JPS63263735A - 半導体集積回路の実装装置 - Google Patents
半導体集積回路の実装装置Info
- Publication number
- JPS63263735A JPS63263735A JP62097331A JP9733187A JPS63263735A JP S63263735 A JPS63263735 A JP S63263735A JP 62097331 A JP62097331 A JP 62097331A JP 9733187 A JP9733187 A JP 9733187A JP S63263735 A JPS63263735 A JP S63263735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- semiconductor
- semiconductor substrate
- mounting device
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路の実装技術に関するものであ
り、特に、半導体ウェハ等の大型の半導体基板を用いた
半導体集積回路の実装技術に関するものである。
り、特に、半導体ウェハ等の大型の半導体基板を用いた
半導体集積回路の実装技術に関するものである。
半導体集積回路は、通常、半導体ウェハの後にダイシン
グ領域から分割される領域すなわち半導体チップに構成
している。しかし、半導体ウェハを分割することなく、
その−面に集積回路を構成して大型の半導体集積回路を
構成することが研究されている。このように、半導体ウ
ェハ全体に一つの大型の半導体集積回路を構成する技術
は、例えば、特願昭60−131870号に記載されて
いる。
グ領域から分割される領域すなわち半導体チップに構成
している。しかし、半導体ウェハを分割することなく、
その−面に集積回路を構成して大型の半導体集積回路を
構成することが研究されている。このように、半導体ウ
ェハ全体に一つの大型の半導体集積回路を構成する技術
は、例えば、特願昭60−131870号に記載されて
いる。
本発明者は、前記半導体ウェハ全体で構成した半導体集
積回路に関して検討した結果、次の問題点を見出した。
積回路に関して検討した結果、次の問題点を見出した。
前記半導体ウェハを用いた半導体集積回路は。
それを実装する技術がないため、実装基板に実装するこ
とができない。
とができない。
本発明の目的は、半導体ウェハ等の大型の半導体基板を
用いた半導体集積回路装置を実装基板に実装する技術を
提供することにある6 本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
用いた半導体集積回路装置を実装基板に実装する技術を
提供することにある6 本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体ウェハ等の大型の半導体基板に構成し
た半導体集積回路を実装する実装装置を。
た半導体集積回路を実装する実装装置を。
前記半導体基板の中央部で支持するように構成したもの
である。
である。
上述した手段によれば、半導体集積回路を構成している
大型の半導体基板が安定して支持されるので、前記半導
体基板を安定な状態で実装する実装装置を得ることがで
きる。
大型の半導体基板が安定して支持されるので、前記半導
体基板を安定な状態で実装する実装装置を得ることがで
きる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第1図は、半導体ウェハからなる大型の半導体基板を複
数枚支持する実装装置全体の斜視図、第2図は、第1図
に示した実装装置の支持具を拡大した斜視図、 第3図は、前記支持具の側面図である。
数枚支持する実装装置全体の斜視図、第2図は、第1図
に示した実装装置の支持具を拡大した斜視図、 第3図は、前記支持具の側面図である。
本実施例の半導体集積回路は、第1図に示すように、半
導体ウェハからなる大型の半導体基板1の表面に種々の
集積回路が構成された集積回路領域IAがある。前記半
導体基板1の中央部には。
導体ウェハからなる大型の半導体基板1の表面に種々の
集積回路が構成された集積回路領域IAがある。前記半
導体基板1の中央部には。
例えばエツチングによって形成した四角形の開口2が設
けられている。半導体基板lは開口2に、例えばアルミ
ニウム合金あるいはプラスティック等の樹脂等で形成し
た四角柱の支柱3を通し、支柱3の西側面のそれぞれに
例えばエポキシ樹脂等からなる上部支持具5Aと下部支
持具5Bとを設け、これらで挟持して支持するようにな
っている。
けられている。半導体基板lは開口2に、例えばアルミ
ニウム合金あるいはプラスティック等の樹脂等で形成し
た四角柱の支柱3を通し、支柱3の西側面のそれぞれに
例えばエポキシ樹脂等からなる上部支持具5Aと下部支
持具5Bとを設け、これらで挟持して支持するようにな
っている。
支柱3の中央部は空胴になっている。前記半導体基板1
の開口2の大きさは、支持具5A、5Bを支柱3側へ倒
した状態で、その支柱3を通すことができる程度になっ
ている。なお、支柱3をアルミニウム等の金属で形成す
る場合には、配線間の絶縁のため、その表面を樹脂等で
被覆する。支柱3の底部には、複数の半導体基板1を装
着した支柱3を図示していない実装基板に実装できるよ
うに、コネクタピン4が複数設けられている。
の開口2の大きさは、支持具5A、5Bを支柱3側へ倒
した状態で、その支柱3を通すことができる程度になっ
ている。なお、支柱3をアルミニウム等の金属で形成す
る場合には、配線間の絶縁のため、その表面を樹脂等で
被覆する。支柱3の底部には、複数の半導体基板1を装
着した支柱3を図示していない実装基板に実装できるよ
うに、コネクタピン4が複数設けられている。
上部支持具5A、下部支持具5Bは、第2図及び第3図
に示したように、その支柱3側の縁が、支柱3から突き
出た支持突起3Aと噛み合うような形状をしており、ま
た上部支持具5A、下部支持具5B及び支持突起3Aの
それぞれに支持軸14を通すための支持軸通し穴19が
設けられている。
に示したように、その支柱3側の縁が、支柱3から突き
出た支持突起3Aと噛み合うような形状をしており、ま
た上部支持具5A、下部支持具5B及び支持突起3Aの
それぞれに支持軸14を通すための支持軸通し穴19が
設けられている。
すなわち、上部支持具5A、下部支持具5Bは。
支持軸14によってそれを中心として回転できるように
支持突起3Aに取り付けられている。また、上部支持具
5A及び下部支持具5Bで半導体基板1を挟持するため
、上部支持具5A及び下部支持具5Bの両側部にねじり
コイルバネ12を配置し、その一端12Aは上部支持具
5A又は下部支持具5Bに取り付け、また中心穴13に
は支持軸14を通すようになでいる。なお、第2図及び
第3図では、上部支持具5A、下部支持具5Bの一辺の
ねじりバネ12のみが示されている。上部支持具5A及
び下部支持具5Bのそれぞれが、前記ねじりコイルバネ
12の弾性力で半導体基板1を挟持する。
支持突起3Aに取り付けられている。また、上部支持具
5A及び下部支持具5Bで半導体基板1を挟持するため
、上部支持具5A及び下部支持具5Bの両側部にねじり
コイルバネ12を配置し、その一端12Aは上部支持具
5A又は下部支持具5Bに取り付け、また中心穴13に
は支持軸14を通すようになでいる。なお、第2図及び
第3図では、上部支持具5A、下部支持具5Bの一辺の
ねじりバネ12のみが示されている。上部支持具5A及
び下部支持具5Bのそれぞれが、前記ねじりコイルバネ
12の弾性力で半導体基板1を挟持する。
上部支持具5Aの上面に、例えば銅あるいは銀メッキを
施したアルミニウム等からなる固定電極6が複数固定し
て設けられている。固定電極6に対応した支柱3の側面
に、弾性を有するブラシ電極7が複数設けられ、その一
端が固定電極6の表面を圧接している。ブラシ電極7の
固定電極6に圧接する端部は、上部支持具5Aの回転時
に固定電極6上をスライドできるようになっている。前
記ブラシ電極7に対応して、支柱3の内面に銅等からな
る電極10を設け、これとブラシ電極7の間を、例えば
銀メッキが施されたアルミニウム等からなるリード9で
接続している。リード9と支柱3の間はエポキシ樹脂等
で絶縁されている。それぞれの電j@10に1表面を塩
化ビニール、樹脂等の絶縁膜8Aで被覆した絶縁ケーブ
ル8の心線8Bが、例えば半田11で接続されている。
施したアルミニウム等からなる固定電極6が複数固定し
て設けられている。固定電極6に対応した支柱3の側面
に、弾性を有するブラシ電極7が複数設けられ、その一
端が固定電極6の表面を圧接している。ブラシ電極7の
固定電極6に圧接する端部は、上部支持具5Aの回転時
に固定電極6上をスライドできるようになっている。前
記ブラシ電極7に対応して、支柱3の内面に銅等からな
る電極10を設け、これとブラシ電極7の間を、例えば
銀メッキが施されたアルミニウム等からなるリード9で
接続している。リード9と支柱3の間はエポキシ樹脂等
で絶縁されている。それぞれの電j@10に1表面を塩
化ビニール、樹脂等の絶縁膜8Aで被覆した絶縁ケーブ
ル8の心線8Bが、例えば半田11で接続されている。
絶縁ケーブル8は接着剤によって支柱3の内壁に取り付
けられ、支柱3に設けられるそれぞれの半導体基板1の
間、半導体基板1と第1図に示したコネクタピン4の間
を接続している。
けられ、支柱3に設けられるそれぞれの半導体基板1の
間、半導体基板1と第1図に示したコネクタピン4の間
を接続している。
上部支持具5Aの前記それぞれの固定電極6に対応した
下面に弾性を有するスプリング電極15を設け、これと
固定電極6の間を例えば銀メッキを施したアルミニウム
等からなるピン16で機械的及び電気的に接続している
。それぞれのスプリング電極15は、半導体基板1の表
面に設けられた例えばアルミニウム膜からなるTIi極
20に圧接接続される。下部支持具5Bにもスプリング
11を極15を設けているが、これは半導体基板1を挟
持するための支持材として使用している。すなわち、半
導体基板1は、上部支持具5A及び下部支持具5Bのそ
れぞれに設けた複数のスプリング電極t極15で挟持し
て支持される。
下面に弾性を有するスプリング電極15を設け、これと
固定電極6の間を例えば銀メッキを施したアルミニウム
等からなるピン16で機械的及び電気的に接続している
。それぞれのスプリング電極15は、半導体基板1の表
面に設けられた例えばアルミニウム膜からなるTIi極
20に圧接接続される。下部支持具5Bにもスプリング
11を極15を設けているが、これは半導体基板1を挟
持するための支持材として使用している。すなわち、半
導体基板1は、上部支持具5A及び下部支持具5Bのそ
れぞれに設けた複数のスプリング電極t極15で挟持し
て支持される。
半導体基板1を支柱3に装着するときには、第3図に示
したように、上部支持具5A、下部支持具5Bのそれぞ
れを例えば手動で支柱3の方へ倒すようにする。上部支
持具5Aと下部支持具5Bの間に支持された半導体基板
1の横振れを防止するため、支柱3の上部支持具5Aと
下部支持具5Bの間に、例えばシリコーンゴム等からな
る横振れ防、止ゴム17を設けている。
したように、上部支持具5A、下部支持具5Bのそれぞ
れを例えば手動で支柱3の方へ倒すようにする。上部支
持具5Aと下部支持具5Bの間に支持された半導体基板
1の横振れを防止するため、支柱3の上部支持具5Aと
下部支持具5Bの間に、例えばシリコーンゴム等からな
る横振れ防、止ゴム17を設けている。
なお、支柱3は例えば、円柱状であってもよい。
この場合、半導体基板1に設けられる開口2も円形にす
る。
る。
また、2枚の半導体基板1を集積回路IAが構成されて
いない裏面同志、接着剤等で接着し、それを上部支持具
5Aと下部支持具5Bで挟持するようにしてもよい。こ
の場合、上部支持具5Aと下部支持具5Bの間隔は、半
導体基板1が1枚のときより広くされる。
いない裏面同志、接着剤等で接着し、それを上部支持具
5Aと下部支持具5Bで挟持するようにしてもよい。こ
の場合、上部支持具5Aと下部支持具5Bの間隔は、半
導体基板1が1枚のときより広くされる。
以上、説明した本実施例によれば1次の効果を得ること
ができる。
ができる。
(1)大型の半導体基板1の中央部を貫通する支柱3と
それに設けた支持具5A、5Bで前記半導体基板1の中
央部を支柱するように実装装置を構成したことにより、
大型の半導体基板1が安定に支持されるので、半導体基
板1を安定な状態で実装する実装装置を得ることができ
る。
それに設けた支持具5A、5Bで前記半導体基板1の中
央部を支柱するように実装装置を構成したことにより、
大型の半導体基板1が安定に支持されるので、半導体基
板1を安定な状態で実装する実装装置を得ることができ
る。
(2)半導体基板1を挟持する支持具5A、5Bにスプ
リングWiI4i15を設けていることにより、半導体
基板1を支持すると同時に、それぞれの半導体基板1の
間及び半導体基板1と実装基板の間を電気的に接続する
ことができる。
リングWiI4i15を設けていることにより、半導体
基板1を支持すると同時に、それぞれの半導体基板1の
間及び半導体基板1と実装基板の間を電気的に接続する
ことができる。
(3)支柱3の底部にコネクタピン4を設けていること
により、支柱3を実装基板に実装すると同時に電気的接
続を行うことができる。
により、支柱3を実装基板に実装すると同時に電気的接
続を行うことができる。
(4)半導体基板1の中央で支柱3に接続することによ
り、その接続部分から回路領域IA上の任意の点までの
距離が、最大でも半導体ウェハ1の径のほぼ1/2と短
くなるので、伝達速度の差が小さくできる。
り、その接続部分から回路領域IA上の任意の点までの
距離が、最大でも半導体ウェハ1の径のほぼ1/2と短
くなるので、伝達速度の差が小さくできる。
(5)半導体基板1の中央で支持することにより、周囲
に遮蔽物がないので、放熱効果を良くすることができる
。
に遮蔽物がないので、放熱効果を良くすることができる
。
(6)支柱3に複数枚の半導体基板1を重ねるように装
着することにより、少くない実装面積で多くの回路を構
成することができる。
着することにより、少くない実装面積で多くの回路を構
成することができる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが1
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
例えば、第4図に示したように構成してもよい。
第4図において、半導体基板1は、第1図乃至第3図に
示したような開口2を形成していない。
示したような開口2を形成していない。
また、支柱3は例えば立方柱あるいは円柱に形成され、
その上端及び下端は平担な面となっている。
その上端及び下端は平担な面となっている。
すなわち、支柱3の内部は空胴となっているが、その上
端及び下端は塞がれた状態となっている。
端及び下端は塞がれた状態となっている。
その平担な上端及び下端の面に接着剤18を塗布し、こ
れによって半導体基板1の中央部に接着するようにして
いる。半導体基板1の支柱3が接着される部分には集積
回路を構成しないようにし、また支柱3に設けられる電
極15に対応して半導体基板1の両面に接続用の電極(
図示していない)を設けるようにする。半導体基板1の
両面に設けられるrIi極の間は、半導体基板1を貫通
する接続孔を通して電気的に接続する。
れによって半導体基板1の中央部に接着するようにして
いる。半導体基板1の支柱3が接着される部分には集積
回路を構成しないようにし、また支柱3に設けられる電
極15に対応して半導体基板1の両面に接続用の電極(
図示していない)を設けるようにする。半導体基板1の
両面に設けられるrIi極の間は、半導体基板1を貫通
する接続孔を通して電気的に接続する。
下から交互に、支柱3と半導体基板1が積み上げられる
。
。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
前記半導体基板の中央部を支柱するように実装装置を構
成したことにより、大型の半導体基板が安定して支持さ
れるので、半導体基板を安定な状態で実装する実装装置
を得ることができる。
成したことにより、大型の半導体基板が安定して支持さ
れるので、半導体基板を安定な状態で実装する実装装置
を得ることができる。
第1図は、半導体ウェハからなる大型の半導体基板を複
数枚支持する実装装置の全体を示した斜視図、 第2図は、第1図に示した実装装置に設けられている支
持具を拡大した斜視図、 第3図は、前記支持具の側面図である。 第4図は、実装装置の変形例を示した側面図である。 図中、1・・・半導体基板、2・・・開口、3・・・支
柱、4・・・コネクタピン、5A、5B・・・支持具、
6.7゜10.15・・・電極、8・・・ケーブル、8
A・・・絶縁膜、8B・・・心線、9.16・・・接続
ピン、11・・・半田、12.12A・・・スプリング
、13・・・スプリングの穴、14・・・支持軸、17
・・・横振れ防止ゴム、18・・・接着剤、19・・・
支持軸通し穴。 代理人 弁理士 小川勝馬 ゛ゝ 第 2 図 第 3 図
数枚支持する実装装置の全体を示した斜視図、 第2図は、第1図に示した実装装置に設けられている支
持具を拡大した斜視図、 第3図は、前記支持具の側面図である。 第4図は、実装装置の変形例を示した側面図である。 図中、1・・・半導体基板、2・・・開口、3・・・支
柱、4・・・コネクタピン、5A、5B・・・支持具、
6.7゜10.15・・・電極、8・・・ケーブル、8
A・・・絶縁膜、8B・・・心線、9.16・・・接続
ピン、11・・・半田、12.12A・・・スプリング
、13・・・スプリングの穴、14・・・支持軸、17
・・・横振れ防止ゴム、18・・・接着剤、19・・・
支持軸通し穴。 代理人 弁理士 小川勝馬 ゛ゝ 第 2 図 第 3 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、所定の表面に集積回路を構成した半導体ウェハ等の
大型の半導体基板をその中央部で支持するように構成し
たことを特徴とする半導体集積回路の実装装置。 2、前記半導体基板は、その中央部で信号の入出力が行
われることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半
導体集積回路の実装装置。 3、前記実装装置は、複数枚の半導体基板を所定間隔ご
とに積み重ね、それぞれの半導体基板の間を電気的に接
続するようになっていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の半導体集積回路の実装装置。 4、前記実装装置は柱状をなし、これに対応して半導体
基板の中央部に開口を形成し、この開口に前記実装装置
が通されることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の半導体集積回路の実装装置。 5、前記柱状の実装装置は、その側面に半導体基板を挟
持しまた電気的接続する支持具が設けられることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回の実装
装置。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62097331A JPS63263735A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体集積回路の実装装置 |
KR88003425A KR960012649B1 (en) | 1987-04-22 | 1988-03-29 | Wafer scale or full wafer memory system, package, method thereof and wafer processing method employed therein |
EP92112517A EP0516185B1 (en) | 1987-04-22 | 1988-04-08 | Wafer-scale semiconductor integrated circuit device |
DE88303160T DE3882074T2 (de) | 1987-04-22 | 1988-04-08 | Verpackung von integrierten Halbleiterschaltungen. |
EP88303160A EP0288186B1 (en) | 1987-04-22 | 1988-04-08 | Packaging of semiconductor integrated circuits |
SG1995905451A SG36588G (en) | 1987-04-22 | 1988-04-08 | Packaging of semiconductor integrated circuits |
DE3856019T DE3856019T2 (de) | 1987-04-22 | 1988-04-08 | Integrierte Halbleiterschaltungen Vorrichtung von Scheibengrösse |
US07/627,881 US5191224A (en) | 1987-04-22 | 1990-12-13 | Wafer scale of full wafer memory system, packaging method thereof, and wafer processing method employed therein |
US07/960,848 US5309011A (en) | 1987-04-22 | 1992-10-14 | Wafer scale or full wafer memory system, packaging method thereof, and wafer processing method employed therein |
KR93004115A KR970001885B1 (en) | 1987-04-22 | 1993-03-18 | Wafer scale semiconductor device |
HK28096A HK28096A (en) | 1987-04-22 | 1996-02-15 | Packaging of semiconductor integrated circuits |
HK98101603A HK1003348A1 (en) | 1987-04-22 | 1998-03-02 | Wafer-scale semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62097331A JPS63263735A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体集積回路の実装装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63263735A true JPS63263735A (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=14189504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62097331A Pending JPS63263735A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体集積回路の実装装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63263735A (ja) |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP62097331A patent/JPS63263735A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4420767A (en) | Thermally balanced leadless microelectronic circuit chip carrier | |
US6078501A (en) | Power semiconductor module | |
JP2847516B2 (ja) | 半導体マルチチップモジュール | |
US8888504B2 (en) | Multilevel interconnection system | |
JP2006114883A (ja) | パワー半導体モジュール及びディスクセル用のコンタクト装置 | |
US4643499A (en) | Component mounting apparatus | |
JP2003017649A (ja) | 半導体装置及び半導体モジュール | |
EP1429389A1 (en) | Compact circuit module having high mounting accuracy and method of manufacturing the same | |
US5345365A (en) | Interconnection system for high performance electronic hybrids | |
US4926547A (en) | Method for manufacturing a modular semiconductor power device | |
JP2002170617A (ja) | コイルばねコネクタ | |
EP0924845A2 (en) | Power semiconductor module | |
US4287447A (en) | Crystal holder for different sizes of crystal | |
JPS63263735A (ja) | 半導体集積回路の実装装置 | |
EP0288186B1 (en) | Packaging of semiconductor integrated circuits | |
CN1080530C (zh) | 小型发音体 | |
JP2000286296A5 (ja) | ||
JP4655269B2 (ja) | 導電性ボールの搭載方法および搭載装置 | |
JP3709347B2 (ja) | 光ケーブルカプラの固定構造 | |
US3522491A (en) | Heat transfer apparatus for cooling semiconductor components | |
JPH0199227A (ja) | 混成集積回路構造 | |
WO2023019642A1 (zh) | 导电组件、导电组件的制备方法及测试装置 | |
JP4749656B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法及びこの方法により得られる半導体デバイス | |
JPS6030161A (ja) | 半導体装置 | |
JPH08162756A (ja) | 電子モジュールのマザー基板への接続装置 |