JPS63261835A - 電極・配線形成方法 - Google Patents
電極・配線形成方法Info
- Publication number
- JPS63261835A JPS63261835A JP9772187A JP9772187A JPS63261835A JP S63261835 A JPS63261835 A JP S63261835A JP 9772187 A JP9772187 A JP 9772187A JP 9772187 A JP9772187 A JP 9772187A JP S63261835 A JPS63261835 A JP S63261835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- electrode
- oxygen
- mixture
- boron trichloride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims abstract description 13
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 9
- RJCQBQGAPKAMLL-UHFFFAOYSA-N bromotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Br RJCQBQGAPKAMLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 15
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical class C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
基板上に被着した、シリコン、高融点金属シリサイドま
たは高融点金属からなる導電膜をパターン化して、該導
電膜からなる電極または配線を形成するに際して、 四塩化珪素、三塩化硼素、酸素の混合気またはトリフル
オロブロモメタンを反応ガスにした反応性イオンエツチ
ング（ＲＩ Ｅ）によりパターン化を行うことにより、 電極または配線の断面形状が容易に台形になるようにし
たものである。
たは高融点金属からなる導電膜をパターン化して、該導
電膜からなる電極または配線を形成するに際して、 四塩化珪素、三塩化硼素、酸素の混合気またはトリフル
オロブロモメタンを反応ガスにした反応性イオンエツチ
ング（ＲＩ Ｅ）によりパターン化を行うことにより、 電極または配線の断面形状が容易に台形になるようにし
たものである。
本発明は、基板上に被着した、シリコン、高融点金属シ
リサイドまたは高融点金属からなる導電膜をパターン化
して、該導電膜からなる電極または配線を形成する電極
・配線形成の方法に関す。
リサイドまたは高融点金属からなる導電膜をパターン化
して、該導電膜からなる電極または配線を形成する電極
・配線形成の方法に関す。
ＭＯ３型半導体築積回路のゲート電極やそれと一緒に形
成される配線は、製造におけるその後の、工程の都合か
ら耐熱性を必要とするため、材料としてシリコン、高融
点金属シリサイドまたは高融点金属などが用いられ、一
般に、基板上にその材料の導電膜を被着しこれをパター
ン化して形成される。
成される配線は、製造におけるその後の、工程の都合か
ら耐熱性を必要とするため、材料としてシリコン、高融
点金属シリサイドまたは高融点金属などが用いられ、一
般に、基板上にその材料の導電膜を被着しこれをパター
ン化して形成される。
そして、その形成は、それによって形成された電極・配
線の上に設けられる絶縁膜が安定するようになされるの
が望ましい。
線の上に設けられる絶縁膜が安定するようになされるの
が望ましい。
第２図は、シリコン、高融点金属シリサイドまたは高融
点金属を材料とする電極・配線の形成の従来方法の要部
を示す側断面図である。
点金属を材料とする電極・配線の形成の従来方法の要部
を示す側断面図である。
同図において、先ず、フィールド絶縁膜やゲート絶縁膜
などを具えて表面上に電極・配線を形成する基板ｌの上
に、シリコン、高融点金属シリサイドまたは高融点金属
からなる導電膜２を被着し、その上に、レジスト、二酸
化シリコンまたは燐ガラス （ＰＳＧ）などからなり電
極・配線パターンにパターン化された。マスク１ｌＩｊ
！３を形成する。
などを具えて表面上に電極・配線を形成する基板ｌの上
に、シリコン、高融点金属シリサイドまたは高融点金属
からなる導電膜２を被着し、その上に、レジスト、二酸
化シリコンまたは燐ガラス （ＰＳＧ）などからなり電
極・配線パターンにパターン化された。マスク１ｌＩｊ
！３を形成する。
次いで、塩素系ガスを反応ガス４としたＲＩＥにより、
マスク膜３をマスクにして基板１が表出するまで導電膜
２をエツチングして電極・配線５を形成する。電極・配
線５上のマスク膜３は、その後に除去する。
マスク膜３をマスクにして基板１が表出するまで導電膜
２をエツチングして電極・配線５を形成する。電極・配
線５上のマスク膜３は、その後に除去する。
上記のＲＩＥでは、異方性工°ツチングの特性を有して
エツチングが垂直方向に進行するので、形成される電極
・配線５の側面が略垂直となり、断面形状が略方形であ
る。
エツチングが垂直方向に進行するので、形成される電極
・配線５の側面が略垂直となり、断面形状が略方形であ
る。
電極・配線５の形成の後は、その上にＰＳＧなどからな
る眉間絶縁膜を被着し、更にその上に別の配線を設ける
のが一般である。
る眉間絶縁膜を被着し、更にその上に別の配線を設ける
のが一般である。
その場合、断面形状が略方形であるため上下の隅がそれ
ぞれ略９０度の角度となる電極・配線５は、第３図に示
す如く、上側隅が上記の眉間絶縁膜６に電界集中７を起
こさせ、また、上側隅が眉間絶縁膜６の被着を不安定に
させてクランク８を発生し易くし、眉間絶縁膜６を劣化
させる問題がある。
ぞれ略９０度の角度となる電極・配線５は、第３図に示
す如く、上側隅が上記の眉間絶縁膜６に電界集中７を起
こさせ、また、上側隅が眉間絶縁膜６の被着を不安定に
させてクランク８を発生し易くし、眉間絶縁膜６を劣化
させる問題がある。
上記問題点は、基板上に被着した、シリコン、高融点金
属シリサイドまたは高融点金属からなる導電膜をパター
ン化して、該導電膜からなる電極または配線を形成する
に際して、該電極または配線の断面形状が台形になるよ
うに、四塩化珪素（ＳｉＣｌａ ）と酸素（Ｏ２）との
混合気、三塩化硼素（ＢＣＩ、）と酸素との混合気、四
塩化珪素と三塩化硼素と酸素との混合気、上記混合気の
中の何れか一つと塩素（ＣｔＺ）との混合気、またはト
リフルオロブロモメタン（ＣＦ ３ Ｂｒ）を反応ガス
にしたＲＩＥにより上記のパターン化を行う本発明の電
極・配線形成方法によって解決される。
属シリサイドまたは高融点金属からなる導電膜をパター
ン化して、該導電膜からなる電極または配線を形成する
に際して、該電極または配線の断面形状が台形になるよ
うに、四塩化珪素（ＳｉＣｌａ ）と酸素（Ｏ２）との
混合気、三塩化硼素（ＢＣＩ、）と酸素との混合気、四
塩化珪素と三塩化硼素と酸素との混合気、上記混合気の
中の何れか一つと塩素（ＣｔＺ）との混合気、またはト
リフルオロブロモメタン（ＣＦ ３ Ｂｒ）を反応ガス
にしたＲＩＥにより上記のパターン化を行う本発明の電
極・配線形成方法によって解決される。
従来方法では、電極・配線の断面形状が方形にを強めま
たクラック８を発生し易くし、眉間絶縁膜６を劣化させ
る問題となった。
たクラック８を発生し易くし、眉間絶縁膜６を劣化させ
る問題となった。
そこで、この問題は、電極・配線の断面形状を台形に形
成することにより緩和される。それは、上側隅の鈍角が
電界集中７を低減させ、また上側隅の鋭角が眉間絶縁膜
６の被着を安定化させてクラック８の発生を抑えるから
である。
成することにより緩和される。それは、上側隅の鈍角が
電界集中７を低減させ、また上側隅の鋭角が眉間絶縁膜
６の被着を安定化させてクラック８の発生を抑えるから
である。
本発明は、シリコン、高融点金属シリサイドまたは高融
点金属からなる導電膜を対象にして、ＲＩＥによるパタ
ーン化の際にこの台架が形成されるようにしたものであ
る。
点金属からなる導電膜を対象にして、ＲＩＥによるパタ
ーン化の際にこの台架が形成されるようにしたものであ
る。
即ち、ＲＩＥではエツチングとデポジション（堆積）と
が併存し、エツチングが堆積に勝るところでエツチング
が進行する。
が併存し、エツチングが堆積に勝るところでエツチング
が進行する。
そして、反応ガスとして上述のものを使用した場合には
、通常行われるＲＩＥの場合より堆積が強くなり、エツ
チングの進行中における側面に堆積した堆積膜が、その
先のエツチングに対するマスクとなるため、エツチング
される底面の縁がエツチングの進行と共に内側に移動す
るので、測面が自動的に傾斜して、形成される電極・配
線の断面形状が台形となる。
、通常行われるＲＩＥの場合より堆積が強くなり、エツ
チングの進行中における側面に堆積した堆積膜が、その
先のエツチングに対するマスクとなるため、エツチング
される底面の縁がエツチングの進行と共に内側に移動す
るので、測面が自動的に傾斜して、形成される電極・配
線の断面形状が台形となる。
ここで、堆積が強くなるのは、上記混合気では酸素が、
またトリフルオロブロモメタンでは臭素が堆積を促進さ
せるためである。
またトリフルオロブロモメタンでは臭素が堆積を促進さ
せるためである。
以下本発明方法の実施例についてその要部を示す第１図
の側断面図により説明する。企図を通じ同一符号は同一
対象物を示す。
の側断面図により説明する。企図を通じ同一符号は同一
対象物を示す。
同図において、先ず従来方法と同様に、フィールド絶縁
膜やゲート絶縁膜などを具えて表面上に電極・配線を形
成する基板１の上に、シリコン、高融点金属シリサイド
または高融点金属からなる導電膜２を被着し、その上に
、レジスト、二酸化シリコンまたはＰＳＧなどからなり
電極・配線パターンにパターン化されたマスク膜３を形
成する。
膜やゲート絶縁膜などを具えて表面上に電極・配線を形
成する基板１の上に、シリコン、高融点金属シリサイド
または高融点金属からなる導電膜２を被着し、その上に
、レジスト、二酸化シリコンまたはＰＳＧなどからなり
電極・配線パターンにパターン化されたマスク膜３を形
成する。
次いで、反応ガスを４８にしたＲＩＥにより、マスク膜
３をマスクにして基ｉｔが表出するまで導電膜２をエツ
チングして電極・配線５ａを形成する。
３をマスクにして基ｉｔが表出するまで導電膜２をエツ
チングして電極・配線５ａを形成する。
電極・配線５ａ上のマスク膜３は、その後に除去する。
反応ガス４ａは、次に示すものの何れでも良く、その圧
力は０．０２〜０．０５Ｔｏｒｒにする。また放電電力
は３００Ｗ以上にするのが良い。
力は０．０２〜０．０５Ｔｏｒｒにする。また放電電力
は３００Ｗ以上にするのが良い。
■ 四塩化珪素１容と酸素０．２５〜０．４容との混合
気。
気。
■ 三塩化硼素１容と酸素０．０５〜０．４容との混合
気。
気。
■ 四塩化珪素および三塩化硼素の任意比率混合気１容
と酸素０．０５〜０．４容との混合気。但し、酸素の下
限容は、四塩化珪素の比率が大きくなるに従い０．２５
に近づける必要がある。
と酸素０．０５〜０．４容との混合気。但し、酸素の下
限容は、四塩化珪素の比率が大きくなるに従い０．２５
に近づける必要がある。
■ 四塩化珪素１容と酸素０．２５〜０．５容と塩素０
．１〜０．３との混合気。
．１〜０．３との混合気。
■ 三塩化硼素１容と酸素０．０５〜０．５容と塩素０
．１−０．３との混合気。
．１−０．３との混合気。
■ 四塩化珪素および三塩化硼素の任意比率混合気１容
と酸素０．０５〜０．５容と塩素０．１〜０．３との混
合気。但し、酸素の下限容は、四塩化珪素の比率が大き
くなるに従い０．２５に近づける必要がある。
と酸素０．０５〜０．５容と塩素０．１〜０．３との混
合気。但し、酸素の下限容は、四塩化珪素の比率が大き
くなるに従い０．２５に近づける必要がある。
■ トリフルオロブロモメタン。
このエツチングでは、先に述べたように、エツチング進
行の過程で側面に堆積膜９が逐次形成され、この堆積膜
９がその先のエツチングのマスクとなるため、形成され
る電極・配線５ａは、側面が傾斜して断面形状が台形と
なる。なお、エツチングの後に残される堆積膜９は、マ
スク膜３の上記除去の際に一緒に除去される。
行の過程で側面に堆積膜９が逐次形成され、この堆積膜
９がその先のエツチングのマスクとなるため、形成され
る電極・配線５ａは、側面が傾斜して断面形状が台形と
なる。なお、エツチングの後に残される堆積膜９は、マ
スク膜３の上記除去の際に一緒に除去される。
そして、この側面の傾斜角をθとすれば、反応ガス４ａ
が上記■〜■の場合の傾斜角θは、酸素が上記の下限容
の際に約９０度であり、酸素の比率の増加に伴い傾斜角
θが小さくなって、上記の下限容の際に約７０度となる
。また、反応ガス４ａが上記■の場合の傾斜角θは８０
〜８５度である。
が上記■〜■の場合の傾斜角θは、酸素が上記の下限容
の際に約９０度であり、酸素の比率の増加に伴い傾斜角
θが小さくなって、上記の下限容の際に約７０度となる
。また、反応ガス４ａが上記■の場合の傾斜角θは８０
〜８５度である。
従って、電極・配線５ａの断面形状を台形にする側面の
傾斜角θ、は、反応ガス４ａを上記の中から適宜に選定
することにより、約７０度から約９０度までの範囲内の
任意の値に制御することが出来る。然もこの台形は、こ
のエツチングのみで形成されるので、形成が極めて容易
である。
傾斜角θ、は、反応ガス４ａを上記の中から適宜に選定
することにより、約７０度から約９０度までの範囲内の
任意の値に制御することが出来る。然もこの台形は、こ
のエツチングのみで形成されるので、形成が極めて容易
である。
このように電極・配線５ａの断面形状が台形になると、
第３図で説明した眉間絶縁膜６は安定に被着されてクラ
ンク８の発生が抑えられ、また上記形状の上側角が鈍角
となり電界集中７が低減するので、層間絶縁膜６の劣化
が緩和される。
第３図で説明した眉間絶縁膜６は安定に被着されてクラ
ンク８の発生が抑えられ、また上記形状の上側角が鈍角
となり電界集中７が低減するので、層間絶縁膜６の劣化
が緩和される。
以上説明したように本発明の構成によれば、基板上に被
着した、シリコン、高融点金属シリサイドまたは高融点
金属からなる導電膜をパターン化して、該導電膜からな
る電極または配線を形成するに際して、電極または配線
の断面形状が容易に台形になるようにすることが出来て
、その上に設けられる層間絶縁膜の劣化を緩和させ、然
もそれを容易に実現可能にさせる効果がある。
着した、シリコン、高融点金属シリサイドまたは高融点
金属からなる導電膜をパターン化して、該導電膜からな
る電極または配線を形成するに際して、電極または配線
の断面形状が容易に台形になるようにすることが出来て
、その上に設けられる層間絶縁膜の劣化を緩和させ、然
もそれを容易に実現可能にさせる効果がある。
第１図は本発明方法実施例の要部を示す側断面図、
第２図は従来方法の要部を示す側断面図、第３図は従来
方法の問題点を示す側断面図、である。 図において、 １は基板、 ２は導電膜、３はマスク膜、
４．４ａは反応ガス、５．５ａは電極・配線
、 ６は屓間絶縁股、７は電界集中、 ８はク
ラック、９は堆積膜、 である。 ′！８ １ 図 従来方法の要部を示すＩＸＩＩ断面図 詔 ２ 図 従来方法の間８点を示す１１訝面コ 吊 ３ 図
方法の問題点を示す側断面図、である。 図において、 １は基板、 ２は導電膜、３はマスク膜、
４．４ａは反応ガス、５．５ａは電極・配線
、 ６は屓間絶縁股、７は電界集中、 ８はク
ラック、９は堆積膜、 である。 ′！８ １ 図 従来方法の要部を示すＩＸＩＩ断面図 詔 ２ 図 従来方法の間８点を示す１１訝面コ 吊 ３ 図
Claims (1)
- 基板上に被着した、シリコン、高融点金属シリサイドま
たは高融点金属からなる導電膜をパターン化して、該導
電膜からなる電極または配線を形成するに際して、該電
極または配線の断面形状が台形になるように、四塩化珪
素（ＳｉＣｌ＿４）と酸素（Ｏ＿２）との混合気、三塩
化硼素（ＢＣｌ＿３）と酸素との混合気、四塩化珪素と
三塩化硼素と酸素との混合気、上記混合気の中の何れか
一つと塩素（Ｃｌ＿２）との混合気、またはトリフルオ
ロブロモメタン（ＣＦ＿３Ｂｒ）を反応ガスにした反応
性イオンエッチングにより上記のパターン化を行うこと
を特徴とする電極・配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9772187A JPS63261835A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 電極・配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9772187A JPS63261835A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 電極・配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63261835A true JPS63261835A (ja) | 1988-10-28 |
Family
ID=14199755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9772187A Pending JPS63261835A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 電極・配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63261835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07335634A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100684A (ja) * | 1982-11-26 | 1983-06-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ドライ・エツチング方法 |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP9772187A patent/JPS63261835A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100684A (ja) * | 1982-11-26 | 1983-06-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ドライ・エツチング方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07335634A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63261835A (ja) | 電極・配線形成方法 | |
| JPH1027804A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS59141232A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5936929A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63177523A (ja) | コンタクトホ−ル形成方法 | |
| JPS5864032A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05136103A (ja) | エツチング方法 | |
| JPS62154628A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS5720450A (en) | Forming method for pattern of semiconductor device | |
| JPS61207069A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6362351A (ja) | 多結晶珪素層のパタ−ニング方法 | |
| JPS5966150A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS61284585A (ja) | アルミニウム膜のテ−パエツチング方法 | |
| JPH04180623A (ja) | 薄膜パターンの形成方法 | |
| JPS59152631A (ja) | 配線パタ−ンの形成方法 | |
| JPS63108752A (ja) | エツチング方法 | |
| JPS62124741A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6386453A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6354750A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62140433A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63272051A (ja) | 半導体集積回路における配線構造 | |
| JPS5932126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63220543A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58220428A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0215163A (ja) | アルミナ薄膜の形成方法 |