JPS6245086A - レ−ザダイオ−ド駆動回路 - Google Patents
レ−ザダイオ−ド駆動回路Info
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- JPS6245086A JPS6245086A JP60183010A JP18301085A JPS6245086A JP S6245086 A JPS6245086 A JP S6245086A JP 60183010 A JP60183010 A JP 60183010A JP 18301085 A JP18301085 A JP 18301085A JP S6245086 A JPS6245086 A JP S6245086A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、光通信を行う光伝送装置等に用いられるレー
ザダイオード駆動回路に関する。
ザダイオード駆動回路に関する。
(従来の技術)
従来、例えば特公昭59−38756号に記載されてい
るように、レーザダイオードを駆動する方法としては、
一定の変調電流と可変の直流・々イアスミ流を重畳して
レーザダイオードを制御する方法があった。つまり、温
度やレーザ素子劣化によるしきい値の変化を検出して、
それに応じて直流バイアス電流を変化させて光出力を一
定に保つ方法である。
るように、レーザダイオードを駆動する方法としては、
一定の変調電流と可変の直流・々イアスミ流を重畳して
レーザダイオードを制御する方法があった。つまり、温
度やレーザ素子劣化によるしきい値の変化を検出して、
それに応じて直流バイアス電流を変化させて光出力を一
定に保つ方法である。
第3図は従来のレーザダイオード駆動回路の一構成例を
示すブロック図である。レーザダイオード31はバイア
ス電流源38によって直流バイアス電流IBがかけられ
、入力信号をバイアス電流源33およびAC変調器34
によって変調した固定変調ピーク電流工が入力されるこ
とにより発光する。レーザダイオード31の光出力の一
部はモニタ光として受光素子32で受光され、DCモニ
タ回路39で受光電力の平均値が得られる。また、入力
信号も低域ろ波器35によって積分され、前記平均値信
号とともに差動増幅器36に入力、比較増幅され、フィ
ルタ37を介してバイア、スミ流源38に入力される。
示すブロック図である。レーザダイオード31はバイア
ス電流源38によって直流バイアス電流IBがかけられ
、入力信号をバイアス電流源33およびAC変調器34
によって変調した固定変調ピーク電流工が入力されるこ
とにより発光する。レーザダイオード31の光出力の一
部はモニタ光として受光素子32で受光され、DCモニ
タ回路39で受光電力の平均値が得られる。また、入力
信号も低域ろ波器35によって積分され、前記平均値信
号とともに差動増幅器36に入力、比較増幅され、フィ
ルタ37を介してバイア、スミ流源38に入力される。
そして前記比較結果に従って、バイアス電流源38は直
流バイアス電流IBを制御する。つまり、変調電K 工
pを固定し、直流バイアス電流、工8を制御することに
より光出力のピーク値を一定とするよう動作するのでち
る。
流バイアス電流IBを制御する。つまり、変調電K 工
pを固定し、直流バイアス電流、工8を制御することに
より光出力のピーク値を一定とするよう動作するのでち
る。
(発明の解決しようとする問題点)
しかしながら、従来の方法によれば変調電流を一定とし
ているので温度やレーザダイオード自体の劣化による微
分効率の変化を補償することができず、高速動作時に光
出力波形の劣化、変動および消光劣化が発生する。
ているので温度やレーザダイオード自体の劣化による微
分効率の変化を補償することができず、高速動作時に光
出力波形の劣化、変動および消光劣化が発生する。
この様子を第4図を用いて説明する。同図中(a)はレ
ーザダイオードの駆動電流に対する光出力の特性を示す
図、(b)は前記(a)の特性によって得られる光出力
波形を示す図であり、Tは温度(T2>T1)、I
、I は直流バイアス電流、■、は変調電流でBI
B2 ある。
ーザダイオードの駆動電流に対する光出力の特性を示す
図、(b)は前記(a)の特性によって得られる光出力
波形を示す図であり、Tは温度(T2>T1)、I
、I は直流バイアス電流、■、は変調電流でBI
B2 ある。
第4図(a)に示す様に、高温動作時(T=T2)には
レーザダイオードの特性が劣化するため、バイアス電流
IB□を補正してやっても(b)に示す如く波形のピー
ク値が変化する消光比劣化が生ずる。
レーザダイオードの特性が劣化するため、バイアス電流
IB□を補正してやっても(b)に示す如く波形のピー
ク値が変化する消光比劣化が生ずる。
また、レーザダイオードの発光には遅延時間があり、こ
れはしきい値以下から駆動電流が立上がる場合には、直
流バイアス電流としきい値電流の関数となシ、高速動作
時に光出力波形劣化を招くという問題点もあった。
れはしきい値以下から駆動電流が立上がる場合には、直
流バイアス電流としきい値電流の関数となシ、高速動作
時に光出力波形劣化を招くという問題点もあった。
(問題点を解決するための手段)
本発明は上述した様な従来技術の問題点に鑑み、温度、
およびレーザダイオード自体の劣化によるしきい値電流
変動、微分効率変動による消光比変m (% ?
71” $ W、±揄幕yjr< fk /7’l
A> fp lへI/ −セJ”イ す−ド駆動回路を
提供することを目的し、その構成はレーザダイオードの
光出力をモニタする受光素子と、前記受光素子の出力を
DC増幅して第1の平均値信号を出力する手段と、前記
ディジタル駆動信号を積分して第2の平均値信号を出力
する手段と、前記第1の平均値信号と第2の平均値信号
の差分をとり、その値に従って第1の制御信号を出力す
る手段と、前記受光素子の出力をAC増幅して出力する
手段と、前記AC増幅された出力を最大値と最小値の中
間値でスライスして前記ディジタル駆動信号のレベルま
で増幅するレベル識別手段と、前記レベル識別手段の出
力を積分する手段と、前記第2の平均値信号と前記積分
化されたレベル識別手段の出力との差分をとり、その値
に従って第2の制御信号を出力する手段とから成シ、前
記第1の劃−御信号および第2の制御信号のいずれか一
方の制御信号によりレーザダイオードの直流バイアス電
流源を制御し、他方の制御信号により前記変調電流源を
制御することを特徴としている。
およびレーザダイオード自体の劣化によるしきい値電流
変動、微分効率変動による消光比変m (% ?
71” $ W、±揄幕yjr< fk /7’l
A> fp lへI/ −セJ”イ す−ド駆動回路を
提供することを目的し、その構成はレーザダイオードの
光出力をモニタする受光素子と、前記受光素子の出力を
DC増幅して第1の平均値信号を出力する手段と、前記
ディジタル駆動信号を積分して第2の平均値信号を出力
する手段と、前記第1の平均値信号と第2の平均値信号
の差分をとり、その値に従って第1の制御信号を出力す
る手段と、前記受光素子の出力をAC増幅して出力する
手段と、前記AC増幅された出力を最大値と最小値の中
間値でスライスして前記ディジタル駆動信号のレベルま
で増幅するレベル識別手段と、前記レベル識別手段の出
力を積分する手段と、前記第2の平均値信号と前記積分
化されたレベル識別手段の出力との差分をとり、その値
に従って第2の制御信号を出力する手段とから成シ、前
記第1の劃−御信号および第2の制御信号のいずれか一
方の制御信号によりレーザダイオードの直流バイアス電
流源を制御し、他方の制御信号により前記変調電流源を
制御することを特徴としている。
(作用)
本発明は光出力を受光素子によってモニタし、その出力
と元のディジタル駆動信号とを2通りの方法で比較し、
光出力のピークツクワ−とデユーティを検出して、それ
らを制御しようとするものである。
と元のディジタル駆動信号とを2通りの方法で比較し、
光出力のピークツクワ−とデユーティを検出して、それ
らを制御しようとするものである。
本発明は、受光素子によりレーザダイオードの光をモニ
タし、さらにDCアンプで該受光素子の出力をDC増幅
して第1の平均値信号を得、差動増幅器等でディジタル
駆動信号を積分して得られる第2の平均値信号と比較す
ることにより光出力のピークパワーをモニタしている。
タし、さらにDCアンプで該受光素子の出力をDC増幅
して第1の平均値信号を得、差動増幅器等でディジタル
駆動信号を積分して得られる第2の平均値信号と比較す
ることにより光出力のピークパワーをモニタしている。
また前記受光素子の出力をACアンプでAC増幅し、そ
の出力をレベル識別回路により最大値と最小値の中間値
でスライスして前記ディジタル駆動信号のレベルまで増
幅し、さらに低域ろ波器により積分し、差動増幅器等に
より前記第2の平均値信号と比較することにより、光出
力波形のデユーティをモニタしているのである。
の出力をレベル識別回路により最大値と最小値の中間値
でスライスして前記ディジタル駆動信号のレベルまで増
幅し、さらに低域ろ波器により積分し、差動増幅器等に
より前記第2の平均値信号と比較することにより、光出
力波形のデユーティをモニタしているのである。
さらにデユーティについて説明すると、レーザダイオー
ドの駆動入力信号に対する光出力波形の立上がシ遅延時
間tdは一般に直流バイアス電流■6としきい値電流工
thの関数として次式で表わされる。
ドの駆動入力信号に対する光出力波形の立上がシ遅延時
間tdは一般に直流バイアス電流■6としきい値電流工
thの関数として次式で表わされる。
ta ”τnzn[i、/(z、+hB)−i、h)
〕−・・−(]−1)式τ :キャリア寿命 工 :変調電流ピーク値 従って直流バイアス電流IBに対する光出力の立上がり
遅延特性は第5図の様になる。逆に光出力の立下がシに
関しては駆動入力信号に対する遅延差は発生しない。
〕−・・−(]−1)式τ :キャリア寿命 工 :変調電流ピーク値 従って直流バイアス電流IBに対する光出力の立上がり
遅延特性は第5図の様になる。逆に光出力の立下がシに
関しては駆動入力信号に対する遅延差は発生しない。
この様子を霧わすと第6図の様になり、光出力波形はレ
ーザダイオード駆動電流波形に比して大きくデユーティ
変動することになる。このデー−ティ変動による波形劣
化を防ぐには、直流バイアス電流エエをしきい値電流工
thよシわずかに小さい値に設定し、立上がり遅延時間
tに相当する様なデー−ティ制御を行う。
ーザダイオード駆動電流波形に比して大きくデユーティ
変動することになる。このデー−ティ変動による波形劣
化を防ぐには、直流バイアス電流エエをしきい値電流工
thよシわずかに小さい値に設定し、立上がり遅延時間
tに相当する様なデー−ティ制御を行う。
実際の回路で時間差tを与えるためには、前述したディ
ジタル駆動信号の平均値信号と、前述したレベル識別回
路の出力の平均値信号とを比較する時に、時間差txに
相当するオフセット電圧を与える方法と、光出力波形の
立上がりに対応する駆動入力信号の波形をtxだけ進め
る、あるいはパルス幅を変えるといった方法がとられる
。
ジタル駆動信号の平均値信号と、前述したレベル識別回
路の出力の平均値信号とを比較する時に、時間差txに
相当するオフセット電圧を与える方法と、光出力波形の
立上がりに対応する駆動入力信号の波形をtxだけ進め
る、あるいはパルス幅を変えるといった方法がとられる
。
(実施例)
第1図(a)は本発明の第1の実施例を示すブロック図
である。同図に示す様に、入力信号はAC変調回路13
に入力され、ピーク変調電流Iでレーザダイオード11
を変調する。レーザダイオード11の発光出力は、その
一部が受光素子12で受光され、ACモニタ回路20で
電気信号波形に変換され、レベル識別回路19で直流再
生された後、最大値と最小値の中間値でスライスされ、
入力信号と比較できるレベル、例えば論理レベルまで増
幅される。その後、レベル識別回路19の出力は低域ろ
波器18によって積分され、オフセット付与回路17に
より適当なオフセット電圧が与えられ差動増幅器16に
入力される。差動増幅器16には低域ろ波器22によっ
て積分された入力信号が入力されており、差動増幅器1
6は両方を比較して光出力波形のデユーティ変動を検出
し、その結果に従って、フィルタ15を介して前記変調
電流工、の大きさを制御するバイアス電流源14に対し
て制御信号を送出する。また、その結果に従い、図示し
ない制御手段によって前記オフセット付与回路17を制
御してオフセット電圧の値を制御することも可能である
。
である。同図に示す様に、入力信号はAC変調回路13
に入力され、ピーク変調電流Iでレーザダイオード11
を変調する。レーザダイオード11の発光出力は、その
一部が受光素子12で受光され、ACモニタ回路20で
電気信号波形に変換され、レベル識別回路19で直流再
生された後、最大値と最小値の中間値でスライスされ、
入力信号と比較できるレベル、例えば論理レベルまで増
幅される。その後、レベル識別回路19の出力は低域ろ
波器18によって積分され、オフセット付与回路17に
より適当なオフセット電圧が与えられ差動増幅器16に
入力される。差動増幅器16には低域ろ波器22によっ
て積分された入力信号が入力されており、差動増幅器1
6は両方を比較して光出力波形のデユーティ変動を検出
し、その結果に従って、フィルタ15を介して前記変調
電流工、の大きさを制御するバイアス電流源14に対し
て制御信号を送出する。また、その結果に従い、図示し
ない制御手段によって前記オフセット付与回路17を制
御してオフセット電圧の値を制御することも可能である
。
一方、受光素子12の出力はDCモニタ回路21にも入
力しておシ、光出力の・ぐワーの平均値信号が差動増幅
器24に入力されている。差動増幅器24は前記平均値
信号と低域ろ波器23によって積分化された入力信号と
を比較することによって光出力のピークパワーを監視し
ており、その比較結果に基づいてフィルタ25を介して
、直流バイアス電流IBの大きさを制御するバイアス電
流源26に対して制御信号を送出するのである。
力しておシ、光出力の・ぐワーの平均値信号が差動増幅
器24に入力されている。差動増幅器24は前記平均値
信号と低域ろ波器23によって積分化された入力信号と
を比較することによって光出力のピークパワーを監視し
ており、その比較結果に基づいてフィルタ25を介して
、直流バイアス電流IBの大きさを制御するバイアス電
流源26に対して制御信号を送出するのである。
第1図(b)は光出力波形の立上がシに一定の遅延tx
を与えるために、同図(a)で示したようなオフセット
付与回路17の代わシにノ4ルス幅変更回路27を設け
て、入力信号波形の立上がり部分をtxだけ進めるよう
にした本発明の第2の実施例である。本実施例において
は差動増幅器16の比較結果に基づき、図示しない制御
手段によってパルス幅変更回路を制御して、入力信号波
形の進みを制御することも可能である。
を与えるために、同図(a)で示したようなオフセット
付与回路17の代わシにノ4ルス幅変更回路27を設け
て、入力信号波形の立上がり部分をtxだけ進めるよう
にした本発明の第2の実施例である。本実施例において
は差動増幅器16の比較結果に基づき、図示しない制御
手段によってパルス幅変更回路を制御して、入力信号波
形の進みを制御することも可能である。
第2図(a)は本発明の第3の実施例を示すブロック図
であり、ACCユニ回路20から差動増幅器24までの
、光出力波形のデユーティを監視する構成で直流バイア
ス電流工、のバイアス電流源26を制御し、さらにDC
Cユニ回路21から差動増幅器16までの、光出力の一
一りノソワーを監視する構成で変調電流■、のバイアス
電流源14を制御する例を示している。また、遅延時間
を補償する手段としてオフセット付与回路12を用いて
いる。
であり、ACCユニ回路20から差動増幅器24までの
、光出力波形のデユーティを監視する構成で直流バイア
ス電流工、のバイアス電流源26を制御し、さらにDC
Cユニ回路21から差動増幅器16までの、光出力の一
一りノソワーを監視する構成で変調電流■、のバイアス
電流源14を制御する例を示している。また、遅延時間
を補償する手段としてオフセット付与回路12を用いて
いる。
第2図(b)は本発明の第4の実施例を示すブロック図
であり、第2図(a)のオフセット付与回路12の代り
に遅延時間を補償する手段としてノクルス幅変更回路2
7を用いた例である。
であり、第2図(a)のオフセット付与回路12の代り
に遅延時間を補償する手段としてノクルス幅変更回路2
7を用いた例である。
(発明の効果)
本発明によれば光出力波形のピークツ9ワーとデユーテ
ィの両方を監視でき、さらには直流バイアス電流と変調
電流の両方をそれぞれ制御できるので、レーザダイオー
ドのバラツキ、劣化等によるしきい値電流の変化、波形
劣化、消光比劣化等の少ないレーザダイオード駆動回路
を実現することができる。また、本発明は光出力のデユ
ーティを検出しているので周波数が上昇するほど検出能
率があがり、従って高速の光伝送技術に応用することが
できる。
ィの両方を監視でき、さらには直流バイアス電流と変調
電流の両方をそれぞれ制御できるので、レーザダイオー
ドのバラツキ、劣化等によるしきい値電流の変化、波形
劣化、消光比劣化等の少ないレーザダイオード駆動回路
を実現することができる。また、本発明は光出力のデユ
ーティを検出しているので周波数が上昇するほど検出能
率があがり、従って高速の光伝送技術に応用することが
できる。
第1図(a)は本発明の第1の実施例のブロック図、同
図(b)は本発明の第2の実施例のブロック図、第2図
(a)は本発明の第3の実施例のブロック図、同図(b
)は本発明の第4の実施例を示すブロック図、第3図は
従来のレーザダイオード駆動回路のブロック図、第4図
はレーザダイオードの光出力波形劣化の説明図、第5図
はレーザダイオードの立上がシ遅延特性の説明図、第6
図は光出力波形と駆動電流波形の比較図である。 11・・・レーザダイオード、12・・・受光素子、1
3・・・AC変調回路、14.26・・・バイアス電流
源、15.25・・・フィルタ、z6,24・・・差動
増幅器、17・・・オフセット付与回路、1 B 、
22 。 23・・・低域ろ波器、19・・・レベル識別回路、2
゜−A Cモニタ回路、21・・・DCモニタ回路、2
7・・りぐルス幅変更回路。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第3図 B%団 九エルi漸とl17+1勤(丸二茨形の比較国策6図 1、事件の表示 昭和60年 特 許 願第183010号2、発明の名
称 レーザダイオード駆動回路 5、補正の対象 明細書中「発明の詳細な説明」の欄
及び図面「第6図」 \、−/7 6、補正の内容 (1) 明細書第8頁第5行目の式を下記のように補
正する。 t、=τnAnCI、/[(I、+IB) IB、)
) −(1−1)式(2) 同書第10頁第6行目か
ら第9行目にある「また、その結果に従い、図示しない
・・・・・・制御することも可能である。」 を削除する。 (3)同書第11頁第4行目から第7行目にある「本実
施例においては・・・・・・制御することも可能である
。」 を削除する。 (4)同書第12頁第5行目から第6行目に「レーザダ
イオードのバラツキ、劣化等によるしきい値電流の変化
、波形劣化、」とあるのを 「レーザダイオードのしきい値電流の変化、バラツキ、
劣化等による波形劣化、」 と補正する。 (5)図面「第6図」を別紙の通シ補正する。 尤エカ消d吟ヒ昂i初電シ免恢形θ比車に図第6図
図(b)は本発明の第2の実施例のブロック図、第2図
(a)は本発明の第3の実施例のブロック図、同図(b
)は本発明の第4の実施例を示すブロック図、第3図は
従来のレーザダイオード駆動回路のブロック図、第4図
はレーザダイオードの光出力波形劣化の説明図、第5図
はレーザダイオードの立上がシ遅延特性の説明図、第6
図は光出力波形と駆動電流波形の比較図である。 11・・・レーザダイオード、12・・・受光素子、1
3・・・AC変調回路、14.26・・・バイアス電流
源、15.25・・・フィルタ、z6,24・・・差動
増幅器、17・・・オフセット付与回路、1 B 、
22 。 23・・・低域ろ波器、19・・・レベル識別回路、2
゜−A Cモニタ回路、21・・・DCモニタ回路、2
7・・りぐルス幅変更回路。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第3図 B%団 九エルi漸とl17+1勤(丸二茨形の比較国策6図 1、事件の表示 昭和60年 特 許 願第183010号2、発明の名
称 レーザダイオード駆動回路 5、補正の対象 明細書中「発明の詳細な説明」の欄
及び図面「第6図」 \、−/7 6、補正の内容 (1) 明細書第8頁第5行目の式を下記のように補
正する。 t、=τnAnCI、/[(I、+IB) IB、)
) −(1−1)式(2) 同書第10頁第6行目か
ら第9行目にある「また、その結果に従い、図示しない
・・・・・・制御することも可能である。」 を削除する。 (3)同書第11頁第4行目から第7行目にある「本実
施例においては・・・・・・制御することも可能である
。」 を削除する。 (4)同書第12頁第5行目から第6行目に「レーザダ
イオードのバラツキ、劣化等によるしきい値電流の変化
、波形劣化、」とあるのを 「レーザダイオードのしきい値電流の変化、バラツキ、
劣化等による波形劣化、」 と補正する。 (5)図面「第6図」を別紙の通シ補正する。 尤エカ消d吟ヒ昂i初電シ免恢形θ比車に図第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ディジタル駆動信号に応じてレーザダイオードを発
光、および消光するレーザダイオード駆動回路であって
、レーザダイオードをバイアスする直流バイアス電流源
と前記ディジタル駆動信号の変調電流源とを制御して光
出力を安定化するレーザダイオード駆動回路において、 (a)レーザダイオードの出力をモニタする受光素子と
、 (b)前記受光素子の出力をDC増幅して第1の平均値
信号を出力する手段と、 (c)前記ディジタル駆動信号を積分して第2の平均値
信号を出力する手段と、 (d)前記第1の平均値信号と第2の平均値信号の差分
をとり、その値に従って第1の制御信号を出力する手段
と、 (e)前記受光素子の出力をAC増幅して出力する手段
と、 (f)前記AC増幅された出力を最大値と最小値の中間
値でスライスして前記ディジタル駆動信号のレベルまで
増幅するレベル識別手段と、 (g)前記レベル識別手段の出力を積分する手段と、 (h)前記第2の平均値信号と前記(g)項の手段の出
力との差分をとり、その値に従って第2の制御信号を出
力する手段、 とを備え、前記第1の制御信号および第2の制御信号の
いずれか一方の制御信号により前記直流バイアス電流源
を制御し、他方の制御信号により前記変調電流源を制御
することを特徴とするレーザダイオード駆動回路。 2、前記(b)項の手段はマーク率補償形のAPC(A
utomatic Power Control)回路
である特許請求の範囲第1項記載のレーザダイオード駆
動回路。 3、前記(h)項の手段は差動増幅器を含み、前記(g
)項の手段の出力に対してオフセット電圧を加えるよう
動作することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
レーザダイオード駆動回路。 4、前記変調電流源は出力波形のパルス幅を制御される
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のレーザダ
イオード駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60183010A JPS6245086A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60183010A JPS6245086A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6245086A true JPS6245086A (ja) | 1987-02-27 |
JPH0553078B2 JPH0553078B2 (ja) | 1993-08-09 |
Family
ID=16128156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60183010A Granted JPS6245086A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6245086A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5488621A (en) * | 1992-06-15 | 1996-01-30 | Alcatel Network Systems, Inc. | Laser bias and modulation circuit |
JP2005340278A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Freescale Semiconductor Inc | 発光素子駆動回路 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59984A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-06 | Nec Corp | 光出力安定化回路 |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP60183010A patent/JPS6245086A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59984A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-06 | Nec Corp | 光出力安定化回路 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5488621A (en) * | 1992-06-15 | 1996-01-30 | Alcatel Network Systems, Inc. | Laser bias and modulation circuit |
JP2005340278A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Freescale Semiconductor Inc | 発光素子駆動回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0553078B2 (ja) | 1993-08-09 |
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