JPS6326368B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はエレクトロクロミツク現象を用いた表
示装置の改良に関する。

ここでエレクトロクロミツク現象とは、ある種
の物質が通電によつて着色する現象を言う。この
着色は、逆電界による通電又は加熱等により消色
する事が出来る。一般にエレクトロクロミツク現
象とは、カラーセンターの生成や酸化還元反応等
に伴なつて起ると考えられている。

次にエレクトロクロミツク表示装置の一例につ
いて説明する。第１図に酸化タングステンをエレ
クトロクロミツク層として有する表示装置を示
す。透明ないし半透明の導電膜３と密度がほぼバ
ルクに近い酸化タングステンの薄膜１を順次表面
に被着した透明基板２と対向電極４を約１mmの間
隔を持つて対向させ、その中間に電解質５が入れ
てある。またその周辺は電解質５がもれない様に
シール材６によつて密封されている。この様なエ
レクトロミツク表示装置に於いて酸化タングステ
ン薄膜に密着した透明導電膜３にマイナス、対向
電極４にプラスの電圧を印加すると酸化タングス
テンが青色に着色する。この着色を例えば矢印８
で示す方向より観察する。また逆の電圧を印加す
ると消色する。

ここでエレクトロクロミツク現象を呈する物質
については例えば英国特許第1186541号明細書及
び特開昭50−94900号公報に詳記される如くWO₃
に代表される無機物あるいはビオロゲンブロマイ
ド等の有機物などが開発されつつある。

さて前述したエレクトロクロミツク表示装置に
要求される特性の一つに応答速度があるが、応答
速度を速くする為に一つの方策としてエレクトロ
クロミツク層の表面積を大きくする事が既に提案
されている。例えば特開昭51−23100号では、メ
ツシユ状の障害板を通して蒸着する事により多孔
質層を形成した表示体についての発明がある。

エレクトロクロツク物質層を多孔質にすると言
う提案は非常に有効であるが、第２図に示す様に
透明導電膜２３上に多孔質なエレクトロクロミツ
ク層２１が附着している場合を考えると、電解質
２５がエレクトロクロミツク層２１に接触してい
るだけでなく、透明導電膜２３にも直接接触して
いる。尚、第２図に於いて２４は対向電極２６は
シール材である。この様な構造のエレクトロクロ
ミツク表示装置に於いては、透明導電膜２３が使
用中電解質により化学的に損傷を受け、溶けたり
あるいは基板２２より剥離したりする。

本発明は、この様な従来のエレクトロクロミツ
ク装置の欠点に鑑みなされたものである。即ち本
発明は、応答速度の速い多孔質エレクトロクロミ
ツク層を有し且つ化学的に安定な構造を有するエ
レクトロクロミツク表示装置を提供するものであ
る。以下図面により本発明を詳細に説明する。

本発明によるエレクトロクロミツク表示装置
は、第３図に示す様な構造をしている。第３図に
於いて、３４は透明ガラス基板、３３は透明ない
しは半透明導電膜（以後これを単に透明導電膜と
書く）３１は密度がほぼ理論密度に近い第１のエ
レクトロクロミツク層、３２は密度が理論密度の
約90％以下の多孔質な第２のエレクトロクロミツ
ク層、３５は対向電極、３９は電解質、３７は電
解質とエレクトロクロミツク物質とを外雰囲気か
ら遮断する為の封止材である。多くの場合電解質
３９としては、液体状又はゲル状のものを用い
る。従つて多孔質な第２のエレクトロクロミツク
層３２の隙間内には電解質３９が入り込んでい
る。しかし密度が理論密度に近い第１のエレクト
ロクロミツク層３１がある為に電解質３９は、直
接透明導電膜３３に接する事は出来ない。故に、
この構造のエレクトロクロミツク表示装置は、電
解質３９が第１と第２のエレクトロクロミツク層
３１及び３２と接する面積が大きい為に応答速度
が速く且つ透明導電膜３３は密度がほぼバルクに
近い第１のエレクトロクロミツク層３１によつて
電解質３９から完全に保護されている為に、多孔
質なエレクトロクロミツク層を直接透明導電膜上
に付着したエレクトロクロミツク表示装置に較べ
て化学的に極めて安定なものである。

尚、これまでに、エレクトロクロミツク表示装
置の電極の劣化を防止する為にエレクトロクロミ
ツク層が被着していない電極部分に保護層を形成
すると言う提案が例えば米国特許第3836229号及
び第3981560号等において既になされているが、
本発明は、多孔質のエレクトロクロミツク層を有
する表示装置で且つエレクトロクロミツク層に接
する透明導電膜全体を保護する構造となつている
ものであり、上記米国特許とは異なるものであ
る。すなわち本発明においては同種のエレクトロ
クロミツク層により多孔質層と理論密度保護層と
を形成するため、両者の間の付着強度が強く、ま
た製造も簡単になる利点がある。

次に本発明の一実施例について述べる。透明導
電膜３３として酸化錫膜を有する透明ガラス基板
３４を準備し、透明導電膜３３上にほぼ理論密度
の密度に近い酸化タングステン薄膜より成る第１
のエレクトロクロミツク層３１を10^-5Torr以下
の圧力の真空中にて蒸着する。第１のエレクトロ
クロミツク層を形成するには高真空中にて抵抗加
熱により酸化タングステンを蒸着する他、スパツ
タリング、CVD等の方法にて形成する事が出来
る。次に理論密度の密度に対して30％ないし90％
の第２のエレクトロクロミツク層３２を形成す
る。第２のエレクトロクロミツク層は、10^-3〜
10Torrの低真空中にて酸化タングステンを蒸着
するか又は、第１のエレクトロクロミツク層の上
にタングステン薄膜を蒸着又はスパツタリング法
等により形成した後、陽極酸化法により酸化して
形成する。タングステン薄膜の酸化は、例えば希
硫酸溶液中にてタングステンを陽極にしてカーボ
ン電極を陰極にして電圧印加する事により容易に
実現出来る。第１及び第２のエレクトロクロミツ
ク層の厚さはそれぞれ0.5μ〜1μ程度が好ましい。

この様にして作られた透明導電膜３３、第１の
エレクトロクロミツク３１及び第２のエレクトロ
クロミツク層３２を有する透明基板３４に対向し
て対向電極３５を位置させ、エレクトロクロミツ
ク物質層３１及び３２と、対向電極３５との間に
電解質３９を注入し、周辺を封止材３７によつて
密封する。表示装置として使用する時は、透明導
電膜３３と対向電極３５とに電圧を印加する。対
向電極に対しエレクトロクロミツク層側がマイナ
スとなつた時着色し逆にプラスとなつた時消色す
る。

尚対向電極としては、ステンレスその他の金属
板をそのまま用いてもよいが、周知のエレクトロ
クロミツク層を表面に有する導電膜でもよい。ま
た、この対向電極上のエレクトロクロミツク層も
多孔質層に形成してもよい。この場合、まずエレ
クトロクロミツク層の下地層として白金、パラジ
ウム或は金等の金属を数10Å〜数100Å程度形成
し、次いで例えばスパツタリングによりタングス
テン層を多孔質に形成した後陽極酸化するとよ
い。

また第２のエレクトロクロミツク層３２の密度
は、実験によると90％以下になると応答速度の向
上が認められる様になるが、30％以下では、機械
的強度が弱く第１のエレクトロクロミツク層３１
との結合が弱く実用的でない。従つて第２のエレ
クトロクロミツク層３２の密度としては理論密度
に対して30％〜90％が好ましい。

エレクトロクロミツク層の厚さは実施例では
0.5〜1μとしたが、理論密度の密度に近い第１の
エレクトロクロミツク層はあまり薄いと保護効果
がなくなる為300Å以上が望ましい。

多孔質な第２のエレクトロクロミツク層には特
に制限がないが、応答速度を速くするには表面積
を大にする必要があるため約1000Å以上が望まし
い。

本発明はエレクトロクロミツク物質としては酸
化タングステンに限定される事なく、酸化モリブ
デン、酸化チタンその他のエレクトロクロミツク
現象を呈する材料であれば何でもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は密度がほぼ理論密度に近いエレクトロ
クロミツク層を有する従来のエレクトロクロミツ
ク表示装置の断面図、第２図は多孔質なエレクト
ロクロミツク層を有する従来のエレクトロクロミ
ツク表示装置の断面図、第３図は本発明のエレク
トロクロミツク表示装置の一実施例を示す断面図
である。 ３１…第１のエレクトロクロミツク層、３２…
第２のエレクトロクロミツク層、５，２５，３９
…電解質、２，２２，３４…透明基板、３，２
３，３３…透明導電膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 透明基板と、この透明基板の一方の面上に被
   着されたほぼ透明の導電薄膜とこの導電薄膜上に
   被着されたエレクトロクロミツク層とこのエレク
   トロクロミツク層に対向して配置された板上電極
   と、前記基板と前記板状電極との間に電解質を有
   するエレクトロクロミツク表示装置に於いて前記
   エレクトロクロミツク層は、前記ほぼ透明な導電
   薄膜上に被着され密度がほぼ理論密度に近い第１
   の層とこの第１の層上に被着される多孔質な第２
   の層との少なくとも二つの層より成る事を特徴と
   するエレクトロクロミツク表示装置。 ２ 特許請求の範囲第１項に於いて多孔質な第２
   の層の密度が理論密度の30％〜90％の範囲にある
   ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
   置。