JPS63257110A - 混合焼結磁器およびその製造方法 - Google Patents

混合焼結磁器およびその製造方法

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JPS63257110A
JPS63257110A JP62089897A JP8989787A JPS63257110A JP S63257110 A JPS63257110 A JP S63257110A JP 62089897 A JP62089897 A JP 62089897A JP 8989787 A JP8989787 A JP 8989787A JP S63257110 A JPS63257110 A JP S63257110A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、誘電率が高くその温度依存性・電界依存性の
小さい混合焼結磁器およびその製造方法に関し、特に電
極焼き付けと磁器焼成を同時に行った混合焼結磁器に生
じる比抵抗の低下、誘電損失の増加、誘電率温度依存性
の異常等の誘電異常を改善した混合焼結磁器およびその
製造方法に関するものである。
[従来の技術] 磁器コンデンサ用誘電体材料には、誘電率が高くその温
度依存性・電界依存性が小さいことが要求される。しか
し、高話電率とそれら依存性の低減は相反する要求であ
り、従来同時に満足させることは困難であった。この解
決方法として、本発明者らは高誘電率を示すキュリー温
度が異なる、2種類以上のペロブスカイト系磁器材料か
らなる混合焼結磁器とその製造方法を提案しく特開昭6
1−63565号)、さらにこの磁器を用いた積層磁器
コンデンサを提案した(特開昭62−38806号)。
この積層磁器コンデンサは第15図に示す工程によって
積層化して製造される。すなわち、キュリー温度の異な
る2種類以上(第15図の例では2種類)のペロブスカ
イト系磁器材料AおよびBの原料粉末を、それぞれ秤量
、湿式混合、乾燥した後、それぞれ異なる温度(TIA
、TIB)で予焼して2種類以上のペロブスカイト系磁
器材料とした後、これら材料を粉砕して適当な比で混合
し、バインダや分散媒等を加えて成膜する。さらに、内
部電極材料を印刷して積層プレスした後に、2種類以上
のペロブスカイト系磁器材料を完全に固溶させることな
く、T、^4111のうちの高い方の温度より低い温度
T2で焼結させて積層磁器コンデンサを製造するもので
ある。
この場合、積層磁器コンデンサの特性が内部電極材料の
種類に影響されることが判明した。例えばキュリー点の
異なる2種類のペロブスカイト系磁器材料として、Pb
 (Fe2/3W+za) x (Fe2/3W+za
) r−,03(0≦X≦1)のうちのxsO,2(4
0mo1%)とX−0,5(60mo1%)を用い、内
部電極材料として80%Ag−20%Pdペースト(融
点1150℃)を用いて1000℃で焼成した積層磁器
コンデンサと比較し、同一磁器材料を用い、内部電極材
料として85%八g−15%Pd(融点1100℃)を
用い950℃で焼成した積層磁器コンデンサは、比抵抗
が低下し、誘電損失が増加し、誘電率温度依存性が異常
を示す等、誘電異常が発生した。
第16図は比抵抗の温度依存性を示す図で、図中、曲線
Aは内部電極材料に80%八g−20%Pdペーストを
用いた正常な誘電特性を示す積層磁器コンデンサの場合
を、また曲線Bは内部電極材料に85%Ag−15%P
dペーストを用いた誘電異常を示す積層磁器コンデンサ
の場合を示している0図示するように、内部電極材料を
80%Ag−20%Pdペーストから85%八g−15
%Pdペーストに変更すると、比抵抗が著しく減少し、
室温における値はlol lΩ・cmから10’Ω・c
m程度にまで減少する。
第17図はtanδの温度依存性(f−1kH2)を示
す図で、図中、曲線Aは内部電極材料に80%Ag−2
0%Pdペーストを用いた正常な誘電特性を示す積層磁
器コンデンサの場合を、また曲線Bは内部電極材料に8
5%八g−15%Pdペーストを用いた誘電異常を示す
積層磁器コンデンサの場合を示している。
図示するように、85%Ag−15%Pdペーストを用
いた積層コンデンサのtanδは80%Ag−20%P
dペーストを用いた積層コンデンサのtanδと比較し
て著しく大きい。室温における値は曲線Aの1%以下に
対し、曲線Bでは約100%にも達する。
第18図は誘電率の温度変化率(ε−ε2 oao/g
zo”c)を示す図(f−1kH2)で、図中、曲線A
は内部電極材料に80%八g−20%Pdペーストを用
いた正常な誘電特性を示す積層磁器コンデンサの場合を
、また曲線Bは内部電極材料に85%八g−15%Pd
ペーストを用いた誘電異常を示す積層磁器コンデンサの
場合を示している。図示するように、内部電極材料に8
5%八g−15%Pdペーストを用いた場合は、温度上
昇に伴う誘電率の増加が極めて著しい。
第19図に従来の単板コンデンサの製造工程を示す。例
えば、上述したPb(Fe2/3W+za)x(Fe+
z2Nbl/2) +−Xosのx−Aの材料の原料粉
末とx−8の材料の原料粉末とをそれぞれ別々に秤量、
混合し、それぞれ異なる温度TIA、Tl11で予焼し
て粉砕した後、それらを混合し、加圧成形し、電極材料
を塗布した後に” l A + ” l Bのうちの高
い方の温度より高くない温度T2で本焼成して単板コン
デンサを作製する。このようにして作製した単板コンデ
ンサ、例えばx=Aとしてx−0,2の材料を40mo
1%、 x−Bとしてx−0,5の材料を601io1
%混合し、電極材料に85%Ag−15%Pdペースト
を用い、 950℃、 Ihr焼成した単板コンデンサ
も、前述した積層コンデンサと全く同様な誘電異常を生
ずる。
[発明が解決しようとする問題点J このように、キュリー温度の異なるZ fffl類以上
のペロブスカイト系材料からなる従来の混合焼結磁器は
、電極材料として80%Ag−20%Pdを用いるとす
ぐれた特性を示すが、低価格の85%^g−15%Pd
を電極材料として用いると誘電異常を生ずる欠点があっ
た。
本発明は低Pdの電極材料を用いてもこのような誘電異
常を生ずることがなく、すぐれた特性を有する混合焼結
磁器およびその製造方法を提供することを目的とする。
[問題点を解躾するための手段] このような目的を達成するために、本発明はキュリー温
度の異なる2種以上のペロブスカイト系磁器材料からな
る混合焼結磁器において、ペロブスカイト系磁器材料の
うちの1種が磁器の各結晶粒の中心部に、ペロブスカイ
ト系磁器材料のうちの他の種が各結晶粒の周辺部に存在
し、かつ結晶粒界にマンガンの酸化物が存在することを
特徴とする。
また本発明は別々に予焼して作製されたキュリー温度の
異なる2種類以上のペロブスカイト系磁器材料を用いる
混合焼結磁器の製造方法において、ペロブスカイト系磁
器材料のうちの少なくともi fffl類は作製時にそ
の原料に対しMnO2を加えて予焼する工程を含み、2
種類以上のペロブスカイト系磁器材料を所望の比で混合
し、成形した後、電極材料を印刷あるいは塗布し、2種
類以上のペロブスカイト系磁器材料のうちで最も高い温
度で予焼した材料の予焼温度よりも低い温度で焼結させ
ることを特徴とする。
[作 用] 上述した誘電異常の原因を調べた結果、誘電異常は内部
電極材料の影響により生じ、内部電極材料の焼き付けと
磁器焼成を同時に行う際に、混合焼結磁器からPb、F
e、W元素が脱離して電荷の不足が生じ、誘電異常を引
き起こすことが判明した。
本発明においては、MnO,を添加して電荷の不足を補
償し、さらに添加したMnO□を結晶粒界に局在させる
ことによって、電極焼き付けと混合焼結磁器の焼成を同
時に行った際に発生する誘電異常を防ぐことができるた
め、電極材料に安価なAgを多量に含むへg−7’dペ
ーストを使用することができ、コンデンサの価格低下を
図ることができ、また混合焼結磁器の高温におけるta
nδをさらに小さくすることができる。
[実施例J キュリー温度が異なる2種類以上のペロブスカイト系磁
器材料として、Pb (Fe2/5WIys) X (
Fe+zzNblzz) l−,03(0≦X≦1)の
うちのx−0,2とx−0,5を、また内部電極材料と
して85%Ag−15%Pdペーストを用いた場合を例
として本発明の詳細な説明する。
誘電異常の改善方法は電極焼き付けと磁器焼成を同時に
行った単板コンデンサを用いて検討した。第1図に単板
コンデンサの製造方法の一例を示す。本実施例において
は、X・0.2およびx=0.5となるようにPbO,
Fe2O3,WO3,Nb2O3の粉末を秤量する。そ
の際、融点の低い方のx=0.5にその1.0wt%以
下のMnO□を加える。そして湿式混合し、脱水、乾燥
する。これらの工程は通常の従来法でよい。x−0,2
の材料は1050℃で、x−0,5の材料は850℃で
、それぞれ空気中で1時間予焼し、再粉砕し、x−0,
2を40mo1%、 x−0,5を60mo1%混合す
る。さらに必要なら通常のバインダや分散剤などを加え
、加圧成形し、85%Ag−15%Pdペーストを塗布
または印刷し、キュリー温度の異なる磁器材料が混在す
るよう、空気中で950’C,1時間焼成して単板コン
デンサを作製した。
このようにして作製した単板コンデンサの初期特性を第
2図ないし第9図に示す。
第2図ないし第5図はそれぞれ室温における、比抵抗、
誘電率、誘電率の周波数変化率およびtanδの初期特
性のMnO□添加量による変化を示す。各図中、◎印で
示すものは80%Ag−20%Pdベーストを電極材料
として用いた正常値である。
各図に示されているように、室温における初期特性はx
−0,5にMnO□を0.2wt%以上添加することに
より著しく改善され、x−0,5にMnO2を0.2w
t%添加した場合には比抵抗が107から1011Ω・
cmに、誘電損失(tanδ)が28.5%から0.9
%(f−1k)Iz)に、また誘電率(ε)の周波数変
化率(ε1□2−61゜。kH1/εIk□)が32.
5%から1.7%に改善され、いずれも正常値を示す。
εの値も周波数依存性の改善に伴い異常値の19,00
0 (周波数依存性のため見掛は上値が大きくなってい
る)から正常値の12,000に改善される。
第6図ないし第9図はそれぞれ80℃における、比抵抗
、誘電率1話電率の周波数変化率およびtanδの初期
特性のMnO2添加量による変化を示す。各図において
、◎で示すものは電極材料として80%八g−20%P
dペーストを用いた正常値である。各図に示されるよう
に、80℃における初期特性はX−0,5にMnO2を
(1,2wt%以上添加することにより著しく改善され
、 0.5wt%添加した場合には、比抵抗が106か
ら10’Ω・cmに、 tanδが39%から2%(f
=1kHz)に、またεの周波数変化率が61.4%か
ら2.6%に改善され、いずれも正常値を示す。εの値
も上述の室温の場合と同様に異常値の22,000から
正常値のa、oooに改善される。
MnO,の添加量がx=0.5に対して 1.0wt%
を越えると焼結性が悪くなり、また誘電率の周波数依存
性も悪くなる。従ってMnO2の添加量は低融点のx”
0.5の1.0wt%以内が良い。
x=0.5 にMnO2を0.5wt%添加した単板コ
ンデンサおよび誘電異常を生じている単板コンデンサの
比抵抗、 tanδおよび誘電率の温度依存性を、正常
な混合焼結磁器の場合と比較して第1O〜12図に示す
。各図において、曲線Aは80%八g−20%Pdペー
ストを電極材料に用いた正常な混合焼結磁器単板コンデ
ンサ、曲線Bは誘電異常を生じている単板コンデンサ、
曲線Cがx=0.5にMnO□を0.5wt%添加した
単板コンデンサである。
第10図に示すように、Mn0zを添加した単板コンデ
ンサの比抵抗は正常な混合焼結磁器より温度依存性が小
さく、室温以上においては、より高い比抵抗を有する。
また第11図に示したtanδの温度依存性では、Mn
O,の添加により高温でのtanδが正常な混合焼結磁
器に比べてさらに小さくなっている。第12図に示すよ
うに、MnO2を添加した単板コンデンサのε温度依存
性は、正常な混合焼結磁器と一致し、0℃付近に大きな
εのピークをまた60℃付近にショルダーとしてεのピ
ークを示す。このように、x=0.5にMnO2を1.
0wt%以下添加するだけで電極焼き付けと磁器焼成を
同時に行った場合に生じる混合焼結磁器の誘電異常が改
善される。
x=0.5にMnO,を0.5wt%添加した単板コン
デンサの表面を鏡面研磨し、12分間化学エツチング(
エッチャント: 95m1H20+5m1HC1+0.
3m1HF)  L/た後の、研磨面の電子顕微鏡写真
を第13図に示す。
磁器の結晶粒には混合焼結磁器の特徴である高さの異な
る2つの領域、すなわち(a)で示す中心部(Core
)と(b)で示す周辺部(Shell) とが現われて
りる。Coreおよび5hellの組成分析を電子プロ
ーブマイクロ分析により行った結果を第1表に示す。C
areおよび5hellは第1表に示したように、それ
ぞれ混合したペロブスカイト系磁器材料のx=0.2お
よびx−0,5であることが判明した。
さらに、x=0.5にMnO,を0.5wt%添加した
単板コンデンサについて、磁器中のMnの存在位置・状
態をX線吸収端微細構造解析(EXAFS)を用いて検
討した。磁器中のMn、および比較のためMnO2中の
Mnのに吸収端付近におけるX線吸収スペクトルを測定
し、そのスペクトルから導き出しなEXAFS振動項を
フーリエ変換して求めた動径構造関数を第14図に示す
。図中(a)はMnO2中のMn、  (b)は磁器中
のMnの動径構造関数である。第14図の動径構造関数
に対し、混合焼結磁器を構成するPb、Fe、Nb。
W、O,Mn原子を当てはめてカーブフィッテングさせ
た結果、磁器中のMnの第1近接原子はOであり、第2
.第3近接原子は財あるいはFe(MnとFeは原子番
号が隣接しているため区別が困難である)であり、近接
原子にPb、Nb、Wは存在しないことが判明した。従
って、磁器中のMnは混合焼結磁器の結晶粒を構成する
×・0.2および×・0.5の結晶格子中には存在せず
結晶粒界に存在し、Mnの酸化物またはMnFeの酸化
物として存在するものと推定される。さらに、第14図
を基にして導き出された第1、第2.第3近接原子間の
距離が第2表に示したように添加したMnO2とほぼ一
致することから、磁器中のMnの価数は4価であるもの
と推定される。
以上に述べたことから、磁器中のMnは価数が4価であ
り、MnO2またはMnFeOx (3≦×≦3.5)
として結晶粒界に存在すると考えられる。
第  1  表 第  2  表 MnO2の添加によって、先に述べたPb、Fe、Wの
電荷の不足分を補償し、誘電異常を改善することができ
る。さらにMnO2が粒界に存在するので、比抵抗を高
め、比抵抗の温度依存性を小さくすること、高温におけ
る tanδを小さくすることができる。
混合焼結磁器でなく x−0,2およびx−0,5単体
の磁器の最適焼成温度(それぞれ1150℃および10
00℃)と混合焼結磁器の焼成温度(950℃)を比較
した場合、混合焼結磁器の焼成に対しx=0.5の方が
よりPb、Fe、W元素が脱離する可能性が大きいので
、MnO,を添加する際、融点の低い方のX・0.5に
添加すると電荷不足をより効果的に補償することができ
る。ざらにx−0,5の組成は結晶粒の外周部(She
ll) に存在するので、MnO2をx−0,5に添加
することによって、より効果的にMnO2を結晶粒界に
局在させることができる。 。
以上の実施例においては、ペロブスカイト系磁器材料と
して、 Pb (Fe2z3W+y3) X (Fel
/2Nbl/2) 1−xOsのうちのx−0,2を4
0mo1%、 x=0.5を60mo1%混合した混合
焼結磁器として用いた。しかし、x−0,2とX・0.
5の混合比はこの実施例に限られず、また混合される組
成がx−0,2とx−0,5とに限られないことは言う
までもない。本発明は組成比Xの異なる3種類以上の混
合焼結磁器にも適用でき、WやNbの組成比゛が異なり
、あるいはpb以外の元素を含む他のペロブスカイト系
磁器にも適用でき、Ag−PdペーストのPdを10%
またそれ以下にまで低下することができる。また、本発
明を積層磁器コンデンサに適用できることは言うまでも
ない。  ・[発明の効果] 以上説明したように、含椿葉渉参幸キュリー温度が異な
る2種類以上のペロブスカイト系磁器材料の原料粉末の
うち、少なくとも1種類にMnO2を添加すれば、電極
焼き付けと混合焼結磁器の焼成を同時に行った際に発生
する誘電異常を防ぐことができるため、電極材料に安価
なAgを多量に含むAg−Pdペーストを使用すること
ができ、コンデンサの価格低下が図れるという利点があ
る。また混合焼結磁器の高温におけるtanδをさらに
小さくすることができるといった利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の混合焼結磁器単板コンデンサの製造方
法の一実施例を示す工程図、 第2図はMnO□添加量と比抵抗の室温における初期特
性の関係を示す特性図、 第3図はMnO、添加量と誘電率の室温における初期特
性の関係を示す特性図、 第4図は1JnO,添加量と誘電率の周波数変化率の室
温における初期特性の関係を示す特性図、第5図はMn
O□添加量と tanδの室温における初期特性の関係
を示す特性図、 第6図はMnO2添加量と比抵抗の80℃における初期
特性の関係を示す特性図、 第7図はMnO2添加量と誤電率の80℃における初期
特性の関係を示す特性図、 第8図はMnO,添加量と誘電率の周波数変化の80℃
における初期特性の関係を示す特性図、第9図はMnO
2添加量とtanδの80℃における初期特性の関係を
示す特性図、 第10図は比抵抗の温度依存性を示す特性図、第11図
はtanδの温度依存性を示す特性図、第12図は誘電
率の温度依存性を示す特性図、第13図はMnO7を0
.5wt%添加した単板コンデンサの結晶構造を示す電
子顕微鏡写真、 第14図はMnO,を0.5wt%添加した単板コンデ
ンサにおけるMnの動径構造関数を示す図、第15図は
従来の積層磁器コンデンサの製造工程図、 第16図は従来の積層磁器コンデンサの比抵抗の温度依
存性を示す特性図、 第17図は従来の積層磁器コンデンサのtanδの温度
依存性を示す特性図、 第18図は従来の積層磁器コンデンサの誘電率の温度変
化を示す特性図、 第19図は従来の単板コンデンサの製造工程図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)キュリー温度の異なる2種以上のペロブスカイト系
    磁器材料からなる混合焼結磁器において、前記ペロブス
    カイト系磁器材料のうちの1種が磁器の各結晶粒の中心
    部に、前記ペロブスカイト系磁器材料のうちの他の種が
    前記各結晶粒の周辺部に存在し、かつ結晶粒界にマンガ
    ンの酸化物が存在することを特徴とする混合焼結磁器。 2)別々に予焼して作製されたキュリー温度の異なる2
    種類以上のペロブスカイト系磁器材料を用いる混合焼結
    磁器の製造方法において、前記ペロブスカイト系磁器材
    料のうちの少なくとも1種類は作製時にその原料に対し
    MnO_2を加えて予焼する工程を含み、前記2種類以
    上のペロブスカイト系磁器材料を所望の比で混合し、成
    形した後、電極材料を印刷あるいは塗布し、前記2種類
    以上のペロブスカイト系磁器材料のうちで最も高い温度
    で予焼した材料の予焼温度よりも低い温度で焼結するこ
    とを特徴とする混合焼結磁器の製造方法。 3)前記MnO_2の添加量が、該MnO_2が添加さ
    れる前記少なくとも1種類の磁器材料の1wt%以下で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の混合
    焼結磁器の製造方法。 4)前記MnO_2を前記2種類以上のペロブスカイト
    系磁器材料のうちの最も融点の低い材料に添加すること
    を特徴とする特許請求の範囲第2項または第3項に記載
    の混合焼結磁器の製造方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5370400A (en) * 1976-12-02 1978-06-22 Nec Corp Ceramics composition of higher dielectric constant
JPS6127005A (ja) * 1984-07-16 1986-02-06 株式会社デンソー 高周波吸収セラミツクス
JPS6241753A (ja) * 1985-08-12 1987-02-23 日本電信電話株式会社 ペロブスカイト系磁器とその製法
JPS63141205A (ja) * 1986-12-04 1988-06-13 太陽誘電株式会社 誘電体磁器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5370400A (en) * 1976-12-02 1978-06-22 Nec Corp Ceramics composition of higher dielectric constant
JPS6127005A (ja) * 1984-07-16 1986-02-06 株式会社デンソー 高周波吸収セラミツクス
JPS6241753A (ja) * 1985-08-12 1987-02-23 日本電信電話株式会社 ペロブスカイト系磁器とその製法
JPS63141205A (ja) * 1986-12-04 1988-06-13 太陽誘電株式会社 誘電体磁器

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