JPS6214118A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
- Publication number
- JPS6214118A JPS6214118A JP60152425A JP15242585A JPS6214118A JP S6214118 A JPS6214118 A JP S6214118A JP 60152425 A JP60152425 A JP 60152425A JP 15242585 A JP15242585 A JP 15242585A JP S6214118 A JPS6214118 A JP S6214118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- counter electrode
- solder
- upper counter
- electrochromic
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエレクトロクロミック素子に関する。
エレクトロクロミック素子の構成例を第３図に示す。
この素子は、透明基体１上に、下部表示電極及びその引
出し部２、エレクトロクロミック層３及び上部対向電極
４を順次積層した構造を有し、前記エレクトロクロミッ
ク層３は、例えば、ＩｒＯｘ。
出し部２、エレクトロクロミック層３及び上部対向電極
４を順次積層した構造を有し、前記エレクトロクロミッ
ク層３は、例えば、ＩｒＯｘ。
Ｎｉ（ＯＨ）２等の酸化発色性物質で構成される第１エ
レクトロクロミック層５、Ｔａ２０５． ＺｒＯ２等の
酸化物、ＬｉＦ 、 ＭｇＦ２等のフッ化物誘電体から
成る中間絶縁１ｉ６、ＷＯ，の還元発色性物質で構成さ
れる第２エレクトロクロミック層７を有している。透明
基体１はガラス板、ポリイミド等透明樹脂板などで構成
され、下部表示電極２は、ＩＴＯ膜（ｒｎ２ｏｓ中にＳ
ｎＯ２をドープしたもの）やネサ膜（５ｎＯｚ ）で
構成される。
レクトロクロミック層５、Ｔａ２０５． ＺｒＯ２等の
酸化物、ＬｉＦ 、 ＭｇＦ２等のフッ化物誘電体から
成る中間絶縁１ｉ６、ＷＯ，の還元発色性物質で構成さ
れる第２エレクトロクロミック層７を有している。透明
基体１はガラス板、ポリイミド等透明樹脂板などで構成
され、下部表示電極２は、ＩＴＯ膜（ｒｎ２ｏｓ中にＳ
ｎＯ２をドープしたもの）やネサ膜（５ｎＯｚ ）で
構成される。
この様な構成のエレクトロクロミック素子は、電極２，
４間に電圧を印加することによって電気化学反応が誘起
され、着色・消色を行なう。
４間に電圧を印加することによって電気化学反応が誘起
され、着色・消色を行なう。
例えば、層５をＩｒｏＸｓ層７を罰、で構成し、層２側
をプラス（＋）、層４側をマイナス（−）に印加すると
、Ｉ ｒｏｘ及びｗｏ３は、それぞれ、ＩｒＯ：ｔ＋ｙ
Ｈ２０ａｄ−ＩｒＯｘ（ＯＨ）ｙ＋ｙＨ”＋ｙｅ−ＷＱ
３＋ ’ＪｔＨ＋ ｙｅ−−→ＨｙＷＯｓ（但し、Ｈ２
０ａ ｄは素子中に含まれる吸着水を示す。）なる反応
により、着色種Ｉｒ０ｘ（ＯＨ）ｙ、 ＨｙＷＯ３ｉｓ
生成して発色し、電界を逆転することにより上記と逆の
反応が起り消色するものと考えられている。
をプラス（＋）、層４側をマイナス（−）に印加すると
、Ｉ ｒｏｘ及びｗｏ３は、それぞれ、ＩｒＯ：ｔ＋ｙ
Ｈ２０ａｄ−ＩｒＯｘ（ＯＨ）ｙ＋ｙＨ”＋ｙｅ−ＷＱ
３＋ ’ＪｔＨ＋ ｙｅ−−→ＨｙＷＯｓ（但し、Ｈ２
０ａ ｄは素子中に含まれる吸着水を示す。）なる反応
により、着色種Ｉｒ０ｘ（ＯＨ）ｙ、 ＨｙＷＯ３ｉｓ
生成して発色し、電界を逆転することにより上記と逆の
反応が起り消色するものと考えられている。
この発消色反応において、中間絶縁層６は、Ｈ２０ａｄ
の供給源であると同時に、着色種の再結合による逆反応
を防ぐこと、換言すれば、イオンの導通と電子のブロッ
キングを行うという働きを有する。
の供給源であると同時に、着色種の再結合による逆反応
を防ぐこと、換言すれば、イオンの導通と電子のブロッ
キングを行うという働きを有する。
従来、この様な層構成の素子をデバイス化し、セル組み
するときには、第３図において、第１エレクトロクロミ
ック層５、中間絶縁層６、第２エレクトロクロミック層
７、をパターニングし、前記５〜７のパターンとネガの
パターンで、基板上の引き回し電極上に絶縁層８（中間
絶縁層６の様なイオン導伝性はなく、電子ブロックのみ
できる層）を形成し、この絶縁層はまた、第２電極４と
第２電極４用引き回し電極１１とを接触させる為にコン
タクトホール１２を持つ様パターニングされている。
するときには、第３図において、第１エレクトロクロミ
ック層５、中間絶縁層６、第２エレクトロクロミック層
７、をパターニングし、前記５〜７のパターンとネガの
パターンで、基板上の引き回し電極上に絶縁層８（中間
絶縁層６の様なイオン導伝性はなく、電子ブロックのみ
できる層）を形成し、この絶縁層はまた、第２電極４と
第２電極４用引き回し電極１１とを接触させる為にコン
タクトホール１２を持つ様パターニングされている。
この様に、第２１ＩＣ極４を駆動系へと引き回す為には
、絶縁層８にコンタクトホール１２を設けなければなら
ず、また、このコンタクトホール１２にエレクトロクロ
ミック素子を形成する第１エレクトロクロミック層５、
中間絶縁層６、第２エレクトロクロミック層７、の各層
が重なυ合わない様にノ量ターニングしなければならな
い。
、絶縁層８にコンタクトホール１２を設けなければなら
ず、また、このコンタクトホール１２にエレクトロクロ
ミック素子を形成する第１エレクトロクロミック層５、
中間絶縁層６、第２エレクトロクロミック層７、の各層
が重なυ合わない様にノ量ターニングしなければならな
い。
バターニング工程が多く入ると、その分だけ損失が多き
くなったり、また、エレクトロクロミック層が劣化する
など、製作、性能の両面に渡り、大きな欠点を有するこ
とになる。
くなったり、また、エレクトロクロミック層が劣化する
など、製作、性能の両面に渡り、大きな欠点を有するこ
とになる。
本発明は、上述した従来の問題点、即ち、エレクトロク
ロミック素子の製造の際に生ずる、・９ターンニング工
程に起因する歩留りの低下や、素子特性の劣化といった
問題点を解決するためになされたものでおる。
ロミック素子の製造の際に生ずる、・９ターンニング工
程に起因する歩留りの低下や、素子特性の劣化といった
問題点を解決するためになされたものでおる。
上記問題点は、基体上に積層された下部表示電極、エレ
クトロクロミック層及び上部対向電極を有するエレクト
ロクロミック素子において、前記基体上に前記上部対向
電極の引出し電極が配置され、この引出し電極の上に位
置する層を貫通する超音波半田を介して前記上部対向電
極と接続されていることを特徴とする本発明のエレクト
ロクロミック素子によって達成される。
クトロクロミック層及び上部対向電極を有するエレクト
ロクロミック素子において、前記基体上に前記上部対向
電極の引出し電極が配置され、この引出し電極の上に位
置する層を貫通する超音波半田を介して前記上部対向電
極と接続されていることを特徴とする本発明のエレクト
ロクロミック素子によって達成される。
以下、添付した図面に示した実施例に即して、本発明を
更に詳しく説明する。
更に詳しく説明する。
第３図と同一の要素を同一の符号で表わすと、第１図及
び第２図の例では、上部対向電極４の引出し電極ｌｌ上
に位置する絶縁体層８、第１エレクトロクロミック層５
、中間絶縁層６及び第２エレクトロクロミック層７を貫
通する様に超音波半田１３が施され、この半田１３を介
して上部対向電極４と引出し電極１１とが接続され、電
気的導通を得る様にしている。
び第２図の例では、上部対向電極４の引出し電極ｌｌ上
に位置する絶縁体層８、第１エレクトロクロミック層５
、中間絶縁層６及び第２エレクトロクロミック層７を貫
通する様に超音波半田１３が施され、この半田１３を介
して上部対向電極４と引出し電極１１とが接続され、電
気的導通を得る様にしている。
超音波半田とは、半田ごてを超音波にて震動させ、その
震動をもって、物質に微細なきすをつけ、物質表面に凹
凸を形成すると同時に、物質表面にきすをつけることに
より新しい面（例えば酸化などがされている面を新鮮な
面）にすることができ、この面に１物質とある程度の密
着性のある半田（化学的に物質と密着、また、凹凸があ
るためよりつきやすくなっている）を熱で溶けた状聾で
接触させて半田を形成することができる。
震動をもって、物質に微細なきすをつけ、物質表面に凹
凸を形成すると同時に、物質表面にきすをつけることに
より新しい面（例えば酸化などがされている面を新鮮な
面）にすることができ、この面に１物質とある程度の密
着性のある半田（化学的に物質と密着、また、凹凸があ
るためよりつきやすくなっている）を熱で溶けた状聾で
接触させて半田を形成することができる。
本発明では、この様な超音波半田を用いて第２図におい
て、例えば、５，６．７の様な層をつき破って、対向電
極４と引出し電極１１をコンタクトさせようとするもの
である。（第２図参照）ただし、エレクトロクロミック
層等への熱衝撃を考えると、半田は１５０℃以下の温度
で溶けるものを使用するのが好ましい。
て、例えば、５，６．７の様な層をつき破って、対向電
極４と引出し電極１１をコンタクトさせようとするもの
である。（第２図参照）ただし、エレクトロクロミック
層等への熱衝撃を考えると、半田は１５０℃以下の温度
で溶けるものを使用するのが好ましい。
実施例
第１図において、絶縁層８をパターニング形成し、Ｉｒ
Ｏｘ膜５をスパッタ方法によって２００Ｘパターニング
形成し、次いでＴａ２０５膜６、ＷＯ３膜７を、真空蒸
着方法にて、それぞれ３０００Ｘ、 ４０００Ｘ形成し
、また、絶縁層８をイオングレーティング方法にて一１
更にＩＴＯ膜４を１００ＯＸ （透過率８７％抵抗値４
０Ω／口）形成した。ただし、Ｉ ｒｏｘ膜は抵抗値が
Ｔａ Ｏ膜やＷＯ５膜に比べはるかに低いので・母り−
ニングした。
Ｏｘ膜５をスパッタ方法によって２００Ｘパターニング
形成し、次いでＴａ２０５膜６、ＷＯ３膜７を、真空蒸
着方法にて、それぞれ３０００Ｘ、 ４０００Ｘ形成し
、また、絶縁層８をイオングレーティング方法にて一１
更にＩＴＯ膜４を１００ＯＸ （透過率８７％抵抗値４
０Ω／口）形成した。ただし、Ｉ ｒｏｘ膜は抵抗値が
Ｔａ Ｏ膜やＷＯ５膜に比べはるかに低いので・母り−
ニングした。
次に、半田に≠１４３のセラソルザを用い、超音波半田
により、ガラス基板上の引出し電極１１と上部対向′電
極４をコンタクトさせた。
により、ガラス基板上の引出し電極１１と上部対向′電
極４をコンタクトさせた。
この様にして、できたデバイスは、下部表示電極２の引
き回し線上にも、いわゆる単極発色型エレクトロクロミ
ック素子ができてしまい、駆動電圧が高かったり、低電
圧、駆動でも、長時間印加していると発色してしまうが
、印加電圧を１．５ｖ印加時間を３００ ｍ ｓｅｅ以
内に押えておけば、目に見えて発色することがない為、
充分に使用することができた。
き回し線上にも、いわゆる単極発色型エレクトロクロミ
ック素子ができてしまい、駆動電圧が高かったり、低電
圧、駆動でも、長時間印加していると発色してしまうが
、印加電圧を１．５ｖ印加時間を３００ ｍ ｓｅｅ以
内に押えておけば、目に見えて発色することがない為、
充分に使用することができた。
この様に本発明によれば超音波半田を使用することＫよ
って、例えば第１図及び第２図の例の様に引き回し線上
、のオーバーコートとしての絶縁層８と第１エレクトロ
クロミック層５を、（ＩｒＯｘ膜の場合）ネガ、４ノに
ノ９ターニングするだけで良く、上部電体４と第２電極
用引出し電極１１の位置合わせの必要もなくなった。
って、例えば第１図及び第２図の例の様に引き回し線上
、のオーバーコートとしての絶縁層８と第１エレクトロ
クロミック層５を、（ＩｒＯｘ膜の場合）ネガ、４ノに
ノ９ターニングするだけで良く、上部電体４と第２電極
用引出し電極１１の位置合わせの必要もなくなった。
部エリア。
また、ノ母ターニングによって、第２エレクトロクロミ
ック層７を劣化したり、歩留りを悪くするなどの影響も
、パターニング工程の減少により少なくなυ、デバイス
にしたときの性能も従来よりも良くなる。
ック層７を劣化したり、歩留りを悪くするなどの影響も
、パターニング工程の減少により少なくなυ、デバイス
にしたときの性能も従来よりも良くなる。
本発明のエレクトロクロミック素子は、また・母ターニ
ングと言う工程を省けるばかりでなく、デバイス形状が
変化しても、引出し電極形状さえ適宜変更すれば、後工
程はほとんど変更なしにすることができる。
ングと言う工程を省けるばかりでなく、デバイス形状が
変化しても、引出し電極形状さえ適宜変更すれば、後工
程はほとんど変更なしにすることができる。
第１図は、本発明のエレクトロクロミック素子を用いた
表示セルの平面図である。 第２図は、第１図中のｎ −ｎ’縦断面図である。 第３図は従来のエレクトロクロミック素子の構成を説明
するだめの縦断面図である。
表示セルの平面図である。 第２図は、第１図中のｎ −ｎ’縦断面図である。 第３図は従来のエレクトロクロミック素子の構成を説明
するだめの縦断面図である。
Claims (1)
- 基体上に積層された下部表示電極、エレクトロクロミッ
ク層及び上部対向電極を有するエレクトロクロミック素
子において、前記基体上に前記上部対向電極の引出し電
極が配置され、この引出し電極の上に位置する層を貫通
する超音波半田を介して前記上部対向電極と接続されて
いることを特徴とするエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152425A JPS6214118A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152425A JPS6214118A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6214118A true JPS6214118A (ja) | 1987-01-22 |
Family
ID=15540234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60152425A Pending JPS6214118A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6214118A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544462B1 (en) | 1998-03-31 | 2003-04-08 | Ube Nitto Kasei Co., Ltd. | Drawing method |
| CN102460292A (zh) * | 2009-04-16 | 2012-05-16 | 法国圣戈班玻璃厂 | 具有受控透明度的电致变色器件 |
| JP2012524291A (ja) * | 2009-04-16 | 2012-10-11 | セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッド | 透明度制御エレクトロクロミック素子 |
| WO2015016764A1 (en) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | Chromogenics Ab | Contacting of electrochromic devices |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60152425A patent/JPS6214118A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544462B1 (en) | 1998-03-31 | 2003-04-08 | Ube Nitto Kasei Co., Ltd. | Drawing method |
| CN102460292A (zh) * | 2009-04-16 | 2012-05-16 | 法国圣戈班玻璃厂 | 具有受控透明度的电致变色器件 |
| JP2012524291A (ja) * | 2009-04-16 | 2012-10-11 | セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッド | 透明度制御エレクトロクロミック素子 |
| JP2012524290A (ja) * | 2009-04-16 | 2012-10-11 | セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッド | 透明度制御エレクトロクロミック素子 |
| WO2015016764A1 (en) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | Chromogenics Ab | Contacting of electrochromic devices |
| US9778531B2 (en) | 2013-07-29 | 2017-10-03 | Chromogenics Ab | Contacting of electrochromic devices |
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