JPS63263734A - 半導体集積回路の実装装置 - Google Patents
半導体集積回路の実装装置Info
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- JPS63263734A JPS63263734A JP62097330A JP9733087A JPS63263734A JP S63263734 A JPS63263734 A JP S63263734A JP 62097330 A JP62097330 A JP 62097330A JP 9733087 A JP9733087 A JP 9733087A JP S63263734 A JPS63263734 A JP S63263734A
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- substrate holding
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路の実装技術に関し。
特に、半導体ウェハ等の大型の半導体基板を用いた半導
体集積回路に適用して有効な技術に関するものである。
体集積回路に適用して有効な技術に関するものである。
半導体集積回路は、通常、半導体ウェハを幾つかに分割
した領域すなわち半導体チップに構成している。しかし
、半導体ウェハを分割することなく、その−面に集積回
路を構成して大型の集積回路を構成することが研究され
ている。このように、半導体ウェハに一つの大型の集積
回路を構成する技術は、例えば、特願昭60−1318
70号に記載されている。
した領域すなわち半導体チップに構成している。しかし
、半導体ウェハを分割することなく、その−面に集積回
路を構成して大型の集積回路を構成することが研究され
ている。このように、半導体ウェハに一つの大型の集積
回路を構成する技術は、例えば、特願昭60−1318
70号に記載されている。
本発明者は、前記半導体ウェハ全体で構成した半導体集
積回路について検討した結果、次の問題点を見出した。
積回路について検討した結果、次の問題点を見出した。
前記半導体ウェハを用いた半導体集積回路は。
それを実装する技術がないため、実装基板に実装するこ
とができない。
とができない。
本発明の目的は、半導体ウェハ等の大型の半導体基板を
用いた半導体集積回路を実装基板に安定な状態で実装す
る技術を提供することにある。
用いた半導体集積回路を実装基板に安定な状態で実装す
る技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち1代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、集積回路を構成した半導体ウェハ等の大型の
半導体基板の周辺に起立させられる複数の支柱と、該そ
れぞれの支柱に設けた半導体基板挟持具と、前記それぞ
れの支柱の間を接続した支柱接続基板とで実装装置を構
成する。
半導体基板の周辺に起立させられる複数の支柱と、該そ
れぞれの支柱に設けた半導体基板挟持具と、前記それぞ
れの支柱の間を接続した支柱接続基板とで実装装置を構
成する。
上述した手段により、半導体基板が複数箇所で挟持され
るので、半導体基板にねじれや振動を生じることなく安
定な状態で実装することができる。
るので、半導体基板にねじれや振動を生じることなく安
定な状態で実装することができる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第1図は、本実施例における実装装置の全体の概要を示
した斜視図。
した斜視図。
第2図は、前記実装装置の半導体基板を挟持する半導体
基板挟持具の側面図、 第3図は、第2図に示した半導体基板挟持具と異る構成
の半導体基板挟持具の側面図、第4図は、実装装置の底
の部分を下から見た斜視図。
基板挟持具の側面図、 第3図は、第2図に示した半導体基板挟持具と異る構成
の半導体基板挟持具の側面図、第4図は、実装装置の底
の部分を下から見た斜視図。
第5図は、実装装置を構成する支柱と支柱接続基板の間
の構成を示した斜視図である。
の構成を示した斜視図である。
第1図において、3は単結晶シリコンからなる半導体ウ
ェハであり、3Aが種々の集積回路を構成している集積
回路領域である。
ェハであり、3Aが種々の集積回路を構成している集積
回路領域である。
本実施例の半導体集積回路の実装装置は、半導体ウェハ
3の周辺に起立させられた支柱1a、1b、lc、1d
と、これら支柱1a、1b、lc。
3の周辺に起立させられた支柱1a、1b、lc、1d
と、これら支柱1a、1b、lc。
1dを安定に起立させるためそれらを下端の部分で接続
している支柱接続基板2を有している。支柱1及び支柱
接続基板2は、例えばガラスエポキシ等の樹脂又はアル
ミニウムからなっている。半導体ウェハ3は、第2図又
は第3図に示すように支柱lに設けられた半導体基板挟
持具5及び10によって挟持される。前記それぞれの支
柱1a、1b、lc、ldのうち、例えば、支柱1b、
ICが第5図に示したような構成にされて倒すことがで
きるようになっている。その他の支柱1a、1dは支柱
接続基板2に固定して取り付けている。
している支柱接続基板2を有している。支柱1及び支柱
接続基板2は、例えばガラスエポキシ等の樹脂又はアル
ミニウムからなっている。半導体ウェハ3は、第2図又
は第3図に示すように支柱lに設けられた半導体基板挟
持具5及び10によって挟持される。前記それぞれの支
柱1a、1b、lc、ldのうち、例えば、支柱1b、
ICが第5図に示したような構成にされて倒すことがで
きるようになっている。その他の支柱1a、1dは支柱
接続基板2に固定して取り付けている。
なお、支柱1aのみあるいは3本の支柱1a、1b、l
c、さらには全ての支柱1a、lb、IC11dを倒す
ことができるように構成してもよい。
c、さらには全ての支柱1a、lb、IC11dを倒す
ことができるように構成してもよい。
倒すことができる支柱1以外の支柱1は、支柱接続基板
2に固定して取り付ける。
2に固定して取り付ける。
次に、支柱1の半導体ウェハ3を支持する部分の構成を
説明する。
説明する。
第2図において、半導体ウェハ3は、支柱1に固定して
取り付けた上部半導体基板挟持具5と下部半導体基板挟
持具10で挟持される。上部半導体基板挟持具5は、例
えば支柱1と一体に形成され。
取り付けた上部半導体基板挟持具5と下部半導体基板挟
持具10で挟持される。上部半導体基板挟持具5は、例
えば支柱1と一体に形成され。
ガラスエポキシ等の樹脂やアルミニウムからなっている
。下部半導体基板挟持具10は、支柱1から突き出され
た支持部IAに、支持軸12を中心として回転できるよ
うに取り付けられている。下部半導体基板挟持具10は
、例えばガラスエポキシ等の樹脂あるいはアルミニウム
からなっている。上部半導体基板挟持具5の下面には、
半導体ウェハ3の電極4に圧接接続するヘアピン状のス
プリング電極6を複数設けている。スプリング電極6は
、上部半導体基板挟持具5を貫通する埋め込み配線7、
上部半導体基板挟持具5の上面の配線8を通して支柱1
の外壁に設けたターミナル電極14に接続している。配
線8は支柱1に形成した貫通孔を通している。下部半導
体基板挟持具10と半導体つエバ3の接触を良好にする
ため、下部半導体基板挟持具10の上面すなわち半導体
ウェハ3と相対している面にヘアピン状の圧接スプリン
グ11を設けている。上部半導体基板挟持具5と下部半
導体基板挟持具10の間をコイルスプリング9で接続す
ることにより、上部半導体基板挟持具5及び下部半導体
基板挟持具10が半導体ウェハ3を挟持するのに必要な
力及びスプリング電極6を半導体ウェハ3の電極4に接
続するのに必要な力を得ている。
。下部半導体基板挟持具10は、支柱1から突き出され
た支持部IAに、支持軸12を中心として回転できるよ
うに取り付けられている。下部半導体基板挟持具10は
、例えばガラスエポキシ等の樹脂あるいはアルミニウム
からなっている。上部半導体基板挟持具5の下面には、
半導体ウェハ3の電極4に圧接接続するヘアピン状のス
プリング電極6を複数設けている。スプリング電極6は
、上部半導体基板挟持具5を貫通する埋め込み配線7、
上部半導体基板挟持具5の上面の配線8を通して支柱1
の外壁に設けたターミナル電極14に接続している。配
線8は支柱1に形成した貫通孔を通している。下部半導
体基板挟持具10と半導体つエバ3の接触を良好にする
ため、下部半導体基板挟持具10の上面すなわち半導体
ウェハ3と相対している面にヘアピン状の圧接スプリン
グ11を設けている。上部半導体基板挟持具5と下部半
導体基板挟持具10の間をコイルスプリング9で接続す
ることにより、上部半導体基板挟持具5及び下部半導体
基板挟持具10が半導体ウェハ3を挟持するのに必要な
力及びスプリング電極6を半導体ウェハ3の電極4に接
続するのに必要な力を得ている。
下部半導体基板挟持具10のコイルスプリング9が取り
付けられている部分は、支持細工2より半導体ウェハ3
側である。下部半導体基板挟持具10の下面にハンドル
13を設け、これにより半導体ウェハ3の装着時に上部
半導体基板挟持具5と下部半導体基板挟持具10の間を
開くようにしている。前記上部半導体基板挟持具5、下
部半導体基板挟持具10、コイルスプリング9等のそれ
ぞれを第1図に示したそれぞれの支柱1a、lb、lc
、ldに設けることにより、半導体ウェハ3を4箇所で
挟持して安定な状態で支持するようにしている。また、
4本のそれぞれの支柱1に設けたそれぞれの上部半導体
基板支持具5及び下部半導体基板支持具10に、前記ス
プリング電極6.配線7.8、コイルスプリング9、圧
接スプリング11を設ける。
付けられている部分は、支持細工2より半導体ウェハ3
側である。下部半導体基板挟持具10の下面にハンドル
13を設け、これにより半導体ウェハ3の装着時に上部
半導体基板挟持具5と下部半導体基板挟持具10の間を
開くようにしている。前記上部半導体基板挟持具5、下
部半導体基板挟持具10、コイルスプリング9等のそれ
ぞれを第1図に示したそれぞれの支柱1a、lb、lc
、ldに設けることにより、半導体ウェハ3を4箇所で
挟持して安定な状態で支持するようにしている。また、
4本のそれぞれの支柱1に設けたそれぞれの上部半導体
基板支持具5及び下部半導体基板支持具10に、前記ス
プリング電極6.配線7.8、コイルスプリング9、圧
接スプリング11を設ける。
また、スプリング電極6に対して、半導体ウェハ3に電
1@ 4が配される。
1@ 4が配される。
支柱1の外壁のターミナル21!t@14に、塩化ビニ
ール等で絶縁被覆したケーブル15の心線15Aが半田
16によって接続されている。ケーブル15によって、
それぞれの半導体ウェハ3の間及び実装基板へ実装した
とき半導体ウェハ3と実装基板上の配線との間を接続し
ている。
ール等で絶縁被覆したケーブル15の心線15Aが半田
16によって接続されている。ケーブル15によって、
それぞれの半導体ウェハ3の間及び実装基板へ実装した
とき半導体ウェハ3と実装基板上の配線との間を接続し
ている。
第3図に示した半導体ウェハ3の挟持具は、半導体ウェ
ハ挟持具5をコの字型に形成し、それの内側の側面にス
プリング電極6及び圧接スプリング11を固定して設け
ている。支柱1は半導体基板挟持具5に対応した部分に
半導体基板挟持具5と嵌合するように筒状にして空間1
8を形成している。
ハ挟持具5をコの字型に形成し、それの内側の側面にス
プリング電極6及び圧接スプリング11を固定して設け
ている。支柱1は半導体基板挟持具5に対応した部分に
半導体基板挟持具5と嵌合するように筒状にして空間1
8を形成している。
その空間18内に嵌合された半導体基板挟持具5を押す
ようにコイルスプリング19を配置している。
ようにコイルスプリング19を配置している。
半導体基板挟持具5の上面にターミナル電極17を設け
、これにケーブル15の心線15Aを接続している。ケ
ーブル15は、支柱1の外壁すなわち半導体ウェハ3に
対向している面と反対側の面を延在しているが、半導体
基板挟持具15の近傍で支柱1に形成しである貫通孔を
通してターミナル電極16に接続している。半導体ウェ
ハ3を装着する以前のスプリングf[4i6と圧接スプ
リング11の間隔は、スプリング電極6と電極4の接続
を良くするため、また半導体ウェハ3を確実に挟持する
ため、半導体ウェハ3の厚さより狭くなるようにしてい
る。
、これにケーブル15の心線15Aを接続している。ケ
ーブル15は、支柱1の外壁すなわち半導体ウェハ3に
対向している面と反対側の面を延在しているが、半導体
基板挟持具15の近傍で支柱1に形成しである貫通孔を
通してターミナル電極16に接続している。半導体ウェ
ハ3を装着する以前のスプリングf[4i6と圧接スプ
リング11の間隔は、スプリング電極6と電極4の接続
を良くするため、また半導体ウェハ3を確実に挟持する
ため、半導体ウェハ3の厚さより狭くなるようにしてい
る。
第4図に示すように、支柱接続基板2の底部には、第2
図又は第3図に示したケーブル15が接続している複数
のコネクタピン21を設けている。コネクタピン21は
、実装基板上へのコネクタに接続される。支柱接続基板
2は、実装時にネジで実装基板へ取り付けるため、複数
のネジ穴20を設けている。
図又は第3図に示したケーブル15が接続している複数
のコネクタピン21を設けている。コネクタピン21は
、実装基板上へのコネクタに接続される。支柱接続基板
2は、実装時にネジで実装基板へ取り付けるため、複数
のネジ穴20を設けている。
支柱1の下端と支柱接続基板2の間の接続の一例を第5
図に示す。第5図において、支柱1の下端と支柱接続基
板2の接続部分は、互に噛み合うように形成され、それ
らに形成したボルト穴30に取り付はボルト27を挿入
することにより、回転自在に接続される。ボルト27は
、ボルト穴3oに挿入後、ネジ部27Aにナツト28を
取り付けることにより、抜は落ちないようにされる。ま
た、支柱の両側部にねじりコイルスプリング22を配置
し、それぞれのセンタ穴26にボルト27を通すように
する。
図に示す。第5図において、支柱1の下端と支柱接続基
板2の接続部分は、互に噛み合うように形成され、それ
らに形成したボルト穴30に取り付はボルト27を挿入
することにより、回転自在に接続される。ボルト27は
、ボルト穴3oに挿入後、ネジ部27Aにナツト28を
取り付けることにより、抜は落ちないようにされる。ま
た、支柱の両側部にねじりコイルスプリング22を配置
し、それぞれのセンタ穴26にボルト27を通すように
する。
ねじりコイルスプリング22の一端は、支柱接続基板2
のスプリング装着穴23に装着され、他端は支柱1の突
起24に形成したスプリング装着穴25に装着される。
のスプリング装着穴23に装着され、他端は支柱1の突
起24に形成したスプリング装着穴25に装着される。
このねじりコイルスプリング22により支柱工が垂直に
起立させられ、また倒した支柱1が復元するようにして
いる。
起立させられ、また倒した支柱1が復元するようにして
いる。
なお、支柱1及び支柱接続基板2は、第6図に示したよ
うに構成してもよい。
うに構成してもよい。
第6図において、4本の支柱1のうち1bが倒れるよに
構成しである。その支柱1bと支柱接続基板2の間は、
それらが接する部分2Aで支柱1の外壁と支柱接続基板
2の縁の間に蝶番を取り付ける、蝶番が支柱1bの外壁
に取り付けられるため、外側には倒れても内側には倒れ
ないようになる。起立した支柱1bが外側へ倒れないよ
うにするため1M29を被せる。なお、第6図に示した
支柱1にも第2図又は第3図に示したような半導体基板
挟持具5及び10を設ける。
構成しである。その支柱1bと支柱接続基板2の間は、
それらが接する部分2Aで支柱1の外壁と支柱接続基板
2の縁の間に蝶番を取り付ける、蝶番が支柱1bの外壁
に取り付けられるため、外側には倒れても内側には倒れ
ないようになる。起立した支柱1bが外側へ倒れないよ
うにするため1M29を被せる。なお、第6図に示した
支柱1にも第2図又は第3図に示したような半導体基板
挟持具5及び10を設ける。
以上、説明した実装装置により、次の効果を得ることが
できる。
できる。
(1)半導体ウェハlの周辺に起立させられる複数の支
柱1とこれに設けた半導体基板挟持具5又は10と支柱
接続基板2で実装装置を構成していることにより、半導
体ウェハ3がねじれや振動を生じることなく支持される
ので、半導体ウェハ3からなる大型の半導体集積回路を
安定な状態で実装することができる。
柱1とこれに設けた半導体基板挟持具5又は10と支柱
接続基板2で実装装置を構成していることにより、半導
体ウェハ3がねじれや振動を生じることなく支持される
ので、半導体ウェハ3からなる大型の半導体集積回路を
安定な状態で実装することができる。
(2)支柱接続基板2の底にコネクタピン21を設けて
いることにより、半導体ウェハ3の安定な支持状態をく
ずすことなく、すなわち横に倒したりすることなく実装
基板に接続できる。
いることにより、半導体ウェハ3の安定な支持状態をく
ずすことなく、すなわち横に倒したりすることなく実装
基板に接続できる。
(3)半導体基板挟持具5にスプリング電極6を設けて
いることにより、半導体ウェハ3の挟持と同時に電気的
に接続できる。
いることにより、半導体ウェハ3の挟持と同時に電気的
に接続できる。
(4)半導体基板挟持具5に設けられる電極をスプリン
グ電極6としていることにより、半導体ウェハ3の挟持
効果を高めて電気的接続を行うことができる。
グ電極6としていることにより、半導体ウェハ3の挟持
効果を高めて電気的接続を行うことができる。
(5)支柱3を起立させるねじりコイルスプリング22
又はふた29を設けていることにより、半導体ウェハ3
の支持中に支柱1が倒れることがないので、半導体ウェ
ハ3の安定な支持状態を長く維持することができる。
又はふた29を設けていることにより、半導体ウェハ3
の支持中に支柱1が倒れることがないので、半導体ウェ
ハ3の安定な支持状態を長く維持することができる。
(6)支柱1に半導体ウェハ3を複数枚装着できるよう
に構成したことにより、小さな実装面積で大きな回路(
システム)を構成できる。
に構成したことにより、小さな実装面積で大きな回路(
システム)を構成できる。
(7)支柱3を倒すことができるように構成しているこ
とにより、支柱3を倒して半導体ウェハ3を横から装着
することができるので、半導体ウェハ3の装着を安易に
行うことができる。
とにより、支柱3を倒して半導体ウェハ3を横から装着
することができるので、半導体ウェハ3の装着を安易に
行うことができる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
例えば、半導体ウェハ3を2枚、裏面同志接着してそれ
を半導体基板挟持具5と10(第2図)又は5(第3図
)で挟持するようにしてもよい、この場合、半導体挟持
具5と10又と5の半導体ウェハ3を挿入する部分の間
隔は、半導体ウェハ3を1枚挿入する場合より広くされ
る。
を半導体基板挟持具5と10(第2図)又は5(第3図
)で挟持するようにしてもよい、この場合、半導体挟持
具5と10又と5の半導体ウェハ3を挿入する部分の間
隔は、半導体ウェハ3を1枚挿入する場合より広くされ
る。
また、半導体ウェハ3でなくとも、例えば半導体ウェハ
3の周辺を切り落して四角形に形成したような半導体基
板であってもよい、この場合、それぞれの支柱1の配置
のレイアウト及び支柱接続基板2の大きさ形状等は、そ
の半導体基板の大きさや形に合せて変えられる。
3の周辺を切り落して四角形に形成したような半導体基
板であってもよい、この場合、それぞれの支柱1の配置
のレイアウト及び支柱接続基板2の大きさ形状等は、そ
の半導体基板の大きさや形に合せて変えられる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
半導体ウェハの周辺に起立させられる複数の支柱とこれ
に設けた半導体基板挟持具と支柱接続基板で実装装置を
構成していることにより、半導体ウェハがねじれや振動
を生じることなく支持されるので、半導体ウェハからな
る大型の半導体集積回路を安定な状態で実装することが
できる。
に設けた半導体基板挟持具と支柱接続基板で実装装置を
構成していることにより、半導体ウェハがねじれや振動
を生じることなく支持されるので、半導体ウェハからな
る大型の半導体集積回路を安定な状態で実装することが
できる。
第1図は、実装装置の全体の斜視図、
第2図及び第3図は、半導体基板挟持具の側面図。
第4図は、支柱接続基板2を下から見た斜視図、第5図
は、支柱と支柱接続基板の接続部分を下から見た斜視図
、 第6図は、実装装置の変形例を示した斜視図である。 図中、lla、lb、lc、1 d−・・支柱、支柱接
続基板2.3・・・半導体ウェハ、3A・・・集積回路
領域、4.6.14.17・・・電極、5,10・・・
半導体基板挟持具、7,8・・・配線、9.19.22
・・・スプリング、11・・・圧接スプリング、12・
・・支持軸、13・・・ハンドル、15・・・絶縁被覆
ケーブル、15A・・・心線、16・・・半田、18・
・・空間、20・・・実装ネジ装着穴、21・・・コネ
フタビン、23.25・・・スプリング装着穴、24・
・・突部。 26・・・スプリング22のセンタ穴、27・・・ボル
ト、27A・・・ネジ部、28・・・ナツト、29・・
・ふた、30・・・ボルト穴。
は、支柱と支柱接続基板の接続部分を下から見た斜視図
、 第6図は、実装装置の変形例を示した斜視図である。 図中、lla、lb、lc、1 d−・・支柱、支柱接
続基板2.3・・・半導体ウェハ、3A・・・集積回路
領域、4.6.14.17・・・電極、5,10・・・
半導体基板挟持具、7,8・・・配線、9.19.22
・・・スプリング、11・・・圧接スプリング、12・
・・支持軸、13・・・ハンドル、15・・・絶縁被覆
ケーブル、15A・・・心線、16・・・半田、18・
・・空間、20・・・実装ネジ装着穴、21・・・コネ
フタビン、23.25・・・スプリング装着穴、24・
・・突部。 26・・・スプリング22のセンタ穴、27・・・ボル
ト、27A・・・ネジ部、28・・・ナツト、29・・
・ふた、30・・・ボルト穴。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、集積回路を構成した半導体ウェハ等の大型の半導体
基板の周辺に起立させられる複数の支柱と、該それぞれ
の支柱に設けた半導体基板挟持具と、前記それぞれの支
柱の間を接続した支柱接続基板とからなる半導体集積回
路の実装装置。 2、前記支柱接続基板の底に複数のコネクタピンを設け
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体
集積回路の実装装置。 3、前記半導体基板挟持具は、半導体基板に接続する電
極を有していることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の半導体集積回路の実装装置。 4、前記半導体基板挟持具の電極は、スプリング電極で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導
体集積回路の実装装置。 5、前記支柱のうちの何本かは、倒すことができるよう
に支柱接続基板に設けられ、支柱と支柱接続基板の間に
スプリングを設けれることによって起立させられること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回
路の実装装置。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62097330A JPS63263734A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体集積回路の実装装置 |
KR88003425A KR960012649B1 (en) | 1987-04-22 | 1988-03-29 | Wafer scale or full wafer memory system, package, method thereof and wafer processing method employed therein |
EP92112517A EP0516185B1 (en) | 1987-04-22 | 1988-04-08 | Wafer-scale semiconductor integrated circuit device |
SG1995905451A SG36588G (en) | 1987-04-22 | 1988-04-08 | Packaging of semiconductor integrated circuits |
EP88303160A EP0288186B1 (en) | 1987-04-22 | 1988-04-08 | Packaging of semiconductor integrated circuits |
DE88303160T DE3882074T2 (de) | 1987-04-22 | 1988-04-08 | Verpackung von integrierten Halbleiterschaltungen. |
DE3856019T DE3856019T2 (de) | 1987-04-22 | 1988-04-08 | Integrierte Halbleiterschaltungen Vorrichtung von Scheibengrösse |
US07/627,881 US5191224A (en) | 1987-04-22 | 1990-12-13 | Wafer scale of full wafer memory system, packaging method thereof, and wafer processing method employed therein |
US07/960,848 US5309011A (en) | 1987-04-22 | 1992-10-14 | Wafer scale or full wafer memory system, packaging method thereof, and wafer processing method employed therein |
KR93004115A KR970001885B1 (en) | 1987-04-22 | 1993-03-18 | Wafer scale semiconductor device |
HK28096A HK28096A (en) | 1987-04-22 | 1996-02-15 | Packaging of semiconductor integrated circuits |
HK98101603A HK1003348A1 (en) | 1987-04-22 | 1998-03-02 | Wafer-scale semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62097330A JPS63263734A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体集積回路の実装装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63263734A true JPS63263734A (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=14189477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62097330A Pending JPS63263734A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体集積回路の実装装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63263734A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7443035B2 (en) | 2002-12-20 | 2008-10-28 | Fujikura Ltd. | Method of forming a penetration electrode and substrate having a penetration electrode |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP62097330A patent/JPS63263734A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7443035B2 (en) | 2002-12-20 | 2008-10-28 | Fujikura Ltd. | Method of forming a penetration electrode and substrate having a penetration electrode |
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