少し小さい点が動作点になる様にバイアス
電流を流して使用する。
第２図に於いて光波形の最大値ａと光波形の最小値すの
比を消光比と云うが、此の消光比の値が大きい程光信号
の品質が良く、此の消光比の値が小さくなると回線品質
が悪くなる。
比を消光比と云うが、此の消光比の値が大きい程光信号
の品質が良く、此の消光比の値が小さくなると回線品質
が悪くなる。
従来は此の様なレーザーダイオードＬＤの経時劣化を検
出する方法はなく従って回線品質が劣化した後に障害探
索により若しレーザーダイオードＬＤの劣化と判明した
時に初めてレーザーダイオードＬＤを交換することにな
る。従って保守上大変不便であった。
出する方法はなく従って回線品質が劣化した後に障害探
索により若しレーザーダイオードＬＤの劣化と判明した
時に初めてレーザーダイオードＬＤを交換することにな
る。従って保守上大変不便であった。
（Ｃ）０発明の目的
本発明の目的は従来技術の有する上記の欠点を除去し、
レーザーダイオードの経時劣化や駆動回路の経年変化に
より消光比の値が小さくなった時此れを検出する手段を
提供することにより予防保守を可能とするものである。
レーザーダイオードの経時劣化や駆動回路の経年変化に
より消光比の値が小さくなった時此れを検出する手段を
提供することにより予防保守を可能とするものである。
（ｄ）３発明の構成
上記の目的は本発明によれば、レーザーダイオードの駆
動回路に於いて、バイアス電流に低周波信号を重畳する
為の低周波数発振器、前記レーザーダイオードの光出力
を検出する受光器、前記受光器出力の低周波信号を抽出
する帯域濾波器、及び前記帯域濾波器出方の前記低周波
信号を検出する回路を有することを特徴とする消光比劣
化検出一方式を提供することにより達成される。
動回路に於いて、バイアス電流に低周波信号を重畳する
為の低周波数発振器、前記レーザーダイオードの光出力
を検出する受光器、前記受光器出力の低周波信号を抽出
する帯域濾波器、及び前記帯域濾波器出方の前記低周波
信号を検出する回路を有することを特徴とする消光比劣
化検出一方式を提供することにより達成される。
（ｅ）９発明の実施例
、第３図は本発明に依る消光比劣化検出方式の一実施例
を示すブロック図である。。
を示すブロック図である。。
図中、ＯＳＣは低周波発振器、ＢＦは帯域濾波器、ＤＥ
Ｔは振幅検出回路、ＪＵＤは判別回路、Ｃはコンデンサ
であり、其の他の記号、数字は第１図と同一である。
Ｔは振幅検出回路、ＪＵＤは判別回路、Ｃはコンデンサ
であり、其の他の記号、数字は第１図と同一である。
第４図は第３図の回路の動作を説明する為の図である。
第５図は第３図に於いて劣化したレーザーダイオードを
使用した場合の回路の動作を説明する図である。
使用した場合の回路の動作を説明する図である。
以下図に従って本発明の詳細な説明する。
第１図に示す従来例ではパルス信号に直流バイアス電流
を重畳してレーザーダイオードＬ’Ｄを駆動したが、本
発明に依ると此れに更に低周波信号を重畳して駆動する
。此の場合重畳する低周波信号の周波数はパルス信号の
周波数に比し極めて低い周波数とする。
を重畳してレーザーダイオードＬ’Ｄを駆動したが、本
発明に依ると此れに更に低周波信号を重畳して駆動する
。此の場合重畳する低周波信号の周波数はパルス信号の
周波数に比し極めて低い周波数とする。
即ち低周波発振器ｏＳＣの出力をコンデンサＣを経由し
て印加する。コイルＬはパルス信号の周波数に対し十分
高いインピーダンスを持ち、低周波発振器ＯＳＣの周波
数に対しては十分低いインピーダンスを示すので低周波
発振器Ｏ８ｃの出方は無損失でレーザーダイオードＬＤ
に印加する。
て印加する。コイルＬはパルス信号の周波数に対し十分
高いインピーダンスを持ち、低周波発振器ＯＳＣの周波
数に対しては十分低いインピーダンスを示すので低周波
発振器Ｏ８ｃの出方は無損失でレーザーダイオードＬＤ
に印加する。
此の場合第４図に示す様に低周波発振器ＯＳＣの出力は
パルス信号の振幅に比し十分小さく設定しておく。
パルス信号の振幅に比し十分小さく設定しておく。
此の場合には直流バイアス電流に振幅の小さい低周波信
号が乗った形になる。
号が乗った形になる。
従来例の場合と同じくレーザーダイオードＬＤの光出力
をフォトダイオードＰＤで受け増幅器ＡＭＰ２により増
幅後、帯域濾波器ＢＦにより低周波発振器Ｏ８Ｃの周波
数成分のみを抽出し、振幅検出回路ＤＥＴにより低周波
成分の振幅を検出する。
をフォトダイオードＰＤで受け増幅器ＡＭＰ２により増
幅後、帯域濾波器ＢＦにより低周波発振器Ｏ８Ｃの周波
数成分のみを抽出し、振幅検出回路ＤＥＴにより低周波
成分の振幅を検出する。
此の場合検出される低周波成分の振幅はレーザーダイオ
ードＬＤの光出力〜電流の特性曲線により決定されるも
のである。
ードＬＤの光出力〜電流の特性曲線により決定されるも
のである。
、今レーザーダイオードＬＤの光出力〜電流の特性曲線
が劣化し、例えば第５図に示す様にレーザ−ダイオード
ＬＤが劣化して電流ＩｔｈＯ値が増加してＩ’ｔｈとな
った場合、光出力が低下するのでフィードバンク系が動
作してバイアス電流が増加して１１ｏとなり、此の為動
作点が電流１’ｔｈより大きくなり、此の結果振幅検出
回路ＤＥＴにより検出される低周波成分の振幅は増加す
る。従って判別回路ＪＵＤは振幅検出回路ＤＥＴにより
検出した低周波成分の振幅が成る規定値以上変化したこ
とにより該レーザーダイオードＬＤが劣化したものと判
定して警報を発する。
が劣化し、例えば第５図に示す様にレーザ−ダイオード
ＬＤが劣化して電流ＩｔｈＯ値が増加してＩ’ｔｈとな
った場合、光出力が低下するのでフィードバンク系が動
作してバイアス電流が増加して１１ｏとなり、此の為動
作点が電流１’ｔｈより大きくなり、此の結果振幅検出
回路ＤＥＴにより検出される低周波成分の振幅は増加す
る。従って判別回路ＪＵＤは振幅検出回路ＤＥＴにより
検出した低周波成分の振幅が成る規定値以上変化したこ
とにより該レーザーダイオードＬＤが劣化したものと判
定して警報を発する。
又電流ｒｔｈＯ値は変化しないが傾斜がねて来た時も光
の平均出力が低下するのでバイアス電流が増加し同様に
低周波成分の振幅が変化する。
の平均出力が低下するのでバイアス電流が増加し同様に
低周波成分の振幅が変化する。
（ｆ）８発明の効果
以上詳細に説明した様に本発明によれば、レーザーダイ
オードの経時劣化や駆動回路の経年変化により消光比の
値が小さくなった場合此れを検出する手段を実現出来る
ので予防保守が可能となると云う大きい効果がある。
オードの経時劣化や駆動回路の経年変化により消光比の
値が小さくなった場合此れを検出する手段を実現出来る
ので予防保守が可能となると云う大きい効果がある。
第１図は従来のレーザーダイオードの駆動回路の一実施
例を示すブロック図である。 第２図は第１図の動作を説明する図である。 第３図は本発明に依る消光比劣化検出方式の一実施例を
示すブロック図である。 第４図は第３図の回路の動作を説明する為の図である。 第５図は第３図に於いて劣化したレーザーダイオードを
使用した場合の回路の動作を説明する図である。 図中、ＬＤはレーザーダイオード、ＤＣは直流バイアス
電流源、ＡＭＰ １、ＡＭＰ２は夫々増幅器、Ｌはコイ
ル、ＰＤはフォトダイオード、ＬＰは低域濾波器、ＩＮ
はＰＣＭ信号入力端子、ＯＳＣは低周波発振器、ＥＦは
帯域濾波器、ＤＥＴは振幅検出回路、ＪＵＤは判別回路
、Ｃはコンデンサである。
例を示すブロック図である。 第２図は第１図の動作を説明する図である。 第３図は本発明に依る消光比劣化検出方式の一実施例を
示すブロック図である。 第４図は第３図の回路の動作を説明する為の図である。 第５図は第３図に於いて劣化したレーザーダイオードを
使用した場合の回路の動作を説明する図である。 図中、ＬＤはレーザーダイオード、ＤＣは直流バイアス
電流源、ＡＭＰ １、ＡＭＰ２は夫々増幅器、Ｌはコイ
ル、ＰＤはフォトダイオード、ＬＰは低域濾波器、ＩＮ
はＰＣＭ信号入力端子、ＯＳＣは低周波発振器、ＥＦは
帯域濾波器、ＤＥＴは振幅検出回路、ＪＵＤは判別回路
、Ｃはコンデンサである。
Claims (1)
- レーザーダイオードの駆動回路に於いて、バイアス電流
に低周波信号を重畳する為の低周波数発振器、前記レー
ザーダイオードの光出力を検出する受光器、前記受光器
出力の低周波信号を抽出する帯域濾波器、及び前記帯域
濾波器出力の前記低周波信号を検出する回路を有するこ
とを特徴とする消光比劣化検出方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1562984A JPS60159663A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 消光比劣化検出方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1562984A JPS60159663A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 消光比劣化検出方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60159663A true JPS60159663A (ja) | 1985-08-21 |
Family
ID=11894004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1562984A Pending JPS60159663A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 消光比劣化検出方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60159663A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63269072A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Canon Inc | 電子放出素子特性測定装置 |
| US6107650A (en) * | 1994-02-21 | 2000-08-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP1562984A patent/JPS60159663A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63269072A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Canon Inc | 電子放出素子特性測定装置 |
| US6107650A (en) * | 1994-02-21 | 2000-08-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6323508B1 (en) * | 1994-02-21 | 2001-11-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6331466B1 (en) | 1994-02-21 | 2001-12-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate semiconductor device and manufacturing method thereof |
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