JPS63259076A - スパツタリング装置のプラズマ起動方法 - Google Patents
スパツタリング装置のプラズマ起動方法Info
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- JPS63259076A JPS63259076A JP9077087A JP9077087A JPS63259076A JP S63259076 A JPS63259076 A JP S63259076A JP 9077087 A JP9077087 A JP 9077087A JP 9077087 A JP9077087 A JP 9077087A JP S63259076 A JPS63259076 A JP S63259076A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- process gas
- sputtering device
- target
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- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スパッタリング装置のプラズマ起動方法に係
り、特に、ターゲット交換後やターゲット大気開放直後
のプラズマ起動に好適なプラズマ起動方法に関するもの
である。
り、特に、ターゲット交換後やターゲット大気開放直後
のプラズマ起動に好適なプラズマ起動方法に関するもの
である。
従来の装置は、通常のデポ条件下（処理室内圧力が３〜
４ ｍＴｏｒｒ ）で初期のプラズマを起動しており、
デボ時の放電条件とプラズマ起動時の放電条件を変える
という配慮がされていなかった。
４ ｍＴｏｒｒ ）で初期のプラズマを起動しており、
デボ時の放電条件とプラズマ起動時の放電条件を変える
という配慮がされていなかった。
なお、この種の装置として関連するものには、例えば、
特開昭６０−５６０６８号、実開昭６０−４９１５２号
等が挙げられる。
特開昭６０−５６０６８号、実開昭６０−４９１５２号
等が挙げられる。
上記従来技術は、プラズマを容易に発生させるという点
につき配慮がされておらず、ターゲット交換後や、ター
ゲット大気開放直後にターゲット表面に付着している酸
化物によりプラズマが発生しにくいという問題があった
。
につき配慮がされておらず、ターゲット交換後や、ター
ゲット大気開放直後にターゲット表面に付着している酸
化物によりプラズマが発生しにくいという問題があった
。
本発明の目的は、プラズマを発生し易くする方法を提供
することにある。
することにある。
上記目的は、プラズマ起動時に処理室内の圧力を高（す
ることにより、達成される。
ることにより、達成される。
処理室内の圧力を高くすることによって放電開始電圧が
低くなり、プラズマの発生が容易になる。
低くなり、プラズマの発生が容易になる。
以下、本発明の一実施例を第１．２図により説明する。
スパッタリング装置において、プロセスガスはマスフロ
ーコントローラｌより供給され、クライオポンプ３によ
り排気される構造であり、プロセスガスの流量を増加さ
せることにより処理室内９の圧力は調整可能である。そ
こで、プロセスガスを導入しである所定の圧力になれば
、直流［１１１２を閉路とし、アノード６およびターゲ
ット５間に電圧を印加させ、プラズマ８を発生させる。
ーコントローラｌより供給され、クライオポンプ３によ
り排気される構造であり、プロセスガスの流量を増加さ
せることにより処理室内９の圧力は調整可能である。そ
こで、プロセスガスを導入しである所定の圧力になれば
、直流［１１１２を閉路とし、アノード６およびターゲ
ット５間に電圧を印加させ、プラズマ８を発生させる。
４はシャッター％７はウェハである。
第２図はプラズマ発生時とデポ時のプロセスガスａｆｌ
Ｌを示しており、このように、プラズマ発生時のみプロ
セスガスｆｆＬ′ｊＩＬを増加させる二とにより処理室
内の圧力を高めることが可能となり、放電開始電圧が低
くなりプラズマを容易に発生させるという効果がある。
Ｌを示しており、このように、プラズマ発生時のみプロ
セスガスｆｆＬ′ｊＩＬを増加させる二とにより処理室
内の圧力を高めることが可能となり、放電開始電圧が低
くなりプラズマを容易に発生させるという効果がある。
また、デポ特番こは所定の圧力になるように部組を設定
することにより、成膜性能においても問題は発生しない
。
することにより、成膜性能においても問題は発生しない
。
本発明によれば、ターゲット交換時やターゲット大気開
放直後のプラズマ発生が容易となる効果がある。
放直後のプラズマ発生が容易となる効果がある。
第１図は本発明を実施する装置の概略図、＠２図は本発
明によるプロセスガス流量の制御図である。
明によるプロセスガス流量の制御図である。
Claims (1)
- １、プロセスガス導入にマスフローコントローラを用い
ているスパッタリング装置において、放電開始時のみ前
記プロセスガス流量を増加させるようにしたことを特徴
とするスパッタリング装置のプラズマ起動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9077087A JPS63259076A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | スパツタリング装置のプラズマ起動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9077087A JPS63259076A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | スパツタリング装置のプラズマ起動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63259076A true JPS63259076A (ja) | 1988-10-26 |
Family
ID=14007840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9077087A Pending JPS63259076A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | スパツタリング装置のプラズマ起動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63259076A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5049251A (en) * | 1988-06-10 | 1991-09-17 | Fujitsu Limited | Sputtering method for fabricating thin film |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP9077087A patent/JPS63259076A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5049251A (en) * | 1988-06-10 | 1991-09-17 | Fujitsu Limited | Sputtering method for fabricating thin film |
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