JPS5880623A - エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示素子Info
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- JPS5880623A JPS5880623A JP56178997A JP17899781A JPS5880623A JP S5880623 A JPS5880623 A JP S5880623A JP 56178997 A JP56178997 A JP 56178997A JP 17899781 A JP17899781 A JP 17899781A JP S5880623 A JPS5880623 A JP S5880623A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- electrode
- display element
- electrodes
- electrochromic display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/155—Electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電圧の印加により着色するエレクトロクロミッ
ク（以下ＥＣと略す）物質を利用し九１０表示素子−に
用いる表示用透明電極に関するものであり、更に詳しく
は、透明基板上に、網目状に形成された金属電極層と更
にこの上に（成された酸化物透明電極とから成る複合電
極を用い、光透過率が高く、かつ電気抵抗の小さい表示
電極を作成し、比較的大面積の表示体においても電極抵
抗による印加電圧の損失がなく、嚢示面全体にわたり均
一で、速い応答速度を得られるようにした改良されたＥ
Ｃ表示素子を得ることを目的としたものである。
ク（以下ＥＣと略す）物質を利用し九１０表示素子−に
用いる表示用透明電極に関するものであり、更に詳しく
は、透明基板上に、網目状に形成された金属電極層と更
にこの上に（成された酸化物透明電極とから成る複合電
極を用い、光透過率が高く、かつ電気抵抗の小さい表示
電極を作成し、比較的大面積の表示体においても電極抵
抗による印加電圧の損失がなく、嚢示面全体にわたり均
一で、速い応答速度を得られるようにした改良されたＥ
Ｃ表示素子を得ることを目的としたものである。
従来、ＥＣ表示素子は第１図に示すごとく、Ｓｎｏｗ、
工ｎ！Ｏ８などの透明電極Ｃ）を備えた透明圏枦（１）
の上に非晶質酸化タングステン（・−ＶＯａ）膜、有機
高分子膜等のＥＣ物質（８）を形成した表示電極基板と
、ガラス、セラミックスなど力）ら成る基板（４）の上
に形成された電極（５）上に対向電極として黒鉛と二酸
化マンガン、酸化ノくナジウム等に代表される各種酸化
物等との混合宵１極（６）を形成した対向電極基板とを
対向配置させ、周辺を封止部材（７）でシールし、形成
される空隙にＥＣ物質を着色させうるイオンを含む電解
質（８）と必要に応じて、表示の背景を与える長子り室
体（９）を配置したものが知られている。
工ｎ！Ｏ８などの透明電極Ｃ）を備えた透明圏枦（１）
の上に非晶質酸化タングステン（・−ＶＯａ）膜、有機
高分子膜等のＥＣ物質（８）を形成した表示電極基板と
、ガラス、セラミックスなど力）ら成る基板（４）の上
に形成された電極（５）上に対向電極として黒鉛と二酸
化マンガン、酸化ノくナジウム等に代表される各種酸化
物等との混合宵１極（６）を形成した対向電極基板とを
対向配置させ、周辺を封止部材（７）でシールし、形成
される空隙にＥＣ物質を着色させうるイオンを含む電解
質（８）と必要に応じて、表示の背景を与える長子り室
体（９）を配置したものが知られている。
又、更に別な例としては、第１図のＥＣ物質（８）と電
解質（８）とに代えて、有機ビオロゲン水溶液等のｚ’
ｃ物質を含む電解液を用いたものも知られている。かか
るｇｃ素子を動作させるには、表示極を負（又は正）に
して対向電極との間に０５〜２ｖの電圧を印加すること
によｙ、ｇｃ動物質還元（又は酸化）させて着色状態と
し、逆に表示極を正（又は負）にして対向電極との間に
θ〜２ｖの電圧を印加することにより、ＥＣ物質を再び
元の状態に戻すことにより消去が成される。この時、充
分なコントラストを得るために必要な電気量は使用され
るＥ、Ｏ物質により異なるが、通常は２〜２．０ ｍ
（、／ｃｒＡ程度である。
解質（８）とに代えて、有機ビオロゲン水溶液等のｚ’
ｃ物質を含む電解液を用いたものも知られている。かか
るｇｃ素子を動作させるには、表示極を負（又は正）に
して対向電極との間に０５〜２ｖの電圧を印加すること
によｙ、ｇｃ動物質還元（又は酸化）させて着色状態と
し、逆に表示極を正（又は負）にして対向電極との間に
θ〜２ｖの電圧を印加することにより、ＥＣ物質を再び
元の状態に戻すことにより消去が成される。この時、充
分なコントラストを得るために必要な電気量は使用され
るＥ、Ｏ物質により異なるが、通常は２〜２．０ ｍ
（、／ｃｒＡ程度である。
ところで、第１図の（２）で示される透明電極は通常酸
化スズを５〜２０％含む酸化インジウム（工ＴＯ）や酸
化アンチモンを３〜１０１含む酸□化スズ（ＴｉＣ）な
どにより作られ、これらの材料はそれぞれ２〜１’０Ｘ
１０ ．１〜５×１００・釧程度の比抵抗を有し、電極
としては必ずしも充分低抵抗でおるとは言えない。通常
使用される工Ｔ Ｏ，、Ｔ ＡＯの膜厚は５００Ｘ−３
０００Ｘ程度であり、電極抵抗は面積抵抗が１０Ω１０
〜１００Ω／口のものが用いられている。こうした面積
抵抗値は、上記のＥＣ表示素子の動作に必要な電気量か
ら考えてＢ、Ｏ表示素子の寸法が小さい時や、表示密度
が低い場合には特に問題と寿ることはないが、逆にＥＣ
表示素子の寸法が大きくなる場合や、表示内容が複雑と
なり、多数の表示セグメントを配置するようになると、
電極の抵抗による電圧降下が素子の応答速度すなわち電
流密度に影響を及ばずことが明らかである。
化スズを５〜２０％含む酸化インジウム（工ＴＯ）や酸
化アンチモンを３〜１０１含む酸□化スズ（ＴｉＣ）な
どにより作られ、これらの材料はそれぞれ２〜１’０Ｘ
１０ ．１〜５×１００・釧程度の比抵抗を有し、電極
としては必ずしも充分低抵抗でおるとは言えない。通常
使用される工Ｔ Ｏ，、Ｔ ＡＯの膜厚は５００Ｘ−３
０００Ｘ程度であり、電極抵抗は面積抵抗が１０Ω１０
〜１００Ω／口のものが用いられている。こうした面積
抵抗値は、上記のＥＣ表示素子の動作に必要な電気量か
ら考えてＢ、Ｏ表示素子の寸法が小さい時や、表示密度
が低い場合には特に問題と寿ることはないが、逆にＥＣ
表示素子の寸法が大きくなる場合や、表示内容が複雑と
なり、多数の表示セグメントを配置するようになると、
電極の抵抗による電圧降下が素子の応答速度すなわち電
流密度に影響を及ばずことが明らかである。
このため、外部から印加する電圧を大きくし、表示セグ
メントに印加される電圧を一定とする方法も考えられて
いるが、この方法では、電極自身の劣化を招来し易く、
必ずしも常に有効な方法とは成り得ない。
メントに印加される電圧を一定とする方法も考えられて
いるが、この方法では、電極自身の劣化を招来し易く、
必ずしも常に有効な方法とは成り得ない。
本発明はこうした点を解決する尋め考案されたもので、
ＥＣ表示素子の大面積化、高密度化に対しても応答速度
を大巾に低下させることなく、又、同時に表示電極に必
要な高透過率を祠持させうる様にしたものである。
ＥＣ表示素子の大面積化、高密度化に対しても応答速度
を大巾に低下させることなく、又、同時に表示電極に必
要な高透過率を祠持させうる様にしたものである。
以下に更に詳細な説明を行う。第２図は本発明に用５い
られる網目状金属電極の一部を拡大して示したものであ
るが、ここに示すように、第１層目に形成される金属電
極層は少くとも可視光透過率が８０％以上であるような
面積比率で透明基板上に形成される。この時の網目の形
状は特に指定することはないが、外観上、肉眼で識別で
きない程度に充分細線で構成されていることが必要であ
り、金属部分の線巾は５０μ以下、好ましくは１０μ以
下であることが望まれる−０このような細線からなる網
状ノシターンを形成する方法は自由に選択できるもので
あり、既知の各種のパターン形成方法、即ち、フォト１
）ングラフイー、印刷、ノくターン蒸着法などが採用さ
れうる。こうして得られる金属電極の抵抗値は１Ω／口
程度以下であることが好ましい。
られる網目状金属電極の一部を拡大して示したものであ
るが、ここに示すように、第１層目に形成される金属電
極層は少くとも可視光透過率が８０％以上であるような
面積比率で透明基板上に形成される。この時の網目の形
状は特に指定することはないが、外観上、肉眼で識別で
きない程度に充分細線で構成されていることが必要であ
り、金属部分の線巾は５０μ以下、好ましくは１０μ以
下であることが望まれる−０このような細線からなる網
状ノシターンを形成する方法は自由に選択できるもので
あり、既知の各種のパターン形成方法、即ち、フォト１
）ングラフイー、印刷、ノくターン蒸着法などが採用さ
れうる。こうして得られる金属電極の抵抗値は１Ω／口
程度以下であることが好ましい。
従って、網目状パタニン形状、膜厚、材質はこうした点
と先述の可視光透過率から自ら決まる範囲に設定すべき
であり、かつＥＣ表示素子内での安定を充分考應すべき
ものである。
と先述の可視光透過率から自ら決まる範囲に設定すべき
であり、かつＥＣ表示素子内での安定を充分考應すべき
ものである。
本発明者は種々検討の結果、金属材料としては、Ｐｔ、
Ａｕ、 Ａｇ、 ＡＩ、 Ｏｕ、 Ｎｉ、 Ｔｉ、
Ｏｒ、 Ｍｏ、 Ｗ等の金属が使用でき、中でもＡｕ、
Ｎｉ、 Ｔｉが適当であることを見出した。父■己く
タメ杉状は、細糾の巾５〜°２０μ、平均細線間の距離
を５０〜１００μとした時に、良好な可視光透過率を得
、膜厚を・Ｑ音電〜２μとした時に充分低抵抗の電極膜
を得ることを見出した。
Ａｕ、 Ａｇ、 ＡＩ、 Ｏｕ、 Ｎｉ、 Ｔｉ、
Ｏｒ、 Ｍｏ、 Ｗ等の金属が使用でき、中でもＡｕ、
Ｎｉ、 Ｔｉが適当であることを見出した。父■己く
タメ杉状は、細糾の巾５〜°２０μ、平均細線間の距離
を５０〜１００μとした時に、良好な可視光透過率を得
、膜厚を・Ｑ音電〜２μとした時に充分低抵抗の電極膜
を得ることを見出した。
かかる金属の一目状電極はこれ自体が電極としての機能
をある程度有するものであるが、梃にこの上に酸化物透
明電極を形成することにより、その性能を更に良好なも
のとすることができる。ここで形成される酸化物は好ま
しくは酸化アンチモンを３〜！θ％含む酸化錫か、又は
酸化カドミウムと酸化スズの複合酸化物が用いられるが
、場合によっては工Ｔｏも充分実用に供しうる。この時
形成される酸化物透明電極の抵抗値は］！ｉａ表示素子
の寸法や、下層に形成された金属電極の網目形状、抵抗
値により異なるが、通常は１００Ω／口〜１０００Ω／
口で充分使用でき、比較的薄い膜厚のものが用やられる
。酸化錫電極の場１合の膜厚としては、２０−０〜２．
０００ Ａ程度、ＩＴＯ電極の紮７合には１００〜５０
０Ｘ程度で充分であり、これらは光学的に見て極めて′
高い透過率を示し、不要な干渉を示すことの無い膜を得
ることができる範囲を含んでいる。
をある程度有するものであるが、梃にこの上に酸化物透
明電極を形成することにより、その性能を更に良好なも
のとすることができる。ここで形成される酸化物は好ま
しくは酸化アンチモンを３〜！θ％含む酸化錫か、又は
酸化カドミウムと酸化スズの複合酸化物が用いられるが
、場合によっては工Ｔｏも充分実用に供しうる。この時
形成される酸化物透明電極の抵抗値は］！ｉａ表示素子
の寸法や、下層に形成された金属電極の網目形状、抵抗
値により異なるが、通常は１００Ω／口〜１０００Ω／
口で充分使用でき、比較的薄い膜厚のものが用やられる
。酸化錫電極の場１合の膜厚としては、２０−０〜２．
０００ Ａ程度、ＩＴＯ電極の紮７合には１００〜５０
０Ｘ程度で充分であり、これらは光学的に見て極めて′
高い透過率を示し、不要な干渉を示すことの無い膜を得
ることができる範囲を含んでいる。
実施例１
ガラス基板上に真空蒸着法でＯｒを２００Ｘ厚に形成し
、続いてＡｕを２０００Ｘ形成して得た複層膜をフォト
リングラフ法にょシ第２図（ａ）の形状にパターニング
して網目状金属電極を全面に形成した。次いで、この上
にスパッタリングにより工ｎｇｏｓ−８’ｎ（１＊膜（
工Ｔｏ膜）を７００スの厚さに形成した。こうして得ら
れた複層透明電極は、約１０／口の面積抵抗であった。
、続いてＡｕを２０００Ｘ形成して得た複層膜をフォト
リングラフ法にょシ第２図（ａ）の形状にパターニング
して網目状金属電極を全面に形成した。次いで、この上
にスパッタリングにより工ｎｇｏｓ−８’ｎ（１＊膜（
工Ｔｏ膜）を７００スの厚さに形成した。こうして得ら
れた複層透明電極は、約１０／口の面積抵抗であった。
この電極を再びフォトリングラフ法で第３図に示す７−
セグメントの電極形状とし、更に・−Ｗ’Ｏａ膜を５０
００Ｘの厚さに形成して、肩。
セグメントの電極形状とし、更に・−Ｗ’Ｏａ膜を５０
００Ｘの厚さに形成して、肩。
水用基板とした。
第４図は、この第３図のパターンのＸＸ面端面図であシ
、ガラス基板（４１）上に網目状金属電極（４２）、工
Ｔｏ膜（４３）、拳、−ｗｏ３によるＥＣ膜（４４）が
形成されている。なお、網目状金属電極（４２）は、網
目状に形成されているため、実質的には工ＴＯ膜は直接
ガラス基板に接するところよシ、表面が凸凹することと
なるが、この図ではそこまで詳細には示していない。
、ガラス基板（４１）上に網目状金属電極（４２）、工
Ｔｏ膜（４３）、拳、−ｗｏ３によるＥＣ膜（４４）が
形成されている。なお、網目状金属電極（４２）は、網
目状に形成されているため、実質的には工ＴＯ膜は直接
ガラス基板に接するところよシ、表面が凸凹することと
なるが、この図ではそこまで詳細には示していない。
この時の表示セグメントのｌｌ１ｃ膜の面積は約５ｃＰ
／ｌであった。
／ｌであった。
又、対向電極は、ガラス基板上に黒ｉと二酸化マンガン
の混合電極を用いて形成し、この裏基板と前記表示用基
板を内部にアルミナ製の背景板を介して周辺でシールし
、電解液を注入して封止してセル化した。この素子に１
．５ｖの電圧を印加したところ応答速度は約０．８秒で
あった。一方、２０Ω１０の面積抵抗値を持っＩＴＯ電
極を用いて同様の表示極パターンを形成Ｃて得た。素子
の着色応答速度は５秒であり、複合電極は極めて良好な
応答性を示したｂ 実施例２ 実施例１のＡｕに代えて、ニッケルを約５０００スの厚
３さに形成したものを、ＩＴＯに代えてＴＡ９を約１ｏ
ｏｏＸ形成したものについてもほぼ同一の結果が得られ
た。
の混合電極を用いて形成し、この裏基板と前記表示用基
板を内部にアルミナ製の背景板を介して周辺でシールし
、電解液を注入して封止してセル化した。この素子に１
．５ｖの電圧を印加したところ応答速度は約０．８秒で
あった。一方、２０Ω１０の面積抵抗値を持っＩＴＯ電
極を用いて同様の表示極パターンを形成Ｃて得た。素子
の着色応答速度は５秒であり、複合電極は極めて良好な
応答性を示したｂ 実施例２ 実施例１のＡｕに代えて、ニッケルを約５０００スの厚
３さに形成したものを、ＩＴＯに代えてＴＡ９を約１ｏ
ｏｏＸ形成したものについてもほぼ同一の結果が得られ
た。
実施例３
同様に、金属材料としてＡｇ、 ＡＩ、 Ｔ ｉ、 Ｍ
Ｏ，Ｗ。
Ｏ，Ｗ。
Ｏｒ、 Ｐｔをそれぞれスパッタ、ＥＢ蒸着法等にょ多
形成した網目状電極は、数０７口以下の面抵抗を示し、
更にこの上に、■Ｔｏ、ＴＡＯの透明電極を形成した後
にも、良好な可視光透過率を示し、ｇｃ表示素子電極と
して優れたものであった。
形成した網目状電極は、数０７口以下の面抵抗を示し、
更にこの上に、■Ｔｏ、ＴＡＯの透明電極を形成した後
にも、良好な可視光透過率を示し、ｇｃ表示素子電極と
して優れたものであった。
本発明は、このように大型のＥＣ表示素子の応答を速め
るのに大きな効果を有するものであり、ここに示した表
示素子構造の外、例えば、対向電極もＥＣ物質とする、
参照又はダミー電極を設ける、電極の非表示部に各種オ
ーバーコートをする、ＥＣ物質を２種以上用いる等も可
能であり、パターンも日の字パターン以外の田の字パタ
ーン、図形、アナログ表示時計パターニング々の応用が
可能なものである。
るのに大きな効果を有するものであり、ここに示した表
示素子構造の外、例えば、対向電極もＥＣ物質とする、
参照又はダミー電極を設ける、電極の非表示部に各種オ
ーバーコートをする、ＥＣ物質を２種以上用いる等も可
能であり、パターンも日の字パターン以外の田の字パタ
ーン、図形、アナログ表示時計パターニング々の応用が
可能なものである。
第１図はＺＣ表示素子の断面側面図。
１・・・茂明基板
２・・・透明Ｎ１極
３・・・ＥＣ物質
４・・・基 板
５・・・電 極
６・・・対向電極
７・・・封止部材
８・・・電解液
９・・・多孔質体
第２図は本発明の一部に用いられる網目状金属電極の構
成例の説明図。 第３図は本発明による複層電極を用いて得られたＥＣ素
子に用いられる表示電極基板における電極、ＩＣ物質の
配置図゛。 第４図は第３図のＸＸ面端図。 ２２・・・網目状金属電極 ４１・・・透明基板 ４２・・・網目状金属電極 ４３・・・工Ｔｏ膜 ４４・・・ＥＣ物質 ７ ｌ 同 ′１′２ 月 （ａ） ’ （ｂ）（Ｃ）
成例の説明図。 第３図は本発明による複層電極を用いて得られたＥＣ素
子に用いられる表示電極基板における電極、ＩＣ物質の
配置図゛。 第４図は第３図のＸＸ面端図。 ２２・・・網目状金属電極 ４１・・・透明基板 ４２・・・網目状金属電極 ４３・・・工Ｔｏ膜 ４４・・・ＥＣ物質 ７ ｌ 同 ′１′２ 月 （ａ） ’ （ｂ）（Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 一対の電極とエレクトロクロミック物質とか
ら少くとも成るエレクトロクロミック表示素子において
、透光性表示電極が網目状の金属電極とこの上に積層し
て形成された酸化物電極とから成る複層電極であること
を特徴とするエレクトロクロミック表示素子。 （２） ％許請求の範囲（１）において該金属がｐｔ
。 Ａｕ、 Ａｇ、 Ａ’ｌ、 Ｃ！ｕ、 Ｎｉ、 Ｔｉ、
Ｏｒ、 Ｍｏ、 Ｗから選ばれる一種以上の材料から
構成されるものであシ、酸化物が、酸化インジウム、酸
化スズ、酸化アンチモン、酸化カドミウムから選ばれる
一種以上の材料から選ばれたものであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のエレクトロクロミック表
示素子。 （８） エレクトロクロミック物質が酸化タングステ
ン、酸化モリブデン、酸化チタニウム、酸化タンタル、
酸化ニオビウム、酸化バナジウムから選ばれる一種以上
の材料であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のエレクトロクロミック表示素子。 （４）細目状金網電極の面抵抗値が１０Ω／口以下であ
り、この上に形成される酸化物電極の面抵抗値が１０Ω
１０以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のエレクトロクロミック表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178997A JPS5880623A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178997A JPS5880623A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880623A true JPS5880623A (ja) | 1983-05-14 |
Family
ID=16058302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56178997A Pending JPS5880623A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880623A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193532U (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-23 | 株式会社東海理化電機製作所 | エレクトロクロミツク表示素子 |
| WO2001075515A1 (en) * | 2000-04-03 | 2001-10-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device and method of manufacturing such a display device |
| JP2011513784A (ja) * | 2008-03-04 | 2011-04-28 | サン−ゴバン グラス フランス | メッシュを含むエレクトロクロミック装置 |
-
1981
- 1981-11-10 JP JP56178997A patent/JPS5880623A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193532U (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-23 | 株式会社東海理化電機製作所 | エレクトロクロミツク表示素子 |
| WO2001075515A1 (en) * | 2000-04-03 | 2001-10-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device and method of manufacturing such a display device |
| JP2011513784A (ja) * | 2008-03-04 | 2011-04-28 | サン−ゴバン グラス フランス | メッシュを含むエレクトロクロミック装置 |
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