JPS6223293B2 - - Google Patents
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- JPS6223293B2 JPS6223293B2 JP51110470A JP11047076A JPS6223293B2 JP S6223293 B2 JPS6223293 B2 JP S6223293B2 JP 51110470 A JP51110470 A JP 51110470A JP 11047076 A JP11047076 A JP 11047076A JP S6223293 B2 JPS6223293 B2 JP S6223293B2
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Classifications
-
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
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Description
本発明は適当に制御された電圧印加により光吸
収特性の変化する現象所謂エレクトロクロミズム
（以下EC現象と称する）を利用した表示装置（以
下ECD（Electrochromic display）と称する）に
関する。 ECDの概要は、一方の透明電極上に形成した
EC物質、例えば遷移金属酸化物の薄膜層とイオ
ン電導を供する電解液を介してもう一方の電極を
電気化学的に接続し、該遷移金属薄膜層に或る電
位以下に卑の電位を与えると、この酸化物薄膜層
が見かけ上還元されたごとくに電流が流れ、該酸
化物薄膜層は光学特性において第一吸収状態から
第二吸収状態に変化し、逆に貴の電位を与えると
第二吸収状態より第一吸収状態に復帰する。ここ
で第一吸収状態は可視域において吸収が無く（透
明である）、第二吸収状態では種々の吸収特性を
示す（薄膜層が着色する）遷移金属酸化物層とし
て無定型酸化タングステン蒸着膜（WO3膜）を
用いた場合、発色状態はそれぞれ以下のごとく説
明される。以下遷移金属薄膜としては最もEC現
象の顕著なWO3膜を用いるものとする。着色機
構について説明すると、 電解液の正電荷移動担体がプロトン（H+）の場
合、 メタル（M+）の場合（通常アルカリ金属が用いら
れる） である。 ここで一般的なECセルについて述べる。通常
ECDは透過型と反射型が提案されているが、実
際の使用はある背景を与えて使用する所謂反射型
ECDの方がより一般的であると考えられる。こ
こで典型的な反射型ECDの構造について述べ
る。第１図において、１はガラスあるいはプラス
チツクの基板、２はIn2O3透明導電膜（真空蒸着
法で得られる）あるいはネサ膜（SnO2蒸着法あ
るいはスプレイ法で得られる）、３は絶縁膜、４
は遷移金属酸化物薄膜（蒸着法あるいはスパツタ
法で得られるWO3膜）この４者で表示電極を形
成する。（この表示電極の構造は後で詳しく述べ
る）５はスペーサー及びシール用樹脂である。 ６はガラスあるいはプラスチツク、セラミツク
より成る基板、７は先に述べた透明電極あるいは
貴金属薄膜、８は７の電極保護膜（通常は表示電
極に用いたのと同様なる物質が用いられる）この
３者で対向電極を形成する。 ９は電極液であり、先に述べた対向電極は、透
明に構成する事が困難であるため、外部に背景と
成る層を設置する事ができない。この為この電解
液中に任意の顔料を分散させ背景の働きを兼させ
ている。１０は７と同種の透明導電膜で成る参照
電極である。 本発明は、主として先に述べた表示電極構造に
関する。任意のパターンに表示を行う場合、表示
電極構造としては、第２図に示す構造が考えられ
る。同図Ａ乃至Ｅにおいて、１はガラスあるいは
プラスチツクの透明基板、２は透明導電膜
（In2O3あるいはSnO2）、３は蒸着あるいはスパツ
タリングで得られるWO3膜であり３において斜
線のみが表示に用いられる。４は透明導電膜を電
気化学反応より保護する絶縁膜、５は透明導電膜
及び酸化タングステン膜を電気化学的に絶縁する
膜、６も同様である。７は透明導電膜２のみを電
気化学的に絶縁するとともに酸化タングステン膜
３（EC膜、エレクトロクロミツク現象を示す
膜）に対しては電解液と電気化学的に接続する働
きを有する膜であつて（以下電子絶縁体と称す
る）、本発明は、この電子絶縁体の発明に関す
る。ここで第２図において波線より右部が電解液
と接している事を付記する。 次に第２図における各表示電極構造についてそ
れぞれの製造法及び利点・欠点を述べ従来例の説
明とする。 第２図Ｂの表示電極構造は、例えばＢ、Ｗ、
Faugnnan、etal、RCA Rev、36、177（1975）
に示されており、最も簡単な構造であり、それ故
製造も容易である。この構造の表示電極は一般に
以下のごとくに得られる。ガラスあるいはプラス
チツク基板１上に真空蒸着法にて得たSnO2を不
純物としたIn2O3膜、あるいはスプレイ法で得た
As2O5を不純物としたSnO2膜所謂ゆるネサ膜等
を透明導電膜２とし、フオトレジストを用いた電
光現像により、あるいはエポキシ樹脂のスクリー
ン印刷により必要部（表示部及びそれの引きだし
部）を覆いIn2O3膜は鉱酸（通常は塩酸）によ
り、又ネサ膜は亜鉛又はアルミニウム等と鉱酸よ
り得られる発生期の水素によりエツチングしパタ
ーン化を行い透明電極とする。その後該透明電極
上に蒸着あるいはスパツタリングによりEC膜３
（酸化タングステン蒸着膜）を得、上記したと同
様にフオトレジストによる露光現像によりあるい
はエポキシ樹脂のスクリーン印刷により必要部
（表示部）を覆い、アルカリ水溶液にてエツチン
グを行いパターン化し第２図における構造Ｂの表
示電極を得る。この構造Ｂにおいては透明導電膜
２をエツチングする前にEC膜３を蒸着し、引き
だし部のEC膜３をマスク蒸着、エツチング等に
よりあらかじめ除去しておけば、表示電極を形成
する場合EC膜３と透明導電膜２のエツチングを
同じ被覆物（フオトレジストあるいはエポキシ樹
脂）を用いて行う事が可能であるためパターン化
されたEC膜３と透明電極の相互の位置合わせが
容易となる。 上述したごとくこの構造Ｂについては製造上に
おいては問題は無いが、表示部の引きだし部（以
下引きだし）である透明電極が電解液に対して電
気化学的に絶縁されてないため、透明電極は環元
されたり又は酸化され溶出したりして断線すると
いう問題が存在する。 第２図Ａの表示電極構造は上述の問題を解決す
るもので、引きだしを絶縁物で被覆し、保護する
という構造である。そのため構造Ａは特性的には
問題が無い理想的構造であるが、製造上に以下に
述べる重大な問題点を有する。第２図、Ａにおい
て表示部３と絶縁保護膜４を形成する際に、その
両者間の相互の位置合わせを極めて正確（表示部
と絶縁保護膜が重なる事なく、又引きだし部の透
明導電膜が露出する事が無い）に行う必要があ
る。この事は実際の製造においては不可能である
と考えられる。 そこで、構造Ａの問題点を解決する目的で、構
造Ｃ及び構造Ｄが考案された。これらの構造Ｃ，
Ｄは表示の引きだし部における輪郭を絶縁保護膜
５乃至６にて決定するという点で他の構造と基本
的に異る。又、構造Ｃと構造ＤはEC物質が引き
だし部全体を覆うか、一部であるかの相違だけで
製造法、特性ともに基本的に同一である。そこで
主に構造Ｃについて述べる。 構造Ｂの製造法の説明で述べたごとく、透明導
電膜２とEC膜３を全面に蒸着して得て、透明導
電膜２とEC膜３を同一被覆物を用いてエツチン
グし、パターン化された透明導電膜２とEC膜３
を得る。その後SiOx膜等の絶縁膜をマスク蒸着
するかあるいはエポキシ等の樹脂をスクリーン印
刷して絶縁層５を形成し、表示部の輪郭を決定す
る。この構造Ｃは上述したごとく製造上において
は問題は存在しない。しかしながら特性上で以下
に述べる欠点を有している。EC層が所望の表示
部より広いため、陽イオンとエレクロンの注入に
より生成された発色種が表示部を書込んだまま放
置（所謂ゆるメモリー）しておくと、絶縁膜５で
覆われ陽イオンの注入がさまたげられていたEC
層（表示部にあらず）への発色種の濃度勾配によ
る拡散がおこり、所望の表示ができなくなる。し
かも、この拡散により発色した部分は電気的に消
去ができず、表示部を消去した後も発色してい
る。この発色種の拡散速度は、真空蒸着でIn2O3
透明導電膜上に得た絶縁層：エポキシ樹脂、電解
液：1.0M／１過塩素酸リチウム―２エトオキシ
エチルアセテートにおいて、10mC／cm2の電気量
（コントラスト比１：10）で書き込んだ場合約１
mm／時程度と見つもられる。 上述したごとく構造Ｃ，Ｄは発色種の拡散を因
とする表示のにじみにより不適当である。 本発明はこれまで述べてきた欠点をすべて解決
するもので後述する電子絶縁体を有する表示電極
構成に関する。本発明の要旨は、第２図における
構造Ｅの表示電極構造をとり、７で示される電子
絶縁体として、酸化クロム（Cr2O7）の蒸着薄膜
を用いることである。構造Ｂの説明において、先
述したとうりにパターン化された透明導電膜２と
EC物質３の膜を得て（構造Ｂの表示電極）その
後上述した酸化クロムから成る電子絶縁体７を第
２図Ｅに示すようにEC膜３と透明導電膜２の引
きだしを全面覆う如く形成し表示電極を得る。該
電子絶縁体７は、EC物質３と電解液との電気化
学的接続は防げないが、引きだし部の透明電極構
造Ｂ，Ｃ，Ｄの上述した欠点を総べて改良するも
のである。 酸化クロム（Cr2O7）を用いた電子絶縁体７は
透明導電膜２に対して良好な保護効果を発揮し、
またEC物質３の着脱色動作にほとんど影響を与
えない。 今まで述べて来た電子絶縁体７の透明電極に対
する保護効果及びWO3膜のエレクトロクロミツ
ク特性に対する無視し得る程度の悪影響の理由は
以下のごとく説明される。酸化タングステン膜の
エレクトロクロミツク現象は、EC現象の概様で
先述したごとく、透明電極よりエレクトロン、そ
して電解液よりメタル陽イオンの同時２重注入に
より発色種が生成すると理解されており、一方透
明電極の電気化学的破壊は、エレクトロンの電解
液への注入あるいは透明電極よりの酸素の脱離に
より起ると考えられる。我々が用いた酸化クロム
の電子絶縁体７は一般には絶縁物として知られて
おり、エレクトロンの通過に対しては抵抗があ
り、又我々が用いた条件にて形成した膜はイオン
に対しては、伝導体であると理解できるため本発
明における効果が発生すると考えられる。 最後に今までは第２図における表示電極構造Ｅ
についてのみ本発明の効果について述べてきた
が、本発明の電子絶縁体を用いれば構造Ｄにおい
ても同様な効果のある事は自明である事をつけく
わえておき、種々の電極構造によるECセルのエ
ージング試験結果を表１に示し、本発明の効果に
ついて述べる。
収特性の変化する現象所謂エレクトロクロミズム
（以下EC現象と称する）を利用した表示装置（以
下ECD（Electrochromic display）と称する）に
関する。 ECDの概要は、一方の透明電極上に形成した
EC物質、例えば遷移金属酸化物の薄膜層とイオ
ン電導を供する電解液を介してもう一方の電極を
電気化学的に接続し、該遷移金属薄膜層に或る電
位以下に卑の電位を与えると、この酸化物薄膜層
が見かけ上還元されたごとくに電流が流れ、該酸
化物薄膜層は光学特性において第一吸収状態から
第二吸収状態に変化し、逆に貴の電位を与えると
第二吸収状態より第一吸収状態に復帰する。ここ
で第一吸収状態は可視域において吸収が無く（透
明である）、第二吸収状態では種々の吸収特性を
示す（薄膜層が着色する）遷移金属酸化物層とし
て無定型酸化タングステン蒸着膜（WO3膜）を
用いた場合、発色状態はそれぞれ以下のごとく説
明される。以下遷移金属薄膜としては最もEC現
象の顕著なWO3膜を用いるものとする。着色機
構について説明すると、 電解液の正電荷移動担体がプロトン（H+）の場
合、 メタル（M+）の場合（通常アルカリ金属が用いら
れる） である。 ここで一般的なECセルについて述べる。通常
ECDは透過型と反射型が提案されているが、実
際の使用はある背景を与えて使用する所謂反射型
ECDの方がより一般的であると考えられる。こ
こで典型的な反射型ECDの構造について述べ
る。第１図において、１はガラスあるいはプラス
チツクの基板、２はIn2O3透明導電膜（真空蒸着
法で得られる）あるいはネサ膜（SnO2蒸着法あ
るいはスプレイ法で得られる）、３は絶縁膜、４
は遷移金属酸化物薄膜（蒸着法あるいはスパツタ
法で得られるWO3膜）この４者で表示電極を形
成する。（この表示電極の構造は後で詳しく述べ
る）５はスペーサー及びシール用樹脂である。 ６はガラスあるいはプラスチツク、セラミツク
より成る基板、７は先に述べた透明電極あるいは
貴金属薄膜、８は７の電極保護膜（通常は表示電
極に用いたのと同様なる物質が用いられる）この
３者で対向電極を形成する。 ９は電極液であり、先に述べた対向電極は、透
明に構成する事が困難であるため、外部に背景と
成る層を設置する事ができない。この為この電解
液中に任意の顔料を分散させ背景の働きを兼させ
ている。１０は７と同種の透明導電膜で成る参照
電極である。 本発明は、主として先に述べた表示電極構造に
関する。任意のパターンに表示を行う場合、表示
電極構造としては、第２図に示す構造が考えられ
る。同図Ａ乃至Ｅにおいて、１はガラスあるいは
プラスチツクの透明基板、２は透明導電膜
（In2O3あるいはSnO2）、３は蒸着あるいはスパツ
タリングで得られるWO3膜であり３において斜
線のみが表示に用いられる。４は透明導電膜を電
気化学反応より保護する絶縁膜、５は透明導電膜
及び酸化タングステン膜を電気化学的に絶縁する
膜、６も同様である。７は透明導電膜２のみを電
気化学的に絶縁するとともに酸化タングステン膜
３（EC膜、エレクトロクロミツク現象を示す
膜）に対しては電解液と電気化学的に接続する働
きを有する膜であつて（以下電子絶縁体と称す
る）、本発明は、この電子絶縁体の発明に関す
る。ここで第２図において波線より右部が電解液
と接している事を付記する。 次に第２図における各表示電極構造についてそ
れぞれの製造法及び利点・欠点を述べ従来例の説
明とする。 第２図Ｂの表示電極構造は、例えばＢ、Ｗ、
Faugnnan、etal、RCA Rev、36、177（1975）
に示されており、最も簡単な構造であり、それ故
製造も容易である。この構造の表示電極は一般に
以下のごとくに得られる。ガラスあるいはプラス
チツク基板１上に真空蒸着法にて得たSnO2を不
純物としたIn2O3膜、あるいはスプレイ法で得た
As2O5を不純物としたSnO2膜所謂ゆるネサ膜等
を透明導電膜２とし、フオトレジストを用いた電
光現像により、あるいはエポキシ樹脂のスクリー
ン印刷により必要部（表示部及びそれの引きだし
部）を覆いIn2O3膜は鉱酸（通常は塩酸）によ
り、又ネサ膜は亜鉛又はアルミニウム等と鉱酸よ
り得られる発生期の水素によりエツチングしパタ
ーン化を行い透明電極とする。その後該透明電極
上に蒸着あるいはスパツタリングによりEC膜３
（酸化タングステン蒸着膜）を得、上記したと同
様にフオトレジストによる露光現像によりあるい
はエポキシ樹脂のスクリーン印刷により必要部
（表示部）を覆い、アルカリ水溶液にてエツチン
グを行いパターン化し第２図における構造Ｂの表
示電極を得る。この構造Ｂにおいては透明導電膜
２をエツチングする前にEC膜３を蒸着し、引き
だし部のEC膜３をマスク蒸着、エツチング等に
よりあらかじめ除去しておけば、表示電極を形成
する場合EC膜３と透明導電膜２のエツチングを
同じ被覆物（フオトレジストあるいはエポキシ樹
脂）を用いて行う事が可能であるためパターン化
されたEC膜３と透明電極の相互の位置合わせが
容易となる。 上述したごとくこの構造Ｂについては製造上に
おいては問題は無いが、表示部の引きだし部（以
下引きだし）である透明電極が電解液に対して電
気化学的に絶縁されてないため、透明電極は環元
されたり又は酸化され溶出したりして断線すると
いう問題が存在する。 第２図Ａの表示電極構造は上述の問題を解決す
るもので、引きだしを絶縁物で被覆し、保護する
という構造である。そのため構造Ａは特性的には
問題が無い理想的構造であるが、製造上に以下に
述べる重大な問題点を有する。第２図、Ａにおい
て表示部３と絶縁保護膜４を形成する際に、その
両者間の相互の位置合わせを極めて正確（表示部
と絶縁保護膜が重なる事なく、又引きだし部の透
明導電膜が露出する事が無い）に行う必要があ
る。この事は実際の製造においては不可能である
と考えられる。 そこで、構造Ａの問題点を解決する目的で、構
造Ｃ及び構造Ｄが考案された。これらの構造Ｃ，
Ｄは表示の引きだし部における輪郭を絶縁保護膜
５乃至６にて決定するという点で他の構造と基本
的に異る。又、構造Ｃと構造ＤはEC物質が引き
だし部全体を覆うか、一部であるかの相違だけで
製造法、特性ともに基本的に同一である。そこで
主に構造Ｃについて述べる。 構造Ｂの製造法の説明で述べたごとく、透明導
電膜２とEC膜３を全面に蒸着して得て、透明導
電膜２とEC膜３を同一被覆物を用いてエツチン
グし、パターン化された透明導電膜２とEC膜３
を得る。その後SiOx膜等の絶縁膜をマスク蒸着
するかあるいはエポキシ等の樹脂をスクリーン印
刷して絶縁層５を形成し、表示部の輪郭を決定す
る。この構造Ｃは上述したごとく製造上において
は問題は存在しない。しかしながら特性上で以下
に述べる欠点を有している。EC層が所望の表示
部より広いため、陽イオンとエレクロンの注入に
より生成された発色種が表示部を書込んだまま放
置（所謂ゆるメモリー）しておくと、絶縁膜５で
覆われ陽イオンの注入がさまたげられていたEC
層（表示部にあらず）への発色種の濃度勾配によ
る拡散がおこり、所望の表示ができなくなる。し
かも、この拡散により発色した部分は電気的に消
去ができず、表示部を消去した後も発色してい
る。この発色種の拡散速度は、真空蒸着でIn2O3
透明導電膜上に得た絶縁層：エポキシ樹脂、電解
液：1.0M／１過塩素酸リチウム―２エトオキシ
エチルアセテートにおいて、10mC／cm2の電気量
（コントラスト比１：10）で書き込んだ場合約１
mm／時程度と見つもられる。 上述したごとく構造Ｃ，Ｄは発色種の拡散を因
とする表示のにじみにより不適当である。 本発明はこれまで述べてきた欠点をすべて解決
するもので後述する電子絶縁体を有する表示電極
構成に関する。本発明の要旨は、第２図における
構造Ｅの表示電極構造をとり、７で示される電子
絶縁体として、酸化クロム（Cr2O7）の蒸着薄膜
を用いることである。構造Ｂの説明において、先
述したとうりにパターン化された透明導電膜２と
EC物質３の膜を得て（構造Ｂの表示電極）その
後上述した酸化クロムから成る電子絶縁体７を第
２図Ｅに示すようにEC膜３と透明導電膜２の引
きだしを全面覆う如く形成し表示電極を得る。該
電子絶縁体７は、EC物質３と電解液との電気化
学的接続は防げないが、引きだし部の透明電極構
造Ｂ，Ｃ，Ｄの上述した欠点を総べて改良するも
のである。 酸化クロム（Cr2O7）を用いた電子絶縁体７は
透明導電膜２に対して良好な保護効果を発揮し、
またEC物質３の着脱色動作にほとんど影響を与
えない。 今まで述べて来た電子絶縁体７の透明電極に対
する保護効果及びWO3膜のエレクトロクロミツ
ク特性に対する無視し得る程度の悪影響の理由は
以下のごとく説明される。酸化タングステン膜の
エレクトロクロミツク現象は、EC現象の概様で
先述したごとく、透明電極よりエレクトロン、そ
して電解液よりメタル陽イオンの同時２重注入に
より発色種が生成すると理解されており、一方透
明電極の電気化学的破壊は、エレクトロンの電解
液への注入あるいは透明電極よりの酸素の脱離に
より起ると考えられる。我々が用いた酸化クロム
の電子絶縁体７は一般には絶縁物として知られて
おり、エレクトロンの通過に対しては抵抗があ
り、又我々が用いた条件にて形成した膜はイオン
に対しては、伝導体であると理解できるため本発
明における効果が発生すると考えられる。 最後に今までは第２図における表示電極構造Ｅ
についてのみ本発明の効果について述べてきた
が、本発明の電子絶縁体を用いれば構造Ｄにおい
ても同様な効果のある事は自明である事をつけく
わえておき、種々の電極構造によるECセルのエ
ージング試験結果を表１に示し、本発明の効果に
ついて述べる。
【表】
表１より本発明による電子絶縁体コートによる
構造ＥのECセルは飛躍的に長寿命である事がわ
かる。 以上、本発明により酸化タングステン・エレク
トロクロミツク表示装置の長寿命化が可能とな
り、効果は絶大である。
構造ＥのECセルは飛躍的に長寿命である事がわ
かる。 以上、本発明により酸化タングステン・エレク
トロクロミツク表示装置の長寿命化が可能とな
り、効果は絶大である。
第１図は反射型ECDの構成図、第２図Ａ乃至
Ｄは従来の表示電極構成図、同Ｅは本発明一実施
例の表示電極構成図である。 １……透明基板、２……透明導電膜、３……
EC膜（酸化タングステン膜）、４乃至６……絶縁
膜、７……電子絶縁体。
Ｄは従来の表示電極構成図、同Ｅは本発明一実施
例の表示電極構成図である。 １……透明基板、２……透明導電膜、３……
EC膜（酸化タングステン膜）、４乃至６……絶縁
膜、７……電子絶縁体。
Claims (1)
- １ 電界の印加によりエレクトロクロミズム現象
を呈する遷移金属酸化物を透明導電膜上にパター
ン形成し、前記遷移金属酸化物の呈脱色を律する
電解液を介在せしめて成るエレクトロクロミツク
表示装置において、前記遷移金属酸化物表面と前
記透明導電膜の前記遷移金属酸化物が形成されな
い露呈面の全域に陽イオンを通過させ電子を遮断
する酸化クロムの蒸着薄膜が被覆され、該蒸着薄
膜を介して前記遷移金属酸化物と前記透明導電膜
を前記電解液と電気化学的に接続したことを特徴
とするエレクトロクロミツク表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11047076A JPS5335565A (en) | 1976-09-14 | 1976-09-14 | Electrochromic display device |
| CH1118677A CH638638A5 (de) | 1976-09-14 | 1977-09-13 | Elektrochrome wiedergabevorrichtung. |
| DE2741440A DE2741440C2 (de) | 1976-09-14 | 1977-09-14 | Anzeigeelektrodenteil einer elektrochromatischen Anzeigevorrichtung |
| US06/277,656 US4375319A (en) | 1976-09-14 | 1981-06-26 | Electrochromic display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11047076A JPS5335565A (en) | 1976-09-14 | 1976-09-14 | Electrochromic display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5335565A JPS5335565A (en) | 1978-04-03 |
| JPS6223293B2 true JPS6223293B2 (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=14536509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11047076A Granted JPS5335565A (en) | 1976-09-14 | 1976-09-14 | Electrochromic display device |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4375319A (ja) |
| JP (1) | JPS5335565A (ja) |
| CH (1) | CH638638A5 (ja) |
| DE (1) | DE2741440C2 (ja) |
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1976
- 1976-09-14 JP JP11047076A patent/JPS5335565A/ja active Granted
-
1977
- 1977-09-13 CH CH1118677A patent/CH638638A5/de not_active IP Right Cessation
- 1977-09-14 DE DE2741440A patent/DE2741440C2/de not_active Expired
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1981
- 1981-06-26 US US06/277,656 patent/US4375319A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4375319A (en) | 1983-03-01 |
| CH638638A5 (de) | 1983-09-30 |
| DE2741440C2 (de) | 1982-12-30 |
| DE2741440A1 (de) | 1978-03-16 |
| JPS5335565A (en) | 1978-04-03 |
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